1、泓域咨詢/樂山機械設(shè)備項目可行性研究報告樂山機械設(shè)備項目可行性研究報告xx有限責任公司目錄 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc108525114 第一章 項目背景分析 PAGEREF _Toc108525114 h 9 HYPERLINK l _Toc108525115 一、 干法刻蝕是芯片制造的主流技術(shù) PAGEREF _Toc108525115 h 9 HYPERLINK l _Toc108525116 二、 反應(yīng)離子刻蝕 PAGEREF _Toc108525116 h 10 HYPERLINK l _Toc108525117 三、 原子層刻蝕為未來技術(shù)發(fā)展方

2、向 PAGEREF _Toc108525117 h 10 HYPERLINK l _Toc108525118 四、 堅持擴大內(nèi)需全面開放，融入新發(fā)展格局 PAGEREF _Toc108525118 h 14 HYPERLINK l _Toc108525119 第二章 行業(yè)發(fā)展分析 PAGEREF _Toc108525119 h 18 HYPERLINK l _Toc108525120 一、 等離子體刻蝕面臨的問題 PAGEREF _Toc108525120 h 18 HYPERLINK l _Toc108525121 二、 高密度等離子體刻蝕 PAGEREF _Toc108525121 h 1

3、8 HYPERLINK l _Toc108525122 第三章 項目總論 PAGEREF _Toc108525122 h 21 HYPERLINK l _Toc108525123 一、 項目名稱及項目單位 PAGEREF _Toc108525123 h 21 HYPERLINK l _Toc108525124 二、 項目建設(shè)地點 PAGEREF _Toc108525124 h 21 HYPERLINK l _Toc108525125 三、 可行性研究范圍 PAGEREF _Toc108525125 h 21 HYPERLINK l _Toc108525126 四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則 PAGE

4、REF _Toc108525126 h 21 HYPERLINK l _Toc108525127 五、 建設(shè)背景、規(guī)模 PAGEREF _Toc108525127 h 22 HYPERLINK l _Toc108525128 六、 項目建設(shè)進度 PAGEREF _Toc108525128 h 23 HYPERLINK l _Toc108525129 七、 環(huán)境影響 PAGEREF _Toc108525129 h 24 HYPERLINK l _Toc108525130 八、 建設(shè)投資估算 PAGEREF _Toc108525130 h 24 HYPERLINK l _Toc108525131

5、九、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標 PAGEREF _Toc108525131 h 24 HYPERLINK l _Toc108525132 主要經(jīng)濟指標一覽表 PAGEREF _Toc108525132 h 25 HYPERLINK l _Toc108525133 十、 主要結(jié)論及建議 PAGEREF _Toc108525133 h 26 HYPERLINK l _Toc108525134 第四章 項目選址分析 PAGEREF _Toc108525134 h 28 HYPERLINK l _Toc108525135 一、 項目選址原則 PAGEREF _Toc108525135 h 28 HYPER

6、LINK l _Toc108525136 二、 建設(shè)區(qū)基本情況 PAGEREF _Toc108525136 h 28 HYPERLINK l _Toc108525137 三、 堅持旅游興市產(chǎn)業(yè)強市，釋放新發(fā)展勢能 PAGEREF _Toc108525137 h 30 HYPERLINK l _Toc108525138 四、 項目選址綜合評價 PAGEREF _Toc108525138 h 34 HYPERLINK l _Toc108525139 第五章 產(chǎn)品方案分析 PAGEREF _Toc108525139 h 35 HYPERLINK l _Toc108525140 一、 建設(shè)規(guī)模及主要建

7、設(shè)內(nèi)容 PAGEREF _Toc108525140 h 35 HYPERLINK l _Toc108525141 二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng) PAGEREF _Toc108525141 h 35 HYPERLINK l _Toc108525142 產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表 PAGEREF _Toc108525142 h 36 HYPERLINK l _Toc108525143 第六章 運營模式 PAGEREF _Toc108525143 h 37 HYPERLINK l _Toc108525144 一、 公司經(jīng)營宗旨 PAGEREF _Toc108525144 h 37 HYPERLINK l _

8、Toc108525145 二、 公司的目標、主要職責 PAGEREF _Toc108525145 h 37 HYPERLINK l _Toc108525146 三、 各部門職責及權(quán)限 PAGEREF _Toc108525146 h 38 HYPERLINK l _Toc108525147 四、 財務(wù)會計制度 PAGEREF _Toc108525147 h 41 HYPERLINK l _Toc108525148 第七章 發(fā)展規(guī)劃 PAGEREF _Toc108525148 h 49 HYPERLINK l _Toc108525149 一、 公司發(fā)展規(guī)劃 PAGEREF _Toc10852514

9、9 h 49 HYPERLINK l _Toc108525150 二、 保障措施 PAGEREF _Toc108525150 h 50 HYPERLINK l _Toc108525151 第八章 SWOT分析說明 PAGEREF _Toc108525151 h 52 HYPERLINK l _Toc108525152 一、 優(yōu)勢分析（S） PAGEREF _Toc108525152 h 52 HYPERLINK l _Toc108525153 二、 劣勢分析（W） PAGEREF _Toc108525153 h 53 HYPERLINK l _Toc108525154 三、 機會分析（O） P

10、AGEREF _Toc108525154 h 54 HYPERLINK l _Toc108525155 四、 威脅分析（T） PAGEREF _Toc108525155 h 54 HYPERLINK l _Toc108525156 第九章 項目規(guī)劃進度 PAGEREF _Toc108525156 h 60 HYPERLINK l _Toc108525157 一、 項目進度安排 PAGEREF _Toc108525157 h 60 HYPERLINK l _Toc108525158 項目實施進度計劃一覽表 PAGEREF _Toc108525158 h 60 HYPERLINK l _Toc10

