PAGEPAGE21股份有限公司年產1000噸硅烷氣體建設項目項目建議書浙江精功新材料技術有限公司二0一三年八月十日第一章總論1.1項目概述:1.1.1項目名稱：有限公司年產1000噸硅烷氣體.3建設地點：1.1.4項目性質：新建項目1.1.5法人代表：項目承建單位:有限公司（籌）項目投資方:有限公司1.2編制依據及原則1.2.1編制依據有限公司《年產1000噸硅烷項目建議書》編制委托書有限公司提供的建廠地區氣象、水文、地質資料有限公司提供的發展規劃國家發改委《產業結構調整指導目錄（2011年本）》技術提供方提供的相關技術資料和數據提供的其他資料1.2.2編制原則貫徹執行國家基本建設的方針政策，采用國際先進的三氯氫硅歧化等成熟工藝技術，吸收國內同行業的先進經驗，提高硅烷產品品質，保證裝置長周期安全穩定運行工廠總平面布置充分考慮現有用地的總體布局和周圍裝置情況，因地制宜，合理布置，留有發展余地。在滿足生產安全的前提下，選擇先進的生產工藝技術，采用經濟、合理的設計方案，配備高效節能設備，建設節約能源、降低消耗、節省工程投資和占地的先進生產裝置。裝置采用露天和半露天布置，充分體現“五化”（一體化、露天化、輕型化、社會化、國產化）的要求。充分依托公司已有的公用工程條件，優化設計方案，節省工程投資。嚴格執行國家和地方的消防、環境保護、勞動安全衛生法律和法規，建設既符合消防安全要求又清潔環保的現代化裝置。1.3項目建設的目的和意義1.3.12011年，隨著美國對中國光伏業的雙反，新能源中多晶硅硅料和光伏組件價格一落千丈，快速發展了近10年的中國光伏業及相關行業如三氯氫硅行業遭遇“寒冬”。印度，歐盟等國家相繼向中國光伏發起“雙反”調查，國際貿易保護主義延伸至新能源領域，更讓中國光伏企業雪上加霜，連帶三氯氫硅生產企業也岌岌可危。在這乍暖還寒的節骨眼上，中國光伏業面臨一場“洗牌”，具備資金、技術優勢尤其是掌握先進關鍵技術的光伏企業將沿著降低成本的路線，不斷促進技術研發和規模生產，以及產品的多樣化；而眾多的落后產能將被淘汰，最終促成中國光伏及相關行業的轉型升級和良性發展。與發達國家相比，我國生產企業在技術上還有差距，盲目建設、低水平重復、產品單一、同質化競爭現象仍較嚴重，行業景氣指數較低。在這樣的情況下，環境和形勢倒逼國內這些生產企業加快產品結構調整，改進工藝技術路線，提高產品質量，向高端領域發展。在這個充滿機遇與困難的時候，更迫切需要對現有產品結構和技術工藝進行大膽的改進和調整，拓寬公司的產品鏈，研發新的工藝替代路線，開發新的技術工藝，實行多產品方案，練好自身內功更是十分必要的。6N標準的氣體目前世界上只有美國、歐洲和俄羅斯等發達國家才能生產。美國的REC公司生產采用三氯氫硅兩步歧化法生產該種氣體，我國進口該種氣體常常因國際形勢緊張和變化而受到阻礙，因此直接制約了電子、新能源等相關領域的發展。浙江精功新材料技術有限公司團隊有相當一部分人來自于美國某三氯氫硅歧化法硅烷生產企業的技術以及生產部門，人員均從事過多起硅烷項目的技術優化、工藝設計和現場生產培訓、開車調試的任務，具備研制和生產這種氣體的能力。同時，浙江精功具有生產配套硅烷特種設備的能力。經過多次技術交流和磋商，浙江精功愿同我方合作，提供技術和部分關鍵設備，共同開發該項產品。本項目主要利用浙江精功公司研制的硅烷氣體制備和提純技術，在中國建立高純度特種氣體及硅烷法多晶硅新工藝和裝備的研究基地及產業化基地，解決我國急需的高純氣體材料的國產化問題，使硅烷氣體的純度達到6N（99.9999%）；為后續硅烷氣沉積制備電子級多晶硅的新工藝和裝備，包括硅烷CVD爐以及硅烷流化床的研發打下堅實的基礎。該項目在國內屬首創，技術指標達到國際同行業先進水平，填補我國高純度特氣生產空白，徹底改變我國電子特氣長期受制于人的局面，同時優化企業產品結構，提高市場競爭了。1.3.2.項目建設的目的和意義利用三氯氫硅歧化生產硅烷的生產技術為國外的公司所壟斷。通過該項目的建設，利用已有的裝置規模、場地以及人才優勢，通過不斷探索和優化工藝條件，完善利用三氯氫硅制備硅烷的生產工藝，突破技術壁壘，打破國外壟斷，實現具有自我知識產權的硅烷生產工藝；對于推動整個中國硅烷的發展和產業升級具有重大的戰略意義。該項目的成功將三氯氫硅轉變成高附加值的硅烷氣體；硅烷氣的制備也可以繼續延伸產業鏈至硅烷多晶硅；硅烷由于易于提純且生成多晶硅的過程中無污染，因此硅烷氣制備的多晶硅是目前品質最好的多晶硅產品，具有很廣闊的市場空間；可以徹底打破目前改良西門法一統天下的局面，并大大降低能耗，減少污染，并極大地降低成本，為我國多晶硅的發展開辟一條嶄新的道路1.3.2未來多晶硅行業比拼的就是成本，技術。硅烷法多晶硅的無論成本還是產品質量都是取代三氯氫硅西門子法的最佳選擇。建設歧化法硅烷裝置，對于公司的產品結構調整、提升市場競爭力有著非常重要的意義。高純度特種氣體硅烷SiH4等廣泛應用于電子行業、太陽能電池、移動通訊、汽車導航、航空航天、軍事工業等方面。目前我國只能生產純度在3N~4N標準的特種氣體，而在許多重要領域，比如：國家戰備武器研究和神州七號運載火箭上的控制系統的電子原器件的制造，以及衛星上使用的太陽能電池的制造等方面所急需的6N標準的氣體全部依靠進口。1.3.3本項目主要技術經濟指標詳見表1-3主要技術經濟指標表。表1-3綜合技術經濟指標表序號指標名稱單位數量備注一生產規模硅烷氣體裝置t/a1000二年操作時間硅烷裝置h8000三產品方案硅烷氣體（電子級）t/a1000四主要原輔料消耗量1三氯氫硅t/a17350自有2液氮t/a5760國內采購3催化劑（歧化）t/a10國內采購五年更換4吸附劑t/a5國內采購，五年更換530%氫氧化鈉溶液t/a167國內采購五公用工程消耗量1工業電380VkW·h/a752000公司內部4儀表空氣0.6MPaGNm3/a1200000來自空壓制氮站5循環水Δt=10t/h450來自循環水站6生活水0.35MPaGt/h15來自自來水廠7蒸汽0.2MPaGt/h6.5來自界外8冷量-40℃Δt=5℃t/h5.9來自制冷站（循環量）六“三廢”排放量1廢水t/a1602廢氣Nm3/h873固體廢物（液）t/a無七運輸量1運入量t/a232922運出量t/a17510八總定員人55九總占地面積m2748十總建筑面積m23740十一總投資萬元6452十二建設投資萬元5332十七流動資金萬元776十八年均銷售收入萬元32709十九投資收益率%229二十年總成本費用萬元15329二十一年利潤總額萬元17154二十二投資回收期年1.29二十三盈虧平衡點%14.29第二章.市場分析、價格預測及原材料供應2.1概述2.1.1高純硅烷氣產品用途硅烷：SiH4，熔點：-185℃；沸點：-112℃；純硅烷在常溫常壓下部自燃，但稍微升高溫度或降低壓力就會著火。如果在硅烷中含有少量的其他硅氫化物，硅烷就會自燃。