壓電功能材料第一頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料及應用一、概述在1880年，居里兄弟首先在單晶上發現壓電效應。在1940年前，人們知道有兩類鐵電體：羅息鹽和磷酸二氫鉀鹽，具有壓電性。在1940年后，發現了BaTiO3是一種鐵電體，具有強的壓電效應。是壓電材料發展的一個飛躍。在1950年后，發現了壓電PZT體系，具有非常強和穩定的壓電效應，具有重大實際意義的進展。在1970年后，添加不同添加劑的二元系PZT陶瓷具有優良的性能，已經用來制造濾波器、換能器、變壓器等。隨著電子工業的發展，對壓電材料與器件的要求就越來越高了，二元系PZT已經滿足不了使用要求，于是研究和開發性能更加優越的三元、四元甚至五元壓電材料。

第二頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料及應用二、壓電效應壓電效應產生的根源是晶體中離子電荷的位移，當不存在應變時電荷在晶格位置上分布是對稱的，所以其內部電場為零。但當給晶體施加應力則電荷發生位移，如果電荷分布不在保持對稱就會出現凈極化，并將伴隨產生一個電場，這個電場就表現為壓電效應。第三頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二壓電陶瓷piezoelectricceramics

壓電陶瓷是指經直流高壓極化后，具有壓電效應的鐵電陶瓷材料。力→形變→電壓正壓電效應電壓→形變逆壓電效應晶體受到機械力的作用時，表面產生束縛電荷，其電荷密度大小與施加外力大小成線性關系，這種由機械效應轉換成電效應的過程稱為正壓電效應。晶體在受到外電場激勵下產生形變，且二者之間呈線性關系，這種由電效應轉換成機械效應的過程稱為逆壓電效應。第四頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二三、壓電性能1、壓電常數d33壓電常數是反映力學量（應力或應變）與電學量（電位移或電場）間相互耦合的線性響應系數。當沿壓電陶瓷的極化方向（z軸）施加壓應力T3時，在電極面上產生電荷，則有以下關系式：式中d33為壓電常數，足標中第一個數字指電場方向或電極面的垂直方向，第二個數字指應力或應變方向；T3為應力；D3為電位移。第五頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料它是壓電介質把機械能（或電能）轉換為電能（或機械能）的比例常數，反映了應力（T）、應變（S）、電場（E）或電位移（D）之間的聯系，直接反映了材料機電性能的耦合關系和壓電效應的強弱，從而引出了壓電方程。常見的壓電常數有四種：dij、gij、eij、hij。第六頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二2、機電耦合系數Kp機電耦合系數K是一個綜合反映壓電陶瓷的機械能與電能之間耦合關系的物理量，是壓電材料進行機—電能量轉換能力的反映。機電耦合系數的定義是：或壓電陶瓷振子（具有一定形狀、大小和被覆工作電極的壓電陶瓷體）的機械能與其形狀和振動模式有關，不同的振動模式將有相應的機電耦合系數。如對薄圓片徑向伸縮模式的耦合系數為Kp（平面耦合系數）；薄形長片長度伸縮模式的耦合系數為K31（橫向耦合系數）；圓柱體軸向伸縮模式的耦合系數為K33（縱向耦合系數）等。第七頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料及應用它是壓電材料進行機-電能量轉換的能力反映。它與材料的壓電常數、介電常數和彈性常數等參數有關，是一個比較綜合性的參數。其值總是小于1。第八頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二KpK33KtK15K31第九頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二3、機械品質因數Qm壓電陶瓷在振動時，為了克服內摩擦需要消耗能量。機械品質因數Qm是反映能量消耗大小的一個參數。Qm越大，能量消耗越小。機械品質因數Qm的定義式是：其中：fr為壓電振子的諧振頻率fa為壓電振子的反諧振頻率R為諧振頻率時的最小阻抗Zmin（諧振電阻）C0為壓電振子的靜電容C1為壓電振子的諧振電容第十頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二4、頻率常數N對某一壓電振子，其諧振頻率和振子振動方向長度的乘機為一個常數，即頻率常數。N=fr×l其中：fr為壓電振子的諧振頻率；l為壓電振子振動方向的長度。薄圓片徑向振動Np=fr×D薄板厚度伸縮振動Nt=fr×t細長棒K33振動N33=fr×l薄板切變K15振動N15=fr×ltD為圓片的直徑t為薄板的厚度l為棒的長度lt為薄板的厚度第十一頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料四、壓電陶瓷材料主要參數的確定材料參數Kp、Qm、d33、ε33和tgδ的確定需采用薄圓片的徑向振動模式，要求薄圓片的直徑比厚度大得多，其比值大于10。極化方向與厚度方向平行，電極面與厚度方向垂直，片子是均勻的正圓形。如果薄圓片的Δf值較小時，可用下式直接計算：當σ=0.27時，Kp2≌2.51Δf/fs當σ=0.30時，Kp2≌2.53Δf/fs當σ=0.36時，Kp≌2.55Δf/fs第十二頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷Qm=1/4ΠR1CΔf×1012

