1、 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark73 o Current Document 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)特征：成長性高，集中度提升5 HYPERLINK l bookmark75 o Current Document 行業(yè)規(guī)模的高成長性大于周期性5 HYPERLINK l bookmark81 o Current Document 行業(yè)高度集中，且集中度一直在上升6 HYPERLINK l bookmark93 o Current Document 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)顯著反轉(zhuǎn)，5G是核心動力10 HYPERLINK l bookmark95 o Current Docume

2、nt 三季度以來，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)顯著反轉(zhuǎn)10 HYPERLINK l bookmark16 o Current Document 5G對先進(jìn)制程工藝設(shè)備拉動效果明顯12 HYPERLINK l bookmark20 o Current Document 5G應(yīng)用將使得存儲廠商的設(shè)備采購需求回升15本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)提速，大陸設(shè)備采購大潮已來19 HYPERLINK l bookmark36 o Current Document 今年大陸多個晶圓廠陸續(xù)投產(chǎn)/量產(chǎn)19 HYPERLINK l bookmark40 o Current Document 大陸晶圓廠開始新一輪設(shè)備采購19 HYPERLIN

3、K l bookmark50 o Current Document 國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入全面突破時(shí)期22 HYPERLINK l bookmark52 o Current Document 制程設(shè)備：國內(nèi)市場看進(jìn)口替代，海外看中微進(jìn)入TSMC22 HYPERLINK l bookmark61 o Current Document 測試設(shè)備：國產(chǎn)品牌開始邁向SOC和Memory測試市場23 HYPERLINK l bookmark63 o Current Document 硅片生長與加工設(shè)備：晶盛與晶能雙雙突破2428投資建議27風(fēng)險(xiǎn)提示ASML三季度收入繼續(xù)環(huán)比上升。ASML第三季度收入30億歐元，環(huán)

4、比增長16%,同比增長8%,延續(xù) 今年二季度以來的強(qiáng)勢反彈；ASML預(yù)計(jì)第四季度收入39億元，環(huán)比增長31%,同比增長24%,單季 度營業(yè)收入將創(chuàng)歷史新高。此外，Applied Materials預(yù)計(jì)今年第三季度收入36.851.5億美元,環(huán)比增 長3.5%左右；TEL預(yù)計(jì)今年第三季度收入約為25.5億美元，環(huán)比增長30%。圖表12. ASML季度收入同比增速顯著回升我們選擇已公布三季報(bào)的上市公司為例，三季度在二季度毛利率環(huán)比回升的基礎(chǔ)上繼續(xù)小幅恢復(fù)， 說明全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的盈利能力企穩(wěn)回升。其中ASML三季度毛利率將從一季度41.6%、二季度 43%繼續(xù)上升至43.7%,預(yù)計(jì)第四季度毛利率

5、將到達(dá)48%49%; KLA毛利率將從一季度55.6%、二季度 52.9%回升至三季度的60.8%,預(yù)計(jì)第四季度毛利率將到達(dá)60%-61%o圖表13.全球局部半導(dǎo)體設(shè)備上市公司為樣本的毛利率回升全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)平均毛利率資料來源:各公司公告,中銀國際證券圖表14.ASML單季度毛利率回升ASML單季度毛利率資料來源:ASML公告,中銀國際證券5G對先進(jìn)制程工藝設(shè)備拉動效果明顯從ASML整體三季度收入結(jié)構(gòu)看，單季收入環(huán)比、同比實(shí)現(xiàn)正增長的原因，主要是來自邏輯客戶的收入 20.4億歐元，環(huán)比增長81%,同比增長98%,而來自存儲客戶的收入僅5.4億歐元，環(huán)比下降25%,同 比下降62%。圖表15

6、.邏輯電路客戶拉動ASML季度收入大幅反彈ASML的EUV訂單創(chuàng)歷史新高。今年三季度ASML的EUV新增訂單到達(dá)23臺，與歷史最高10臺相比 高出130%,迎來歷史上再次爆發(fā)性增長，說明先進(jìn)制程對設(shè)備需求十分旺盛。同時(shí)，ASML的EUV 交貨量也穩(wěn)步上升，第三季度交付EUV設(shè)備7臺，預(yù)計(jì)四季度交付EUV設(shè)備8臺，全年交付EUV設(shè) 備26臺，而2016、2017、2018年依次交付5臺、11臺、18臺。25EUV新訂單臺數(shù)資料來源:ASML公告、中銀國際證券圖表億ASML EUV累計(jì)交付50多臺EUV交付臺數(shù)2520151050s s e s e e 苕假設(shè)封蓍菸宿腎資料來源:ASML公告、中銀

7、國際證券ASML光刻設(shè)備EUV訂單爆發(fā)式增長，主要是以臺積電為主的晶圓代工廠加大對先進(jìn)制程的產(chǎn)能擴(kuò) 張。根據(jù)臺積電最新季報(bào)顯示，臺積電將2019年資本開支計(jì)劃從原來的110億美元，上調(diào)至140150 億美元，創(chuàng)下公司歷史的新高，主要是5G的需求高過預(yù)期，其整體市場的開展甚至快于4G。公司 預(yù)計(jì)2020年資本開支也將保持在140150億美元，公司將持續(xù)對5nm、3nm、2nm先進(jìn)制程的擴(kuò)產(chǎn)和 研發(fā)。圖表18. 2019年TSMC資本支出創(chuàng)新高先進(jìn)制程對設(shè)備需求彈性大。以臺積電為例，每個節(jié)點(diǎn)的投資額迅速攀升，其中16rlm制程1萬片產(chǎn)能投 資15億美元，而7nm制程1萬片產(chǎn)能投資估計(jì)30億美元，5