在高純硅烷是半導體工業、電子信息產業、新能源產業的最基礎原材料。純度高、無污染，對設備沒有腐蝕，能實現精細控制，已經成為其它硅源氣體無法取代的重要特種氣體。硅烷是重要的新材料產品，廣泛應用于LCD平板顯示、半導體、太陽能等行業，目前只有美國、日本等少數國家能夠生產。長期以來，中國對硅烷的需求與日俱增，但國內卻很少生產供應。硅烷氣體，補充了硅類新材料的產業鏈。硅烷氣體應用廣泛，用于光伏產業多晶硅、單晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、異質硅、各種金屬硅化物、外延硅片、光電子產業，液晶平板顯示器(TFT)電子復印機光感鼓膜、微電子產業，集成電路。可用于制造完美的外延薄膜，以及高質量、高水平的半導體分立器件，還可以用于制作非晶硅太陽能電池的原板。硅烷早期用于玻璃工業，制成的鍍膜玻璃具有Si/SiC納米鑲嵌復合結構，有良好的外觀遮陽性能和良好的化學穩定性。用于制造先進陶瓷、復合陶瓷、功能材料、高能材料等；成為許多新技術、新材料、新器件基礎；軍事、衛星、交通例如磁懸浮列車晶閘管所用材料。2.2硅烷市場分析2.2.1全球高純硅烷產業發展歷程全球高純硅烷供需狀況目前全世界年產1500兆非晶硅太陽能電池，僅這一項，約需8500噸高純硅烷，而實際太陽能級需求的高純硅烷需求在年15000噸以上，近幾年全世界高純硅烷的產能僅為12000噸/年左右，70%左右回用于制造集成電路，二極管，三極管等半導體器件，絕對滿足不了光伏工業的需求，供需矛盾十分突出，并導致全球范圍內高純硅烷嚴重短缺，國際硅烷大戶紛紛提高產量，道康寧公司已擴大其位于美國Midland和日本千葉的硅烷產量，增幅約40%/年。國外硅烷主要生產和銷售公司.1REC公司美國REC公司應該算是世界上最大的高純硅烷生產公司之一，生產的高純硅烷主要供應給美國空氣化學、法國液體空氣公司以及林德公司這些公司進行硅烷氣體的分包裝。還有相當一部分用于自身生產高純電子級多晶硅。其市場份額占到80%左右以上。.2普萊克斯是一家全球領先的工業氣體專業公司，同時也是北美和南美洲最大的工業氣體供應商，.3法國液體空氣公司法國液體空氣公司是目前世界上最大的工業氣體和醫療氣體及相關服務的供應商。該公司1980年開始在中國拓展業務，目前在上海、天津等地設有分公司。.4林德公司林德的業務遍及全球100個國家，在2008財年，公司的銷售收入為127億歐元。在大中華區，林德集團的總部位于上海，共有約50個全資子公司和合資企業。其硅烷氣主要來自于美國REC公司。.5美國空氣化學世界500強企業之一——美國空氣化學產品有限公司是全球最大的氣體化工產品生產企業，也是世界上唯一同時生產氣體產品和化學品的公司。2.2.2全球高純硅烷供需現狀供應2008年全球高純硅烷產量為11000噸左右，2009年全球高純硅烷產量達8000噸左右。2010年為10000噸，2011年12000噸，預計2012年可達到15000噸需求隨著電子工業和半導體工業的發展，對高純硅烷的需求量逐年增大，2008年全球高純硅烷的需求量為10000噸左右，2009年全球高純硅烷的需求量達15000噸左右。預計2012年需求達到20000噸左右。2.3未來發展預測2.3.1未來產能發展預測未來產能發展預測2009全世界高純硅烷的產能為8000噸/年左右，隨著需求量的加大，各大生產企業都紛紛擴建產能，預計2012年全世界高純硅烷的產能將達到150000噸/年左右。2.3.2需求預測近年來，全球集成電路、平面顯示、太陽能電池等行業快速發展，生產所需的硅烷電子氣體用量猛增，市場缺口較大，預計2012年全球高純硅烷的需求量達20000噸左右。按照20%的增長量，2013年將達到24000噸，2014年可以達到28800噸，2015年更是高達34560噸。可見硅烷的缺口相當大。2.4中國高純硅烷產業發展和現狀2.4.1中國高純硅烷產業發展產能發展.1近年國內高純硅烷產能發展目前國內沒有能夠大規模生產高純硅烷氣體尤其是利用三氯氫硅歧化法生產硅烷氣體的公司，主要都是從國外進口特別是美國REC公司，進行分裝銷售。隨著LED平板市場以及硅基薄膜電池生產的日益增長，未來硅烷市場將更加火爆。近幾年我國的高純硅烷的產能有一定程度的增長，但其增長量不是很大。2007年我國高純硅烷的產能為25噸，發展到09年增長到38噸。并且工藝技術落后，成本居高不下，質量也達不到電子級所需要的水平，只能勉強于太陽能領域。下表是我國近幾年高純硅烷的產量情況:序號年份產量備注12007212200827320093842010.20052011500620121000預計.2中國亟待建設規模化高純硅烷裝置目前我國的高純硅烷行業的供需缺口很大，對進口依賴嚴重，市場需求增長與行業產能擴張的速度很不平衡。如果要在最短的時間內改變這種狀況，只有進行規模化建設，擴大行業產能。特別是采用新的硅烷生產工藝技術，改變和淘汰過去那種無機生產硅烷方法，提高硅烷的產能，大幅降低硅烷的成本，改變電子級高純硅烷基本只能進口的局面。中國高純硅烷生產及發展分析由于多年來國內電子氣體技術上還不能大規模的生產出合格的電子級高純硅烷，目前還主要依賴于國外進口。這一情況如果在5年內是得不到根本解決的，必定會嚴重影響光伏產業及整個電子工業的發展。2.4.22.4.2預計未來幾年內，隨著擬建在建項目的投產，國內的產能也會隨之增加，預計到2012年，產能可能增加到1000噸。但與日益增長的高純硅烷發展需求，還相差甚遠。早期國內硅烷市場一直處于供需平衡、價格平穩、供略大于需的狀況。2007年下半年硅烷供應開始逐漸緊張，到2008年8、9月份，國內硅烷供應已經極度短缺，市場無貨，價格猛漲，許多非晶硅太陽能電池生產企業，高效節能玻璃生產企業因無貨源面臨被迫停產的局面。經過2008年的一場硅烷危機之后，人們更清楚、更充分地認識到中國不能沒有自己的多晶硅生產企業，更不能沒有自己的硅烷生產企業，2008年的危機對我們的教育非常深刻。另外，隨著半導體行業的持續發展，集成電路產品的需求急劇上升，我國已成為IC產品的消費大國。我國已經成為全球第一大半導體市場，且保持較高的增長速度。中國半導體行業協會（CSIA）公布的數據顯示，2007年我國半導體市場規模為6643億元，比2006年增長16.6%，其中，IC市場規模為5410億元同比增長17.6%。2007年我國半導體市場規模占全球半導體市場的34.1%，已經達到三分之一強。目前我國集成電路設計企業數量近500家，生產線數量已達50條，其中12英寸線2條，8英寸線11條。產業發展呈現出加速發展的特征，從20世紀90年代初的10億元發展到2000年突破百億元，用了近10平板顯示行業，在制備平板顯示LED時，多個工序需要消耗硅烷，非晶硅薄膜電池行業，硅烷消耗量大概為0.5T/MW。這樣可以推算出在非晶硅薄膜電池行業的用量也是一個很大的數目。