11、8525159 二、 項目實施保障措施 PAGEREF _Toc108525159 h 61 HYPERLINK l _Toc108525160 第十章 工藝技術(shù)設(shè)計及設(shè)備選型方案 PAGEREF _Toc108525160 h 62 HYPERLINK l _Toc108525161 一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析 PAGEREF _Toc108525161 h 62 HYPERLINK l _Toc108525162 二、 項目技術(shù)工藝分析 PAGEREF _Toc108525162 h 64 HYPERLINK l _Toc108525163 三、 質(zhì)量管理 PAGEREF _Toc108525

12、163 h 66 HYPERLINK l _Toc108525164 四、 設(shè)備選型方案 PAGEREF _Toc108525164 h 67 HYPERLINK l _Toc108525165 主要設(shè)備購置一覽表 PAGEREF _Toc108525165 h 67 HYPERLINK l _Toc108525166 第十一章 節(jié)能可行性分析 PAGEREF _Toc108525166 h 69 HYPERLINK l _Toc108525167 一、 項目節(jié)能概述 PAGEREF _Toc108525167 h 69 HYPERLINK l _Toc108525168 二、 能源消費種類和

13、數(shù)量分析 PAGEREF _Toc108525168 h 70 HYPERLINK l _Toc108525169 能耗分析一覽表 PAGEREF _Toc108525169 h 70 HYPERLINK l _Toc108525170 三、 項目節(jié)能措施 PAGEREF _Toc108525170 h 71 HYPERLINK l _Toc108525171 四、 節(jié)能綜合評價 PAGEREF _Toc108525171 h 72 HYPERLINK l _Toc108525172 第十二章 項目投資分析 PAGEREF _Toc108525172 h 73 HYPERLINK l _Toc

14、108525173 一、 投資估算的依據(jù)和說明 PAGEREF _Toc108525173 h 73 HYPERLINK l _Toc108525174 二、 建設(shè)投資估算 PAGEREF _Toc108525174 h 74 HYPERLINK l _Toc108525175 建設(shè)投資估算表 PAGEREF _Toc108525175 h 78 HYPERLINK l _Toc108525176 三、 建設(shè)期利息 PAGEREF _Toc108525176 h 78 HYPERLINK l _Toc108525177 建設(shè)期利息估算表 PAGEREF _Toc108525177 h 79 H

15、YPERLINK l _Toc108525178 固定資產(chǎn)投資估算表 PAGEREF _Toc108525178 h 80 HYPERLINK l _Toc108525179 四、 流動資金 PAGEREF _Toc108525179 h 80 HYPERLINK l _Toc108525180 流動資金估算表 PAGEREF _Toc108525180 h 81 HYPERLINK l _Toc108525181 五、 項目總投資 PAGEREF _Toc108525181 h 82 HYPERLINK l _Toc108525182 總投資及構(gòu)成一覽表 PAGEREF _Toc108525

16、182 h 82 HYPERLINK l _Toc108525183 六、 資金籌措與投資計劃 PAGEREF _Toc108525183 h 83 HYPERLINK l _Toc108525184 項目投資計劃與資金籌措一覽表 PAGEREF _Toc108525184 h 83 HYPERLINK l _Toc108525185 第十三章 項目經(jīng)濟效益分析 PAGEREF _Toc108525185 h 85 HYPERLINK l _Toc108525186 一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取 PAGEREF _Toc108525186 h 85 HYPERLINK l _Toc108525

17、187 二、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算 PAGEREF _Toc108525187 h 85 HYPERLINK l _Toc108525188 營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表 PAGEREF _Toc108525188 h 85 HYPERLINK l _Toc108525189 綜合總成本費用估算表 PAGEREF _Toc108525189 h 87 HYPERLINK l _Toc108525190 利潤及利潤分配表 PAGEREF _Toc108525190 h 89 HYPERLINK l _Toc108525191 三、 項目盈利能力分析 PAGEREF _Toc108525191

18、h 90 HYPERLINK l _Toc108525192 項目投資現(xiàn)金流量表 PAGEREF _Toc108525192 h 91 HYPERLINK l _Toc108525193 四、 財務(wù)生存能力分析 PAGEREF _Toc108525193 h 93 HYPERLINK l _Toc108525194 五、 償債能力分析 PAGEREF _Toc108525194 h 93 HYPERLINK l _Toc108525195 借款還本付息計劃表 PAGEREF _Toc108525195 h 94 HYPERLINK l _Toc108525196 六、 經(jīng)濟評價結(jié)論 PAGER

19、EF _Toc108525196 h 95 HYPERLINK l _Toc108525197 第十四章 項目風險防范分析 PAGEREF _Toc108525197 h 96 HYPERLINK l _Toc108525198 一、 項目風險分析 PAGEREF _Toc108525198 h 96 HYPERLINK l _Toc108525199 二、 項目風險對策 PAGEREF _Toc108525199 h 98 HYPERLINK l _Toc108525200 第十五章 項目招投標方案 PAGEREF _Toc108525200 h 100 HYPERLINK l _Toc10

20、8525201 一、 項目招標依據(jù) PAGEREF _Toc108525201 h 100 HYPERLINK l _Toc108525202 二、 項目招標范圍 PAGEREF _Toc108525202 h 100 HYPERLINK l _Toc108525203 三、 招標要求 PAGEREF _Toc108525203 h 101 HYPERLINK l _Toc108525204 四、 招標組織方式 PAGEREF _Toc108525204 h 103 HYPERLINK l _Toc108525205 五、 招標信息發(fā)布 PAGEREF _Toc108525205 h 105

21、HYPERLINK l _Toc108525206 第十六章 項目綜合評價說明 PAGEREF _Toc108525206 h 106 HYPERLINK l _Toc108525207 第十七章 補充表格 PAGEREF _Toc108525207 h 108 HYPERLINK l _Toc108525208 營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表 PAGEREF _Toc108525208 h 108 HYPERLINK l _Toc108525209 綜合總成本費用估算表 PAGEREF _Toc108525209 h 108 HYPERLINK l _Toc108525210 固定資產(chǎn)折

