1、泓域咨詢/年產xx靶材項目申報材料年產xx靶材項目申報材料泓域咨詢/規劃設計/投資分析 報告說明濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規模化生產能力的企業數量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區。該靶材項目計劃總投資15766.32萬元，其中：固定資產投資12818.24萬元，占項目總投資的81.30%；流動資金2948.08萬元，占項目總投資的18.70%。達產年營業收入20662.00萬元，總成本費用15967.54萬元，稅金及附加249.01萬元，利潤總額46

2、94.46萬元，利稅總額5590.98萬元，稅后凈利潤3520.85萬元，達產年納稅總額2070.14萬元；達產年投資利潤率29.78%，投資利稅率35.46%，投資回報率22.33%，全部投資回收期5.98年，提供就業職位354個。超大規模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。第一章

3、項目概述一、項目概況（一）項目名稱及背景年產xx靶材項目靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發磁控濺射鍍膜是加熱蒸發鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。靶

4、材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。（二）項目選址某臨港經濟開發區（三）項目用地規模項目總用地面積42828.07平方米（折合約64.21畝）。（四）項目用地控制指標該工程規劃建筑系數51.12%，建筑容積率1.03，建設區域綠化覆蓋率6.44%，固定資產投資強度199.63萬元/畝。（五）土建工程指標項目凈用地面積42828.07平方米，建筑物基底占地面積21893.71平方米，總建筑面積44112.91平方米，其中：規劃建設主體工程31495.68平方米，項目規劃綠化面積2842.08平方米。（六）設備選型方案項目計劃購置設備共計

5、153臺（套），設備購置費4637.10萬元。（七）節能分析1、項目年用電量712603.43千瓦時，折合87.58噸標準煤。2、項目年總用水量10640.89立方米，折合0.91噸標準煤。3、“年產xx靶材項目投資建設項目”，年用電量712603.43千瓦時，年總用水量10640.89立方米，項目年綜合總耗能量（當量值）88.49噸標準煤/年。達產年綜合節能量24.96噸標準煤/年，項目總節能率29.24%，能源利用效果良好。（八）環境保護項目符合某臨港經濟開發區發展規劃，符合某臨港經濟開發區產業結構調整規劃和國家的產業發展政策；對產生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規

6、定的排放標準內，項目建設不會對區域生態環境產生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構成項目預計總投資15766.32萬元，其中：固定資產投資12818.24萬元，占項目總投資的81.30%；流動資金2948.08萬元，占項目總投資的18.70%。（十）資金籌措該項目現階段投資均由企業自籌。（十一）項目預期經濟效益規劃目標預期達產年營業收入20662.00萬元，總成本費用15967.54萬元，稅金及附加249.01萬元，利潤總額4694.46萬元，利稅總額5590.98萬元，稅后凈利潤3520.85萬元，達產年納稅總額2070.14萬元；達產年投資利潤率29.78%，投資利稅率35.46%，投資回

7、報率22.33%，全部投資回收期5.98年，提供就業職位354個。（十二）進度規劃本期工程項目建設期限規劃12個月。項目建設單位要制定嚴密的工程施工進度計劃，并以此為依據，詳細編制周、月施工作業計劃，以施工任務書的形式下達給參與工程施工的施工隊伍。二、項目評價1、本期工程項目符合國家產業發展政策和規劃要求，符合某臨港經濟開發區及某臨港經濟開發區靶材行業布局和結構調整政策；項目的建設對促進某臨港經濟開發區靶材產業結構、技術結構、組織結構、產品結構的調整優化有著積極的推動意義。2、xxx投資公司為適應國內外市場需求，擬建“年產xx靶材項目”，本期工程項目的建設能夠有力促進某臨港經濟開發區經濟發展，

8、為社會提供就業職位354個，達產年納稅總額2070.14萬元，可以促進某臨港經濟開發區區域經濟的繁榮發展和社會穩定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產年投資利潤率29.78%，投資利稅率35.46%，全部投資回報率22.33%，全部投資回收期5.98年，固定資產投資回收期5.98年（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。國家支持民營經濟發展，是明確的、一貫的，而且是不斷深化的，不是一時的權宜之計，更不是過河拆橋式的策略性利用。對于非公有制經濟的地位和作用，“三個沒有變”的判斷：“非公有制經濟在我國經濟社會發展中的地位和作用沒有變，我們毫不動搖鼓勵、支持、引導非公有制經濟發展的