從已經頒布和實施的政策，以及正在制定和審批的新政策中可以看出，我們國家對集成電路、新型元器件以及關鍵設備和材料的發展日益重視，這將為產業發展創造更加優良的發展環境，帶來新的契機。到2012年，我國電子級多晶硅年需求量將達到約2000噸。電子級多晶硅需求也會帶動硅烷氣的需求增長，隨著國內電子行業、平板顯示行業、非晶硅薄膜太陽能電池、移動通訊等行業的飛速發展，市場對高純硅烷的需求會迅速擴大，預計到2012年國內市場需求量可達到3000噸。亞洲市場應該超過5000噸/年2.4.3中國高純硅烷部分上海浦江特種氣體有限公司大連光明所南京晨虹特氣集團成都中核紅華華南特氣蘇州金宏氣體有限公司2.4.4.國內外硅烷部分生產企業見下表：企業/項目名稱產品生產能力工藝技術項目狀態REC老線硅烷(多晶硅)4000噸(3000噸)冷氫化,歧化,CVD生產REC新線硅烷(多晶硅)7000噸(5000噸)冷氫化,歧化,FBR2010投產MEMC硅烷(多晶硅)6000噸(4000噸)氟硅酸鈉法,FBR生產MEMC，三星合資硅烷(多晶硅)7000噸(5000噸)冷氫化,歧化,FBR在建中寧硅烷(多晶硅)200噸(3000噸)氟硅酸鈉法,CVD硅烷成本接近38萬/噸南京特氣集團硅烷氣60噸改良小松法金華化工硅烷氣50噸改良小松法神州硅業硅烷氣，中試100噸未投產其他合計200噸合計硅烷氣約2.4萬噸2.4.4高純硅烷市場價格2.4.目前，達到6N以上高純硅烷市場價達500元/KG,國內生產的質量不高的硅烷只能用于太陽能行業的硅烷氣體目前的銷售價仍然高達450元/公斤。這一情況如果在5年內得不到根本解決，必定會嚴重影響光伏產業及整個電子工業的發展。高純硅烷市場價格分析與預測國內目前沒有企業生產高純硅烷，而主要國際大廠擴產有限加之TFT、LED等領域需求量居高不下，并且還會有所增加，硅烷供應仍偏緊張，價格維持高位并不排除繼續上漲的可能。第三章.生產規模和產品方案3.1生產規模根據國內硅烷市場預測情況以及原料等資源情況，確定本項目規模為年產1000噸多晶硅，年操作時間為8000小時。3.2.產品方案及產品規格本項目產品方案見表3-1。序號產品/副產品名稱設計能力（噸/年）備注1高純硅烷（電子級）1000產品合計1000產品規格見表：硅烷氣（SiH4）其中：SiH4≥99.9999999%雜質名稱規格分析方法CO2≤0.05ppbvGC-DIDCO≤0.05ppbvGC-DID氯硅烷≤0.2ppbvICH2≤50ppbvGC-DIDCH4≤0.05ppbvGC-DIDN2≤0.5ppbvGC-DIDO2&Ar≤0.5ppbvGC-DIDH2O≤0.5ppbvMoistureAnalyzerAL≤0.005ppbaFTIRSb≤0.005ppbaFTIRAs≤0.005ppbaFTIRB≤0.04ppbaFTIRP≤0.04ppbaFTIRC≤0.1ppmaFTIRFe≤0.4ppbaFTIR第四章．工藝技術初步方案4.1國內工藝技術概況理論上講，能制備硅烷的技術路線有幾十種之多，但其中大部分只能作為實驗室理論研究。目前真正已經應用于批量生產的硅烷制備技術只主要有如下幾種：4.1.1氫化鋁鈉法氫化鋁鈉法采用的是氫化鋁鈉與四氟化硅進行化學反應制備硅烷。反應方程式為：四氟化硅制備：SiO2+CaF2+H2SO4→H2SiF6+CaSO4+2H2O(螢石硫酸法)或：Na2SiF6+H2SO4→H2SiF6+Na2SO4(氟硅酸鈉硫酸法)然后：H2SiF6→SiF4+2HF(氟硅酸加熱分解)四氫鋁鈉合成：Na+Al+2H2→2NaAlH4(熔融鈉+鋁粉)四氟化硅還原：NaAlH4+SiF4→SiH4+NaAlF4NaALH4+SiF4NaALF4+SiH4氫化鋁鈉法應該算作無機化學反應。工藝過程主要包括主要包括：四氫化鈉鋁制備、氟化鈉鋁制備、四氟化硅制備、硅烷制備、硅烷凈化等。其工藝流程如圖所示。主要是將硅粉或石英砂、螢石或磷肥副產品、氫化鋁鈉混合后經螺旋加料機送到回轉爐中，在回轉爐內與濃硫酸在一定的條件下發生化學反應，生成四氟化硅和氟化氫氣體，然后提取四氟化硅進行下一步反應。該工藝的主要優點在于制備過程中沒有氯離子的存在，硅烷純度比較高，一度被寄予厚望，但其工藝技術上的不成熟表現卻不容忽視。浙江某公司就是引進的該工藝路線的工藝包，運行中發現四氟化硅的產率僅67%，有接近三分之一的原料被當做廢渣排掉，消耗高，環境壓力大。同時，反應和提純不能在塔器內完成，一般單套規模也不易做大，生產成本較高。在當今太陽能大幅降價的今天，該公司不得不大幅減產，基本不生產多晶硅，只是生產一部分硅烷來維持生存。4.1.2.硅化鎂法硅化鎂法采用的是硅化鎂粉與氯化銨在液氨環境中發生化學反應制備硅烷，其化學反應方程式為：Mg2Si+NH4CLMgCL26NH3+SiH4硅化鎂法又稱小松法，是世界上最早實現工業化的硅烷制備技術，也是目前國內最為成熟的制備技術之一，該工藝的生產過程包括硅化鎂的合成、硅烷合成、分子篩吸附、氨氣尾氣吸收等；反應原料主要為硅粉、鎂粉和氯化銨、氨水等，這些原料市場供應充足，價格也相對低廉，同時，該工藝操作簡單，溫度（-20℃4.1.3氯硅烷歧化法氯硅烷歧化法采用的是四氯化硅進行氫化反應生成三氯氫硅，然后三氯氫硅經過歧化反應生成二氯二氫硅，二氯二氫硅再次進行歧化反應生成硅烷，其反應方程式為：SiCL4+H2+SiHSiCL3HSiCL3SiH2CL2+SiCL4SiH2CL2HSiCL3+SiH4氯硅烷歧化法又稱 UCC法，應該算作有機化學方法，流程最符合大化工概念，極少廢物產生，并可靈活實現多種產品，非常適合大規模生產。過去因國外技術封鎖，國內目前沒有該技術的工廠。UCC法制備硅烷使用的原料為SiHCl3，通過催化劑歧化SiHCl3的方法來制備硅烷，該方法是目前世界制備硅烷成本較低的一種技術。1976年，美國聯合炭化公司(UCC)的Carl總結前人的經驗，使用離子交換樹脂作為催化劑，使用固定床反應器，首先對樹脂進行除水，然后SiHCl3以氣態通過固定床，終于成功制備出了SiH4。后人在此基礎上不斷進行創新、改進，最終形成了UCC法制備硅烷。氯硅烷歧化法由美國聯合碳化物公司開發。此工藝，硅烷的制備方法采用SiCl4逐步氫化。SiCl4與硅、氫氣在3.55MPa和500℃下首先生成SiHCl3，SiHCl3經歧化反應生成SiH2Cl2，SiH2Cl2通過再次歧化反應4.2國外工藝技術概況目前國外硅烷生產廠主要是MEMC和REC公司。4.2.1MEMC公司利用自身優勢，鄰近一家較大的磷肥廠，MEMC充分利用磷肥副產品的優勢，他們選擇的硅烷制備方法就是氫化鋰鋁法。4.2.2REC公司REC公司由于歷史原因，一直采用的是氯硅烷歧化法，該公司的硅烷大部分銷售給林德氣體公司、美國液體化學、法液空等公司，再通過這些公司進行分包裝銷售給世界各地。還有部分高純硅烷氣生產多晶硅。