ε33=4Ctlt/ΠΦ

Ct是薄圓片的低頻電容(法拉),可在1KC頻率下由電容電橋測出,lt為薄圓片的厚度(米),Φ為薄圓片的直徑(米),ε33為自由介電常數(法拉/米)。tgδ用電容電橋或萬用電橋等測出。

d33用準靜態測試儀測定。

第十三頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二五、壓電陶瓷的極化工藝

極化工藝是指在壓電陶瓷上加一個強直流電場，使陶瓷中的電疇沿電場方向取向排列。只有經過極化工藝處理的陶瓷，才能夠顯示壓電效應。1極化電場極化電場是極化工藝中最主要的因素，極化電場越高，促使電疇取向排列的作用越大，極化越充分，一般以Kp達到最大值的電場為極化電場。極化電場必須大于樣品的矯頑場，通常為矯頑場的2～3倍，以常見的鋯鈦酸鉛壓電陶瓷為例，其矯頑場一般為800～1200V/mm，極化電場一般取2000～3000V/mm。第十四頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二3極化溫度在極化電場和時間一定的條件下，極化溫度高，電疇取向排列容易，極化效果好。溫度過高，陶瓷的電阻率越小，耐壓強度降低，由于高電場作用導致陶瓷體擊穿，損壞壓電陶瓷。常用壓電陶瓷材料的極化溫度一般為50℃～150℃。2極化時間外加電場后，極化初期主要是陶瓷內部180°電疇的反轉，之后是90°電疇的轉向，而90°電疇的轉向會由于內應力的阻礙而較難進行，因此適當延長極化時間，電疇取向排列的程度高，極化效果好。一般極化時間為10min～50min。

極化電場、極化時間和極化溫度三者必須綜合考慮，它們之間互有影響，應通過實驗最終確定最佳極化工藝參數。第十五頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二六、壓電材料與應用第十六頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二六、壓電陶瓷材料不同的應用范圍對壓電陶瓷材料有不同的性能要求。1、鈣鈦礦型壓電陶瓷材料化學通式是ABO3，A為半徑較大的正離子，可以是+1、+2、+3價；B為半徑較小的正離子，可以是+3、+4、+5、+6。其中A、B、O三種離子的離子半徑滿足下列關系時，才能組成ABO3結構：

RA+RO=t√2（RB+RO）

t是容忍因子，一般在0.86~1.03之間均可組成鈣鈦礦結構。第十七頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二工藝性差（粉化，PbO易揮發）工藝性好g33=33(10-3伏·米/牛)g33=11.4(10-3伏·米/牛)d33=56(10-12庫/牛)d33=191(10-12庫/牛)Kp=0.095Kp=0.354難極化易極化熱穩定性好熱穩定性差Tc=490℃

Tc=120℃工作溫區寬工作溫區窄PbTiO3陶瓷BaTiO3陶瓷一元系壓電陶瓷第十八頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二六、壓電陶瓷材料典型的配方:(1)0.99[PbTiO3+0.04La2/3TiO3]+0.01MnO2預燒溫度為850℃，保溫2小時。燒成溫度為1240℃，保溫1小時。ε=240，Kp=0.096,Qm=1050,Nt=2120(2）高頻（30M-100MC）濾波器用瓷料PbTiO3+1wt%MnO2+1wt%Pb3O4ε=150，Kp=0.40,Qm=800~1000,溫度和時間穩定性較好。3PbTiO3+3.0wt%CeO2++0.3MnO2+2.53wt%Nb2O5