22、舊費估算表 PAGEREF _Toc108525210 h 109 HYPERLINK l _Toc108525211 無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表 PAGEREF _Toc108525211 h 110 HYPERLINK l _Toc108525212 利潤及利潤分配表 PAGEREF _Toc108525212 h 111 HYPERLINK l _Toc108525213 項目投資現(xiàn)金流量表 PAGEREF _Toc108525213 h 112 HYPERLINK l _Toc108525214 借款還本付息計劃表 PAGEREF _Toc108525214 h 113 HYPERL

23、INK l _Toc108525215 建設(shè)投資估算表 PAGEREF _Toc108525215 h 114 HYPERLINK l _Toc108525216 建設(shè)投資估算表 PAGEREF _Toc108525216 h 114 HYPERLINK l _Toc108525217 建設(shè)期利息估算表 PAGEREF _Toc108525217 h 115 HYPERLINK l _Toc108525218 固定資產(chǎn)投資估算表 PAGEREF _Toc108525218 h 116 HYPERLINK l _Toc108525219 流動資金估算表 PAGEREF _Toc108525219

24、 h 117 HYPERLINK l _Toc108525220 總投資及構(gòu)成一覽表 PAGEREF _Toc108525220 h 118 HYPERLINK l _Toc108525221 項目投資計劃與資金籌措一覽表 PAGEREF _Toc108525221 h 119報告說明光刻機和刻蝕機作為產(chǎn)業(yè)的核心裝備，占據(jù)了半導體設(shè)備投資中較大的份額。隨著半導體技術(shù)進步中器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導體利用其較低的設(shè)備成本和相對簡單的設(shè)計，逐漸在65nm、45nm設(shè)備市場超過TEL等企業(yè)，占據(jù)了全球大半個市場，成為行業(yè)龍頭。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，目前全球刻蝕設(shè)

25、備行業(yè)的龍頭企業(yè)仍然為泛林半導體、東京電子和應(yīng)用材料三家，從市占率情況來看，2020年三家企業(yè)的合計市場份額占到了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上，其中泛林半導體獨占44.7%的市場份額。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資54588.47萬元，其中：建設(shè)投資40515.33萬元，占項目總投資的74.22%；建設(shè)期利息1038.41萬元，占項目總投資的1.90%；流動資金13034.73萬元，占項目總投資的23.88%。項目正常運營每年營業(yè)收入108900.00萬元，綜合總成本費用90776.50萬元，凈利潤13229.21萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率17.20%，財務(wù)凈現(xiàn)值10691.64萬元，全部投資回收期6

26、.47年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。此項目建設(shè)條件良好，可利用當?shù)刎S富的水、電資源以及便利的生產(chǎn)、生活輔助設(shè)施，項目投資省、見效快；此項目貫徹“先進適用、穩(wěn)妥可靠、經(jīng)濟合理、低耗優(yōu)質(zhì)”的原則，技術(shù)先進，成熟可靠，投產(chǎn)后可保證達到預定的設(shè)計目標。本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風險評估等內(nèi)容基于公開信息；項目建設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學習交流或模板參考應(yīng)用。項目背景分析干法刻蝕是芯片制造的主流技術(shù)刻蝕設(shè)備處于半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)。半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游由為設(shè)計、制造和封

27、測環(huán)節(jié)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。半導體產(chǎn)業(yè)鏈的中游可以分為半導體芯片設(shè)計環(huán)節(jié)、制造環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)。半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等。刻蝕的基本目標是在涂膠的硅片上正確的復制掩模圖形。刻蝕是指使用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，并保證有圖形的光刻膠在刻蝕中不受到腐蝕源顯著的侵蝕。常用來代表刻蝕效率的參數(shù)主要有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等。刻蝕速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度；刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀，通常分為各向同性和各向異性剖面；刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化，通常由橫向

28、鉆蝕引起；選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比，高選擇比意味著不需要的材料會被刻除。刻蝕技術(shù)按工藝分類可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，其中干法刻蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法，濕法刻蝕主要包括化學刻蝕和電解刻蝕。由于在濕法刻蝕技術(shù)中使用液體試劑，相對于干法刻蝕，容易導致邊側(cè)形成斜坡、要求沖洗或干燥等步驟。因此干法刻蝕被普遍應(yīng)用于先進制程的小特征尺寸精細刻蝕中，并在刻蝕率、微粒損傷等方面具有較大的優(yōu)勢。目前先進的集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層最主要的刻蝕方法是單片處理的高密度等離子體刻蝕技術(shù)。一個等離子體刻蝕機的基本部件包括發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、產(chǎn)生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制

29、系統(tǒng)、去除生成物的真空系統(tǒng)。刻蝕中會用到大量的化學氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅，氯和氟刻蝕鋁，氯、氟和溴刻蝕硅，氧去除光刻膠。反應(yīng)離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕（RIE）是一種采用化學反應(yīng)和物理離子轟擊去除硅片表面材料的技術(shù)，是當前常用技術(shù)路徑，屬于物理和化學混合刻蝕。在傳統(tǒng)的反應(yīng)離子刻蝕機中，進入反應(yīng)室的氣體會被分解電離為等離子體，等離子體由反應(yīng)正離子、自由基、反應(yīng)原子等組成。反應(yīng)正離子會轟擊硅片表面形成物理刻蝕，同時被轟擊的硅片表面化學活性被提高，之后硅片會與自由基和反應(yīng)原子形成化學刻蝕。這個過程中由于離子轟擊帶有方向性，RIE技術(shù)具有較好的各向異性。原子層刻蝕為未來技術(shù)發(fā)展方向隨著國際上高端量產(chǎn)芯片

30、從14nm-10nm階段向7nm、5nm甚至更小的方向發(fā)展，當前市場普遍使用的沉浸式光刻機受光波長的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進一步提升。制程升級背景下，刻蝕次數(shù)顯著增加。隨著半導體制程的不斷縮小，受光波長限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加以及刻蝕設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中價值比率不斷上升，其中20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。以硅片上的原子層刻蝕為例，首先，氯氣被導入刻蝕腔，