9、方針政策沒有變，我們致力于為非公有制經濟發展營造良好環境和提供更多機會的方針政策沒有變。”同時，公有制為主體、多種所有制經濟共同發展，是寫入黨章和憲法的基本經濟制度，這是不會變的，也是不能變的。進入新時代，中國的民營經濟只會壯大、不會離場，只會越來越好、不會越來越差。當前，我省制造業大而不強的問題仍然較為突出。傳統產業相對飽和，許多產業還處于全球產業鏈分工的中低端，產品檔次不高，缺乏世界知名品牌；以企業為主體的制造業創新體系不完善，關鍵核心技術與高端裝備受制于人；資源利用效率較低，環境污染問題較為突出；產業結構不合理，重工業和傳統產業比重較高，新興產業和生產性服務業發展滯后；產業國際化程度不高

10、，企業全球化經營能力不足；東西部區域協調發展任務較重，產業布局亟待優化。在經濟增速步入中高速增長階段、市場需求不足的嚴峻形勢下，統籌推動制造業穩增長、調結構的任務更加艱巨繁重。三、主要經濟指標主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米42828.0764.21畝1.1容積率1.031.2建筑系數51.12%1.3投資強度萬元/畝199.631.4基底面積平方米21893.711.5總建筑面積平方米44112.911.6綠化面積平方米2842.08綠化率6.44%2總投資萬元15766.322.1固定資產投資萬元12818.242.1.1土建工程投資萬元3740.762.1.1.1土

11、建工程投資占比萬元23.73%2.1.2設備投資萬元4637.102.1.2.1設備投資占比29.41%2.1.3其它投資萬元4440.382.1.3.1其它投資占比28.16%2.1.4固定資產投資占比81.30%2.2流動資金萬元2948.082.2.1流動資金占比18.70%3收入萬元20662.004總成本萬元15967.545利潤總額萬元4694.466凈利潤萬元3520.857所得稅萬元1.038增值稅萬元647.519稅金及附加萬元249.0110納稅總額萬元2070.1411利稅總額萬元5590.9812投資利潤率29.78%13投資利稅率35.46%14投資回報率22.33%

12、15回收期年5.9816設備數量臺（套）15317年用電量千瓦時712603.4318年用水量立方米10640.8919總能耗噸標準煤88.4920節能率29.24%21節能量噸標準煤24.9622員工數量人354 第二章 承辦單位概況一、項目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx公司（二）公司簡介公司是全球領先的產品提供商。我們在續為客戶創造價值，堅持圍繞客戶需求持續創新，加大基礎研究投入，厚積薄發，合作共贏。公司是一家集研發、生產、銷售為一體的高新技術企業，專注于產品，致力于產品的設計與開發，各種生產流水線工藝的自動化智能化改造，為客戶設計開發各種產品生產線。公司通過了GB/ISO9001-

13、2008質量體系、GB/24001-2004環境管理體系、GB/T28001-2011職業健康安全管理體系和信息安全管理體系認證，并獲得CCIA信息系統業務安全服務資質證書以及計算機信息系統集成三級資質。 公司堅持走“專、精、特、新”的發展道路，不斷推動轉型升級，使產品在全球市場擁有一流的競爭力。公司生產運營過程中，始終堅持以效益為中心，突出業績導向，全面推行內部市場化運作模式，不斷健全完善全面預算管理體系及考評機制，把全面預算管理貫穿于生產經營活動的各個環節。通過強化預算執行過程管控和績效考核，對生產經營過程實施全方位精細化管理，有效控制了產品生產成本；著力推進生產控制自動化與經營管理信息化

14、的深度融合，提高了生產和管理效率，優化了員工配置，降低了人力資源成本；堅持問題導向，不斷優化工藝技術指標，強化技術攻關，積極推廣應用新技術、新工藝、新材料、新裝備，原料轉化率穩步提高，降低了原料成本及能源消耗，產品成本優勢明顯。公司建立完整的質量控制體系，貫穿于公司采購、研發、生產、倉儲、銷售等各環節，并制定了產品開發控制程序、產品審核程序、產品檢測控制程序、等質量控制制度。二、公司經濟效益分析上一年度，xxx投資公司實現營業收入22019.87萬元，同比增長18.95%（3507.45萬元）。其中，主營業業務靶材生產及銷售收入為20519.59萬元，占營業總收入的93.19%。上年度營收情況

