1、該復習資料，不一定適用于本校，但有比沒有要好。第一章 半導體二極管一.半導體的基礎知識1.半導體-導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性-光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體-純凈的具有單晶體結構的半導體。 4.兩種載流子 -帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統稱為載流子。 5.雜質半導體-在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。 *P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質半導體的特性 *載流子的濃度-多子濃度決定于雜質濃

2、度，少子濃度與溫度有關。 *轉型-通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。7. PN結 * PN結的單向導電性-正偏導通，反偏截止。8. PN結的伏安特性二. 半導體二極管 *單向導電性-正向導通，反向截止。 *二極管伏安特性-同結。 *正向導通壓降-硅管0.7V，鍺管0.2V。 *開啟電壓-硅管0.5V，鍺管0.1V。分析方法- -將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰( 正偏 )，二極管導通(短路或壓降0.7V); 若 V陽 <V陰( 反偏 )，二極管截止(開路)。 三、 穩壓二極管及其穩壓電路*穩壓二極管的特性-正常工作時處在PN結的

3、反向擊穿區，所以穩壓二極管在電路中要反向連接。第二章 三極管及其基本放大電路一. 三極管的結構、類型及特點1.類型-分為NPN和PNP兩種。2.特點-基區很薄，且摻雜濃度最低；發射區摻雜濃度很高，與基區接觸 面積較小；集電區摻雜濃度較高，與基區接觸面積較大。 二. 三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態2. 三極管內各極電流的分配 * 共發射極電流放大系數 (表明三極管是電流控制器件) 其中ICEO是穿透電流（越小越好），ICBO是集電極反向電流。3. 共射電路的特性曲線*輸入特性曲線-同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示)放大區-發射結正偏，集電結反偏。 飽和區-發射結

4、正偏，集電結正偏截止區-發射結反偏，集電結反偏。根據電位如何判斷管子是否處于放大狀態：對NPN管而言，放大時VC VB VE 對PNP管而言，放大時VC VB VE 4. 溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及均增加。5.三極管的極限參數ICM 最大集電極電流PCM 最大的集電極耗散功率U（BR）CEO C-E間的擊穿電壓三. 低頻小信號等效模型hie-輸出端交流短路時的輸入電阻， 常用rbe表示； hfe-輸出端交流短路時的正向電流傳輸比， 常用表示；微變等效模型用于分析晶體管在小信號輸入時的動態情況，不能用于靜態分析。四. 基本放大電路組成及其原

5、則1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。2.組成原則-能放大、不失真、能傳輸。五. 放大電路的圖解分析法1. 直流通路與靜態分析 *概念-直流電流通的回路。 *畫法-電容視為開路。 *作用-確定靜態工作點 *直流負載線-由 確定的直線。*電路參數對靜態工作點的影響交流負載線 1）改變Rc ：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。 2）改變VCC：直流負載線平移，Q點發生移動。 2. 交流通路與動態分析*概念-交流電流流通的回路*畫法-電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 *作用-分析信號被放大的過程。*交流負載線- 連接Q點和V CC點 V CC= UCEQ+ICQR

6、 L的直線。 3. 靜態工作點與非線性失真（1）截止失真*產生原因-Q點設置過低 *失真現象-NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法-提高Q。（2） 飽和失真*產生原因-Q點設置過高 *失真現象-NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法-增大Rb、減小Rc、增大VCC ，降低Q點。 六. 阻容耦合共射放大電路的等效電路法1. 靜態分析2.放大電路的動態分析 * 放大倍數 * 輸入電阻* 輸出電阻7. 穩定工作點共射放大電路的等效電路法1靜態分析2動態分析*有旁路電容* 無旁路電容八. 共集電極基本放大電路1靜態分析2動態分析3. 電路特點 * 電壓放大倍數為正，且略小于1，稱為射極跟隨器。 *

7、輸入電阻高，輸出電阻低（帶載能力強）。* 有電流放大能力。八. 共基電極基本放大電路（高頻特性好，展寬頻帶）九復合管的判定：不同類型的管子復合后，其類型取決于第一個管子。 第三章 場效應管及其基本放大電路一. 結型場效應管（ JFET ） 1.結構示意圖和電路符號2. 輸出特性曲線 （可變電阻區、放大區、截止區、擊穿區） 二. 絕緣柵型場效應管（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結構示意圖和電路符號2. 特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線* N-EMOS的轉移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。三. 場效應管的主要參數1.漏極飽和電流IDSS2.

8、夾斷電壓Up3.開啟電壓UT4.直流輸入電阻RGS5.低頻跨導gm (表明場效應管是電壓控制器件)四. 場效應管的低頻小信號等效模型五. 共源基本放大電路分壓式偏置放大電路* 動態分析 第四章 多級放大電路1. 級間耦合方式1. 阻容耦合-各級靜態工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。 2. 變壓器耦合 -各級靜態工作點彼此獨立，可以實現阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸低頻和高頻信號。 3. 直接耦合-低頻特性好，便于集成。各級靜態工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現象。 *零點漂移-當溫度變化或電源電壓改變時，靜態工作點

9、也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。二. 多級放大電路的動態分析1. 電壓放大倍數2. 輸入電阻3. 輸出電阻三. 長尾差放電路（抑制直接耦合電路中的溫漂）的原理與特點1.靜態分析通常，Rb較小，且IBQ很小，2. 動態分析 四. 共模信號與差模信號的計算共模信號：兩輸入信號的平均值差模信號：兩輸入信號的差五差分放大電路的改進第五章 集成運算放大電路一. 集成運放電路的基本組成1.輸入級-采用差放電路，以減小零漂。2.中間級-多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數。 3.輸出級-多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。4.偏置電路-多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態電流。

