1、 某硅突變某硅突變 PN 結(jié)的結(jié)的 NA = 1.51014 cm-3，ND = 1.51018 cm-3，試求室溫下：，試求室溫下： 1、平衡時(shí)的、平衡時(shí)的 pp0 、nn0 、pn0 和和 np0 ； 2、外加、外加 0.2V 正向電壓時(shí)的正向電壓時(shí)的 pn(xn) 和和 np(-xp) ； 3、內(nèi)建電勢(shì)、內(nèi)建電勢(shì) Vbi 。AKPi693ppp0DKNi253nnn0ADbi222ln0.497V0.2()exp1.5 10 exp3.29 10 cm0.02622ln0.976V0.2()exp1.5 10 exp3.29 10 cm0.0263lnNkTVqnqVnxnkTNkTVq

2、nqVpxpkTN NkTVq、2i0.718Vn214363ip0Ap0A218323in0Dn0D11.5 10 cm ,1.5 10 cm ,1.5 10 cm ,1.5 10 cmnpNnNnnNpN、一、一、 1、寫(xiě)出、寫(xiě)出 PN 結(jié)正向擴(kuò)散電流密度結(jié)正向擴(kuò)散電流密度 Jdn 、Jdp 的表達(dá)式。的表達(dá)式。 2、當(dāng)、當(dāng) NA ND 時(shí)，時(shí)，Jdn與與 Jdp 中以哪種電流密度為主？中以哪種電流密度為主？二、二、 某突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場(chǎng)為某突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場(chǎng)為 EC = 4.4 105 V/ /cm ，雪崩擊穿電壓為，雪崩擊穿電壓為 220V，試求發(fā)生擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度，試求

3、發(fā)生擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度 xdB 。2nnidnp0npA2ppidpn0ppDexp1exp1exp1exp1qDqD nqVqVJnLkTL NkTqDqD nqVqVJpLkTL NkT一、一、 1、 2、當(dāng)、當(dāng) NA ND 時(shí)，時(shí)， Jdn Jdp二、二、BdBC3BdB5C1222 22010 cm10m4.4 10Vx EVxE 1、某、某 NPN 晶體管的晶體管的 ，試求該管的浮空電勢(shì)。，試求該管的浮空電勢(shì)。 2、試求該管當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路集電結(jié)反偏時(shí)，基區(qū)中鄰近發(fā)射區(qū)一側(cè)的少子濃度、試求該管當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路集電結(jié)反偏時(shí)，基區(qū)中鄰近發(fā)射區(qū)一側(cè)的少子濃度 nB(0) 是該處平衡少子濃度是該處平

4、衡少子濃度 nB0 的多少倍。的多少倍。0.99BEBB0B0B02(0)exp10.01qVnnnnkT、BE1ln(1)0.026ln(10.99)0.1197VkTVq 、 求下圖共發(fā)射極求下圖共發(fā)射極 T 形等效電路中形等效電路中 與與 并聯(lián)支路的分界頻率，通常可以忽略并聯(lián)支路的分界頻率，通常可以忽略哪個(gè)元件？哪個(gè)元件？erC 通常因通常因 ，所以可忽略，所以可忽略 。eeeTEDEebbecT11112222r CfrCr CCf eTr CfffC1、某、某 N 溝道溝道 MOSFET 的的 VT = 1V， = 10-3AV 2 ，試求當(dāng)，試求當(dāng) VGS = 4V ，而，而 VDS 分別分別為為 2V、3V、4V 時(shí)的漏極電流之值。時(shí)的漏極電流之值。 2、試求該、試求該 MOS 管當(dāng)管當(dāng) VDS = 2V，VGS 分別為分別為 2V、3V、4V 時(shí)的漏極電流之值。時(shí)的漏極電流之值。 2DSDSTGSD21)(VVVVITGSsatDVVV2TGS2Dsat