8、nm制程1萬片產(chǎn)能投資估計(jì)50億美元。圖表19.臺積電先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)將持續(xù)多年16nm投資30億美元對應(yīng)產(chǎn)能2萬片/月量產(chǎn)時(shí)間EUV光罩性能7nm估計(jì)250300億美元8-9萬片/月2018年3季度7nm+EUV2019年二季度月6nm2020年底之前5nm250億美元 5萬片/月，計(jì)劃增至78萬片/月計(jì)劃2020年3月量產(chǎn)1415層性能提高35%,能耗降低65%,晶體管密度提高2倍性能無提高，能耗再降低10%,晶體管密度提高20%較7nm+提高18%的邏輯密度增益，并有本錢優(yōu)勢性能提高15%25%,能耗再降低20%-30%,晶體管密度提高80%3nm3nm200億美元2020年建廠，2021年

9、完成 設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)2022年底 到2023年初量產(chǎn)2nm資料來源:電子發(fā)燒友網(wǎng)、中銀國際證券工藝研發(fā)也已啟動，預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)根據(jù)電子工程網(wǎng)(ee.ofweek )顯示，近期臺積電16nm、7nm制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，7nm產(chǎn)能將提高 1萬片至89萬片/月，而明年3月份即將量產(chǎn)的5nm制程產(chǎn)能原計(jì)劃5萬片/月，目前產(chǎn)能已被客戶預(yù) 定，臺積電計(jì)劃將5nm制程產(chǎn)能從5萬片/月提高到7-8萬片/月。5G技術(shù)是先進(jìn)制程的主要應(yīng)用領(lǐng)域。今年以來，十多款5G手機(jī)陸續(xù)上市銷售，如華為Mate20X(5G)、中 興通訊天機(jī)Axon 10 Pro5G、iQOOPro5G、中國移動先行者X1、三星Galaxy N

10、ote10+5G。其中vivo旗 下的iQOO起步價(jià)3,798元，三星最貴起步價(jià)為7,999元。5G手機(jī)通常搭載127nm先進(jìn)制程工藝基帶 芯片,包括高通SnapdragonX50聯(lián)發(fā)科HelioM70英特爾XMM8000系列、三星ExynosModem5000系 列、海思Balong5000系列等。圖表20. 5G手機(jī)基帶芯片主要采用7nm工藝資料來源:eefocus.中銀國際證券廠商基帶芯片制程下載速率支持頻段手機(jī)型號華為Balong 50007nm4.6 Gbps;6.5 Gbps 毫米波段Sub-6Ghz和毫米波段MateX高通驍龍X557nm7GbpsSub-6Ghz和毫米波段未商用

11、驍龍X5010nm5Gbps不支持26 Ghz毫米波段三星 Galaxy Note10+5G三星Exynos 510010nm2Gbps； 6Gbps毫米波段Sub-6Ghz和毫米波段未商用蘋果(Intel)XMM81607nm4.6GbpsSub-6Ghz,不支持毫米波段未商用MTKHell M707nm4.67GbpsSub-6Ghz,局部毫米波段紫光展銳Makalu lvy51012nm1.2GbpsSub-6Ghz,不支持毫米波段高通驍龍 855 Plus(SOC)10nm小米 Redmi K20 Pro, 一 加7T華為Kirin 990 5G(SOC)7nm EUVHUAWEI M

12、ate 30 Pro 5G, MateXKirin 980 5G (SOC)7nmMate 20X 5G三星Exynos9808nm據(jù)中國信息通信研究院每月發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，2019年7、8、9月國內(nèi)5G手機(jī)銷量依次為7.2萬部、21.9 萬部、49.7萬部，占手機(jī)總銷量的0.2%、0.7%. 1.4%o預(yù)計(jì)2020年全球5G手機(jī)銷量1.6億部，占手 機(jī)總銷量的比重將到達(dá)10%左右，5G手機(jī)銷售將在20192020年全面鋪開、普及。圖表21.5G手機(jī)銷量占比迅速上升資料來源:中國信息通信研究院、中銀國際證券Jul-19Aug-19Sep-192020 (E)全球手機(jī)單月總銷量3,295.23,08

13、7.53,623.61516億5G手機(jī)銷量7.221.949.71.6億5G手機(jī)銷量占比()0.20.71.4105G應(yīng)用將使得存儲廠商的設(shè)備采購需求回升5G時(shí)代存儲芯片也將迎來變革和大幅增長5G手機(jī)的存儲容量將大幅增加。5G手機(jī)因傳輸速度快，對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲能力將較4G手機(jī)高出1倍 以上，通常4G手機(jī)存儲容量64-256GB,而5G手機(jī)的存儲容量將在512GB以上。N。OnboardNo Onboard4256MB Memory$ 6GB Memory 8GB MemoryStorageSto&je512GB Storage資料來源:西部數(shù)據(jù),中銀國際證券據(jù)西部數(shù)據(jù)的估計(jì)，移動數(shù)據(jù)201620