15、一覽表序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業收入4624.176165.565725.175504.9722019.872主營業務收入4309.115745.495335.095129.9020519.592.1靶材(A)1422.011896.011760.581692.876771.462.2靶材(B)991.101321.461227.071179.884719.512.3靶材(C)732.55976.73906.97872.083488.332.4靶材(D)517.09689.46640.21615.592462.352.5靶材(E)344.73459.64426.8141

16、0.391641.572.6靶材(F)215.46287.27266.75256.491025.982.7靶材(.)86.18114.91106.70102.60410.393其他業務收入315.06420.08390.07375.071500.28根據初步統計測算，公司實現利潤總額4795.65萬元，較去年同期相比增長842.30萬元，增長率21.31%；實現凈利潤3596.74萬元，較去年同期相比增長448.41萬元，增長率14.24%。上年度主要經濟指標項目單位指標完成營業收入萬元22019.87完成主營業務收入萬元20519.59主營業務收入占比93.19%營業收入增長率（同比）18.

17、95%營業收入增長量（同比）萬元3507.45利潤總額萬元4795.65利潤總額增長率21.31%利潤總額增長量萬元842.30凈利潤萬元3596.74凈利潤增長率14.24%凈利潤增長量萬元448.41投資利潤率32.75%投資回報率24.56%財務內部收益率24.58%企業總資產萬元25543.81流動資產總額占比萬元30.81%流動資產總額萬元7871.15資產負債率46.33% 第三章 項目背景研究分析一、靶材項目背景分析超大規模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，

18、在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機臺內完成濺射過程，機臺內部為高電壓、高真空環境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備

19、良好的導電、導熱性能。在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工藝要求的產品，因此，半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴；相較于半導體芯片，平面顯示器、太陽能電池對于濺射靶材的純度和技術要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產高純濺射靶材的基礎，以半導體芯片用濺射靶材為例，若

20、濺射靶材雜質含量過高，則形成的薄膜無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，嚴重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質，需要將化學提純和物理提純結合使用。在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結合并均勻分布；最后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環節首先需要根據下游應用領域的

21、性能需求進行工藝設計，然后進行反復的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關鍵指標，再經過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標基板上而制成薄膜的過程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。此環節是在濺射靶材產業鏈條中對生產設備及技術工藝要求最高的環節，濺射薄膜的品質對下游產品的質量具有重要影響。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷，主

22、要設備提供商包括AMAT（美國）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國）等行業內知名企業。終端應用是針對各類市場需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產品，包括汽車電子、智能手機、平板電腦、家用電器等終端消費電子產品。通常情況下，在半導體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進行芯片封裝。封裝是指將電路用導線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質對芯片電路造成腐蝕而損害導電性能。此外，終端應用也包括制備太陽能電池、光學鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環節技術面較寬，呈現多樣化特征。全球范圍內，濺射靶

23、材產業鏈各環節參與企業數量基本呈金字塔型分布，高純濺射靶材制造環節技術門檻高、設備投資大，具有規模化生產能力的企業數量相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區，其中，部分企業同時開展金屬提純業務，將產業鏈延伸到上游領域；部分企業只擁有濺射靶材生產能力，高純度金屬需要上游企業供應。濺射靶材最高端的應用是在超大規模集成電路芯片制造領域，這個領域只有美國和日本的少數公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關業務，是一個被跨國公司壟斷的行業。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環節具有規模化生產能力的企業數量相對較多，但質量參差不齊，美國、歐洲、日本、韓國等知名企業居于技術領先地位，品牌知名度高、

24、市場影響力大，通常會將產業鏈擴展至下游應用領域，利用技術先導優勢和高端品牌迅速占領終端消費市場，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應用環節是整個產業鏈中規模最大的領域，其產品的開發與生產分散在各個行業領域，同時，此環節具有突出的勞動密集性特點，參與企業數量最多，機器設備投資一般，主要分布在日本、中國臺灣和中國大陸等，并逐漸將生產工廠向人力成本低的國家和地區轉移。濺射靶材產業分布具有一定的區域性特征，美國、日本跨國集團產業鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環節，具備規模化生產能力，在掌握先進技術以后實施壟斷和封鎖，主導著技術革新和產業發展；韓國、新加坡及中國臺灣地區在磁記錄

