1、電子工程師面試題一、是非題1、(N)變?nèi)荻O管正常工作時(shí)，應(yīng)加正向電壓。2、(N)TTL 門電路的標(biāo)準(zhǔn)高電平為 +12V3、(Y) TVS 瞬態(tài)電壓抑制二極管上的電壓超過一定幅度時(shí)，器件迅速導(dǎo)通。4 、 ( Y )在高速脈沖作用時(shí)，普通晶體二極管可能會(huì)失去單向?qū)щ娦阅堋? 、 ( N )與非門的一個(gè)輸入端為低電平時(shí)，其輸出端總為低電平，而與其它輸入 端的狀態(tài)無關(guān)。6、(Y)電壓表的輸入電阻應(yīng)愈大愈好二、選擇題1 、標(biāo)稱為 104 的電容器，其容量為： (C)A、104PFB、10000PFC、100000PFD、4000PF2、三極管的參數(shù)反映的是：(A)A、電流控制電流B、電流控制電壓C電壓

2、控制電流C電壓控制電壓3、檢波二極管通常選用( D)A、硅二極管B、變?nèi)荻O管C、整流二極管D、咼頻鍺二極管4、RS-232C標(biāo)準(zhǔn)的邏輯O電壓是(D)A、0V0.8VB 、 OV-5VC、-5V - 1 5VD、+5V+15V5、5V電壓經(jīng)過10位A/D轉(zhuǎn)換后，其電壓分辨率近似為(C)A、2OmvB、10mvC、5mvD、2.5mv6、為了提咼放大器的輸入電阻，并穩(wěn)定放大器的輸出電壓，應(yīng)采用的反饋方式是： （A）A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋C電流串聯(lián)負(fù)反饋D、電流并聯(lián)負(fù)反饋7 、設(shè)計(jì)一個(gè)頻率可變，頻率穩(wěn)定度很高的低頻信號(hào)源，選用的電路應(yīng)為（B）A、RC振蕩電路B 、石英晶體振蕩電路C、

3、DDS 集成振蕩電路D、LC三點(diǎn)式振蕩電路8、用 7812 集成芯片做成的穩(wěn)壓電源電路中，其橋式整流器輸入的交流電壓有 效值大致為：（B）A、 12V 左右B 、 14V 左右C、18V 左右D、20V 左右9、用示波器測(cè)量一信號(hào)幅度，已知探頭置于 X1 位置，垂直靈敏度旋鈕置于 100mvdiv,若屏幕上顯示的波形高度（峰峰值）為 6格，則被測(cè)信號(hào)的有效值約 為（ A）A、210mvB、420mvC、300mvD、600mv三、填空題1 、電壓源的內(nèi)阻應(yīng)愈（ 越小 ）愈好。電流源的內(nèi)阻應(yīng)愈（ 越大 ）愈好。2、實(shí)現(xiàn)數(shù)制轉(zhuǎn)換： （160） 10=（A0 ） 16=（ ） 2。3、電子技術(shù)中，

4、PWM 信號(hào)的中文含意是（ 脈寬調(diào)制 ）。4、RC 正弦波振蕩器的特點(diǎn)是 （ 低頻 ），英晶體振蕩器的特點(diǎn)是 （ 穩(wěn)定性很高 ）5、要對(duì)信號(hào)的頻譜進(jìn)行分析，應(yīng)選用的儀器是（ 頻譜分析儀 ），要對(duì)放大器的 頻率特征進(jìn) 行測(cè)試，應(yīng)選用的儀器是（ 示波器 ）。四、簡答題1 、請(qǐng)寫出下圖中 x1 、 x2、 f 的真值表和邏輯關(guān)系式： X1 X2 f0000101 0 0111邏輯關(guān)系式： f=X1&X2 或 f=X1.X22、單片機(jī)上電后沒有運(yùn)轉(zhuǎn)，首先要檢查什么？1）首先應(yīng)該確認(rèn)電源電壓是否正常。2）接下來就是檢查復(fù)位引腳電壓是否正常。3）然后再檢查晶振是否起振了。4）如果系統(tǒng)不穩(wěn)定的話，有時(shí)是因?yàn)?/p>

5、電源濾波不好導(dǎo)致的。在單片機(jī)的電源引 腳跟地引腳之間接上一個(gè) 0.1uF 的電容會(huì)有所改善。五、將下面的內(nèi)容翻譯成中文This is the battery backup input that powers the SRAM and RTC when main power is removed. Typical current draw is 15uA.Without an external backup battery, the module/engine board will execute a cold star after every turn on. To achieve the faster start -up offered by a hot or warm start, a battery backup must be connected. The battery voltage should be between 2.0v and 5.0v.參考翻譯這是一個(gè)在主電源被移走時(shí)給 SRAM 及 RTC 供電的電池備份輸入， 典型的 耗電流為 15uA 。當(dāng)沒有這個(gè)外部備用電源時(shí)