4.3工藝技術的選擇比較制備硅烷的四種方法，硅烷法的成本最低，副產品最少，投資也最少。經過與國內外多家技術提供商的技術交流以及生產廠商的現場考察，本項目擬引進浙江精功科技的三氯氫硅歧化技術和部分關鍵設備，整合國內先進生產設備，汲取國內外多家生產廠商和技術提供商的技術優勢，形成消耗小、成本低、污染少的氯硅烷歧化法制硅烷新工藝，建設年產1000噸高純硅烷氣裝置。本項目生產方法主要技術特點如下：1）采用先進的氯硅烷歧化精餾工藝。每一步都有較高的單程轉化率。同時最大幅度的降低能耗。2）采用先進的硅烷精餾技術，可以將硅烷的純度提高到9個9，甚至達到11個9。3）能耗低，采用最先進的節能技術，綜合利用、回收能量。綜上所述，采用浙江精功技術生產制備高純硅烷氣體，其原料消耗、公用工程消耗、單位成本等指標均明顯優于國內先進水平，達到或超過國外先進水平。第五章.原材料、燃料和動力供應5.1原材料、輔助材料及公用工程消耗指標本項目工藝生產裝置所需的原材料、輔助材料消耗指標見表原材料、輔助材料規格、消耗量及來源表（工藝生產裝置）序號名稱及規格小時消耗量(噸)年消耗量(噸)來源1三氯氫硅2.16917350國內采購2液氮0.01062585國內采購3甲醇0.16751340國內采購4歧化催化劑10國內采購5吸附劑0.2國內采購630%氫氧化鈉溶液0.02160國內采購主要生產單元公用工程消耗量匯總情況詳見表公用工程規格及消耗指標表（生產單元匯總）序號名稱及規格小時消耗量年消耗量來源1工業電380V6500（kW.h）5.2x107來自園區變電所2氮氣0.7MPaG500（Nm3）4.0x106來自空壓制氮站3液氮3.0MPaG100（KG）800來自空壓制氮站4儀表空氣0.6MPaG175（Nm3）1.40x106來自空壓制氮站5循環水Δt=10800（t）6.4x106來自循環水站6生活水0.35MPaG3.75（t）30000來自園區自來水廠7蒸汽0.4MPaG25（t）2.0x105來自園區熱電站8冷量-40℃Δt=1017.5（t）140000來自制冷站（循環量）第六章．建廠條件和廠址初步方案建廠條件6.1裝置區域位置現場的自然條件年平均氣溫： ℃極端最高氣溫： ℃極端最低氣溫： ℃年平均風速： m/s最大風速： m/s地震設防烈度(設計基本地震加速度)： VII(0.10g)度本項目區域位置詳見附圖區域位置圖。區域優勢地形、地貌、地質氣象、地質特征自然資源基礎設施產業環境本項目地理位置詳見附圖區域位置圖。⑴符合總體規劃，滿足生產工藝流程要求，遵循防火、防爆、環保和安全等有關規范，充分考慮生產操作、檢修、消防等作業需求；充分利用地形、地質、氣象等自然條件，因地制宜，合理利用原有廠區條件，節約用地，降低工程造價。總平面布置在綜合各種影響因素，經過多方案技術經濟比較后擇優確定。第七章.公用工程和輔助設施初步方案7.1.公用工程建設原則本建設項目所需公用工程盡量全部依托老公司原有的公用工程設施，不再另外新建。老公司原有公用工程設施完全可以滿足本項目滿負荷開車的需要至于本項目所需要的液氮可以外購。其他輔助設施，如分析等均依托老公司原有裝置，不再另外新建。7.2.建筑物、構筑物設計原則在滿足工藝生產要求的前提下，建筑物的平面布置、空間尺寸以及結構造型等滿足規范標準的要求，做到構件預制化、標準化、統一化。本項目在建筑防火設計中從防止火災發生和安全疏散兩方面考慮。防火方面：所有建筑均采用一、二級耐火等級，室內裝修均采用不燃或難燃材料，使火災不易發生，即使發生也不易迅速蔓延，同時建筑內均設置了消火栓。防火分區面積滿足建筑設計防火規范要求。疏散方面：建筑的平面布局、樓梯間距、樓梯寬度要求等均滿足防火疏散的要求，樓梯間在首層均靠近直接對外出口，方便人員疏散。有爆炸危險的生產用房、庫房等，室內設風機強制通風以排除室內液體揮發的易燃易爆氣體。同時，采用鋼筋混凝土框架結構，采取大開窗以滿足泄壓要求。第八章.項目污染源排放及治理方法8.1.廢氣排放及治理方法廢氣污染源、污染物排放及治理方法見表10-8。表10-8廢氣污染源排放及治理方法一覽表序號污染源廢氣量Nm3/h污染物排放濃度及排放量排放方式處理方式2尾氣處理后87氮氣：92%v氫氣：8%v高空排放合計87說明：表中“裝置放空氣”是指除渣漿處理裝置和尾氣回收裝置之外的裝置。8.2.廢水排放及治理方法廢水污染源及污染物排放治理見表10-9。表10-9廢水排放及治理方法情況表序號廢水名稱主要污染物組成水量及排放特征處理措施及去向2尾氣處理裝置廢水Na2SiO3：46%0.02t/h連續公司污水處理站合計0.02t/h8.3.廢固排放及治理采用精功新材料技術有限公司的硅烷歧化技術，整個裝置無廢渣排放。第九章．衛生安全措施項目建設中充分貫徹“安全第一、預防為主”和“安全為了生產，生產必須安全”的設計思想，對工程中的易燃、易爆、有毒、有害物質設置必要的防范措施，并實施有效控制，防止事故的發生。嚴格執行國家各項抗震防災技術和行政法規，切實采取各種有效的防范措施，使其具有較高的綜合抗震能力。選用先進、可靠、安全的工藝流程，盡可能實現自動化和機械化，減少操作人員的勞動強度，降低體能消耗，保證操作人員的作業和工作環境，滿足安全衛生的要求。嚴格執行國家、地方、行業及企業規定的各項有關安全衛生的法律、法規和標準、規范，做到勞動安全衛生與主體工程同時設計、同時施工、同時投入生產和使用。生產過程中職業危險、危害因素分析項目項目涉及物料及危險特性的劃分物料極危險特性劃分見表。表物料及其危險化學品種類劃分序號名稱危險貨物編號UN號分類1氫氣210011049第2類第1項：易燃氣體2四氯化硅810431818第8類第1項：酸性腐蝕品3三氯氫硅430491295第4類第3項遇濕易燃物品4二氯二氫硅230422189第2類第3項有毒氣體5硅烷22036氮氣220051066第2類第2項：不燃氣體危化品的危險危害特性氫氣原料氫氣，無色無臭氣體。危險特性：與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇明火、高熱能引起燃燒爆炸。氣體比空氣輕，在室內使用和儲存時，漏氣上升滯留屋頂不易排出，遇火星會引起爆炸。與氟、氯等能發生劇烈的化學反應。燃燒(分解)產物：水。侵入方式：主要吸入。健康危害：在很高的濃度時，由于正常氧分壓的降低造成窒息；在很高的分壓下，可出現麻醉作用。（2）四氯化硅原料四氯化硅，無色或淡黃色發煙液體，有刺激性氣味，易潮解，可混溶于苯、氯仿、石油醚等多數有機溶劑。酸性腐蝕品。危險特性：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐蝕性煙氣。燃燒(分解)產物：氯化氫、氧化硅。侵入途徑：吸入、食入、經皮吸收。健康危害：對眼睛及上呼吸道有強烈刺激作用。高濃度可引起角膜混濁，呼吸道炎癥，甚至肺水腫。皮膚接觸后可引起組織壞死。