25、及光學薄膜領域有所特長。另外由于上述地區芯片及液晶面板產業發展較早，促使服務分工明確，可以為產業鏈下游的品牌企業提供如焊接、清洗、包裝等專業代工服務，將上游基礎材料和下游終端應用對接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動上游濺射靶材的產品開發和市場擴展。但是上述地區的靶材服務廠商缺少核心技術及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術領域形成競爭力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國和日本的進口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國還屬于較新的行業，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴展產能。從全球來看，芯片及液晶面板行業制造向中國大陸轉移趨勢愈演愈烈，中國

26、正在迎來這一領域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應用市場需求正在快速增長。由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產品性能要求高、專業應用性強，因此，長期以來全球濺射靶材研制和生產主要集中在美國、日本少數幾家公司，產業集中度相當高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團為代表的濺射靶材生產商較早涉足該領域，經過幾十年的技術積淀，憑借其雄厚的技術力量、精細的生產控制和過硬的產品質量居于全球濺射靶材市場的主導地位，占據絕大部分市場份額。這些企業在掌握濺射靶材生產的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業務觸角積極擴展到濺射鍍膜

27、的各個應用領域，牢牢把握著全球濺射靶材市場的主動權，并引領著全球濺射靶材行業的技術進步。受到發展歷史和技術限制的影響，濺射靶材行業在我國起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業。與國際知名企業生產的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發生產技術還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域，全球高純濺射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發展，我國濺射靶材生產企業只有不斷進行研發創新，具備較強的產品開發能力，研制出適用不同應用領域的濺射靶材產品，才能在全球濺射靶材市場中占得一席之地。半導體芯片、平板顯示器、太陽

28、能電池等下游工業對產品的品質和穩定性等方面有較高的要求，為了嚴格控制產品質量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應商時，供應商資格認證壁壘較高，且認證周期較長。我國高純濺射靶材企業要進入國際市場，首先要通過部分國際組織和行業協會為高純濺射靶材設置的行業性質量管理體系標準，例如，應用于汽車電子的半導體廠商普遍要求上游濺射靶材供應商能夠通過ISO/TS16949質量管理體系認證，應用于電器設備的濺射靶材生產商需要滿足歐盟制定的RoHS強制性標準；其次，半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認證體系，在高純濺射靶材供應商滿足行業性質量管理體系認證的基礎上，下游客戶往往

29、還會根據自身的質量管理要求再對供應商進行合格供應商認證。認證過程主要包括技術評審、產品報價、樣品檢測、小批量試用、批量生產等幾個階段，認證過程相當苛刻，從新產品開發到實現大批量供貨，整個過程一般需要2-3年時間。為了降低供應商開發與維護成本，保證產品質量的持續性，濺射靶材供應商在通過下游客戶的資格認證后，下游客戶會與濺射靶材供應商保持長期穩定的合作關系，不會輕易更換供應商，并在技術合作、供貨份額等方面向優質供應商傾斜。近年來，受益于國家從戰略高度持續地支持電子材料行業的發展及應用推廣，我國國內開始出現不少專業從事高純濺射靶材研發和生產的企業，并成功開發出一批能適應高端應用領域的濺射靶材，為高純

30、濺射靶材大規模產業化提供了良好的研發基礎和市場化條件。通過將濺射靶材研發成果產業化，積極參與濺射靶材的國際化市場競爭，我國濺射靶材生產企業在技術和市場方面都取得了長足的進步，改變了高純濺射靶材長期依賴進口的不利局面。目前，包括長沙鑫康在內的一些國內企業已經掌握了高純濺射靶材生產的關鍵技術，積累了較為豐富的產業經驗，擁有了一定的市場知名度，獲得了全球知名客戶的認可。二、靶材項目建設必要性分析靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板

31、上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發磁控濺射鍍膜是加熱蒸發鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代

32、替鋁膜布線：在平面顯示器產業中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產業中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。日本。就美國而言.約有50家中小規模的靶材制造商及經銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，亞洲的一些國家和地區，如臺灣.韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對靶材

33、廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產業發展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規模和生產技術，國內一線生產制造靶材的品牌已經達到國外最頂尖的技術水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區建立了光碟塒靶材的生產基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業咨詢公司)最新的統計報告指出，全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內持續增長，估計銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學鍍膜等產業上，用以濺射用于