14、21年每年保持40%50%增速，其中移動視頻到2021年將增長870%,增速最快，可見移動終端的存儲容量將越來越大。圖表23,移動數(shù)據(jù)年均40%50%高增長in exabytesMobile VideoMobile Wcb/Data/VolPMobile AudioMobile File Sharing資料來源:西部數(shù)據(jù),中銀國際證券5G實(shí)現(xiàn)物物互聯(lián)，物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等的開展將拉動數(shù)據(jù)存儲需求。5G在低延時(shí)和傳輸速度上的優(yōu) 勢，使得機(jī)器設(shè)備產(chǎn)生數(shù)據(jù)的時(shí)代已經(jīng)到來，具體表現(xiàn)形式包括，一方面是類似三一重工5G遠(yuǎn)程操作 挖掘機(jī)，另一方面是物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等。5G時(shí)代將出現(xiàn)萬億設(shè)備相互鏈接，數(shù)據(jù)的

15、產(chǎn)生將從4G 時(shí)代的人走向物體，形成的海量數(shù)據(jù)不僅在處理上拉動邏輯電路芯片需求，也對存儲容量提出更多需 求，存儲芯片也因此面臨新的挑戰(zhàn)。據(jù)sohu及IDC, 2016年，全球聯(lián)網(wǎng)終端數(shù)量為148.66億臺。伴 隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)開展，2020年全球接入網(wǎng)絡(luò)的終端數(shù)將超過300億臺，年復(fù)合增 長率到達(dá)20.2%。圖表24. 5G將實(shí)現(xiàn)萬物互聯(lián)資料來源:sohu,中銀國際證券5G時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲在底層技術(shù)上也將發(fā)生變化。一是存儲內(nèi)容上的變化。存儲對象將包括AR/VR、 視頻、文字、數(shù)字等，需要有專門的存儲模式。一個典型的實(shí)例就是抖音和快手等，4G時(shí)代已經(jīng)實(shí) 現(xiàn)短視頻的快速傳輸、處理和存

16、儲，在5G時(shí)代高達(dá)GBPS級別的傳輸速度，短視頻甚至演變成中長 視頻、更清晰視頻。二是讀寫速度等性能要求會更高。存儲芯片資本開支情況根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，存儲器設(shè)備資本支出從2013年的147億美元增長至2018年的520億美元，占半 導(dǎo)體行業(yè)資本支出的比重在過去7年內(nèi)大幅增加，從2013年的27%升至2018年的49%。2019年存儲 器產(chǎn)業(yè)資本支出將占今年半導(dǎo)體總資本支出總額的43%,低于2018年的49%,主要是供過于求導(dǎo)致 導(dǎo)致Nand和Dram價(jià)格持續(xù)下行，存儲器廠商大幅收縮資本支出，其中IC Insights預(yù)計(jì)2019年存儲器 設(shè)備資本支出416億美元，同比下降20%。

17、圖表25.全球存儲器廠商資本支出短期波動2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019E資料來源：IC Insights, Gartner,中銀國際證券600500400300200100本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)提速，大陸設(shè)備采購大潮已來今年大陸多個晶圓廠陸續(xù)投產(chǎn)/量產(chǎn)今年9月，華虹半導(dǎo)體（無錫）工程、廣州粵芯半導(dǎo)體工程、合肥長鑫DRAM工程均正式投產(chǎn)。今 年年底到明年年初，國內(nèi)包括燕東微電子、上海積塔半導(dǎo)體等的多條8寸線也嚼陸續(xù)投產(chǎn)。圖表26.大陸晶圓廠密集投產(chǎn)長江存儲長江存儲合肥長鑫廣州粵芯半導(dǎo)體華

18、虹半導(dǎo)體（無錫） 華力二期燕東微電子上海積塔半導(dǎo)體中芯南方士蘭微（廈門）化合物投產(chǎn)/量產(chǎn)情況2018 年底 32 層 64Gb 3D NAND Flash 量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年底正式量產(chǎn)64層堆棧3D閃存2018年底19nm 8GBDDR4工程樣片下線；2019年三季度8GB LPDDR4正式投產(chǎn)2019年9月20日一期正式投產(chǎn)，產(chǎn)能估計(jì)達(dá)到3千片/月2019年9月17日55nm工藝正式投產(chǎn)2018年量產(chǎn)了 28nm工藝，更先進(jìn)的14nm工藝預(yù)計(jì)在2020年量產(chǎn)首期2萬片/月的8英寸線即將投產(chǎn)2020年將投產(chǎn)預(yù)計(jì)今年年底14nm FinFET開始商業(yè)化生產(chǎn)預(yù)計(jì)今年年底投產(chǎn)產(chǎn)能規(guī)劃30萬片/月一