急性毒性：LC50=8000ppm，4小時(大鼠吸入)。（3）三氯氫硅中間產品三氯氫硅，無色液體，極易揮發，溶于苯、醚等多數有機溶劑。遇濕易燃物品。危險特性：遇明火強烈燃燒。受高熱分解產生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發生反應，有燃燒危險。極易揮發，在空氣中發煙，遇水或水蒸氣能產生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒(分解)產物：氯化氫、氧化硅侵入途徑：吸入、食入健康危害：對眼和呼吸道粘膜有強烈刺激作用。高濃度下，引起角膜混濁、呼吸道炎癥，甚至肺水腫。并可伴有頭昏、頭痛、乏力、惡心、嘔吐、心慌等癥狀。油在皮膚上，可引起壞死，潰瘍長期不愈。毒性：LD50=1030mg/kg

(大鼠經口)；LC50=1500mg/m3，2小時(小鼠吸入)。（4）二氯二氫硅中間產物二氯二氫硅，無色氣體，溶于苯、乙醚等多數有機溶劑。危險特性：易燃，其蒸氣能與空氣形成范圍廣闊的爆炸性混合物；遇熱源和明火有燃燒爆炸的危險；與鹵素及其它氧化劑劇烈反應；遇水或水蒸氣劇烈反應，生成鹽酸煙霧。燃燒(分解)產物：氯化氫、氧化硅。健康危害：對上下呼吸道、皮膚和眼睛有腐蝕性和刺激性，遇水或空氣中的水份迅速水解形成氯化氫（鹽酸）。鹽酸可致皮膚灼傷和粘膜刺激。接觸后表現有流淚、咳嗽、咳痰、呼吸困難、流涎等。可引起肺炎或肺水腫。眼接觸可致灼傷，導致失明。侵入途徑：吸入。（5）氮氣無色無臭氣體，微溶于水、乙醇。危險特性：若遇高熱，容器內壓增大，有開裂和爆炸的危險。侵入途徑：吸入。健康危害：空氣中氮氣含量過高，使吸入氣氧分壓下降，引起缺氧窒息。吸入氮氣濃度不太高時，患者最初感胸悶、氣短、疲軟無力；繼而有煩躁不安、極度興奮、亂跑、叫喊、神情恍惚、步態不穩，稱之為“氮酩酊”，可進入昏睡或昏迷狀態。吸入高濃度時，患者可迅速出現昏迷、呼吸心跳停止而致死亡。表生產中火災爆炸危化品物性表序號名稱熔點℃沸點℃閃點℃燃點℃密度（水）kg/m3在空氣中的爆炸極限v%火災危險類別上限下限1氫氣-259-2534007074.14.1甲2三氯氫硅-13431.8-13.9開杯1751370706.9甲B3二氯二氫硅-1228.358126099.14.1甲4硅烷-183-112-50980.08甲表危害化學品毒性危害分析表序號名稱毒物危害指數毒性危害程度1四氯化硅58高度危害Ⅱ2三氯氫硅59高度危害Ⅱ3二氯二氫硅58高度危害Ⅱ4硅烷輕度危害Ⅳ表事故應急救援一覽表介質泄漏處理個體防護急救措施消防措施氫氣切斷氣源，抽排或強力通風。漏氣容器不能再用。要經技術處理清除可能剩下的氣體。高濃度環境中，佩帶供氣式呼吸器或自給式呼吸器。吸入時迅速脫離至空氣新鮮處。給輸氧或進行人工呼吸。霧狀水、干粉三氯氫硅迅速撤離泄漏污染區人員至安全區，盡可能切斷泄漏源，防止進入下水道、排洪溝等限制性空間。小量泄漏物用砂土吸附。大量泄漏物挖坑收容，用泡沫覆蓋，降低蒸氣災害。空氣中濃度超標時，應該佩戴自吸過濾式防毒面具(全面罩)。緊急事態搶救或撤離時，建議佩戴自給式呼吸器。穿膠布防毒衣。戴橡膠手套。皮膚接觸時脫去被污染的衣著，用大量流動清水沖洗15分鐘。眼睛接觸時提起眼瞼，用大量流動清水或生理鹽水徹底沖洗至少15分鐘。吸入后脫離現場至空氣新鮮處。如呼吸困難，給輸氧或人工呼吸。誤服者用水漱口，給飲牛奶或蛋清。就醫。干粉、干砂。四氯化硅