34、尖端技術的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產業在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應用產業的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統計資料，則是平均化后的結果。在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性

35、已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺

36、寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產ITO靶材，利用LIRF反應濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優點l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特

37、點。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。 第四章 市場調研分

38、析一、靶材行業分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發鍍膜以及離子鍍膜。為推動國內靶材產業發展，增強產業創新能力和國際競爭力，帶動傳統產業改造和產品升級換代，我國制定了一系列靶材行業相關支持政策。靶材行業產業鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節。其中，靶材制造和濺射鍍膜環節是整個靶材產業鏈中的關鍵環節。靶材產業下游包括半導體、光伏電池、平板顯示器等等，

39、其中，半導體芯片行業用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領域。其中，在靶材應用領域中，半導體芯片對靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術并經過長期實踐才能制成符合工藝要求的產品。因此，半導體芯片對靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。半導體芯片行業是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發展，銅導線工藝的應用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的

40、需求將有望持續增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節點來保證其穩定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業，特別是高純度的靶材市場，呈現寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業把持，如日本的三井礦業、日礦金屬、日本東曹、住友化學、日本愛發科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應商，靶材銷售額約占全球市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國內靶材廠商主要聚焦在低端產品領域，在半導體、平板顯

41、示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭全面競爭。但是，依靠國內的巨大市場潛力和利好的產業政策，以及產品價格優勢，它們已經在國內市場占有一定的市場份額，并逐步在個別細分領域搶占了部分國際大廠的市場空間。近年來，我國政府制定了一系列產業政策，如863計劃、02專項基金等來加速濺射靶材供應的本土化進程，推動國產靶材在多個應用領域實現從無到有的跨越。這些都從國家戰略高度扶植并推動著濺射靶材產業的發展壯大。二、靶材市場分析預測濺射靶材是利用物理氣相沉積技術制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應用于半導體芯片、太陽能電池、平板顯示、信息存儲等領域，其中半導芯片用濺射靶材技術要求最高，具有規模化生產能力的企業

42、數量也相對較少，主要分布在美國、日本等國家和地區。中國濺射靶材行業起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業，受益于國家戰略的支持，已經開始出現少量專業從事高純濺射靶材研發和生產的企業(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發出一批高端應用領域的濺射靶材，為高純濺射靶材大規模產業化提供了良好的研發基礎和市場化條件。靶材全球市場預計16-19復合增速13%。2016年全球濺射靶材市場容量達113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長20%。預測2016-2019年均復合增長率達13%，到2019年全球高純濺射靶材市場規模將超過163億美元。2016年全球靶材市場的下游結構中，半導體占比10%、平

43、板顯示占34%、太陽能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場集中度高，日、美占據80%高端靶材市場。濺射靶材由于其高技術、高投資、高客戶壁壘，具有規模化生產能力企業較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業2017年占據全球約80%靶材市場。美、日等跨國企業產業鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用各個環節，主導高端的半導體靶材市場；韓國、新加坡及中國臺灣地區擅長磁記錄及光學薄膜領域，原料多從國外進口；中國靶材產業正處于起步階段，逐步切入以原料以進口為主的全球主流半導體、顯示、光伏等龍頭企業客戶。預計2018-2020年國內顯示靶材需求

44、增速維持20-25%增速。中國大陸從上世紀80年代開始進入液晶顯示領域，在政府政策導向和產業扶植下，我國大陸液晶顯示產業快速發展，成為平板顯示行業發展速度最快的地區。2016年中國平板顯示器件產業整體規模達到1500億元，同比增長25.99%；2012-2016年國內平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國內LCD國產替代進程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預計2018-2020年國內平板顯示產業增速將至少維持在20-25%；對應到國內顯示靶材的需求也將相應增加。靶材應用的戰略高地17-20年全球半導體增速有望超預期，17年國內半導體增速24.81%。半導體靶材性能要求位居各類應

45、用之首。半導體行業所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測試材料。芯片制造對濺射靶材純度要求很高，通常需達99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導體產業超預期增速21.62%，從下游需求結構看，17年增長主要源于半導體的主要應用是集成電路中的存儲器，增速達到61.49%，增量來源于人工智能、大數據、汽車電子等領域對高性能芯片需求快速提升。從15年開始國內半導體產業維持20%左右增速，漸成常態。半導體產業從臺灣向國內轉移的趨勢比較確定，國內政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導體產業。國家集成電路產業基金第一期規模1,387億元。，至少帶動省市地方基金共4,65