31、氯氣分子吸附于硅材料的表面，形成一個氯化層。這一步改性步驟具有自限制性：表面一旦飽和，反應(yīng)立即停止。緊接著清楚刻蝕腔中過量的氯氣，并引入氬離子。使這些離子轟擊硅片，物理性去除硅-氯反應(yīng)后產(chǎn)生的氯化層，進而留下下層未經(jīng)改性的硅表面。這種去除過程仍然依靠自限制性，在氯化層被全部去除后，過程中止。以上兩個步驟完成后，一層極薄的材料就能被精準的從硅片上去除。半導體設(shè)備市場快速發(fā)展，刻蝕設(shè)備價值量可觀半導體設(shè)備市場快速發(fā)展，2022有望再創(chuàng)新高。隨著2013年以來全球半導體行業(yè)的整體發(fā)展，半導體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模也實現(xiàn)快速增長。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2013年到2020年間，全球半導體設(shè)備銷售額由320億美元

32、提升至712億美元，年復合增速達到12.10%。2021年全球半導體設(shè)備市場規(guī)模突破1000億美元，達到歷史新高的1026億美元，同比大增44。根據(jù)SEMI預測，2022年全球半導體設(shè)備市場有望再創(chuàng)新高，達到1140億美元。目前全球半導體設(shè)備的市場主要由國外廠商高度壟斷。根據(jù)芯智訊發(fā)布的基于各公司財報統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，在未剔除FPD設(shè)備及相關(guān)服務(wù)收入、以2021年度中間匯率為基準進行計算，2021年全球前十五大半導體設(shè)備廠商中僅有一家ASMPacificTechnology來自中國香港，2021年銷售額為17.39億美元，位列榜單第14位。整體來看目前全球半導體設(shè)備市場主要被外國市場壟斷。刻蝕設(shè)備

33、投資占比不斷，成為半導體產(chǎn)業(yè)第一大設(shè)備。先進集成電路大規(guī)模生產(chǎn)線的投資可達100億美元，75%以上是半導體設(shè)備投資，其中最關(guān)鍵、最大宗的設(shè)備是等離子體刻蝕設(shè)備。根據(jù)SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年晶圓加工設(shè)備價值構(gòu)成中，刻蝕、光刻、CVD設(shè)備占比分別為22.14%、21.30%、16.48%，刻蝕設(shè)備成為半導體產(chǎn)業(yè)第一大設(shè)備。過去50年中，人類微觀加工能力不斷提升，從電子管計算機到現(xiàn)在的14納米、7納米器件，微觀器件的基本單元面積縮小了一萬億倍。由于光的波長限制，20納米以下微觀結(jié)構(gòu)的加工更多使用等離子體刻蝕和薄膜沉積的組合。集成電路芯片的制造工藝需要成百上千個步驟，其中等離子體刻蝕就需要幾十到

34、上百個步驟，是在制造過程中使用次數(shù)頻多、加工過程非常復雜的重要加工技術(shù)。泛林半導體占據(jù)刻蝕設(shè)備半壁江山光刻機和刻蝕機作為產(chǎn)業(yè)的核心裝備，占據(jù)了半導體設(shè)備投資中較大的份額。隨著半導體技術(shù)進步中器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導體利用其較低的設(shè)備成本和相對簡單的設(shè)計，逐漸在65nm、45nm設(shè)備市場超過TEL等企業(yè)，占據(jù)了全球大半個市場，成為行業(yè)龍頭。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，目前全球刻蝕設(shè)備行業(yè)的龍頭企業(yè)仍然為泛林半導體、東京電子和應(yīng)用材料三家，從市占率情況來看，2020年三家企業(yè)的合計市場份額占到了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上，其中泛林半導體獨占44.7%的市場份額。

35、全球龍頭持續(xù)投入，加強研發(fā)、外圍并購維持競爭力。應(yīng)用材料于2018年6月宣布成立材料工程技術(shù)推動中心（META中心），主要目標是加快客戶獲得新的芯片制造材料和工藝技術(shù)，從而在半導體性能、成本方面實現(xiàn)突破。泛林半導體依靠自身巨大的研發(fā)投入和強大的研發(fā)團隊，自主研發(fā)核心技術(shù)，走在半導體設(shè)備的技術(shù)前沿，開創(chuàng)多個行業(yè)標準，如其KIYO系列創(chuàng)造了業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)力、選擇比等多項記錄，其ALTUSMaxE系列采用業(yè)界首款低氟鎢ALD工藝，被視作鎢原子層沉積的行業(yè)標桿。除此之外，泛林半導體首創(chuàng)ALE技術(shù)，實現(xiàn)了原子層級別的可變控制性和業(yè)內(nèi)最高選擇比。堅持擴大內(nèi)需全面開放，融入新發(fā)展格局構(gòu)建綜合立體交通網(wǎng)絡(luò)。實施

36、交通強市戰(zhàn)略，打造“一廊一心四通道”，推動樂山由陸路交通時代向立體交通時代跨越。建設(shè)“空中走廊”，建成樂山機場及市中區(qū)通用航空機場，加快建設(shè)峨眉山等3個通用航空基地，把樂山機場打造為成渝地區(qū)國際旅游機場。建設(shè)“航運中心”，加快推進岷江港航電綜合開發(fā)，協(xié)同暢通成渝黃金水道岷江段，推動“樂山港”加快升級打造為“成都港”。拓展“四向通道”，織密北向，以建設(shè)成樂高速擴容、天眉樂高速、天府大道南延線等為重點，暢通成樂一體化大動脈；深化南向，以建設(shè)成昆鐵路擴能改造工程、成貴鐵路動車存車場、樂西高速等為重點，融入西部陸海新通道；突出東向，以建設(shè)連樂鐵路、雅眉樂自城際鐵路、樂安銅高速等為重點，融入長江經(jīng)濟帶發(fā)

