東北農業大學網絡教育學院電子技術專科網上作業題半導體器件判斷題1．因為晶體管發射區的雜質濃度比基區的雜質濃度小得多，所以能用兩個二極管反向連接起來代替TOC\o"1-5"\h\z( )2．晶體管相當于兩個反向連接的二極管，所以基極斷開后還可以作為二極管使用。( )．P型半導體的多數載流子是空穴，因此 P型半導體帶正電。( )P型和P型和N型半導體( )．二極管的電流—電壓關系特性可大概理解為反向導通、正向截止的特性。 ( )．當二極管加正向電壓時，二極管將有很大的正向電流通過，這個正向電流是由P型和N型半導體．發射結處于正向偏置的晶體管，則其一定是工作在放大狀態。 ( )．一般情況下，晶體管的電流放大系數隨溫度的增加而減小。 ( ).常溫下，硅晶體管的 Ube=0.7V,且隨溫度升高 Ube增加。( )．二極管正向動態電阻的大小，隨流過二極管電流的變化而變化，是不固定的。 ( )11．用萬用表識別二極管的極性時，若測的是二極管的正向電阻，那么和標有“十”號的測試棒相連( )．N型半導體是在本征半導體中，加入少量的三價元素構成的雜質半導體。( )．在N型半導體中，自由電子的數目比空穴數目多得多，故自由電子稱為多數載流子，空穴稱為少數載流子。( )．一般來說，硅二極管的死區電壓小于鍺二極管的死區電壓。 ( )．晶體管的基區之所以做得很薄，是為了減少電子和空穴在基區的復合機會，從而使由發射區進入基區的載流子，絕大部分能進入集電區而形成較大的集電極電流。( )．當外加電壓為零時， PN結的結電容最小。( )．當反向電壓小于反向擊穿電壓時．二極管的反向電流極小；當反向電壓大于反向擊穿電壓后，其反向電流迅速增大。( ).當晶體管的工作電流小于集電極最大允許電流， 且Uce小于BUceo時，晶體管就能安全工作。( ).晶體管的電流放大系數3值越大，說明該管的電流控制能力越強。所以晶體管的3值越大越好。( )．場效應管和晶體管一樣，均為電流控制元件。 ( )．二極管電壓—電流曲線描繪出了電流隨時間變化的關系。( )．當加在二極管兩端的電壓一定時，流經二極管的反向電流還會隨環境溫度的改變而改變。 ( )．基極開路、集電極和發射極之間加有一定電壓時的集電極電流，叫晶體管的穿透電流。 ( ).一般說來，晶體管的交流電流放大系數3隨溫度的變化而變化，溫度升高，則3增大。 ( )．穩壓二極管的動態電阻是指穩壓管的穩定電壓與額定工作電流之比。( ).晶體管的直流輸入電阻和交流輸入電阻與工作點有關， Ib愈小，輸入電阻愈小。( ).晶體管的集電極一發射極擊穿電壓 BUceo的值同工作溫度有關，溫度越高， BUceo越大。( ).晶體管的直流輸入電阻和交流輸入電阻都和工作溫度有關，溫度升高， Rbe、rbe都減小。( )選擇題.如果二極管的正、反向電阻都很大，則該二極管 ( )。A.正常 B.已被擊穿 c.內部斷路.當晶體管的兩個 PN結都正偏時，則晶體管處于( )。A.飽和狀態 B.放大狀態 C.截止狀態.當晶體管的發射結正偏，集電結反偏時，則晶體管處于 ( )。A.飽和狀態 B.放大狀態 C.截止狀態NPN型硅晶體管各電極對地電位分別為 Uc=9V,Ub=0.7V,Ue=0V,則該晶體管的工作狀態是( )A.飽和B,正常放大C.截止.當環境溫度升高時，二極管的反向電流將 ( )。A.增大 B.減小 c.不變.在二極管特性的正向導通區，二極管相當于 ( )。A.大電阻 B.接通的開關 c.斷開的開關用直流電壓表測量 NPN型晶體管電路，晶體管各電極對地電位是： Ub=4.7V,Uc=4.3V,Ue=4V,則該晶體管的工作狀態是 ( )。A.飽和狀態 B.放大狀態 c.截止狀態.點接觸型二極管比較適用于 ( )A.大功率整流B.小信號檢波 C.大電流開關.用萬用表歐姆擋測量小功率二極管的性能好壞時，應把歐姆擋拔到( )。A.RX100◎或Rxlk擋B.RX1◎擋C.RX10k◎擋.如果半導體中的自由電子和空穴的數目相等，這樣的半導體稱為 ( )半導體。A.N型B.P型C.本征TOC\o"1-5"\h\z.N型半導體( )，P型半導體( )。A.帶正電B.帶負電C.呈中性.對PN結加反偏電壓時，參與導電的是 ( )。A.多數載流子 B.少數載流子 C.既有多數載流子，也有少數載流子.當晶體管飽和時會發生 ( )。A.Ic隨Ib變B.Ic不隨Ib變 C.Ic隨Ube變D.Ic隨3變( )。14．兩個穩壓值分別是 8V、7.5V( )。A.二種B.三種C.四種D.五種TOC\o"1-5"\h\z．