1、【實驗內容】熟悉激光晶軸定向儀的使用方法，并首先對激光晶軸定向儀進行調整。觀察被測單晶的外形特征，初步判別晶體的大致取向。對單晶樣品進行研磨、腐蝕處理，在晶向顯微鏡下觀察不同單晶 111）、（100）晶向腐蝕坑形狀。4把被測樣品粘在夾具上，用定向儀測量。測定接近及晶向的硅單晶端面的偏離度。注意光圖與腐蝕坑形狀之間的關系。確定 單晶的（100）面切割方向。直接用實驗測量證明晶面的特征光圖中光斑對應的反射面是221面。【實驗步驟】一、 硅單晶樣品#1. 用208砂在平板玻璃上進行(100)(111)面樣品濕磨，使一個端面均勻打毛到用肉眼可見許多微小的解理坑，用水沖洗干凈然后進行腐蝕。稱量10gNa

2、OH，配置成100mL水溶液，將待腐蝕的硅片浸入盛有腐蝕液的燒杯，并使打毛端面向上。在通風櫥中進行電爐加熱。在沸騰的腐蝕液中腐蝕 12分鐘。用清水沖洗，濾紙吸干。進行金相顯微鏡下腐蝕坑的形貌觀察，(100)樣品表面的腐蝕坑為方形，(111)樣品表面的腐蝕坑為三角形。二、 樣品端面晶向偏離度的測量接上JCD型激光晶軸定向儀220V，50Hz電源。開啟激光管。調整光屏，使激光束對準光屏上的透光小孔射出。將待測樣品未打毛端面與一載波片緊密接觸，用烙鐵在樣片的邊緣融蠟少許，使樣品和載波片粘接在一起（注意不要使蠟浸入樣品和載波片之間）。再將載波片無樣品的一面與晶體夾具端面粘在一起。調節晶體夾具底座的軸向

3、水平移動，使晶體夾具朝向激光光軸來回移動，并使激光照射在沒有樣品和蠟的載波片表面部分。這時可以調節夾具的角度（水平角、俯仰角）或垂直升降，使載波片反射光中心點與透光孔重合。記下此時的各方位角1、1。再調節晶體夾具底座的軸向水平移動，使激光照射在載波片上的樣品部分，調節各方位角旋鈕，使反射光圖中腐蝕坑底的反射光中心點與光屏上的透光孔重合，此時的方位角定為2、2則12；12即為某基準晶面軸向與晶體表面軸向（法向）的水平偏離度和垂直偏高度。（關于偏離度的定量關系，請參閱附錄）。根據光圖的分布可同時得知測定的晶面。將生長方向為（100）的單晶用同樣的方法定向。晶體有8個不同朝向的(111)面，其中2個

4、面與樣品表面平行，另6個面在激光照射下會發射出6個不同方向的反射光，而這6個方向中每3個一組，所以主要看到三個橢圓的反射斑，但也可隱約看出另3條光斑。同理，晶體有6個不同朝向的(100)面，其中2個面與樣品表面平行，所以有4個反射光斑。三、 測晶面的偏差角由于實際切晶面的時候存在偏差，所以(111)樣品與標準(111)面存在偏差，測偏差角度的方法如下：1、將放置晶面樣品的合。調平，即讓經玻璃板放射的激光與入射的激光重2、平移載物臺，使激光射在(111)樣品上，出現三瓣狀反射光3、調節載物臺上下、左右的傾角使反射像的中心與激光出射孔重合，調節前后各傾角的角度值1、2、1、2，數據如下：1= 1.

5、21= 2.7利用余弦定理可知：2= 0.22= 1.8= 1.0= 0.9cos= coscos = 1.35由此可知，實驗中的(111)面樣品與實際偏差1.35。4、測(221)面與(111)面的夾角。(221)面反射激光是圖中三瓣圖形中的花瓣，因此將(111)面反射的中心移至花瓣上，這時通過測量傾角的改變量，即 可求得1= 2.71= 1.82= 2.72= 17.7= 0= 15.9利用余弦定理可知：cos= coscos = 15.9角理論值為 70.5- 54.74=相對誤差為：0.89%15.765、在(100)的截面尋找(111)面。將激光射在(100)樣品磨出的截面上，調節傾角至反射圖像為三瓣圖形，通過測量傾角改變量，可利用樣品(100)觀察到(111)面的三瓣圖形。1= 01= -0.32= 02= 54.5= 0= 54.8利用余弦定理可知：cos= coscos = 15.9角理論值為 54.7相對誤差為：0.18%【思考題】1腐蝕時間過長或腐蝕時間過短時反射光圖會出現什么情況？答：腐蝕時間過短使腐蝕坑淺，導致反射圖像為三個橢圓的三瓣圖像顯現不出來或為