疏散泄漏污染區人員至安全區，在確保安全情況下堵漏。噴水霧減慢揮發(或擴散)，但不要對泄漏物或泄漏點直接噴水。將地面灑上蘇打灰，然后用大量水沖洗，洗液排入應急事故池再打入污水預處理系統。可能接觸其蒸氣時，必須佩戴防毒面具或供氣式頭盔。緊急事態搶救或逃生時，建議佩帶自給式呼吸器。戴化學安全防護眼鏡。穿工作服(防腐材料制作)。戴橡皮手套。皮膚接觸立即脫去污染的衣著，用流動清水沖洗15分鐘。眼睛接觸提起眼瞼，用流動清水沖洗10分鐘或用2%碳酸氫鈉溶液沖洗。吸入后迅速脫離現場至空氣新鮮處。注意保暖，保持呼吸道通暢。必要時進行人工呼吸。食入后立即漱口，給飲牛奶或蛋清。立即就醫干粉、砂土硅烷疏散所有人員，隔離泄漏區。在確保安全的情況下，關閉泄漏源。切忌將水柱噴向燃燒中的硅烷，在適當的距離內噴灑大量的水冷卻附近的鋼瓶，佩戴正壓，全罩式供氣呼吸器具；緊急時使用自給式呼吸器（SCBA）；佩戴全罩面鏡，戴皮手套和防火衣皮膚接觸立即脫去污染的衣著，用流動清水沖洗15分鐘。眼睛接觸提起眼瞼，用流動清水沖洗15分鐘，并不時撐開眼皮沖洗。吸入后迅速脫離現場至空氣新鮮處。注意保暖，保持呼吸道通暢。必要時進行人工呼吸。立即就醫第十章.裝置組織和定員10.1企業體制及組織機構本項目實行廠級管理。本項目各生產單元實行“四班三倒”工作制設置定員。10.2定員本項目總定員55人，其中，生產人員64人，管理人員、技術人員、維修人員、化驗分析人員28人。本項目定員詳見表12-1。裝置定員表單元名稱崗位名稱班次每班定員合計生產單元1氯硅烷歧化及分離裝置操作人員44162硅烷包裝裝置操作人員44163尾氣處理裝置操作人員4144值班長4145技術人員126管理人員27車間主任189合計55PAGEPAGE28第十一章.項目實施規劃11.1.項目實施階段劃分本項目實施計劃內容主要包括項目的前期準備階段、工程設計及采購階段、施工建設階段和試車及驗收四個階段。建設周期從簽訂的技術引進合同生效到裝置性能考核結束共計10個月。項目的前期準備階段主要內容有：項目可行性研究報告的編制與審查、技術交流、商務及合同附件談判。設計及采購階段主要內容有：外商編制工藝包、國內初步設計、詳細設計，設備材料采購。施工建設階段主要內容有：樁基施工、地下管網施工，土建基礎及地上土建和鋼結構施工，設備、管道、儀表、電氣安裝，設備、管道保溫防腐。試車及驗收階段主要內容有：吹掃、單機試車、假物料聯動試車、化工投料、性能考核及裝置驗收。以上各階段將進行科學合理交叉，在縮短建設周期情況下保證項目順利進行。11.2.項目實施時間計劃計劃時間合同生效后：第1個月 總圖會及工藝包審查會第1個月～第2個月 （包括第3個月）關鍵設備數據表、關鍵設備訂貨第2個月～第4個月 （包括第4個月）初步設計第3個月～第6個月 （包括第7個月）詳細設計第4個月～第7個月 （包括第8個月）其它設備材料采購第5個月～第8個月 （包括第8個月）土建施工第6個月～第9個月 （包括第9個月）設備、管道安裝第10個月 試車本項目實施和計劃進度見表13-1。十二章.投資估算及資金籌措12.1投資估算建設投資工程概況本項目建設內容包括：生產單元、包裝及儲運設施。12.2.按照不同建設規模分別進行了財務分析，具體情況如下:12.2.1.建設1000噸/年的硅烷裝置的財務分析建設投資估算建設投資為：6452萬元其中：固定資產其他費：3880萬元