ε=230，Qm=1000第十九頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二二元系Pb(ZrTi)O3壓電陶瓷因此，PbZrO3和PbTiO3的結構相同，Zr4+與Ti4+的半徑相近，故兩者可形成無限固溶體，可表示為Pb(ZrxTi1-x)O3，簡稱PZT瓷。第二十頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二PbZrO3-PbTiO3相圖1、隨Zr：Ti變化，居里點幾乎線形地從235℃變到490℃，Tc線以上為立方順電相，無壓電效應。2、Zr：Ti=53：47附近有一準同型相界線，富鈦側為四方鐵電相FT；富鋯一側為高溫三方鐵電相FR，溫度升高，這一相界線向富鋯側傾斜，并與Tc線交于360℃（表明相界附近居里溫度Tc高），在相界附近，晶胞參數發生突變。立方順電相四方鐵電相高溫三方鐵電相A0反鐵電正交相3、在四方鐵電相FT與三方鐵電相FR的相界附近具有很強的壓電效應，Kp,ε出現極大值，Qm出現極小值。低溫三方鐵電相準同型相界：四方鐵電相與三方鐵電相的交界，并不是一個明確的成分分界線，而是具有一定的成分范圍，在此區域內，陶瓷體內三方相和四方相共存。第二十一頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二PbZrO3-PbTiO3準同型相界的KP、ε、d、Pr第二十二頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二在相界附近的PZT瓷壓電性能比BaTiO3瓷高得多。由于相界處PZT瓷的Tc高(360℃)，因而在200℃以內,KP和ε都很穩定，是理想的壓電材料。PZT瓷的摻雜改性為了滿足不同的使用目的，我們需要具有各種性能的PZT壓電陶瓷，為此我們可以添加不同的離子來取代A位的Pb2+離子或B位的Zr4+,Ti4+離子，從而改進材料的性能。第二十三頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二等價取代是指用Ca2+、Sr2+、Mg2+

等半徑較Pb2+

離子小的二價離子取代Pb2+

離子，結果使PZT陶瓷的介電常數ε增大↑，機電耦合系數KP增大↑,壓電常數d增大↑,從而提高PZT瓷的壓電性能。1、等價取代2、異價取代所謂“軟性取代改性”是指加入這些添加物后能使矯頑場強EC減小↓

，極化容易，因而在電場或應力作用下，材料性質變“軟”。（a）La3+

、Bi3+、Sb3+

等取代A位Pb+2離子（施主摻雜）；（b）Nb5+、Ta5+、Sb5+、W6+等取代B位的Zr4+、Ti4+離子（施主摻雜）。經軟性取代改性后的PZT瓷性能有如下變化：矯頑場強EC減小↓，機械品質因數Qm減小↓；介電常數ε增加↑，介電損耗tanδ增加↑,機電耦合系數KP增加↑,抗老化性增加，絕緣電阻率ρ增加↑

。2.1軟性取代改性第二十四頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二

其原因是它們的加入導致形成Pb2+缺位。如每兩個La3+置換3個Pb2+，為了維持電價平衡，使得在鈣鈦礦結構中A位置上的陽離子數減少，便產生一個A空位。由于Pb2+缺位的出現，使得電疇運動變得容易進行，甚至很小的電場強度或機械應力便可以使疇壁發生移動。結果出現出介電常數、彈性柔順系數的增加，同時介電損耗和機械損耗增加，Qm降低。又由于疇的轉向容易，使得沿電場方向取向的疇的數目增加，從而增加極化強度，使得壓電效應大大增加，表現為Kp值的上升。由于疇的轉向阻力變小，所以用以克服阻力使極化反向的矯頑場很小，回線近于矩形。又由于Pb2+缺位的存在，緩沖了90疇轉向造成的內應力，使得剩余應變變小。或者說，由于疇壁容易運動，使得疇的內應力容易得到釋放，所以老化性能好。第二十五頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料