19、期12萬片/月4+4萬片/月一期4片萬/月投資計(jì)劃240億美元一期約500億元，總投資1500億元288億元4片萬/月5萬片/月的8英寸生產(chǎn)線.6萬片/月的8英寸生產(chǎn)線和5萬片/月12英寸特色工藝生產(chǎn)線7萬片/月116萬片/月一期投資25億美元387億元48億元359億元102.4億美元50億元古主磐（廈門）12寸特紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)部紫光集團(tuán)南京工程預(yù)計(jì)明年年初投產(chǎn)8萬片/月（一期）170億元DRAM存儲芯片制造工廠計(jì)劃于2019年底開工去夾10年8000亓建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)期仞方知月黑黑普；2018年9月30日正式開工一期1。萬片/月，息一期投資1。5億美兀,產(chǎn)能規(guī)劃30萬片/

20、月總投資300億美元資料來源:各公司公告,公司新聞,電子發(fā)燒友、集微網(wǎng),中銀國際證券大陸晶圓廠開始新一輪設(shè)備采購隨著研發(fā)產(chǎn)線投產(chǎn)后，多個晶圓廠開啟了新一輪設(shè)備采購步伐，包括： 長江存儲于8月份開始了新的1萬片/月產(chǎn)能的設(shè)備采購，預(yù)計(jì)年末還將加大采購力度，預(yù)計(jì)2020 年底產(chǎn)能到達(dá)56萬片/月。長江存儲2017年至2019年一季度累計(jì)采購19臺光刻機(jī)，2019年三 季度長江存儲公布新招標(biāo)4臺光刻機(jī)設(shè)備，并招標(biāo)采購接近100臺的其他工藝設(shè)備。（2）華力二期去年投產(chǎn)，今年也已啟動新1萬片/月產(chǎn)能的設(shè)備采購。華力二期在2017年集中采購了7臺光刻機(jī)，2019年7月新采購3臺光刻機(jī)。 華虹無錫工程一期1

21、萬片/月9月投產(chǎn)，已啟動新的1萬片/月設(shè)備采購。華虹無錫2018年采購4 臺光刻機(jī)，2019年8月新采購2臺光刻機(jī)。 合肥長鑫目前設(shè)備產(chǎn)能約2萬片/月，預(yù)計(jì)2020年底產(chǎn)能達(dá)4萬片/月。（5）廣州粵芯首期3千片/月9月投產(chǎn)，預(yù)計(jì)短期會擴(kuò)產(chǎn)到1.8萬片/月。 上海積塔8寸線也將投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年初將啟動12寸產(chǎn)線設(shè)備采購。（7）燕東微電子8寸線即將投產(chǎn)，12寸線設(shè)備采購值得期待。（8）中芯南方計(jì)劃總投資102億美元，建設(shè)兩條產(chǎn)能均為3.5萬片/月芯片的14nm集成電路生產(chǎn)線， 預(yù)計(jì)今年年底14nm FinFET開始商業(yè)化生產(chǎn)。長江存儲:已啟動新一輪設(shè)備采購工作據(jù)DRAMeXchange顯示，今

22、年年底長江存儲預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D Nand,明年開始逐步提升產(chǎn) 能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模，且2020年會生產(chǎn)128層堆棧3D Nand。根據(jù)長江存儲擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏，我們估計(jì)今年一季度產(chǎn)能到達(dá)5K片/月，到今年年底產(chǎn)能到達(dá)225萬片/月， 如果要到達(dá)明年年底6萬片/月的產(chǎn)能目標(biāo)，還需采購335萬片/月的工藝設(shè)備。從長江存儲的光刻機(jī)采購進(jìn)度看，2017年二季度至2019年一季度，累計(jì)采購19臺光刻機(jī)，其中7 臺來自Canon, 12臺來自ASMLO 2019年三季度，長江存儲公布新招標(biāo)4臺光刻機(jī)設(shè)備，包括3臺248nm 光刻機(jī)和1臺浸沒式光刻機(jī)。圖表27. 20

23、19年長江存儲加大光刻機(jī)采購資料來源:中國國際招標(biāo)網(wǎng),中銀國際證券設(shè)備名稱設(shè)備類別采購臺數(shù)招標(biāo)日期中標(biāo)企業(yè)中標(biāo)企業(yè)所在國家i線步進(jìn)式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/6/9CANON日本浸沒式掃描光刻機(jī)光刻機(jī)22017/11/3ASML荷蘭Arf掃描光刻機(jī)光刻機(jī)22017/11/3ASML荷蘭Krf掃描光刻機(jī)光刻機(jī)22017/11/3ASML荷蘭iline掃描光刻機(jī)光刻機(jī)12017/11/7ASML荷蘭紫外光步進(jìn)式光刻機(jī)光刻機(jī)22017/11/30CANON日本iline掃描光刻機(jī)光刻機(jī)22017/11/30CANON日本iline掃描光刻機(jī)光刻機(jī)12018/6/20ASML荷蘭浸潤式掃描光刻機(jī)光刻機(jī)1

