1、大小塑造圈數(shù)線徑、截面積電感電阻O 120毫米圓360.40毫米/ 0.14毫米2405H1.9歐姆150毫米圓310.40毫米/ 0.14毫米2394H2.0歐姆O 175毫米圓280.40毫米/ 0.14毫米2387H2.1歐姆200毫米圓260.40毫米/ 0.14毫米2406H2.2歐姆250毫米圓220.40毫米/ 0.14毫米2380H2.3歐姆300毫米圓200.50毫米/ 0.20毫米2390H1.6歐姆400毫米圓170.50毫米/ 0.20毫米2396H1.8歐姆500毫米圓150.50毫米/ 0.20毫米2400H2.0歐姆1.01.0米方100.66毫米/ 0.34毫米

2、2406H2.0歐姆1.41.4米方80.66毫米/ 0.34毫米2387H2.2歐姆1.81.8米方70.80毫米/ 0.50毫米2398H1.7歐姆在此表中的值是理論值，。尤其是電感量可以由線與線之間的距離變化，即使是電感量有不同的變化。，即使電感不同，這里提到的值的10或20，線圈都能正常運(yùn)作，圓形線圈選用漆包銅線。線徑0.4到0.5mm是常見(jiàn)的厚度，在每個(gè)城市的角落都可以買得到，如果方形線框要用電纜的話，可以用8*0.4或者8*0.5線徑的電纜，但一定要購(gòu)置沒(méi)有屏蔽的。電曲線和歧視的線圈的放電曲線圖可以被分為三個(gè)局部。第1階段：在驅(qū)動(dòng)MOSFET的擊穿效應(yīng)大多數(shù)脈沖金屬探測(cè)器使用MOS

3、FET，通過(guò)線圈的電流脈沖來(lái)調(diào)節(jié)。我們的設(shè)計(jì)也將采用MOSFET FOT這個(gè)任務(wù)。如果MOSFET被關(guān)閉時(shí)，電流由線圈中并聯(lián)的電阻中的產(chǎn)生回路，該回路應(yīng)與線圈的電感對(duì)于理想的阻尼的400H線圈，使用約680歐姆的電阻器。300H的電感線圈應(yīng)并聯(lián)一個(gè)600歐姆的電阻。如果我們加在線圈中的電流到達(dá)2安培的，與一個(gè)680歐姆的放電電阻器的電壓將到達(dá)峰值到1360伏。不是一般的功率元件能夠處理此電壓，特別是功率MOSFET的用于驅(qū)動(dòng)搜索線圈的擊穿電壓要選擇在300和750伏之間，根據(jù)功率元件的這意味著，在第一階段期間的線圈放電，在線圈上的電壓將被限制到大約500伏特，通過(guò)并聯(lián)電阻中流過(guò)的電流的一局部，

4、和它的一局部，通過(guò)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。這是不太理想的，因?yàn)楦叩姆烹婋妷阂馕吨斓拇艌?chǎng)切換，但我們應(yīng)該慶幸的，這MOSFET的動(dòng)作其實(shí)是防止其他部件被損壞。脈沖的時(shí)間停留在第1階段的放電曲線的量依賴于流經(jīng)線圈的電流的放電開(kāi)始時(shí)，擊穿電壓的MOSFET和線圈，布線和并聯(lián)電阻器的電阻的總和。假設(shè)在循環(huán)中的主電阻體由并聯(lián)電阻引起，我們可以用以下公式計(jì)算的長(zhǎng)度的第一階段：TS1= L線圈*I的線圈- Vbrk_down/ R潮濕/ Vbrk_down顯然，這個(gè)公式是唯一有效的，當(dāng)我線圈 Vbrk_down/ R潮濕的，因?yàn)榉衲敲吹牡谝浑A段從來(lái)沒(méi)有進(jìn)入理想的曲線直接進(jìn)入第二階段的。具有400H的線圈

5、，680歐姆的阻尼電阻器，一個(gè)初始2安培和MOSFET的擊穿電壓為500伏的線圈電流在我們的例子中，該第一階段的放電曲線將持續(xù)一微秒。第2階段：在阻尼電阻器線圈電壓高電流衰減一旦由電流在線圈中感應(yīng)的電壓已到達(dá)以下的值的MOSFET的擊穿電壓時(shí)，電流將指數(shù)衰減到零。可以改變這種衰變的電流回路中的總電阻和線圈中的磁場(chǎng)的物理性質(zhì)。的磁力線在到達(dá)金屬可以改變的衰減曲線的第二個(gè)階段，但也存在一些問(wèn)題檢測(cè)到它們。首先是非常高的電壓。當(dāng)線圈電壓下降到低于MOSFET的擊穿電壓時(shí)，第2階段進(jìn)入某處大約500伏，并結(jié)束的電壓被降低到足以被拾起，常見(jiàn)的模擬電路通常是0.5或1伏左右。這個(gè)階段也是非常短的，這使得它

6、難以執(zhí)行可靠的測(cè)量，這給任有關(guān)以下內(nèi)容的信息的存在，或在到達(dá)的磁場(chǎng)的金屬大多數(shù)脈沖感應(yīng)金屬探測(cè)器，因此就跳過(guò)第二個(gè)階段，并等待開(kāi)始檢測(cè)和歧視周期的第三階段。基于DSP的檢測(cè)器是不同的，因?yàn)樗鼤?huì)自動(dòng)偵測(cè)的準(zhǔn)確時(shí)刻時(shí)的放電曲線，從第2階段到第三階段。這些二極管充當(dāng)拉一側(cè)的電阻兩側(cè)之一的電源側(cè)的電壓限制器。只要線圈電壓大于0,7伏，這些二極管需要翻開(kāi)，二極管上的電壓實(shí)際上是固定的。一旦線圈電壓下降到低于此值，二極管靠近和測(cè)得的電壓在線圈的實(shí)際剩余電壓。在我們的例子線圈，第2階段將持續(xù)大約3.9sec，直到線圈中的電流已經(jīng)降到足夠拉這個(gè)魔法值0.7伏以下的電壓。此較少的裝置的放電曲線的第二階段，和持久

7、的渦流可以被檢測(cè)的最后階段開(kāi)始結(jié)束。如果金屬是在磁場(chǎng)的范圍內(nèi)，進(jìn)入第三階段的時(shí)刻，將轉(zhuǎn)移。有色金屬將導(dǎo)致線圈的電感增加，實(shí)際上導(dǎo)致延遲的過(guò)渡點(diǎn)。將導(dǎo)致第三階段，將前面輸入的非鐵金屬。我沒(méi)有解釋的過(guò)渡點(diǎn)的精確測(cè)量，我們需要一個(gè)又好又快的模擬測(cè)量系統(tǒng)和快速的CPU計(jì)算周期。第三階段：最后的電流衰減和渦流在最后的階段，被阻塞的潤(rùn)濕電阻由兩個(gè)系列二極管，電流進(jìn)一步在輔助電阻器在電路衰減。現(xiàn)在中流動(dòng)的電流，該電流的初始線圈電流的剩余，并且金屬在附近的渦流所引起的電流。1000倍，以獲得一些信息。第二個(gè)問(wèn)題是，在主區(qū)域用于識(shí)別是在約第一個(gè)30微秒的衰變。忽略了第一局部的衰減曲線設(shè)計(jì)，正確識(shí)別金屬種類將是非常困難的。這就是為什么常見(jiàn)的脈沖感應(yīng)金屬探測(cè)器是如此糟糕的歧視。他們首先把幾乎所有的信息遠(yuǎn)，總