46、1億元，拉動國內企業內生增長和海外并購。未來第二期基金計劃啟動，也將持續拉動國內半導體產業增長。2011-2016全球半導體用靶材年復合增長率3.17%，預計2018-2020國內半導體靶材需求增速在20%左右。國際半導體產業協會(SEMI)全球半導體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復合增長率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復合增長率為2.07%，封裝測試用濺射靶材年均復合增長率為4.65%。2016年我國集成電路用濺射靶材市場規模約14億元，年增速達20%。供給端，隨著國產濺射靶材技術成熟，尤其是國產濺射靶材具備一定性價比優勢，并且符合濺

47、射靶材國產化的政策導向；需求端，半導體產業向國內轉移的趨勢已基本確立，國內半導體產業崛起將推動國內半導體靶材需求的提升。預計2018-2020年我國濺射靶材的市場規模有望持續擴大，復合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽能用靶材增速保持20%以上。太陽能光伏產業的快速發展給太陽能電池用濺射靶材市場帶來了可觀的成長空間，2016年全球太陽能電池用濺射靶材市場規模23.4億美元，在全球靶材市場中占比約21%。2011-2016年全球太陽能靶材規模增速一直保持在20%以上。國內靶材需求和供給反差懸殊，國產替代進程加速。2015國內靶材需求全球占比近25%，年速約20%

48、；但國內靶材企業市場份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國內濺射靶材技術的成熟和高純鋁生產技術的提高，我國靶材生產成本優勢明顯，靶材原料之一高純鋁的國內進出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國家進口靶材免稅期結束，國內靶材企業優勢更加突出。預計2018-2020年國內靶材需求將維持20%以上高速增長，市場份額有望進一步擴大。 第五章 項目規劃分析一、產品規劃項目主要產品為靶材，根據市場情況，預計年產值20662.00萬元。相關行業是一個產業關聯度高、涉及范圍廣、對相關產業帶動力較大的產業，根據國內統計數據顯示，相關行業的發展影響到原材料、能源、商業、金融、交通運輸和人力資源配置等行業，對國民

49、經濟發展起到很大的推動作用。二、建設規模（一）用地規模該項目總征地面積42828.07平方米（折合約64.21畝），其中：凈用地面積42828.07平方米（紅線范圍折合約64.21畝）。項目規劃總建筑面積44112.91平方米，其中：規劃建設主體工程31495.68平方米，計容建筑面積44112.91平方米；預計建筑工程投資3740.76萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計153臺（套），設備購置費4637.10萬元。（三）產能規模項目計劃總投資15766.32萬元；預計年實現營業收入20662.00萬元。 第六章 項目選址方案一、項目選址該項目選址位于某臨港經濟開發區。園區區位于中心城區

50、東部，依江而建，成立于1995年，2000年被批準為省級經濟園區，是區域內重點發展的15大園區之一，區內配套功能完善，綜合環境優越，世界500強企業及國內投資項目相繼落戶。2009年月，當地政府決定，將原城區科技工業園區劃歸經濟園區，建設高新技術產業園，地理位置優越，交通便捷，規劃面積15平方公里，園區已實現“七通一平”。園區區按功能定位分為“四園一中心”，即：化工產業園、化工裝備制造園、高新技術園、港口物流園、行政商務中心，力爭通過3年的努力，產業規模突破2000億元，形成特色鮮明、產業配套、功能齊全的綜合性園區。項目周邊市場存在著巨大的項目產品需求空間，與此同時，項目建設地也成為資本市場追

51、逐的熱點，而且項目已經列入當地經濟總體發展規劃和項目建設地發展規劃，符合地區規劃要求。二、用地控制指標投資項目占地產出收益率完全符合國土資源部發布的工業項目建設用地控制指標（國土資發【2008】24號）中規定的行業產品制造行業占地產出收益率5000.00萬元/公頃的規定；同時，滿足項目建設地確定的“占地產出收益率6000.00萬元/公頃”的具體要求。三、地總體要求本期工程項目建設規劃建筑系數51.12%，建筑容積率1.03，建設區域綠化覆蓋率6.44%，固定資產投資強度199.63萬元/畝。土建工程投資一覽表序號項目單位指標備注1占地面積平方米42828.0764.21畝2基底面積平方米218

