1、功率鐵氧體磁芯EIEEEEPQECEI60EE80EE35PQ50/50EC90EI50EE72EE30PQ40/40EC70EI40EE70EE25PQ35/35EC52EI35EE60EE19PQ32/30ECI70EI33EE55EE16PQ32/20EER49/54EI30EE50EE13PQ26/25EER49/43EI28EE49EE10PQ26/20EER49/38EI25EE42一PQ20/20EER42/43EI22EE42/20一PQ20/16EER42/45EI19一一一EER40/45EI16一一UF102EER28L常用功率鐵氧體材料牌號技術(shù)參數(shù)項目條件單位PC30P

2、C402500BB253C8N27g i一250023002500230020002000BmsH=1200A/mmT510510490510450510BrH=800A/mmT11795100130一一Hc一A/m1214.315.915.918.820TcC>230>215>230>220>200>220P200mT23c25KHz60c100 cKW/m31306009560090048一KW/m390一70一一一一KW/m3100一75一一一一100mT60c 100KHz100cKW/m3一450一450一一一KW/m3一410一410一一公司一一

3、TDKTDKTOKINTOKINFERROCXLUBSIEMENSEI型磁芯規(guī)格及參數(shù)型號ABCDEFHAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL nH/N2g eEI1616一一512.2一20.1983.460.6711001575EI1920一一5.213.55一2.30.243.960.9514001825EI222212.66614.310.34.50.423.931.6324002255EI2525.3196.5715.312.22.70.414.71.92721401962EI282818.67.51116.512.03.50.864.824I

4、303019111121165.51.115.806.4447501984EI3333一一1323.5一9.71.1856.758.0044502030EI353524.5101024184.61.016.716.8039502100EI404026.8121227.25217.51.487.711.350002070EI50503415153324.592.39.421.663002070EI606044161636288.52.4710.927.160002126PQ型磁芯規(guī)格及參數(shù)型號ABCDEFIAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)p. ePQ20/16

5、20.58.214188.712.55.40.623.742.3138801868PQ20/2020.510.214188.712.57.40.624.542.7933101944PQ26/2026.510.219231212.65.91.194.635.4961701920PQ26/2526.512.51922.512.215.57.91.185.556.5352501972PQ32/203210.42227.513.7195.61.705.559.4273101896PQ32/303215.32227.513.71910.51.617.4611.9751401898PQ35/353517.

6、5263214.623.512.351.968.7917.2648601733PQ40/404120.0283715.227.514.62.0110.1920.4543001738PQ50/505025.1324420.3531.517.93.2811.337.2467201850EE型磁芯規(guī)格及參數(shù)型號ABCDEFAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)g eEE1010.282.44.755.51.30.122.610.31510061767EE1313102.76.1561.30.1713.020.51711001550EE16161245720.193.40

7、0.6512001728EE1919144.84.982.60.223.900.8613501880EE252515.66.66.59.53.30.404.901.9620001952EE30302011111351.095.806.3247502000EE3333-一13.713.8一1.157.558.7138402000EE3534.926.59.39.514.241.067.007.3937901990EE404028111116.56.51.487.7011.4042502040EE424229.612.215.2216.21.829.7017.6047002510EE5050351

8、515218.52.269.6021.762502125EE555637.617.221.027.593.5412.343.571001977EE606044.61616228.32.4711.027.260002135EE707146.622.2205411.14.4523.18103.048201990EE7272.353.51919209.53.5813.448.167001995EE8079.359.42019.837.59.53.8118.369.852001980EC EER型磁芯規(guī)格及參數(shù)型號AB小CDEFE-EAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)

9、g eEC909171.23030459.691/906.2421.613.505550一EC707143,16.816.834.511.771/692.7914.440.148001963EIC70704416.216.229.86.870/392.79一一一一EC525332.113.7513.7524.28.753/491.810.518.842001942EER494937.416.916.9278.449/542.4611.829.0957001900EER49493716.916.921.56.549/432.5510.025.557001900EER494937.31717.21

10、96.549/382.2919.7222.2655001860EER42 4232.517.319.521.35.942/432.409.8623.6457601900EER424231.315.115.522.45.742/451.82510.1818.5742001860EER404029.413.313.322.4740/451.52810.2415.6434501840EER282821.91011.4174.328/340.8147.556 磁芯向有效截面積：Ae2, 磁芯向有效磁路長度：le3,相對幅值磁導(dǎo)率：4, 飽和磁通密度：Bs1 磁芯：正弦波與矩形

11、波比較一般情況下，磁芯損耗曲線是按正弦波 +/-交流(AC)激勵繪制的，在標準的 和正常的時候，是不提供極大值曲線的。涉及到開關(guān)電源電路設(shè)計的一個共同問題是正弦波和矩形波激勵的磁芯損耗的關(guān)系。對于高電阻率的如類似，正弦波和矩形波產(chǎn)生的損耗幾乎是相等的，但矩形波的損耗稍微小一些。材料中存在高的渦流損耗(如大一般情況下，具有矩形波的磁芯損耗比具有正弦波的磁芯損耗低一些。但在元件存在銅損的情況下，這是不正確的。在變壓器中，用矩形波激勵時的銅損遠遠大于用正弦波激勵時的銅損。高頻元件的損耗在銅損方面顯得更多，集膚效應(yīng)損耗比矩形波激勵磁芯的損耗給人們的印象更深刻。舉個例子，在20kHz、用17秋國線規(guī)導(dǎo)線