無形資產費用為1452萬元貸款利息為：344萬元

流動資產為：776萬元

投資估算表單位：萬元序號主項名稱設備購置費安裝工程費建筑工程費其他工程費合計（萬元RMB）1項目總投資64521.2固定資產費用2780046016034001.2.1其中：設備費用27801.2.2廠房設施4601.2.3其他固定資產1601.3無形資產費用267226721.3.1其中：技術轉讓費1800安裝費8721.5四流動資金300300生產成本費用估算成本費用估算的依據1.固定資產折舊年限及折舊方式

本項目采用平均年限法計算折舊，具體年限如下：

房屋、建筑物20年機器設備10年

2.預計凈殘值率

本項目預計凈殘值率按固定資產原值的5%計算。

3.修理費費率

本項目修理費費率按固定資產原值的10%計算。

4. 主要原材料及燃料價格（含稅價）

三氯氫硅7800元/噸

液氮1800元/噸

30%氫氧化鈉溶液800元/噸

5. 公用工程價格（含稅價）

工業電0.65元/kW·h水3.50元/噸

蒸汽180元/噸

6. 工資及福利費

本項目總定員55人，工資及職工福利費按工資按52000元/人計。

7.無形及遞延資產攤銷年限

無形資產及長期待攤費用按規定期限平均攤銷。具體年限如下：

無形資產10年8. 其它費用內容和計取方法本項目產品銷售費用按銷售收入的2%計算，其它制造費用按固定資產原值的1.0%計算，其它管理費用定額按20000元/人·年計取計算。14.3.2成本費用估算及分析隨著企業成本費用的變化，年總成本也是變化的。1000噸/年規模項目正常年平均總成本為15329萬元，固定成本為1832萬元，可變成本為13497萬元。(以第1年為例)本項目可變成本所占比例較高（超過60%）。制造成本估算表單位：萬元序號項目\年份單位年耗量單價(元)1-10年11-15年生產負荷100%100%1原料12,452.8212,452.821.1三氯氫硅t173506666.6711,566.6711,566.671.2液氮t57601538.46886.15886.152燃料1,044.111,044.112.1電kwh7520000.5641.7841.782.2蒸汽t52000171.43891.43891.432.3循環水t35000000.1346.4646.462.4補充水t1050003.1032.5232.522.5儀表氣f12000000.078.008.002.630%燒堿t80014.5311.4211.422.7催化劑元1000001.0010.0010.002.8其他元250001.002.502.503工資及福利326.04326.044制造費用522.60199.604.1折舊費345.8022.804.2修理費141.44141.444.3其他制造費用35.3635.36制造成本14,345.5714,022.57總成本費用估算表單位：萬元序號項目\年份合計第1年第2-10年第11-15年生產負荷100%100%100%1制造成本216,750.9214,557.7314,557.7314,234.731.1原料186,792.3112,452.8212,452.8212,452.821.2燃料及動力15,661.611,044.111,044.111,044.111.3工資及福利4,890.60326.04326.04326.041.4制造費用9,406.40734.76734.76411.761.4.1折舊3,572.00345.80345.8022.801.4.2修理費5,304.00353.60353.60353.601.4.3其他制造費用530.4035.3635.3635.362管理費用3,029.40247.94247.94110.002.1無形資產攤銷1,379.40137.94137.940.002.2其他管理費用1,650.00110.00110.00110.003財務費用344.00344.003.1貸款利息344.00344.003.2其他財務費用0.004銷售費用9,812.82654.19654.19654.195總成本費用229,937.1416,241.9915,459.8614,998.926固定成本27,483.222,745.061,962.931,501.997可變成本202,453.9213,496.9313,496.9313,496.938經營成本224,641.7415,710.8815,710.8815,387.889盈虧平衡點%14.6210.468.0013．經濟效益和社會效益的初步評價財務評價的編制依據《建設項目經濟評價方法與參數》中華人民共和國增值稅暫行條例及實施細則中華人民共和國企業所得稅暫行條例及實施細則國家發展改革委、建設部發布《建設項目經濟評價方法與參數》。主要數據、參數1. 生產規模及產品售價本項目年產電子級高純硅烷產品1000噸/年：售價（含稅）35萬元/噸.副產四氯化硅16350噸/年：售價（含稅）2000元/噸2. 實施進度及生產年限

本項目建設期為10個月，生產期為15年。

3. 生產負荷本項目投產后，從投產后開始達到100%設計能力。4. 稅金本項目產品增值稅稅率按17%計算，教育費附加按增值稅的5%計算，城市維護建設稅按增值稅的7%計算，水利專項基金按銷售收入的0.1%計算。5. 所得稅

