4月1+X集成電路理論模擬題（附答案解析）一、單選題（共20題，每題1分，共20分）1.Cadence中庫管理由高到低分別是（）。A、庫-單元-視圖B、庫-視圖-單元C、單元-庫-視圖D、單元-視圖-庫正確答案：A答案解析：在Cadence中，庫管理的層次結構是庫-單元-視圖，所以正確答案是A。2.晶圓烘烤時，溫度一般設置在()℃。A、110B、120C、130D、140正確答案：B答案解析：晶圓烘烤時，溫度一般設置在120℃。3.在外檢時，發(fā)現晶圓周邊有指紋等印記時，用()進行剔除。A、鋼筆B、鉛筆C、打點器D、油墨筆正確答案：C答案解析：在外檢時，發(fā)現晶圓周邊有指紋等印記時，用油墨筆進行剔除。4.下列選項中，（）工序后的合格品進入塑封工序。A、引線鍵合B、芯片粘接C、第二道光檢D、第三道光檢正確答案：D答案解析：第三道光檢通過的合格品，進入封裝的后段工序，后段工藝包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型、第四道光檢等工序。5.以下不屬于模擬集成電路的是（）。A、運算放大器B、功率放大器C、鎖相環(huán)D、穩(wěn)壓器正確答案：C答案解析：模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等元件集成在半導體單晶片上而制成的具有特定功能的電路。功率放大器、運算放大器、穩(wěn)壓器都屬于模擬集成電路。而鎖相環(huán)是數字集成電路，它主要由鑒相器、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器等數字電路組成，用于實現對信號相位的鎖定和跟蹤等功能。6.以下語句表示最后啟動定時器，等待中斷的是（）。A、TIM6->CTC0_b.Freerun=1;B、TIM6->CTC0_b.COUNT0INT_EN=1;C、TIM6->CTC0_b.COUNTEN=1;D、TIM6->CTC0_b.COUNTFW==0正確答案：C7.芯片檢測工藝通常在（）無塵車間內進行。A、三十萬級B、十萬級C、千級D、百級正確答案：C答案解析：芯片檢測工藝是對完成封裝的芯片進行電性測試，其芯片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級無塵車間內進行，其溫度為22±3℃，濕度為55±10％。8.單晶硅錠切片后需要進行倒角，其目的是()。A、產生精確的材料直徑B、確定定位面C、去除硅片邊緣鋒利的棱角D、去除硅錠兩端的不符合直徑要求的部分正確答案：C答案解析：定位面研磨時為了確定硅錠的定位面。徑向研磨獲得更精確的直徑。切割分段是為了去除硅錠兩端的不符合直徑要求的部分。倒角是為了去除硅片邊緣鋒利的棱角使硅片邊緣獲得平滑的半徑周線。9.晶圓切割的作用是（）。A、切除電氣性能不良的晶粒B、對晶圓邊緣進行修正C、將完整的晶圓分割成單獨的晶粒D、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離正確答案：C答案解析：晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨立的晶粒，用于后續(xù)集成電路的制造。10.下列描述錯誤的是（）。A、轉塔式分選機旋轉臺每轉動一格，都會將產品送到各個工位B、一般轉塔式分選機都需要配合編帶機使用C、轉塔式分選機包括上料位、光檢位、旋轉糾姿位、功能測試位等D、轉塔式分選機分選工序依靠主轉盤執(zhí)行正確答案：B11.轉塔式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是：()。A、測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選B、芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試C、測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試D、測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選正確答案：D答案解析：轉塔式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是：測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選。12.利用全自動探針臺進行扎針測試時，關于上片的步驟，下列所述正確的是（）。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子正確答案：C13.