“軟性”添加劑是常用的改性添加劑。如：接受型水聲換能器材料，為了提高Kp值和介電常數，常常用La2O3、Nb2O5摻雜改性。Pb0.95Sr0.05（Zr0.52Ti0.48)O3+0.9%La2O3+0.9%Nb2O5Kp=0.60，ε=2100，Qm=80，穩定性較好，體積電阻率1012歐姆“軟性”添加劑的量一般不超過5%。第二十六頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二所謂“硬性取代改性”是指加入這些添加物后能使矯頑場強EC增加↑，極化變難，因而在電場或應力作用下，材料性質變“硬”。（a）K+，Na+等取代A位Pb+2離子（受主摻雜）；（b）Fe2+、Co2+、Mn2+(或Fe3+、Co3+、Mn3+)、Ni2+、Mg2+、Al3+、Cr3+等取代B位的Zr4+、Ti4+離子（受主摻雜）。經硬性取代改性后的PZT瓷性能有如下變化：矯頑場強EC增加↑，機械品質因數Qm增加↑；介電常數ε減小↓，介電損耗tanδ減小↓,機電耦合系數KP減小↓,抗老化性降低，絕緣電阻率ρ減小↓

。2.2硬性取代改性第二十七頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二第六章壓電陶瓷材料通常取代量不超過鉛離子的20%，以5~10%為適宜。例如：Pb0.95Sr0.05Mg0.03(Zr0.52Ti0.48)O3+0.5%CeO2+0.2%MnO2

Kp=0.575，Qm=1000第二十八頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二2.3其它取代改性非軟非硬添加劑如Ce4+、Cr3+和Si4+等，兼具軟性和硬性的特征。在PZT陶瓷中加入CeO2后：在PZT陶瓷中加入Cr2O3后：第二十九頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二多元系Pb(TiZr)O3壓電陶瓷一些性能往往是互相克制的，如：國內比較常見的PZT瓷料的性能KP=0.10～0.40，Qm=500～3600,具有比較寬的覆蓋范圍，能滿足一般壓電器件的要求，但這些性能都不是最佳值。

1965年以來，人們通過在PZT的基礎上再固溶另一種組分更復雜的復合鈣鈦礦化合物Pb(B1B2)O3而形成的三元系、四元系甚至五元系壓電陶瓷以獲得更好的壓電性能。Qm增加↑

，則KP減小

↓

；ε增加↑，則tanδ增大↑；KP增加

↑，則熱穩定性↓。第三十頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3三元系壓電陶瓷四元系壓電陶瓷五元系壓電陶瓷Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Sb1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Cd1/2W1/2)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Cd1/2W1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Cd1/2W1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3第三十一頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二三元系鈣鈦礦型壓電陶瓷通過改變Zr/Ti比和摻入少量添加劑，雖可以改善一些性能，但由于壓電材料的應用越來越廣泛，對材料的要求越來越高，僅限二元體系是不能滿足使用要求，因此出現了三元體系。所謂的三元系鈣鈦礦型壓電陶瓷材料，是指由復合鈣鈦礦型化合物和鋯鈦酸鉛形成的固溶體。第三十二頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二A：復合鈣鈦礦型結構的形成條件化學通式是ABO3，A為半徑較大的正離子，可以是+1、+2、+3價；B為半徑較小的正離子，可以是+3、+4、+5、+6。其中A、B、O三種離子的離子半徑滿足下列關系時，才能組成ABO3結構：

RA+RO=t√2（RB+RO）

t是容忍因子，一般在0.86~1.03之間均可組成鈣鈦礦結構。第三十三頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二B：常見的體系Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3Pb（Mg1/3Ta2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3Pb（Ni1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3Pb（Mn1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3Pb（Mn1/3Sb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3第三十四頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二C：三元系中組成和性能之間的關系以Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3為例

見相圖，其三元體系的相界是以線表示的，在相線附近的組成具有ε、Kp的極大值，同時也具有Qm極小值。再結合添加劑的改性，可以使材料的性能得到進一步的改善。第三十五頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二由于第三、第四組元的出現，使可供選擇的組成范圍更為寬廣，在PZT陶瓷中難以獲得的高參數或難以兼顧的幾種性能均可以較大程度地滿足。以Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3系為例，三者能完全固溶，且具有三種晶型。富Ti區主要為三方鐵電體,富Nb、Mg區為假立方鐵電體。隨著Pb(Mg1/3Nb2/3)O3固溶量的增加，在室溫下將出現兩條準同形相界，當成分在準同形相界附近時都具有特別突出的壓電性能。因此使具有優異壓電性能的組成范圍更為寬廣。第三十六頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二七、常見體系鈮鎂酸鉛系：