52、93.713建筑面積平方米44112.913740.76萬元4容積率1.035建筑系數51.12%6主體工程平方米31495.687綠化面積平方米2842.088綠化率6.44%9投資強度萬元/畝199.63四、節約用地措施五、總圖布置方案1、根據項目承辦單位發展趨勢，綜合考慮工藝、土建、公用等各種技術因素，做到總圖合理布置，達到“規劃投資省、建設工期短、生產成本低、土地綜合利用率高”的效果。按照建（構）筑物的生產性質和使用功能，項目總體設計根據物流關系將場區劃分為生產區、辦公生活區、公用設施區等三個功能區，要求功能分區明確，人流、物流便捷流暢，生產工藝流程順暢簡捷；這樣布置既能充分利用現有場

53、地，有利于生產設施的聯系，又有利于外部水、電、氣等能源的接入，管線敷設短捷，相互聯系方便。達到工藝流程（經營程序）順暢、原材料與各種物料的輸送線路最短、貨物人流分道、生產調度方便的標準要求。2、投資項目綠化的重點是場區周邊、辦公區及主要道路兩側的空地，美化的重點是辦公區，場區周邊以高大喬木為主，辦公區以綠色草坪、花壇為主，道路兩側以觀賞樹木、綠籬、草坪為主，適當結合花壇和垂直綠化，起到環境保護與美觀的作用，創造一個“環境優美、統一協調”的建筑空間。undefined消防水源采用低壓制，同一時間內按火災一次考慮，室內外均設環狀消防管網，室外消火栓間距不大于100.00米，消火栓距道路邊不大于2.

54、00米。3、投資項目廠房排水方案采用室內懸吊管接入主管排至室外，室外排水采用暗溝、雨水井、檢修井、下水管組成的排水系統。投資項目水源來自場界外的項目建設地市政供水管網，項目建設區現有給、排水系統設施完備可以滿足投資項目使用要求。低壓配電系統采用TN接地型式；車間配電室采用TN-S型三相五線制，變壓器中性點直接接地，所有電氣設備外殼及外露可導電的金屬部分必須與PE線可靠連接為一體；保護接地、過電壓保護接地和防雷接地共用，構成共用接地系統，所有接地電阻R1.00歐姆。4、廠房內部散發較大熱量的生產設備區域，采用局部封閉進行機械送、排風；當排出廢氣不能達到排放標準時必須設置空氣凈化設備。冬季室內采暖

55、要求計算溫度：各主體工程14.50-16.50，需采暖的庫房5.50-8.50，公用站房14.50，辦公室、生活間18.50，衛生間15.50；采暖熱媒為95.50-75.00采暖熱水，由市政外網集中供應，供水壓力為0.40Mpa。六、選址綜合評價項目建設地擁有多支具備相應資質的勘測隊伍、設計隊伍和專業化建設工程隊伍，擁有一大批高素質的產業工人，確保投資項目的實施能力，同時，項目建設地商貿流通行業發達，與國內260多個大中城市開設了貨運直達業務。 第七章 建設方案設計一、建筑工程設計原則建筑物平面設計以滿足生產工藝要求為前提，力求生產流程布置合理，盡量做到人貨分流，功能分區明確，符合建筑設計防

56、火規范（GB50016）要求。項目承辦單位本著“適用、安全、經濟、美觀”的原則并遵照國家建筑設計規范進行項目建筑工程設計；在滿足投資項目生產工藝設備要求的前提下，力求布局合理、造型美觀、色彩協調、施工方便，努力建設既有時代感又有地方特色的工業建筑群的新形象。建筑立面處理在滿足工藝生產和功能的前提下，符合現代主體工程的特點，立面處理力求簡潔大方，色彩組合以淡雅為基調，適當運用局部色彩點綴，在滿足項目建設地規劃要求的前提下，著重體現項目承辦單位企業精神，創造一個優雅舒適的生產經營環境。本次設計融入了全新的設計理念，以建設和諧企業為前提條件，以建筑“功能、美觀、經濟”三要素前提為出發點，全盤考慮場區可持續發展、建筑節能等各方面要素，極力打造一個功能先進、生產高效的現代化企業。針對項目承辦單位提出的“高標準、高質量、快進度