1、晶體硅太陽能電池工藝流程如下：晶體硅太陽能電池工藝流程如下：表面絨面化表面絨面化 由于硅片用由于硅片用P P型（型（100100）硅片，）硅片，可利用氫氧化鈉溶液對單晶硅可利用氫氧化鈉溶液對單晶硅片進行各向異性腐蝕的特點來片進行各向異性腐蝕的特點來制備絨面。當各向異性因子制備絨面。當各向異性因子1010時（所謂各向異性因子就時（所謂各向異性因子就是（是（100100）面與（）面與（111111）面單晶）面單晶硅腐蝕速率之比），可以得到硅腐蝕速率之比），可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點。可提積大，

2、反射率低的特點。可提高單晶硅太陽電池的短路電流，高單晶硅太陽電池的短路電流，從而提高太陽電池的光電轉換從而提高太陽電池的光電轉換效率效率。 金字塔形角錐體的表面積金字塔形角錐體的表面積S0S0等于等于四個邊長為四個邊長為a a正三角形正三角形S S之和之和 由此可見有絨面的受光面積比光由此可見有絨面的受光面積比光面提高了倍即面提高了倍即1.7321.732倍。倍。20a3a23a214S絨面受光面積絨面受光面積 當一束強度為當一束強度為E0E0的光投射到圖中的的光投射到圖中的A A點，產生反射光點，產生反射光1 1和進和進入硅中的折射光入硅中的折射光2 2。反射光。反射光1 1可以繼續投射到另

3、一方錐的可以繼續投射到另一方錐的B B點，點，產生二次反射光產生二次反射光3 3和進入半導體的折射光和進入半導體的折射光4 4；而對光面電池就；而對光面電池就不產生這第二次的入射。經計算可知還有不產生這第二次的入射。經計算可知還有11%11%的二次反射光可能的二次反射光可能進行第三次反射和折射，由此可算得絨面的反射率為進行第三次反射和折射，由此可算得絨面的反射率為9.04%9.04%。絨面反射率絨面反射率等離子化學氣相沉積(PEVCD) PEVCD被使用來在硅片上沉積氮化硅材料，是在被使用來在硅片上沉積氮化硅材料，是在300-900的溫度下通過化學反應產生的溫度下通過化學反應產生Si3N4的過

4、的過程。典型的化學反應為：程。典型的化學反應為： SiH4 + NH3 Si3N4 + NH3 + N2 多晶硅太陽電池廣泛使用多晶硅太陽電池廣泛使用PECVD淀積淀積SiN ,由于由于PECVD淀積淀積SiN時時,不光是生長不光是生長SiN作為減反射膜作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶硅這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批可用于大批量生產高效多晶硅太陽電池量生產高效多晶硅太陽電池,為上世紀末多晶硅太為上世紀末多晶硅太陽電池的產量超過單晶硅太陽電池立下汗馬功勞陽電池的產量超過單晶硅太陽電池立下汗馬功勞。隨著。隨著PECVD在多晶硅太陽電池成功在多晶硅太陽電池成功,引起人們引起人們將將PECVD用于單晶硅太陽電池作表面鈍化的愿望用于單晶硅太陽電池作表面鈍化的愿望。 太陽能電池生產最主要的材料是單晶硅片或多晶硅片。 其它輔料包括: 化學液（ NaOH 、IPA、乙醇、銘酸、HF） 特氣（CF4、SiH4、NH3） 大宗氣體（CDA、N2、O2） 水（PCW、DI）單晶硅的制絨工藝：是通過NaOH和乙醇反應，在硅片上形成減反織構，增強電池對光線的吸收能力。多晶硅的制絨工藝：是加入鉻酸和氫氟酸，利用鉻酸的強氧化性將切割后硅片上的污物清除，并產