37、展；拓展西向，以建設(shè)峨漢高速、樂滎高速等為重點，加強與川西北、川藏走廊的交通聯(lián)系。構(gòu)建現(xiàn)代城鎮(zhèn)體系。按照“一主一副四星多點”布局，構(gòu)建以主城為引擎、市域副中心為支撐、“衛(wèi)星”城市為補充、縣域副中心和中心鎮(zhèn)為基礎(chǔ)的城鎮(zhèn)體系，加快推進以人為核心的新型城鎮(zhèn)化。抓好主城建設(shè)，推動市中區(qū)按照“減容、增綠、控高、修復”原則加快舊城有機更新，加快推進城市交通緩堵保暢，基本建成蘇稽文體新城，打造區(qū)域性消費中心、金融中心；推動峨眉山市創(chuàng)建全國縣域經(jīng)濟百強縣，打造世界重要旅游目的地示范區(qū)；推動樂山國家高新區(qū)擴區(qū)升格，基本建成總部經(jīng)濟、創(chuàng)新高地、現(xiàn)代新城；推動五通橋區(qū)基本建成“中國綠色硅谷”，爭創(chuàng)國家級開發(fā)區(qū)、省級

38、新區(qū)；推動沙灣區(qū)擁河發(fā)展，加快省級開發(fā)區(qū)擴容提質(zhì)，基本建成工旅融合發(fā)展示范區(qū)；推動夾江縣、井研縣建成成樂一體化發(fā)展先行示范區(qū)。抓好市域副中心建設(shè)，推動犍為縣爭創(chuàng)國家級開發(fā)區(qū)，建成樂山經(jīng)濟發(fā)展新的增長極。抓好“衛(wèi)星”城市建設(shè)，以增強人口承載能力、壯大縣域經(jīng)濟、接續(xù)鄉(xiāng)村振興為重點，提升馬邊、沐川、峨邊、金口河四個“衛(wèi)星”城市發(fā)展能級，爭創(chuàng)“綠水青山就是金山銀山”實踐創(chuàng)新基地，推動具備條件的縣撤縣設(shè)區(qū)（市）。抓好縣域副中心和中心鎮(zhèn)建設(shè)，推動公共服務(wù)擴面提標、人居環(huán)境改善提級、產(chǎn)業(yè)培育質(zhì)量提升，促進農(nóng)業(yè)轉(zhuǎn)移人口就地就近市民化。全面推進鄉(xiāng)村振興。按照“一鞏固五振興”思路，建設(shè)農(nóng)業(yè)強、農(nóng)村美、農(nóng)民富的新鄉(xiāng)

39、村。鞏固脫貧成果，健全防止返貧監(jiān)測和幫扶機制，建立農(nóng)村低收入人口和欠發(fā)達地區(qū)的幫扶機制，實現(xiàn)鞏固拓展脫貧攻堅成果同鄉(xiāng)村振興有效銜接。狠抓產(chǎn)業(yè)振興，著力豐富鄉(xiāng)村經(jīng)濟業(yè)態(tài)，壯大新型經(jīng)營主體，建立農(nóng)業(yè)產(chǎn)權(quán)交易體系，做強農(nóng)村集體經(jīng)濟，農(nóng)村居民人均可支配收入增幅高于城鎮(zhèn)居民。狠抓人才振興，著力加強農(nóng)業(yè)職業(yè)經(jīng)理人、新型職業(yè)農(nóng)民、鄉(xiāng)村規(guī)劃師、新鄉(xiāng)賢隊伍建設(shè)，打造一支“永久牌”鄉(xiāng)村人才隊伍。狠抓文化振興，著力實施鄉(xiāng)村優(yōu)秀文化遺產(chǎn)保護與傳承工程，留住“鄉(xiāng)村記憶”。狠抓生態(tài)振興，著力開展新一輪農(nóng)村人居環(huán)境整治和農(nóng)村基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提升行動，“美麗四川宜居鄉(xiāng)村”達標村占比80%以上。狠抓組織振興，著力實施“頭雁提升”行

40、動，深入開展軟弱渙散村黨組織整頓，建強基層戰(zhàn)斗堡壘。拓展投資空間。圍繞交通水利、新區(qū)建設(shè)、新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、主導產(chǎn)業(yè)、民生等重點領(lǐng)域，實施“三大千億投資計劃”，發(fā)揮好投資拉動內(nèi)需的關(guān)鍵作用。實施千億基礎(chǔ)設(shè)施提升計劃，聚焦“兩新一重”領(lǐng)域，加快推進岷江港航電綜合開發(fā)等重大項目，力爭“十四五”基礎(chǔ)設(shè)施投資規(guī)模達2000億元以上。實施千億產(chǎn)業(yè)提質(zhì)增效計劃，聚焦產(chǎn)業(yè)延鏈補鏈強鏈，力爭“十四五”產(chǎn)業(yè)投資規(guī)模達3000億元以上。實施千億民生補短計劃，聚焦提升人民生活品質(zhì)，加強普惠性、基礎(chǔ)性、兜底性民生建設(shè)，力爭“十四五”民生投資規(guī)模達2000億元以上。提高對外開放水平。突出建口岸、辦會展、強合作、拓路徑，

41、努力變內(nèi)陸腹地為開放前沿，加快建設(shè)對外開放高地。建設(shè)開放口岸，建立完善立體口岸體系，建成保稅物流中心（B型），力爭升級為綜合保稅區(qū)。辦好國際會展，提高茶博會、藥博會、陶博會品牌影響力，推動四川國際旅游交易博覽會升級為中國西部文旅博覽會。強化區(qū)域合作，深化拓展東西部協(xié)作，大力推進“五聯(lián)三融”工程，加快推動成樂一體化發(fā)展，規(guī)劃建設(shè)一批飛地園區(qū)和協(xié)作園區(qū)，打造承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移帶動彝區(qū)脫貧振興示范區(qū)，爭創(chuàng)東西部協(xié)作示范市。拓寬開放路徑，深化與區(qū)域全面經(jīng)濟伙伴關(guān)系協(xié)定（RCEP）成員國、“一帶一路”沿線國家和地區(qū)、國際友好城市（景區(qū)）交流合作，全力引進一批“553”企業(yè)、技術(shù)龍頭企業(yè)和配套生產(chǎn)型服務(wù)項目，加