場效應管 G—S之間的電阻比晶體管 B—E之間的電阻 （ ）。A．大B．小C．差不多．場效應管是通過改變 （ ）來控制漏極電流的。A.柵極電流 B.柵源電壓 C.源極電壓 D.源極電流．下列半導體材料中熱敏性突出（導電性受溫度影響最大）的材料是 （ ）。A．本征半導體B．N型半導體C．P型半導體．在摻雜半導體中多數載流子的濃度取決于 （ ）。A．溫度 B．雜質濃度 C．原本征半導體的純度.P型半導體中空穴多于自由電子，則P型半導體呈現的電性為（ ）。A．正電 B．負電 C．電中性．PN結加上反向電壓時，其 PN結的寬度 （或空間電荷區 ）會（ ）。A.變窄B.變寬C.不變．使晶體管具有放大作用的外部條件是 （ ）。A．發射結正偏 B．發射結反偏 C．集電結正偏D．集電結反偏．使用晶體管時，下列哪些額定值不能超過 ?（ ）電流放大系數3 B.反向飽和電流IcboC.反向擊穿電壓 BUceoD.耗散功率Pcm三、填空題．半導體按導電類型分為（）型半導體與（）半導體。．N型半導體主要靠（）來導電，P型半導體主要靠（）來導電。．二極管按所用材料可分為 （）和（）兩類，按 PN結的結構特點可分為 （）型和（）型兩種。．PN結的正向接法是 P型區接電源的（）極，N型區接電源的（）極。．P型半導體中的多數載流子是（），少數載流子是（） 。．N型半導體中的多數載流子是 （），少數載流子是（）。．晶體管的三個電極分別稱為 （）極、（）極和（）極，它們分別用字母（）、（）和（）來表示。．由晶體管的輸出特性可知，它可分為 （）區、（）區和（）區三個區域。．晶體管是由兩個 PN結構成的一種半導體器件，其中一個 PN結叫做（），另一個叫做（）。．晶體管具有電流放大作用的內部條件是： （）區的多數載流子濃度高；（）結的面積大；（）區盡可能地薄；（）結正向偏置；（）結反向偏置。．晶體管具有電流放大作用的外部條件是：（）結正向偏置；（）結反向偏置。．晶體管的電流放大作用，是通過改變（ ）電流來控制（）電流的，其實質是以（）電流控制（ ）電流。．硅晶體管的飽和電壓降為（ ），鍺晶體管的飽和電壓降為（）。TOC\o"1-5"\h\z．硅晶體管發射結的導通電壓約為（），鍺晶體管發射結的導通電壓約為（ ） 。．當晶體管處于飽和狀態時，它的發射結必定加（）電壓，集電結必定加（）電壓或（）電壓。.當晶體管的Uce一定時，基極與發射極間的電壓 Ube與基極電流Ib之間的關系曲線稱為 （）曲線；當基極電流Ib一定時，集電極與發射極間的電壓 Uce與集電極電流Ic的關系曲線稱為 （）曲線。．晶體管的穿透電流 IcEO隨溫度的升高而增大，由于硅晶體管的穿透電流比鍺晶體管 （ ），所以硅晶體管的（）比鍺晶體管好。．晶體管被當作放大元件使用時，要求其工作在（）狀態，而被當作開關元件使用時，要求其工作在（）狀態和（）狀態。．PN結中的內電場會阻止多數載流子的（）運動。促使少數載流子的（ ）運動。．NPN型晶體管的發射區是 （）型半導體，集電區是（）型半導體，基區是 （）型半導體。．有一個晶體管繼電器電路，其晶體管集電極與繼電器的吸引線圈相串聯，繼電器的動作電流為6mA。若晶體管的電流放大系數3= 50,要使繼電器開始動作，晶體管的基極電流至少應為（ ）。．點接觸型二極管因其結電容（ ），可用于（）和（）的場合；面接觸型二極管因其接觸面積大，可用于（）的場合。．晶體管的輸入特性曲線和二極管的（）關系特性相似，晶體管的輸入特性的重要參數是交流輸入電阻，它是（）和（）的比值。．晶體管的輸出特性是指（）為常數時，（）與（）之間的函數關系。．二極管的直流電阻 （即靜態電阻 ）定義表達式為（ ），如果工作點上移，直流電阻值將（）。．二極管的結電容包含兩部分：（）電容和（）電容，一般（）電容占主要地位。.晶體管的穿透電流Iceo是在基極開路時，由（ ）流向（）的電流。它是由一（ ）產生的，隨溫度的增高（）。．晶體管的集電極發射極擊穿電壓BUcEO是指基極開路時（）的（）允許電壓值，BUcEO隨溫度的增高（）。．半導體中的總電流是（）與（）的代數和。．在半導體中，自由電子帶 （）電，空穴帶 （ ）電。.理想二極管正向導通時，其壓降為（ ）V;反向截止時，其電流為（ ）^A。．使晶體管處于放大狀態的偏置狀況是：（）結正偏，（）結反偏。．場效應管分（）和（）兩大類。．場效應管的三個管腳分別稱為（）、（）和（）。它的輸入電阻（），這是晶體管與之無法比擬的特點。．場效應管中參與導電的載流子，只能是電子或空穴中的一種，NMOS管的載流子是 （ ），PMOS管的載流子是（）。四、計算題