12、的繞組時，矩形波激勵的磁芯損耗幾乎是正弦波激勵磁芯損耗的兩倍。例如，對于許多開關(guān)電源來說，具有矩形波激勵磁芯的5V、20A和30A輸出的電源，必須采用多股絞線或利茲(Litz)線繞制線圈，不能使用粗的單股導(dǎo)線。2Q值曲線所有磁性材料制造廠商公布的 Q值曲線都是低損耗濾波器用材料的典型曲線。這些測試參數(shù)通常是用置于磁芯上的最適用的繞組完成的。對于罐形磁芯，Q值曲線指出了用作生成曲線時的繞組匝數(shù)和導(dǎo)線尺寸，導(dǎo)線是常用的利茲線，并且繞滿在線圈骨架上。對于鉬坡莫合金磁粉芯同樣是正確的。用最適合的繞組，并且導(dǎo)線繞滿了磁芯窗口時測試，則Q值曲線是標準的。Q值曲線是在典型值為5高斯或更低 的低交流(AC)激

13、勵電平下測量得出的。由于在磁通密度越高時磁芯的損耗越 大，故人們警告，在濾波電感器工作在高磁通密度時，磁芯的Q值是較低的。3 電感量、AL 系數(shù)和在正常情況下，磁芯制造廠商會發(fā)布電感器和濾波器磁芯的AL系數(shù)、電感量和磁導(dǎo)率等參數(shù)。這些 AL的極限值建立在初始磁導(dǎo)率范圍或者低磁通密度的基礎(chǔ)上。對于測試AL 系數(shù)，這是很重要的，測試AL 系數(shù)是在低磁通密度下實施的。某些質(zhì)量管理引入檢驗部門，希望由他們用幾匝繞組檢查磁芯，并用不能控制頻率或激勵電壓的數(shù)字電橋測試磁芯。幾乎毫不例外，以幾百高斯、若干千高斯 (kG) 、甚至使磁芯飽和的磁通密度的電壓激勵磁芯時，該電橋是平衡的。使用這些存在很少匝數(shù)的電橋

14、對不開氣隙的磁芯進行初始磁導(dǎo)率測量是不合適的。另外一種現(xiàn)象發(fā)生在測量低磁導(dǎo)率磁芯，諸如測量具有很少匝數(shù)的鉬磁芯時，在很低電感量(如1mH®更低)時，即不再應(yīng)用 AL的方程式。由于鄰近的 線匝有通過空氣隙偶合的情況，所以，所得的測試值呈現(xiàn)出正公差。例如，在一個10nH的電感器中，磁芯的AL存在超過20%勺正誤差是人們所希望的。這同樣地是基于很少匝數(shù)的原因。然而，如果電感器上的線匝是集總的，則其誤差會變得更加惡劣。通常情況下，在開展低磁導(dǎo)率磁芯的檢測時，人們將會在磁芯上繞置足夠的線匝以獲得超過 100nH的電感量，以便有效地預(yù)防正誤差。其它的誤差發(fā)生在測量磁芯電感系數(shù)過程中，具體地說，那

15、些誤差存在于大的空氣隙，包括繞滿了線匝的骨架中。1000AL時氣隙最小，100AL時具有最大氣隙。在圖中可見，如果線圈骨架上沒有被繞滿，一個負的測量誤差將形成。在100AL時，骨架上僅繞滿了 20%勺線匝，這將存在大約-7%的誤差。罐形 磁芯可保證正常的士 3%勺公差。因此，檢驗 AL值時，骨架上應(yīng)該繞滿線匝。也 就是說，測量電感值時應(yīng)該在遠遠低于自諧振頻率時進行。4 直流偏置關(guān)于磁導(dǎo)率與直流偏置關(guān)系的曲線，制造廠商提供的數(shù)據(jù)是在室溫下和假設(shè)低電平交流激勵電壓疊加在直流電壓上的典型值。增大交流激勵電平將引起磁芯的磁導(dǎo)率更快速滾離。具體地對而言，在較高溫度時，在較低磁場強度時產(chǎn)生的磁導(dǎo)率滾離要低

16、于室溫時產(chǎn)生的滾離。在其它方面，鉬坡莫合金磁芯磁導(dǎo)率的變化沒有大于高溫下若干百分點。5小結(jié)如在文章中所敘述的那樣，磁芯的適當測試取決于設(shè)計、分析和多種類型工作應(yīng)用的要求。應(yīng)強調(diào)的是對有效特性的測試和對產(chǎn)品質(zhì)量基礎(chǔ)可實施的標準化測試。顯然，許多額外的細節(jié)如電路性能等是不包括在測試范圍內(nèi)的，但可以保證以上的要求，事實上，提供給他們的不是專利.有效參數(shù)effectiveparameter在以磁性特性為根底計算磁芯的磁特性時，設(shè)磁芯被一個理想的環(huán)所替代，假如使磁環(huán)上繞的匝數(shù)與原來磁芯上的線圈匝數(shù)相同時，則可得到完整相同的電性能，這個代用環(huán)的磁特性和尺寸參數(shù)叫有效參數(shù)。如，有效磁路長度 Le,有效橫截面積 Ae,有效 磁導(dǎo)率w e等。4.2 振幅磁導(dǎo)率 amplitudepermeability a當磁場強度隨時間作周期性變化且其均勻值為零，并且資料處于指定的磁中性狀態(tài)時，由磁通密度的峰值和外磁場強度的峰值（兩者之一處于規(guī)則的幅度）求得的相對磁導(dǎo)率。4.3 起始磁導(dǎo)率 initialpermeabili ty 叱 i當磁場強度趨近于零時的振幅磁導(dǎo)率的極限值。4.4 增量磁導(dǎo)率 initialpermeability（i A當一隨時間周期性變化的磁場疊加在指定的靜磁場上，并且磁通密度和磁場強度兩者 之一的振幅為規(guī)則值時，由磁通密度峰谷值求得的相對磁導(dǎo)率。4.5 磁滯