0.375Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.375PbTiO3-0.25PbZrO3

加入0.5%NiO,Kp從0.5到0.64；加入0.5%MnO2,Qm從73到1640,還可以改善頻率常數的溫度、老化性；同時加入NiO、MnO2

，Kp和Qm可以得到改善；若一部分鉛被Sr或Ba取代，可以減少鉛的揮發使燒結變得容易，并提高絕緣電阻和介電常數，進一步提高Kp值。第三十七頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二七、常見體系鈮鋅酸鉛系：Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3此系統的特點是致密度高、絕緣性能優良，壓電性能好。如0.25Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-0.30PbTiO3-0.45PbZrO3+1.2%MnCO3Kp=0.35,Qm=3500~4000,ε=900~1000,頻率溫度穩定性良好。在同時引入NiO，可以進一步提高Kp值及溫度穩定性，適合制作濾波器及換能器。第三十八頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二七、常見體系銻錳酸鉛系：

Pb（Mn1/3Sb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3此特點是Kp值和Qm可以同時達到較高的值，介電損耗小，致密度好。如果用堿土金屬離子置換一部分鉛，并添加一些改性雜質，可以進一步提高壓電性能，并獲得穩定性良好的材料。例如Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr0.48Ti0.47)O3+0.2重量%CeO2，Kp=0.64,Qm=2826,此系統配方可用于寬帶濾波器及高壓發生器。第三十九頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二七、常見體系鈮錳酸鉛系：

Pb（Mn1/3Nb2/3）O3-PbTiO3-PbZrO3此系統的特點是Qm較高，Kp值中等，介電常數較低，時間溫度穩定性好。可作延遲線的壓電換能器振子。銻鋰酸鉛系：

Pb（Li1/2Sb1/2）O3-PbTiO3-PbZrO3此系統的特點是Kp值可達80%，但Qm較低。在未加其它改性添加劑時是典型的軟性材料。作為接收型材料，靈敏度較高。可用作接收型換能器材料。第四十頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二七、常見體系鎢鎘酸鉛系：0.15Pb（Cd1/2W1/2）O3-0.45PbTiO3-0.40PbZrO3+2.0%Sb2O5此配方Kp值可達70%，Qm=918，ε=1381。頻率穩定性和時間穩定性都很好。當加入適量改性添加劑時，Kp和Qm值能進一步提高。鎢錳酸鉛系：Pb（Mn2/3W1/3）O3-PbTiO3-PbZrO3此體系的特點Kp值可達70%，Qm=2000，耐擊穿電壓高，諧振頻率溫度穩定性好。可用于濾波器振子及超聲振子。第四十一頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二八、無鉛壓電材料迄今為止，可被考慮的無鉛壓電陶瓷體系有：BaTiO3基無鉛壓電陶瓷；Bi1/2Na1/2TiO3（BNT）基無鉛壓電陶瓷；鈮酸鹽系無鉛壓電陶瓷；鉍層狀結構壓電陶瓷。具體為：（1）BaTiO3基無鉛壓電陶瓷a（1-x）BaTiO3-xABO3（A=Ba、Ca等，B=Zr、Sn、Hf、Ce等）b（1-x）BaTiO3-xAIBIIO3（AI=K、Na，BII=Nb、Ta）c（1-x）BaTiO3-xAII0.5NbO3（AII=Ca、Sr、Ba）第四十二頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二八、無鉛壓電材料（2）Bi1/2Na1/2TiO3基無鉛壓電陶瓷a(1-x)BNT-xBi0.5K0.5TiO3b(1-x)BNT-xATiO3(A=Ba、Sr、Ca或由它們組成的復合離子）c(1-x)BNT-xAINbO3（AI=K、Li、Na）d(1-x)BNT-xAIBIIO3（AI=Bi、La；BII=Cr、Fe、Sc、Mn）e(1-x)BNT-xBaTiO3-yBiFeO3第四十三頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二八、無鉛壓電陶瓷材料（3）NaNbO3基無鉛壓電陶瓷a（1-x）NaNbO3-xAINb2O6b（1-x）NaNbO3-xAITiO3（4）鉍層狀結構壓電陶瓷aBi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷bMBi4Ti4O15基無鉛壓電陶瓷cMBi2Nb2O9基無鉛壓電陶瓷（M=Sr、Ca、Ba、Na0.5Bi0.5等)d復合鉍層狀結構壓電陶瓷第四十四頁，共五十頁，編輯于2023年，星期二八、無鉛壓電陶瓷材料(5)鎢青銅結構無鉛壓電陶瓷a(SrxBa1-x)Nb2O