切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進行初步的清理。A、晶圓碎片B、切割時產生的火花C、不良晶粒D、去離子水正確答案：D14.在目檢過程中，篩選后出現嚴重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經分析屬于批次性質量問題的，應()。A、淘汰超過規(guī)范值的部分，同時附上分析報告B、留下該批次中的合格品C、整批淘汰，同時附上分析報告D、不做處理正確答案：C答案解析：在目檢過程中，篩選后出現嚴重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經分析屬于批次性質量問題的，應整批淘汰，同時附上分析報告。15.真空包裝時，需要在包裝盒外套上()。A、包裝袋B、不透明塑料袋C、海綿D、防靜電鋁箔袋正確答案：D答案解析：在將晶圓放入包裝盒后，一般會在包裝盒外套上防靜電鋁箔袋。16.8英寸晶圓的直徑為()mm。A、125B、150C、200D、300正確答案：C答案解析：5英寸晶圓直徑是125mm，6英寸晶圓直徑是150mm，8英寸晶圓直徑是200mm，12英寸晶圓直徑是300mm。17.單晶硅生長完成后，需要進行質量檢驗，其中不是物理性能檢驗的參數的是（）。A、電阻率B、外觀C、直徑D、晶向正確答案：A18.完善的精餾技術可將雜質總量降低到()量級。A、10-2~10-5B、10-7~10-10C、10-5~10-7D、10-17~10-20正確答案：B答案解析：提純四氯化硅通常使用精餾法。完善的精餾技術可將雜質總量降低到10-7~10-10量級。19.下面選項中不屬于鍍錫工序中酸洗的目的是（）。A、增強鍍層與框架結合度B、增加表面活性C、消毒D、中和堿性膜正確答案：C答案解析：酸洗的目的一般是為了中和堿性膜，并將引線金屬表面的氧化膜清除，增加基層表面活性，使鍍錫時鍍層能與引線金屬牢固結合。20.以全自動探針臺為例，上片過程中，當承重臺下降到指定位置時，()。A、紅色指示燈亮B、綠色指示燈亮C、綠色指示燈滅D、紅色指示燈滅正確答案：D答案解析：以全自動探針臺為例，承重臺前的兩個按鈕指示燈：綠色表示上升，紅色表示下降。承重臺下降到指定位置后，下降指示燈滅，即紅色指示燈滅。二、多選題（共10題，每題1分，共10分）1.封裝工藝前期的晶圓研磨的主要目的是（）和（）。A、提高晶圓散熱性B、使晶圓表面保持光滑規(guī)整C、減小晶圓體積，節(jié)省空間D、降低后續(xù)工藝中的設備損害和原料成本正確答案：AD答案解析：晶圓磨片后不僅可以提高晶圓散熱性，而且可以降低對切割機造成的損害以及降低引線鍵合和塑料封裝過程中原材料成本。2.離子注入過程中，常用的退火方法有（）。A、電阻絲退火B(yǎng)、高溫退火C、快速熱退火D、氧化退火正確答案：BC答案解析：離子注入過程中，常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。3.以下對重力式分選機設備進行并行測試的描述正確的是()。A、單項測試且連接一個測試卡B、多項測試且連接多個測試卡C、可選擇多SITES進行測試D、只能是2SITES進行測試正確答案：AC答案解析：并行測試一般是進行單項測試，可根據測試卡的數量進行1site/2sites/4sites測試。4.在進行料盤外觀檢查時，不需要檢查的內容有：（）。A、印章B、壓痕C、脫膠D、管腳正確答案：BC5.最常用的二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液包括（）。A、氟化銨B、去離子水C、氫氟酸D、磷酸正確答案：ABC答案解析：二氧化硅的腐蝕液是以氫氟酸為基礎的水溶液。為了控制反應速率不能過快，在腐蝕液中會加入氟化銨作為緩沖劑。6.LK32T102單片機的時鐘系統有（）。A、1~24MHz晶體振蕩器B、內置32KHz低頻RCLC、內置16MHz高精度RCHD、PLL最高支持72MHz正確答案：ABC7.在全自動探針臺上進行扎針調試時，需要根據晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸正確答案：ABCDEF答案解析：在全自動探針臺上進行扎針調試時，根據晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓產品名稱、印章批號、片號等信息，同時設定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進參數。8.用重力式設備進行芯片檢測時，可用于并行測試的芯片有()。