42、大外資引進力度，提升開放型經(jīng)濟發(fā)展水平。行業(yè)發(fā)展分析等離子體刻蝕面臨的問題隨著當前先進芯片關(guān)鍵尺寸的不斷減小以及FinFET與3DNAND等三維結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，不同尺寸的結(jié)構(gòu)在刻蝕中的速率差異將影響刻蝕速率，對于高深寬比的圖形窗口來說，化學刻蝕劑難以進入，反應(yīng)生成物難以排出。另外，薄膜堆棧一般由多層材料組成，不同材料的刻蝕速率不同，很多刻蝕工藝都要求具有極高的選擇比。第三個問題在于當達到期望深度之后，等離子體中的高能離子可能會導致硅片表面粗糙或底層材料損傷。干法刻蝕通常不能提供對下一層材料足夠高的刻蝕選擇比。在這種情況下，一個等離子體刻蝕機應(yīng)裝上一個終點檢測系統(tǒng)，使得在造成最小的過刻蝕時停止刻蝕過

43、程。當下一層材料正好露出來時，重點檢測器會觸發(fā)刻蝕機控制器而停止刻蝕。高密度等離子體刻蝕在先進的集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層最主要的刻蝕方法是單片處理的高密度等離子體刻蝕技術(shù)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，等離子體刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕（CCP）、電感性等離子體刻蝕(ICP)、電子回旋加速震蕩（ECR）和雙等離子體源。電子回旋加速震蕩（ECR）反應(yīng)器是最早商用化的高密度等離子體反應(yīng)器之一，它是1984年前后日本日立公司最早研究的，第一次使用是在20世紀80年代初。它在現(xiàn)代硅片制造中仍然用于0.25微米及以下尺寸圖形的刻蝕。ECR反應(yīng)器的一個關(guān)鍵是磁場平行于反應(yīng)劑的流動方向，這使自由電

44、子由于磁力作用做螺旋形運動。增加了電子碰撞的可能性，從而產(chǎn)生高密度的等離子體。優(yōu)點在于能產(chǎn)生高的各向異性刻蝕圖形，缺點是設(shè)備復雜度較高。耦合等離子體刻蝕機包括電容耦合（CCP）與電感耦合（ICP），相比ECR結(jié)構(gòu)簡單且成本低。電容耦合等離子體刻蝕機（CCP）通過電容產(chǎn)生等離子體，而電感耦合等離子體刻蝕機（ICP）通過螺旋線圈產(chǎn)生等離子體。硅片基底為加裝有低功率射頻偏置發(fā)生器的電源電極，用來控制轟擊硅片表面離子的能量，從而使得整個裝置能夠分離控制離子的能量與濃度。電容性等離子體刻蝕（CCP）主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕（ICP）主要

45、是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。雙等離子體源刻蝕機主要由源功率單元、上腔體、下腔體和可移動電極四部分組成。這一系統(tǒng)中用到了兩個RF功率源。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度，但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度，從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。項目總論項目名稱及項目單位項目名稱：樂山機械設(shè)備項目項目單位：xx有限責任公司項目建設(shè)地點本期項目選址位于xxx（待定），占地面積約89.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位

46、置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。可行性研究范圍按照項目建設(shè)公司的發(fā)展規(guī)劃，依據(jù)有關(guān)規(guī)定，就本項目提出的背景及建設(shè)的必要性、建設(shè)條件、市場供需狀況與銷售方案、建設(shè)方案、環(huán)境影響、項目組織與管理、投資估算與資金籌措、財務(wù)分析、社會效益等內(nèi)容進行分析研究，并提出研究結(jié)論。編制依據(jù)和技術(shù)原則（一）編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要；2、中國制造2025；3、建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；4、項目公司提供的發(fā)展規(guī)劃、有關(guān)資料及相關(guān)數(shù)據(jù)等。（二）技術(shù)原則按照“保證生產(chǎn)，簡化輔助”的原則進行

47、設(shè)計，盡量減少用地、節(jié)約資金。在保證生產(chǎn)的前提下，綜合考慮輔助、服務(wù)設(shè)施及該項目的可持續(xù)發(fā)展。采用先進可靠的工藝流程及設(shè)備和完善的現(xiàn)代企業(yè)管理制度，采取有效的環(huán)境保護措施，使生產(chǎn)中的排放物符合國家排放標準和規(guī)定，重視安全與工業(yè)衛(wèi)生使工程項目具有良好的經(jīng)濟效益和社會效益。建設(shè)背景、規(guī)模（一）項目背景目前全球半導體設(shè)備的市場主要由國外廠商高度壟斷。根據(jù)芯智訊發(fā)布的基于各公司財報統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，在未剔除FPD設(shè)備及相關(guān)服務(wù)收入、以2021年度中間匯率為基準進行計算，2021年全球前十五大半導體設(shè)備廠商中僅有一家ASMPacificTechnology來自中國香港，2021年銷售額為17.39億美元，位

48、列榜單第14位。整體來看目前全球半導體設(shè)備市場主要被外國市場壟斷。刻蝕設(shè)備投資占比不斷，成為半導體產(chǎn)業(yè)第一大設(shè)備。先進集成電路大規(guī)模生產(chǎn)線的投資可達100億美元，75%以上是半導體設(shè)備投資，其中最關(guān)鍵、最大宗的設(shè)備是等離子體刻蝕設(shè)備。根據(jù)SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年晶圓加工設(shè)備價值構(gòu)成中，刻蝕、光刻、CVD設(shè)備占比分別為22.14%、21.30%、16.48%，刻蝕設(shè)備成為半導體產(chǎn)業(yè)第一大設(shè)備。過去50年中，人類微觀加工能力不斷提升，從電子管計算機到現(xiàn)在的14納米、7納米器件，微觀器件的基本單元面積縮小了一萬億倍。由于光的波長限制，20納米以下微觀結(jié)構(gòu)的加工更多使用等離子體刻蝕和薄膜沉積的組