24、2019/2/20ASML荷蘭248nm光刻機(jī)光刻機(jī)22019/2/20ASML荷蘭248nm光刻機(jī)光刻機(jī)12019/3/19ASML荷蘭365nm光刻機(jī)光刻機(jī)22019/3/19CANON日本248nm光刻機(jī)光刻機(jī)32019/9/18浸沒式光刻機(jī)光刻機(jī)12019/9/18合計(jì)23華力二期:正處于新一輪設(shè)備采購中根據(jù)電子工程世界等，2018年10月18日，華力微電子二期12寸先進(jìn)生產(chǎn)線正式建成投片，產(chǎn)能達(dá) 到1萬片/月。華力二期12英寸工程2016年9月正式啟動，總投資387億元，工程在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)建設(shè) 一條月產(chǎn)能4萬片，工藝為28-20-14納米的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線。根據(jù)中

25、國國際招標(biāo)網(wǎng)，華力二期集中在2017年9月和11月合計(jì)集中采購了 7臺光刻機(jī)，2019年7月 新采購了 3臺光刻機(jī)。華力二期光刻機(jī)100%都由荷蘭ASML供應(yīng)。圖表28.2019年下半年華力二期加大光刻機(jī)采購資料來源:中國國際招標(biāo)網(wǎng),中銀國際證券設(shè)備名稱設(shè)備類別采購臺數(shù)開標(biāo)日期中標(biāo)企業(yè)中標(biāo)企業(yè)所在國家193nm深紫外線沉浸式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/9/13ASML荷蘭248nm深紫外線掃描式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/9/13ASML荷蘭193nm深紫外線沉浸式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/11/22ASML荷蘭248nm深紫外線掃描式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/11/22ASML荷蘭I線步進(jìn)式曝光機(jī)光刻機(jī)

26、12017/11/22ASML荷蘭193nm先進(jìn)深紫外線沉浸式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/11/22ASML荷蘭248nm先進(jìn)深紫外線掃描式光刻機(jī)光刻機(jī)12017/11/22ASML荷蘭193nm深紫外線沉浸式光刻機(jī)光刻機(jī)12019/7/8ASML荷蘭248nm深紫外線掃描式光刻機(jī)光刻機(jī)12019/7/8ASML荷蘭248nm深紫外線掃描式光刻機(jī)光刻機(jī)12019/7/8ASML荷蘭I線掃描式曝光機(jī)光刻機(jī)12019/7/8ASML荷蘭合計(jì)11圖表目錄 TOC o 1-5 h z 圖表1.全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模年均增長8%5圖表2. 5G大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體制程設(shè)備市場規(guī)模再上臺階6圖表3.全球半導(dǎo)體設(shè)

27、備行業(yè)呈高度壟斷格局6圖表4.導(dǎo)體刻蝕設(shè)備被Lam和應(yīng)用材料壟斷7圖表5.介質(zhì)刻蝕設(shè)備被TEL和Lam壟斷7 HYPERLINK l bookmark87 o Current Document 圖表6.全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)集中度日益上升8 HYPERLINK l bookmark89 o Current Document 圖表7,全球光刻機(jī)龍頭ASML市占率逐年上升8圖表8.TEL和Lam Research在介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場的市占率逐年攀升9圖表9.Lam ResearchAMAT在導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的市占率逐年攀升9 HYPERLINK l bookmark97 o Current Document

28、 圖表10.北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商10月出貨額同比轉(zhuǎn)正10圖表11.ASML、KLA、Applied Materials等的單季度收入企穩(wěn)回升10圖表12. ASML季度收入同比增速顯著回升11圖表13.全球局部半導(dǎo)體設(shè)備上市公司為樣本的毛利率回升11圖表14. ASML單季度毛利率回升12圖表15.邏輯電路客戶拉動ASML季度收入大幅反彈12圖表16. ASML EUV訂單創(chuàng)新高13圖表17.ASMLEUV累計(jì)交付50多臺13圖表18. 2019年TSMC資本支出創(chuàng)新高14圖表19.臺積電先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)將持續(xù)多年14圖表20. 5G手機(jī)基帶芯片主要采用7nm工藝15 HYPERLINK l bo

29、okmark18 o Current Document 圖表21.5G手機(jī)銷量占比迅速上升15圖表22. 5G手機(jī)的存儲容量將是4G的2倍以上16圖表23.移動數(shù)據(jù)年均40%50%高增長16圖表24. 5G將實(shí)現(xiàn)萬物互聯(lián)17 HYPERLINK l bookmark26 o Current Document 圖表25.全球存儲器廠商資本支出短期波動18 HYPERLINK l bookmark38 o Current Document 圖表26.大陸晶圓廠密集投產(chǎn)19圖表27. 2019年長江存儲加大光刻機(jī)采購20圖表28. 2019年下半年華力二期加大光刻機(jī)采購20圖表29. 2019年下半

30、年華虹無錫加大光刻機(jī)采購21圖表30.主要晶圓廠制程設(shè)備國產(chǎn)化率處于10%水平22 HYPERLINK l bookmark58 o Current Document 圖表31.中微刻蝕機(jī)進(jìn)入客戶臺積電的歷史業(yè)績23圖表32. SOC測試占半導(dǎo)體測試設(shè)備的2/323圖表33泰瑞達(dá)、愛德萬壟斷SOC測試設(shè)備市場24華虹無錫:也處在新一輪設(shè)備采購中2018年4月3日，華虹集團(tuán)宣布位于無錫的華虹半導(dǎo)體七廠開工，總投資100億美元，一期工程總投 資約25億美元，新建一條工藝等級9065/55nm、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線， 支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。今年9月17日，華虹集