（多選題）A、DIPB、DIP24C、SOPD、DIP27正確答案：AC答案解析：并行測試一般是進行單項測試，適用于普通DIP/SOP封裝的芯片；串行測試一般是要進行多項測試，適用于DIP24/DIP27等模塊電路。9.編帶外觀檢查的內容有：()。A、載帶破損B、蓋帶皺紋C、壓痕D、脫膠正確答案：ABCD答案解析：編帶外觀檢查的內容有：壓痕、變形、脫膠，載帶破損、蓋帶皺紋。10.下列情況中，需要更換點膠頭的有（）。A、點膠頭工作超過2小時B、更換銀漿類型C、點膠頭堵塞D、點膠頭損壞正確答案：BCD答案解析：當更換銀漿類型時，不同銀漿可能對出膠效果有影響，需要更換點膠頭；點膠頭堵塞會影響正常點膠，需更換；點膠頭損壞無法正常工作，也需要更換。而點膠頭工作超過2小時不一定就需要更換，所以答案是BCD。三、判斷題（共20題，每題1分，共20分）1.利用四探針法檢測單晶硅錠的導電類型時，可以利用檢流計的偏轉方向的不同確定被測硅錠是N型半導體還是P型半導體。A、正確B、錯誤正確答案：B2.使用化學腐蝕法檢查針孔時，硅表面的腐蝕坑數目就是二氧化硅的針孔數目。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：化學腐蝕法是利用二氧化硅腐蝕速度不同的的腐蝕液進行旋轉腐蝕，使針孔處的硅受到腐蝕而出現腐蝕坑。3.濕度卡的變化是不可逆的。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：濕度卡是可逆變化的，當環(huán)境的濕度達到濕度指示卡上指示點標注數值的時候，指示點會從干燥色變成吸濕色；濕度降低時，指示卡的點的顏色會從吸濕色重新變回干燥色。4.光刻過程中，如果涂膠不好，特別是HMDS涂得不好，膠與硅片粘附性差，會造成局部區(qū)域的膠脫落，導致圖形不完整。A、正確B、錯誤正確答案：A5.為了驗證所布線的電路板是符合設計規(guī)則的，現在設計者要運行設計規(guī)則檢查DesignRuleCheck(DRC)。A、正確B、錯誤正確答案：A6.領取完待真空包裝的芯片后就可以直接進行包裝了。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：要放置于工作區(qū)指定位置，并核對隨件單信息7.蓋帶是指在一種應用于電子包裝領域的帶狀產品，與載帶配合使用。蓋帶通常以聚酯或聚丙烯薄膜為基層，并復合或涂布有不同的功能層（抗靜電層、膠層等），可在外力或加熱的情況下封合在載帶的表面，形成閉合的空間,保護載帶口袋中電子元器件。（）A、正確B、錯誤正確答案：A8.帶隙基準源中，PNP晶體管的比例一般是1：4或是1:8。A、正確B、錯誤正確答案：A9.如果發(fā)現編帶抽真空質量不合格，可以將原標簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：如果發(fā)現編帶抽真空質量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前，需要重新貼標簽，新的標簽需要重新打印。10.經轉塔式分選機測試的芯片都需要進行編帶。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：TO封裝的芯片不需要進行編帶。11.Linux系統中terminal中所輸入的命令都是小寫。A、正確B、錯誤正確答案：A12.探針測試卡的電路板部分與測試機連接，上部是以金屬合金制成的探針，探針通過與晶圓上的焊點接觸，從而直接收集晶圓的輸入信號或測試輸出值。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：探針測試卡的電路板部分與測試機連接，下部是以金屬合金制成的探針，探針通過與晶圓上的焊點接觸，從而直接收集晶圓的輸入信號或測試輸出值。13.KOH水溶液可作為正膠顯影液。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：正膠顯影液常用堿性溶劑，如KOH水溶液。14.硅片倒角按其邊緣輪廓可分為R型倒角和T型倒角，通常以R型倒角最為常見。A、正確B、錯誤正確答案：A15.芯片檢測工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標簽。A、正確B、錯誤正確答案：B16.和待測芯片并行測試一樣，串行測試也是由測試夾具（金手指）夾持固定后再進行測試，不同點在于串行測試區(qū)有A/B/C三個測試軌道，每個測試軌道各連接一塊測試卡，測試卡之間互不干擾，模塊電路依次進行不同電特性參數的測試。（）A、正確B、錯誤正確答案：A17.