49、合。集成電路芯片的制造工藝需要成百上千個步驟，其中等離子體刻蝕就需要幾十到上百個步驟，是在制造過程中使用次數(shù)頻多、加工過程非常復雜的重要加工技術(shù)。泛林半導體占據(jù)刻蝕設(shè)備半壁江山（二）建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積59333.00（折合約89.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積111696.13。其中：生產(chǎn)工程69273.65，倉儲工程24806.77，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施10847.60，公共工程6768.11。項目建成后，形成年產(chǎn)xxx套機械設(shè)備的生產(chǎn)能力。項目建設(shè)進度結(jié)合該項目建設(shè)的實際工作情況，xx有限責任公司將項目工程的建設(shè)周期確定為24個月，其工作內(nèi)容包括：項目前期準備、工程勘察

50、與設(shè)計、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。環(huán)境影響本項目符合產(chǎn)業(yè)政策、符合規(guī)劃要求、選址合理；項目建設(shè)具有較明顯的社會、經(jīng)濟綜合效益；項目實施后能滿足區(qū)域環(huán)境質(zhì)量與環(huán)境功能的要求，但項目的建設(shè)不可避免地對環(huán)境產(chǎn)生一定的負面影響，只要建設(shè)單位嚴格遵守環(huán)境保護“三同時”管理制度，切實落實各項環(huán)境保護措施，加強環(huán)境管理，認真對待和解決環(huán)境保護問題，對污染物做到達標排放。從環(huán)保角度上講，項目的建設(shè)是可行的。建設(shè)投資估算（一）項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資54588.47萬元，其中：建設(shè)投資40515.33萬元，占項目總投

51、資的74.22%；建設(shè)期利息1038.41萬元，占項目總投資的1.90%；流動資金13034.73萬元，占項目總投資的23.88%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資40515.33萬元，包括工程費用、工程建設(shè)其他費用和預備費，其中：工程費用35263.48萬元，工程建設(shè)其他費用4307.91萬元，預備費943.94萬元。項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標（一）財務(wù)效益分析根據(jù)謹慎財務(wù)測算，項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入108900.00萬元，綜合總成本費用90776.50萬元，納稅總額8932.36萬元，凈利潤13229.21萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率17.20%，財務(wù)凈現(xiàn)值10691.64萬元，全部投資回收期6.47

52、年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積59333.00約89.00畝1.1總建筑面積111696.131.2基底面積36193.131.3投資強度萬元/畝439.692總投資萬元54588.472.1建設(shè)投資萬元40515.332.1.1工程費用萬元35263.482.1.2其他費用萬元4307.912.1.3預備費萬元943.942.2建設(shè)期利息萬元1038.412.3流動資金萬元13034.733資金籌措萬元54588.473.1自籌資金萬元33396.443.2銀行貸款萬元21192.034營業(yè)收入萬元108900.00正常運營年份5總成本費用萬元

53、90776.506利潤總額萬元17638.947凈利潤萬元13229.218所得稅萬元4409.739增值稅萬元4038.0710稅金及附加萬元484.5611納稅總額萬元8932.3612工業(yè)增加值萬元31625.9613盈虧平衡點萬元42555.64產(chǎn)值14回收期年6.4715內(nèi)部收益率17.20%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元10691.64所得稅后主要結(jié)論及建議該項目工藝技術(shù)方案先進合理，原材料國內(nèi)市場供應(yīng)充足，生產(chǎn)規(guī)模適宜，產(chǎn)品質(zhì)量可靠，產(chǎn)品價格具有較強的競爭能力。該項目經(jīng)濟效益、社會效益顯著，抗風險能力強，盈利能力強。綜上所述，本項目是可行的。項目選址分析項目選址原則1、符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和

54、相關(guān)標準規(guī)范的原則。2、符合產(chǎn)業(yè)政策、環(huán)境保護、耕地保護和可持續(xù)發(fā)展的原則。3、有利于產(chǎn)業(yè)發(fā)展、城鄉(xiāng)功能完善和城鄉(xiāng)空間資源合理配置與利用的原則。4、保障公共利益、改善人居環(huán)境的原則。5、保證城鄉(xiāng)公共安全和項目建設(shè)安全的原則。6、經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境效益相互協(xié)調(diào)的原則。建設(shè)區(qū)基本情況樂山，四川省轄地級市，古稱嘉州，有“海棠香國”的美譽。位于四川省中部，四川盆地的西南部，地勢西南高，東北低，屬中亞熱帶氣候帶。樂山是四川省重要工業(yè)城市、成都經(jīng)濟區(qū)南部區(qū)域中心城市、重要樞紐城市、成渝城市群重要交通節(jié)點和港口城市。成昆鐵路、成貴高鐵貫穿全境。樂山三江匯合。大渡河，青衣江在樂山大佛腳下匯入岷江。樂山是

55、國家歷史文化名城，國家首批對外開放城市、全國綠化模范城市、中國優(yōu)秀旅游城市、國家園林城市、全國衛(wèi)生城市。樂山有世界級遺產(chǎn)三處世界自然與文化遺產(chǎn)峨眉山和樂山大佛、世界灌溉工程遺產(chǎn)東風堰，國家4A級景區(qū)以上景區(qū)15處，國家A級景區(qū)35處。截至2018年底，樂山市轄4區(qū)6縣，代管1個縣級市；總面積12720.03平方公里。根據(jù)第七次人口普查數(shù)據(jù)，截至2020年11月1日零時，樂山市常住人口為3160168人。2020年樂山市地區(qū)生產(chǎn)總值2003.43億元。2019年7月，被評為國家知識產(chǎn)權(quán)試點城市。2020年10月20日，入選全國雙擁模范城（縣）名單。統(tǒng)籌推進“五位一體”總體布局，協(xié)調(diào)推進“四個全面