31、團(tuán)宣布旗下華虹半導(dǎo)體（無錫）的12英寸晶圓廠正式投產(chǎn)，主要生 產(chǎn)55nm工藝特種芯片。根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)，華虹無錫集中在2018年11月集中采購了 4臺光刻機(jī)，2019年8月新采購了 2 臺365nm中紫外線掃描式光刻機(jī)。華虹無錫光刻機(jī)100%都由荷蘭ASML供應(yīng)。圖表29, 2019年下半年華虹無錫加大光刻機(jī)采購資料來源:中國國際招標(biāo)網(wǎng),中銀國際證券設(shè)備名稱采購臺數(shù)開標(biāo)日期中標(biāo)日期中標(biāo)企業(yè)中標(biāo)企業(yè)所在國家193nm深紫外干式掃描式光刻機(jī)12018/11/22018/12/4ASML荷蘭248nm深紫外線掃描式光刻機(jī)設(shè)備12018/11/22018/12/4ASML荷蘭248nm深紫外線掃描式

32、光刻機(jī)設(shè)備12018/11/22018/12/4ASML荷蘭365nm中紫外線掃描式（或步進(jìn)式）光刻機(jī)12018/11/22018/12/4ASML荷蘭365nm中紫外線掃描式光刻機(jī)22019/8/302019/9/17ASML荷蘭合計(jì)6國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入全面突破時(shí)期制程設(shè)備：國內(nèi)市場看進(jìn)口替代，海外看中微進(jìn)入TSMC國內(nèi)市場看進(jìn)口替代隨著全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)進(jìn)入景氣上行階段，且本土晶圓廠擴(kuò)張?zhí)崴伲瑖a(chǎn)設(shè)備也將迎來快速開展， 同時(shí)，國產(chǎn)設(shè)備市占率也有望在國際品牌交貨緊張的情況下，緩解2019年所面臨的價(jià)格壓力，并加 快進(jìn)口替代步伐。圖表30.主要晶圓廠制程設(shè)備國產(chǎn)化率處于10%水平資料來源:中國國際招

33、標(biāo)網(wǎng),中銀國際證券各類制程設(shè)備的國產(chǎn)化率：(1)去膠設(shè)備：國產(chǎn)化率最高的是去膠設(shè)備，主要是屹唐半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了去膠設(shè)備國產(chǎn)化；(2)清洗設(shè)備：國產(chǎn)化率約為20%左右，本土品牌主要是盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)； 刻蝕設(shè)備：國產(chǎn)化率約為20%左右，本土品牌包括中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體; 熱處理設(shè)備：國產(chǎn)化率約為20%左右，本土品牌包括北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體；PVD設(shè)備：國產(chǎn)化率約為10%左右，本土品牌包括北方華創(chuàng)；CMP設(shè)備：國產(chǎn)化率約為10%左右，本土品牌包括華海清科；CVD設(shè)備：有零的突破，但總體國產(chǎn)化率不高于5%,本體品牌是沈陽拓荊；(8)量測設(shè)備：國產(chǎn)化率2%左右，本土品牌包括上海睿勵、中科飛

34、測、上海精測半導(dǎo)體； 離子注入機(jī)：國產(chǎn)化有零的突破，本土品牌包括中科信、凱世通等；(10)涂膠顯影設(shè)備：國產(chǎn)化有零的突破，本土品牌包括沈陽芯源；(11)光刻設(shè)備：預(yù)計(jì)國產(chǎn)化將有零的突破，本土品牌是上海微電子。中微已參與到臺積電的先進(jìn)制程根據(jù)集微網(wǎng)、DRAMeXchange等，2017年底，作為5家刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一，中微被TSMC納入7nm 制程設(shè)備采購名單，2018年底其自主研發(fā)的5nm等離子刻蝕機(jī)經(jīng)TSMC驗(yàn)證通過。在臺積電7nm制 程繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，以及5nm制程產(chǎn)線建設(shè)期間，中微的等離子刻蝕機(jī)臺有望迎來旺盛需求，享受5G手機(jī) 帶來對先進(jìn)制程工藝設(shè)備的爆發(fā)式需求增長。時(shí)間圖表31.中微刻蝕機(jī)進(jìn)

35、入客戶臺積電的歷史業(yè)績制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)入情況臺積電5nm制程 中微自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺積電驗(yàn)證通過2018年底臺積電7rlm制程包括中微在內(nèi)的全球5大設(shè)備供應(yīng)商，同時(shí)被TSMC納入7nm制程設(shè)備采購名2017年底單，另四家是 Applied Materials、LAM、TEL、Hitach資料來源:集微網(wǎng)、中銀國際證券測試設(shè)備：國產(chǎn)品牌開始邁向SOC和Memory測試市場半導(dǎo)體測試細(xì)分為：SOC測試，RF測試、Memory IC測試和Analog IC測試。其中SOC測試占到ATE 的64%, Memory IC和RF測試設(shè)備各占1520%。2018年全球半導(dǎo)體測試設(shè)備市場規(guī)模約為55