10、 二. 集成運放的電壓傳輸特性當uI在+Uim與-Uim之間，運放工作在線性區域 ： 三 理想集成運放的參數及分析方法1. 理想集成運放的參數特征* 開環電壓放大倍數 Aod；* 差模輸入電阻 Rid；* 輸出電阻 Ro0；* 共模抑制比KCMR；2. 理想集成運放的分析方法 1) 運放工作在線性區:* 電路特征引入負反饋* 電路特點“虛短”和“虛斷”: “虛短” - “虛斷” - 2) 運放工作在非線性區 * 電路特征開環或引入正反饋 * 電路特點輸出電壓的兩種飽和狀態: 當u+>u-時，uo=+Uom 當u+<u-時，uo=-Uom 四集成運放的讀圖第六章 放大電路中的反饋一

11、反饋概念的建立開環放大倍數閉環放大倍數 反饋深度環路增益： 1當時，下降，這種反饋稱為負反饋。 2當時，表明反饋效果為零。3當時，升高，這種反饋稱為正反饋。4當時 ， 。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態。二反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍-局部或級間。2.有無反饋的判斷-看輸出回路與輸入回路是否有聯系，有則有反饋，無則沒有反饋。3. 反饋的性質-交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。 4.反饋的類型-正反饋：反饋的結果使輸出量的變化增大的反饋； 負反饋：反饋的結果使輸出量的變化減小的反饋。對于單個集成運放，若

12、反饋線引至同相端，則為正反饋；反之為負反饋。反饋極性-瞬時極性法：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示）。 （2）根據該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負反饋；Xid 增大為正反饋。 5. 反饋的取樣-電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩定輸出電壓的作用。 （輸出短路時反饋消失） 電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩定輸出電流的作用。 （輸出短路時反饋不消失）6. 反饋的方式-并聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。 串聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路

13、中以電壓的形式相疊加。 三基于反饋系數的電壓放大倍數的分析（1）判斷反饋的組態；（2）求解反饋系數；（3）利用反饋系數求解放大倍數。深度負反饋下，四基于理想集成運放的電壓放大倍數的分析合理應用虛短和虛斷。五.負反饋對放大電路性能的影響 1. 提高放大倍數的穩定性2. 擴展頻帶3. 減小非線性失真及抑制干擾和噪聲4. 改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯負反饋使輸入電阻增加 *并聯負反饋使輸入電阻減小 *電壓負反饋使輸出電阻減小（穩定輸出電壓） *電流負反饋使輸出電阻增加（穩定輸出電流）五. 自激振蕩產生的原因和條件1. 產生自激振蕩的原因 附加相移將負反饋轉化為正反饋。 2. 產生自激振蕩的條

14、件 若表示為幅值和相位的條件則為： 第七章 信號的運算與處理分析依據- “虛斷”和“虛短”1. 基本運算電路1. 反相比例運算電路 R2 =R1/Rf 2. 同相比例運算電路 R2=R1/Rf 3. 反相求和運算電路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和運算電路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55. 加減運算電路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5二 積分和微分運算電路1. 積分運算2. 微分運算 第八章 信號發生電路1. 正弦波振蕩電路的基本概念1. 產生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2. 起振條件: 幅值條件 ：

15、相位條件:3.正弦波振蕩器的組成、分類*正弦波振蕩器的組成(1) 放大電路-建立和維持振蕩。(2) 正反饋網絡-與放大電路共同滿足振蕩條件。(3) 選頻網絡-以選擇某一頻率進行振蕩。(4) 穩幅環節-使波形幅值穩定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1) RC振蕩器-振蕩頻率較低,1M以下;(2) LC振蕩器-振蕩頻率較高,1M以上;(3) 石英晶體振蕩器-振蕩頻率高且穩定。二. RC正弦波振蕩電路1. RC串并聯正弦波振蕩電路三. LC正弦波振蕩電路1. 變壓器反饋式電路 判斷同名端的方法： 斷回路、引輸入、看相位 2.電感反饋式電路3.電容反饋式電路 四. 判斷電路是否能產生正弦波

16、振蕩（1）是否有正弦波振蕩器的四個部分（2）相位條件是否滿足，比如同名端是否正確等（3）電路的靜態工作點是否合適五電壓比較器的描述方法電壓傳輸特性的三個要素：（1）輸出高電平UOH和輸出低電平UOL（2）閾值電壓UT（3）輸入電壓過閾值電壓時輸出電壓躍變的方向六單限比較器、滯回比較器、窗口比較器七非正弦波的產生第九章 功率放大電路一. 功率放大電路的三種工作狀態1.甲類工作狀態 導通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。 2.乙類工作狀態 ICQ0， 導通角為180o，效率高，失真大（交越失真：晶體管輸入特性的非線性引起）。3.甲乙類工作狀態 導通角為180o360o，效率較高，失真較大。 二. 乙類功放電路的指標估算1. 工作狀態Ø 盡限狀態：Uom=VCC-UCESØ 理想狀態：UomVCC 2. 輸出功率3.效率理想時為78.5%4. 管耗 5.晶體管參數的選擇（是否安全工作） 第十章 直流電源一 直流電源的組成框圖 電源變壓器：將