本項目所得稅按《中華人民共和國企業所得稅法》15%計列。利潤與利潤分配表本項目年均銷售收入為3270萬元，年均利潤總額為1169萬元，年營業稅金及附加為44萬元，年均所得稅為175萬元，年均稅后凈利潤為994萬元。詳見銷售收入及稅金估算表和利潤表。營業收入和稅金估算表單位：萬元序號項目單位單價年銷量金額產品名稱1營業收入1.1硅烷產品t29.91100029914.531.2四氯化硅t0.170940171163502794.87合計32709.402營業稅金及附加2.1水利專項基金32.712.2城市維護建設稅236.502.3教育費附加168.93合計438.133增值稅3378.54銷項稅5560.60進項稅2182.06利潤表單位：萬元項目\年份合計第1年第2-10年第11-15年一、主營業務收入490641.0332709.4032709.4032709.40減：主營業務成本213568.5214345.5714345.5714022.57主營業務稅金及附加6572.01438.13438.13438.13二、主營業務利潤（虧損以“－”號填列）270500.5017925.7017925.7018248.70加：其他業務利潤（虧損以“－”號填列）0.00減：銷售費用9812.82654.19654.19654.19管理費用3029.40247.94247.94110.00財務費用344.00344.000.000.00三、營業利潤（虧損以“－”號填列）257314.2816679.5717023.5717484.51加：投資收益（虧損以“－”號填列）0.00補貼收入0.00營業外收入0.00減：營業外支出0.00四、利潤總額（虧損總額以“－”號填列）257314.2816679.5717023.5717484.51減：所得稅38597.142501.942553.542622.68五、凈利潤218717.1414177.6414470.0414861.84PAGEPAGE31綜合指標表序號項目單位指標備注1項目總投資萬元6452.002年銷售收入萬元32709.40平均3年營業稅金及附加萬元438.13平均4年總成本費用萬元15329.14平均5年利潤總額萬元17154.29平均6年所得稅萬元2573.14平均7成本費用利潤率%111.91平均8投資收益率%225.99平均9貸款償還期年1.18含基建期10個月10投資回收期(所得稅后）年1.29含基建期10個月11盈虧平衡點%14.2914不確定性分析 盈虧平衡分析根據產品成本、銷售價格、產量、流轉稅金對項目盈虧的影響，以投產后第1年（盈虧平衡點最高年）為例，計算生產能力利用率的盈虧平衡點：有項目盈虧平衡開工率(%)=正常年固定成本÷（正常年銷售收入—正常年流轉稅金及附加--正常年可變成本）×100%=14.29%結果表明，當生產能力達到設計能力的14.29%（即硅烷年銷量達到142.9噸）時項目可以保本，可見該項目抗經營風險能力相當好,詳見盈虧平衡圖。基于C8051F單片機直流電動機反饋控制系統的設計與研究基于單片機的嵌入式Web服務器的研究MOTOROLA單片機MC68HC（8）05PV8/A內嵌EEPROM的工藝和制程方法及對良率的影響研究基于模糊控制的電阻釬焊單片機溫度控制系統的研制基于MCS-51系列單片機的通用控制模塊的研究基于單片機實現的供暖系統最佳啟停自校正（STR）調節器單片機控制的二級倒立擺系統的研究基于增強型51系列單片機的TCP/IP協議棧的實現基于單片機的蓄電池自動監測系統基于32位嵌入式單片機系統的圖像采集與處理技術的研究基于單片機的作物營養診斷專家系統的研究基于單片機的交流伺服電機運動控制系統研究與開發基于單片機的泵管內壁硬度測試儀的研制基于單片機的自動找平控制系統研究基于C8051F040單片機的嵌入式系統開發基于單片機的液壓動力系統狀態監測儀開發模糊Smith智能控制方法的研究及其單片機實現一種基于單片機的軸快流CO〈,2〉激光器的手持控制面板的研制基于雙單片機沖床數控系統的研究基于CYGNAL單片機的在線間歇式濁度儀的研制基于單片機的噴油泵試驗臺控制器的研制基于單片機的軟起動器的研究和設計基于單片機控制的高速快走絲電火花線切割機床短循環走絲方式研究基于單片機的機電產品控制系統開發基于PIC單片機的智能手機充電器基于單片機的實時內核設計及其應用研究基于單片機的遠程抄表系統的設計與研究基于單片機的煙氣二氧化硫濃度檢測儀的研制基于微型光譜儀的單片機系統單片機系統軟件構件開發的技術研究基于單片機的液體點滴速度自動檢測儀的研制基于單片機系統的多功能溫度測量儀的研制基于PIC單片機的電能采集終端的設計和應用基于單片機的光纖光柵解調儀的研制氣壓式線性摩擦焊機單片機控制系統的研制基于單片機的數字磁通門傳感器基于單片機的旋轉變壓器-數字轉換器的研究基于單片機的光纖Bragg光柵解調系統的研究單片機控制的便攜式多功能乳腺治療儀的研制基于C8051F020單片機的多生理信號檢測儀基于單片機的電機運動控制系統設計Pico專用單片機核的可測性設計研究基于MCS-51單片機的熱量計基于雙單片機的智能遙測微型氣象站MCS-51單片機構建機器人的實踐研究基于單片機的輪軌力檢測基于單片機的GPS定位儀的研究與實現基于單片機的電液伺服控制系統用于單片機系統的MMC卡文件系統研制基于單片機的時控和計數系統性能優化的研究基于單片機和CPLD的粗光柵位移測量系統研究單片機控制的后備式方波UPS提升高職學生單片機應用能力的探究基于單片機控制的自動低頻減載裝置研究基于單片機控制的水下焊接電源的研究基于單片機的多通道數據采集系統基于uPSD3234單片機的氚表面污染測量儀的研制基于單片機的紅外測油儀的研究96系列單片機仿真器研究與設計基于單片機的單晶金剛石刀具刃磨設備的數控改造基于單片機的溫度智能控制系統的設計與實現基于MSP430單片機的電梯門機控制器的研制基于單片機的氣體測漏儀的研究基于三菱M16C/6N系列單片機的CAN/USB協議轉換器基于單片機和DSP的變壓器油色譜在線監測技術研究基于單片機的膛壁溫度報警系統設計基于AVR單片機的低壓無功補償控制器的設計基于單片機船舶電力推進電機監測系統基于單片機網絡的振動信號的采集系統基于單片機的大容量數據存儲技術的應用研究基于單片機的疊圖機研究與教學方法實踐基于單片機嵌入式Web服務器技術的研究及實現基于AT89S52單片機的通用數據采集系統基于單片機的多道脈沖幅度分析儀研究機器人旋轉電弧傳感角焊縫跟蹤單片機控制系統基于單片機的控制系統在PLC虛擬教學實驗中的應用研究基于單片機系統的網絡通信研究與應用HYPERL