36、60億美 元，按64%的比例推算，SOC測試設(shè)備市場規(guī)模估計(jì)為36億美元。圖表32. SOC測試占半導(dǎo)體測試設(shè)備的2/3SOC Test 64%SOC Test 64%資料來源:Gartner,中銀國際證券SOC測試設(shè)備市場主要被泰瑞達(dá)、愛德萬壟斷。5G手機(jī)SOC芯片測試難度更大，市場集成度有望繼 續(xù)提升。圖表33.泰瑞達(dá)、愛德萬壟斷SOC測試設(shè)備市場資料來源:Gartner,中銀國際證券盡管精測電子、長川科技、北京華峰測控、北京冠中集創(chuàng)、金海通等實(shí)現(xiàn)局部測試設(shè)備或分選機(jī)的 國產(chǎn)化突破，但國產(chǎn)品牌主要聚焦在國內(nèi)較為成熟的電源管理芯片測試設(shè)備等領(lǐng)域，而SOC和Memory芯 片測試設(shè)備仍主要依賴

37、于美國泰瑞達(dá)和日本愛德萬等進(jìn)口品牌。精測電子、長川科技、北京冠中集 創(chuàng)等布局的數(shù)字測試設(shè)備急需市場培育。硅片生長與加工設(shè)備：晶盛與晶能雙雙突破半導(dǎo)體硅片工程眾多，但絕大局部設(shè)備依賴進(jìn)，對日本設(shè)備廠商依賴程度高： 長晶爐：進(jìn)口品牌韓國）TECH,國產(chǎn)品牌晶盛機(jī)電、南京晶能，晶盛機(jī)電有望實(shí)現(xiàn)長晶爐國產(chǎn)化； 研磨設(shè)備：95%以上來自日本，包括設(shè)備廠商東京工程、光洋機(jī)械、東京精機(jī)、HAMAI等；晶 盛機(jī)電有望實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化； 拋光：100%依賴進(jìn)口，外資品牌包括Lapmaster、不二越、OKAMOTO、東京精機(jī)；（4） 減薄：100%從日本進(jìn)口，包括DISCO、光洋機(jī)械、OKAMOTO （岡本機(jī)械）；9

38、0%中環(huán)領(lǐng) 先的設(shè) 備國產(chǎn) 化率上海某 大硅片 的設(shè)備 國產(chǎn)化 率資料來源:中國國際招標(biāo)網(wǎng),中銀國際證券晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)中環(huán)領(lǐng)先長晶爐和切割設(shè)備國產(chǎn)化，目前已布局單晶硅棒滾磨一體機(jī)、拋光機(jī)、雙面 研磨、晶圓邊緣檢測設(shè)備。圖表35.晶盛機(jī)電引領(lǐng)硅片生長與加工設(shè)備的國產(chǎn)化拉晶爐 切割/截?cái)?研磨 減薄 倒角機(jī) 拋光 清洗 檢測 熱處理輔助設(shè)備上海某大硅片國產(chǎn)設(shè)備南京晶能晶盛機(jī)電盛美、蘇州華林科納蘇州華蘇州華林林科納 科納精旗子島華電青誠微中環(huán)領(lǐng)先國產(chǎn)設(shè)備晶盛機(jī)電晶盛機(jī)電資料來源:中國國際招標(biāo)網(wǎng),中銀國際證券晶盛機(jī)電加快在大硅片設(shè)備的布局，主要包括：(1)承當(dāng)國家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及

39、成套工藝”工程的“300mm硅單晶直拉生 長裝備的開發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)課題，已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段；(2)晶盛機(jī)電于2017年和美國Revasum公司就200mm硅片拋光設(shè)備達(dá)成合作共識，2018年向市場正 式推出8英寸拋光機(jī)；(3)成功研發(fā)612英寸晶體滾圓機(jī)、截?cái)鄼C(jī)、雙面研磨機(jī)及68英寸全自動硅片拋光機(jī)，已逐步批 量銷售；2018年公告新訂單45億元； 逐步布局半導(dǎo)體相關(guān)輔材、耗材、關(guān)鍵零部件業(yè)務(wù)，增加了半導(dǎo)體拋光液、閥門、磁流體部件、 16-32英寸用煙等新產(chǎn)品； 參與投資無錫集成電路大硅片生產(chǎn)工程，引進(jìn)國外先進(jìn)設(shè)備，強(qiáng)化在高端精密加工領(lǐng)域的技術(shù) 實(shí)力，建立技術(shù)和產(chǎn)品

40、質(zhì)量領(lǐng)先的大型高真空精密零部件制造基地。長晶爐耗材、關(guān)鍵零部件晶體滾圓機(jī)全自動硅片拋光機(jī)截?cái)鄼C(jī)雙面研磨機(jī)資料來源:公司公告,中銀國際證券繼續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備板塊，主要依據(jù)是： 5G已帶動先進(jìn)制程工藝設(shè)備需求爆發(fā)，并將在不久的未來通過終端應(yīng)用產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，拉動成 熟制程工藝設(shè)備及存儲芯片工藝設(shè)備的市場需求；2019年三季度開始，國內(nèi)晶圓廠進(jìn)入新一輪工藝設(shè)備密集采購時(shí)期；優(yōu)質(zhì)國產(chǎn)設(shè)備將繼續(xù)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，持續(xù)提升國產(chǎn)化率。個股方面，我們重點(diǎn)推薦北方華創(chuàng)、精測電子、萬業(yè)企業(yè)、長川科技、晶盛機(jī)電，建議重點(diǎn)關(guān)注中 微半導(dǎo)體，關(guān)注至純科技、芯源微、華峰測控。圖表37.報(bào)告中提及上市公司估值表公司代碼 公司簡稱