.如圖所示，設二極管的正向電壓降為 0.5V,求Ua分別為十5V、—5V、0V時，Ub的值。.某二極管的正向電壓為1V時電流為40mA,這時二極管的直流內阻是多少？若又知道正向電壓的變化為0.8V時的電流變化為20mA,則二極管的交流內阻是多少？.在如圖所示電路中，當 Ua=+10V、Ub=0V時，試求輸出端電壓Uf及各元件中通過的電流。 （設二極管的正向電阻為零，反向電阻無窮大 ）.在如圖所示電路中， Vi、V2、V3均為理想二極管。A、B兩端的等效電阻及Rab應為多少？.某人測量一只3DG6型晶體管在工作時電極間的直流電壓分別為下列三種情況，試判別晶體管分別工作在什么狀態？Ube=0.7V,Ubc=0.4V,Uce=0.3V;Ube=0.7V,Ubc=-6V,Uce=6.7V;Ube=0V,Ubc=-12V,Uce=12V。6.在如圖所示電路中，已知 Va=2.3V,V1、V2為硅管，其管壓降為0.7V,試估計Vb等于幾伏？Uab等于幾伏？五、作圖題.如圖所示電路中，已知Ui為幅值8V的正弦波，畫出uo五、作圖題.如圖所示電路中，已知Ui為幅值8V的正弦波，畫出uo波形，其中二極管設為理想二極管。.如圖所示電路中，已知Ui為幅值8V的正弦波，畫出uo波形，其中二極管設為理想二極管。VSZ.如圖所示電路中，當輸入端加上幅值為 6V的三角波時，試繪出輸出電壓的波形。.如圖為限幅電路，在其輸入端加上幅值為 10V的矩形波，試繪出輸出端的波形。.試畫出PN結兩側帶電薄層的極性。.試畫出NPN型和PNP型晶體管的圖形符號，并標明電流方向。單級交流放大電路、判斷題TOC\o"1-5"\h\z(1)可以說任何放大電路都有功率放大作用。 ()(2)電路中各電量的交流成份是交流信號源提供的。 ()(3)放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。 ()(4)由于放大的對象是變化量，所以當輸入信號為直流信號時，任何放大電路的輸出都毫無變化。()(5)只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。 ()二、分析與計算.未畫完的場效應管放大電路如圖所示，試將合適的場效應管接入電路，使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。a.按要求填寫下表。電路名稱連接方式（e、c、b）性能比較（大、中、小）公共極輸入極輸出極AiRiRo其它共射電路共集電路共基電路.電路如圖（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態時Ubeq=0.7V。利用圖解法分別求出 Rl=8和Rl=3k◎時的靜態工作點和最大不失真輸出電壓 Uom（有效值）。''r(+15V)5.已知所示電路中晶體管的=100,''r(+15V)5.已知所示電路中晶體管的=100,rbe=1kQor..’ ... .A_4.電路如圖所不，晶體管的 =80,bb=100Qo分別計算Rl=oo和RL=3kQ時的Q點、u、R和Ro。56MR.f\-“叫uO(1)現已測得靜態管壓降Uceq=6V,估算Rb約為多少千歐;0+匕_亡0+匕_亡(+12V)(2)若測得Ui和Uo的有效值分別為1mV和100mV,則負載電阻Rl為多少千歐?6.在所小電路中，設靜態時 IcQ=2mA,晶體管飽和管壓降Uces=0.6V。試問：當負載電阻Rl=°°和Rl=3k◎時電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？r,■7.電路如圖所不，晶體管的 =100,bb=100Qo A _(1)求電路的Q點、u、R和R。；(2)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態參數發生變化？如何變化? A_—(2)分別求出Rl=8和R=3kQ時電路的u和R A_—(2)分別求出Rl=8和R=3kQ時電路的u和Ri；(3)求出R。。8.電路如圖所示，晶體管的 =80,rbe=1kQo2刖言［)r,■9.電路如圖所不，晶體管的=60,bb=100QoA(1)求解Q點、u、Ri和Ro；(2)設Us=10mV(有效值)，問Ui=?Uo=?若C3開路，則Ui=?Uo=?(1)求出Q點;相13kO30。