56、”戰(zhàn)略布局，堅定不移貫徹新發(fā)展理念，堅持穩(wěn)中求進工作總基調(diào)，深入實施省委“一干多支、五區(qū)協(xié)同”“四向拓展、全域開放”戰(zhàn)略部署，堅持“旅游興市、產(chǎn)業(yè)強市”不動搖、“干在實處、走在前列”不停步，著力釋放新發(fā)展勢能、融入新發(fā)展格局、催生新發(fā)展動能、彰顯新發(fā)展底色、筑牢新發(fā)展基石，推進治理體系和治理能力現(xiàn)代化，實現(xiàn)經(jīng)濟行穩(wěn)致遠、社會安定和諧，為全面建設(shè)社會主義現(xiàn)代化樂山開好局、起好步。到二三五年，與全國、全省同步基本實現(xiàn)社會主義現(xiàn)代化。經(jīng)濟實力大幅躍升，建成現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，總體實現(xiàn)新型工業(yè)化、信息化、城鎮(zhèn)化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化，經(jīng)濟總量和城鄉(xiāng)居民人均可支配收入邁上新的大臺階。發(fā)展動能實現(xiàn)轉(zhuǎn)換，科技創(chuàng)新成為經(jīng)濟增

57、長的主要動力。基本建成法治政府、法治社會，基本實現(xiàn)治理體系和治理能力現(xiàn)代化。對外開放新優(yōu)勢明顯增強，社會文明程度不斷加深，基本公共服務(wù)實現(xiàn)均等化，人民生活更加美好，人的全面發(fā)展、全體人民共同富裕取得更為明顯的實質(zhì)性進展，全面建成開放富強的活力樂山、山清水秀的美麗樂山、現(xiàn)代精致的品質(zhì)樂山、平安幸福的和諧樂山。堅持旅游興市產(chǎn)業(yè)強市，釋放新發(fā)展勢能培育壯大文旅經(jīng)濟。持續(xù)深化“四篇文章”，共建巴蜀文化旅游走廊，推動旅游大市向旅游強市轉(zhuǎn)變。深化文旅融合，深入挖掘佛禪文化、彝族文化、沫若文化、武術(shù)文化、美食文化，壯大文創(chuàng)動漫、數(shù)字文旅、研學旅游、主題樂園、月光經(jīng)濟、運動體驗等新業(yè)態(tài)，創(chuàng)建國家文化產(chǎn)業(yè)和旅游

58、產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展示范區(qū)。深化擴容提質(zhì)，實施“峨眉南進”“立體禮佛”“遺產(chǎn)走廊”等行動計劃，將東風堰千佛巖打造為樂山旅游第三極，推進鳳洲島、張溝片區(qū)等綜合開發(fā)，提升嘉陽桫欏湖、沐川竹海、美女峰等景區(qū)開發(fā)水平，高品質(zhì)打造峨眉河休閑度假產(chǎn)業(yè)帶、大渡河研學旅游產(chǎn)業(yè)帶，創(chuàng)建一批國家級旅游度假區(qū)和5A級旅游景區(qū)。深化景城一體，拓展“城市陽臺”，培育“內(nèi)河景觀”，建設(shè)一批城市休閑街區(qū)、慢行系統(tǒng)、觀光交通，配套旅游產(chǎn)業(yè)要素，提升城市旅游公共服務(wù)功能，爭創(chuàng)國家文化和旅游消費試點城市。深化全域旅游，加快開發(fā)大瓦山、黑竹溝、大風頂?shù)葍?yōu)質(zhì)旅游資源，延伸旅游鏈條，壯大“九組團”，打造樂山旅游新增長極；積極培育市場主體，推進

59、相關(guān)產(chǎn)業(yè)與旅游業(yè)融合發(fā)展，打造旅游產(chǎn)業(yè)園區(qū)，做優(yōu)大峨眉旅游圈，構(gòu)建小涼山旅游圈；鼓勵創(chuàng)建天府旅游名縣、名鎮(zhèn)、名村、名企，爭創(chuàng)一批國家全域旅游示范區(qū)。繁榮發(fā)展現(xiàn)代服務(wù)業(yè)。以打造“三中心三基地兩城”為抓手，推動生產(chǎn)性服務(wù)業(yè)向?qū)I(yè)化和價值鏈高端延伸、生活性服務(wù)業(yè)向高品質(zhì)和多樣化升級，建設(shè)全省區(qū)域性服務(wù)業(yè)中心城市和全省區(qū)域性消費中心城市。打造全省區(qū)域現(xiàn)代商貿(mào)中心，統(tǒng)籌布局全市核心商圈、特色街區(qū)、批發(fā)市場等商業(yè)網(wǎng)點，壯大平臺經(jīng)濟、電商經(jīng)濟、共享經(jīng)濟等新業(yè)態(tài)，構(gòu)建多元化消費場景。打造全省區(qū)域現(xiàn)代金融中心，發(fā)展科技金融、綠色金融、數(shù)字金融，增強金融服務(wù)實體經(jīng)濟能力；擴大直接融資規(guī)模和間接融資體量，優(yōu)化融資結(jié)

60、構(gòu)，構(gòu)建多元化融資格局。打造全省區(qū)域現(xiàn)代物流中心，建設(shè)空港物流園、成都（樂山）港物流園、燕崗鐵路無水港、樂山快遞物流園等，壯大冷鏈物流、大件物流、多式聯(lián)運、城市配送，引進培育一批A級物流企業(yè)，把交通樞紐優(yōu)勢轉(zhuǎn)化為物流經(jīng)濟優(yōu)勢。打造全省科技信息示范基地，加快科技創(chuàng)新平臺、科技服務(wù)大市場、科技金融街區(qū)等項目建設(shè)，加大研發(fā)創(chuàng)新、技術(shù)轉(zhuǎn)移和成果轉(zhuǎn)化力度，加快數(shù)據(jù)合法開放和“互聯(lián)網(wǎng)”在各領(lǐng)域的融合，優(yōu)化提升信息消費環(huán)境。打造全省人力資源服務(wù)基地，建設(shè)四川文旅人力資源服務(wù)大數(shù)據(jù)中心，構(gòu)建專業(yè)化、數(shù)字化、多元化的現(xiàn)代人力資源服務(wù)和人力資本產(chǎn)業(yè)鏈，努力建成國家級文化旅游人力資源市場。打造全省康養(yǎng)產(chǎn)業(yè)示范基地，