41、 評級 股價(jià) 市值每股收益（元/股）市盈率（x）最新每股凈資產(chǎn)（元）（億元）2018A2019E2018A2019E（元/股）002371.SZ北方華創(chuàng)買入92.304530.510.75181.0123.17.44300604.SZ長川科技買入23.50740.130.12180.8195.81.52300567.SZ精測電子買入49.701221.181.3242.137.75.04300316.SZ晶盛機(jī)電買入14.881910.450.533.129.83.26600641.SH萬業(yè)企業(yè)買入16.401321.210.7613.621.67.63688012.SH中微公司未有評級83.

42、304460.170.34490.3245.14.02603690.SH至純科技未有評級28.23730.130.53225.353.73.40資料來源:萬得,中銀國際證券注:股價(jià)截止日2019年12月17日,未有評級公司盈利預(yù)測來自萬得一致預(yù)期半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程放緩新一輪設(shè)備采購中，因進(jìn)口品牌已深切感受到來自國產(chǎn)設(shè)備替代進(jìn)口設(shè)備的經(jīng)營壓力，進(jìn)口品牌可 能通過降價(jià)壓制國產(chǎn)設(shè)備擴(kuò)大市場份額。零部件進(jìn)口受到貿(mào)易戰(zhàn)影響盡管貿(mào)易戰(zhàn)近期尚未惡化，但高度依賴進(jìn)口的半導(dǎo)體設(shè)備零部件一旦受到影響，國產(chǎn)設(shè)備集成將面 臨重大困難。 TOC o 1-5 h z 圖表34.主要大硅片產(chǎn)線的設(shè)備國產(chǎn)化率為10%-20

43、%25圖表35.晶盛機(jī)電引領(lǐng)硅片生長與加工設(shè)備的國產(chǎn)化25圖表36.晶盛機(jī)電在硅片生長與加工設(shè)備的布局26圖表37.報(bào)告中提及上市公司估值表27半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)特征：成長性高，集中度提升行業(yè)規(guī)模的高成長性大于周期性過去20多年穩(wěn)定增長,年均增速8%半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模，1992年僅為81億美元，19952003年穩(wěn)定在200300億美元，20042）16年穩(wěn)定 在300400億美元，20172018年攀升至550-650億美元，19922018年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模年 均增長8%,整體上呈階段性成長趨勢。Semi預(yù)計(jì)，20192021年依次是576億美元、608億美元、668億美元，隨著5G

44、技術(shù)推動半導(dǎo)體設(shè)備行 業(yè)規(guī)模將創(chuàng)歷史新高。圖表1全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模年均增長8%資料來源:SEMI、中銀國際證券信息技術(shù)進(jìn)步是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)階段性攀升的推動力20002010年是全球PC互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備行業(yè)的市場規(guī)模位于250億美元平均水平（制程設(shè) 備占到半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體的70%80%） o至I 了 20102017年，人類進(jìn)入了智能手機(jī)社交媒體時(shí)代，半 導(dǎo)體制程設(shè)備行業(yè)的市場規(guī)模上升到320億美元的平均線上。2017-2020年，人類將進(jìn)入了 5G、人工智 能和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備的市場規(guī)模增加到500600億美元以上的數(shù)量級。圖表2.5G大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體制程設(shè)備市場規(guī)

45、模再上臺階圖表2.5G大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體制程設(shè)備市場規(guī)模再上臺階2000201720202010A.L + Big Data Era Mobile + Social Media EraPC + Internet EraMarket EvolutionLayers of Demand Drivers資料來源:、中銀國際 證券行業(yè)高度集中，且集中度一直在上升全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場集中度高2018年，行業(yè)前三家AMAT、ASML、Lam Research的市場份額合計(jì)約占50%,前五家AMAT、ASML、 Lam Researchs TEL、KLA 市占率合計(jì)為 71%。圖表3全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)呈高度壟斷格局資料來源:各公司公告,Gartner,中銀國際證券圖表5.介質(zhì)刻蝕設(shè)備被TEL和Lam壟斷2018年導(dǎo)體刻蝕設(shè)備競爭格局資料來源:Gartner,中銀國際證券各項(xiàng)半導(dǎo)體設(shè)備的競爭格局：每類產(chǎn)品均被前14家公司寡頭壟斷： 光刻機(jī)：EUV100%來自ASML, ASML在光刻機(jī)市場處于絕對壟斷地位； 刻蝕設(shè)備：硅基刻蝕主要被Lam和AMAT壟斷，介質(zhì)刻蝕主要被TEL和Lam壟斷; 薄膜設(shè)備：CVD