knU(+12V)I專科網上作業題答案半導體器件 答案判斷題1.X2.X3.X 4.V5.X6.v7.X8.x9.x10.V11.X12.X13/ 14.X15.,16.x17.V18.x19.X20.X21.x22.V23.V24V25.X26.X27.X28.V選擇題1C2A3B4B5A6B 7A8B9A10C11C，C12B13B14C15A16B17A18B19C20B21A，D22C，D三、填空題1N，P2自由電子，空穴3硅，鍺，點接觸，面接觸4正，負5空穴，電子6電子，空穴7發射，基，集電，E、B、C8截止，放大，飽和9集電結，發射結10發射，集電，基，發射，集電11發射，集電12基極，集電極，微小，較大0.3V，0.1V0.7V，0.3V15正向，正向，零16輸入特性，輸出特性17小得多，熱穩定性18放大，飽和，截止19擴散，漂移2020．N2020．N21．0.12mA22．小，高頻，超高頻，大功率23.正向電流一電壓，Ube的增量，Ib的增量24．基極電流， IC，UCE.R=U/I,減小.PN結，引線和殼體，PN結.集電極，發射極，少數載流子，而增大.UCE，最大，而減小.電子電流，空穴電流.負，正.0，0.發射，集電.結型，絕緣柵型.柵極，源極，漏極，很大.電子，空穴四、計算題當Ua=+5V時，二極管正偏導通Uv=0.5V,由KVL:Ua=Uv十Ub,Ub=4.5V當Ua=-5V時，二極管V反偏截止，電路中無電流Ub=IR=0XR=0V當Ua=0V時，二極管V無正偏，截止，電路無電流Ub=IR=0XR=0VR=U/I=1/0.04=250r=AU/A1=0.8/0.02=400Uf=R3Ua/（Ri十R3）=9X10/（1十9）=9VIvi=Ua/（R1十R3）=10/（1十9）=1mAIV2=0V1>V2導通，V3截止Rab=（R1〃R3）十R4十R5=5Q（1）Ube=0.7V,發射結正偏Ubc=0.4V,集電結正偏22、所以該管處于飽和狀態Ube=0.7V,發射結正偏Ubc=—6V,集電結反偏所以該管處于放大狀態Ube=0V,發射結零偏該管處于截止狀態Vi和V2正偏導通，管壓降0.7VVb=Va十2X0.7=2.3十1.4=3.7VUab=Va—Vb=2.3—3.7=一1.4V4.見答圖。

單級交流放大電路答案*>解：(1)V (2)X (3)V(4)X (5)X- *、1、解：根據電路接法，可分別采用耗盡型 N溝道和P溝道MOS管，如解圖所示。解圖解：答案如表所示。電路名稱連接方式性能比較（大、中、小）公共端輸入端輸出端AuAiRiRo其它共射電路ebc大大小大共集電路cbe小大大小共基電路bec大小小大頻帶寬3、解：空載時：Ibq=20^A,Icq=2mA,Uceq=6V;最大不失真輸出電壓峰值約為 5.3V,有效值約為3.75V。帶載時：lBQ=20^A,IcQ=2mA,Uceq=3V;最大不失真輸出電壓峰值約為 2.3V,有效值約為1.63V。如解圖所示。4、解：在空載和帶負載情況下，電路的靜態電流、rbe均相等，它們分別為VCC UbeqUbeq一.IBQ22(xIBQRb RICQIBQ1.76mAICQrberbb'(1 )26mV1.3kIEQ66、88、空載時，靜態管壓降、電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻分別為UceqVcc IcqRc6.2VRcAu -- 308rbeRi RbH%51.3krbeAus --b^Au 93Rs -beRo Rc5kRL=5kQ時，靜態管壓降、電壓放大倍數分別為RTOC\o"1-5"\h\zUceq ——Icq（《//Rl） 2.3VRc Rl—'Au ——L 115rbe-beAus 匚Au 47RsrbeR Rb//-be rbe1.3kR Rc5k5、解：（1）求解RbICQVCCUceqRcICQVCCUceqRc2mAIBQICQ20MAVCCUbeqRb ^Q-565k(2)求解Rl：UoA, — UoA, — 100 A,Ui1 1一一1 Rl 1.5kRlrbeRL 1kRc Rl解：由于IcQ=2mA,所以Uceq=Vcc—IcqRc=6V。空載時，輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現飽和失真。故RlU0m Ue%"“2VRl3k時，當輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現截止失真。故7、解:Uom(1)靜態分析: