.電力電子技術試題填空0000002、電子技術包括_信息電子技術_和電力電子技術兩大分支，通常所說的模擬電子技術和數字電子技術就屬于前者。 0000001、電力變換通常可分為： 交流變直流 、 直流變直流 、 直流變交流 和 交流變交流 。0000002、為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在_開關_狀態。當器件的工作頻率較高時，_開關_損耗會成為主要的損耗。 0000001、電力變換通常分為四大類，即 交流變直流 、 直流變直流 、 直流變交流 、 交流變交流 。0100004、過電壓產生的原因 操作過電壓 、 雷擊過電壓 ，可采取 RC過電壓抑制電路 、 壓敏電阻 等措施進行保護。0100002、請在空格內標出下面元件的簡稱：電力晶體管GTR ；可關斷晶閘管GTO ；功率場效應晶體管 MOSFET ；絕緣柵雙極型晶體管IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的復合管。0100004、晶閘管對觸發脈沖的要求是 觸發脈沖的寬度應保證晶閘管可靠導通 、觸發脈沖應有足夠的幅度、觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額和 應有良好的抗干擾性能、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離 。（可作簡答題）0100003、多個晶閘管相并聯時必須考慮均流的問題，解決的方法是挑選特性參數盡量一致的器件和采用均流電抗器 。0100004、抑制過電壓的方法之一是用 電容 吸收可能產生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。0100001、型號為KP100-8的晶閘管表示其額定電壓為 800 伏、額定有效電流為 100 安。0100003、在電力晶閘管電路中，常用的過電壓保護有 避雷器 ； RC過電壓抑制電路/阻容吸收 ； 硒堆 ； 壓敏電阻 等幾種。（寫出2種即可）0100001、目前常用的具有自關斷能力的電力電子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 幾種。0100003、普通晶閘管的圖形符號是 ，三個電極分別是 陽極A ， 陰極K 和 門極G 晶閘管的導通條件是 晶閘管承受正相陽極電壓，并在門極施加觸發電流（脈沖）。或者UAK 0且UGK0 ；關斷條件是 使流過晶閘管的陽極電流降到維持電流以下 。0100002、可關斷晶閘管的圖形符號是 ；電力場效應晶體管的圖形符號是 ，絕緣柵雙極晶體管的圖形符號是 ；電力晶體管的圖形符號是 ；0100003、絕緣柵雙極型晶體管是以 電力場效應晶體管柵極 作為柵極，以 電力晶體管發射極和集電極 作為發射極與集電極復合而成。0100004、有一晶閘管的型號為KK2009，請說明KK快速晶閘管； 200表示表示額定電流200A，9表示額定電壓900V。0100004、一個單相全控橋式整流電路，交流電壓有效值為220V，流過晶閘管的電流有效值為15A，則這個電路中晶閘管的額定電壓可選為（1.52）1.414220；晶閘管的額定電流可選為（1.52）15/1.57。0100003、常用的過電流保護措施有電子電路 、快速熔斷器 、直流快速熔斷器 、 過電流繼電器 。（寫出2種即可）0100003、給晶閘管陽極加上一定的 正向 電壓；在門極加上 正向門極 電壓，并形成足夠的 門極觸發 電流，晶閘管才能導通。0100002、晶閘管在觸發開通過程中，當陽極電流小于 擎住 電流之前，如去掉 觸發 脈沖，晶閘管又會關斷。0100002、請在正確的空格內標出下面元件的簡稱：電力晶體管GTR ；可關斷晶閘管 GTO ；功率場效應晶體管 MOSFET ；絕緣柵雙極型晶體管 IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的復合管。0100003、多個晶閘管相并聯時必須考慮均流的問題，解決的方法是首要措施是挑選特性參數盡量一致的器件、采用均流電抗器 。0100003、由波形系數可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流IT等于 1.57 倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，則它允許的有效電流為 157 安培。通常在選擇晶閘管時還要留出 1.52 倍的裕量。0100001、晶閘管的維持電流IH是指在40度以下溫度條件下，門極斷開時，晶閘管從較大通態電流下降到剛好能保持導通所必須的最小 陽極 電流。0100001、普通晶閘管內部有 PN結,，外部有三個電極，分別是 極 極和 極。1、兩個、陽極A、陰極K、門極G。0100001、晶閘管在其陽極與陰極之間加上 電壓的同時，門極上加上 電壓，晶閘管就導通。2、正向、觸發。0100001、晶閘管的工作狀態有正向 狀態，正向 狀態和反向 狀態。3、阻斷、導通、阻斷。0100002、某半導體器件的型號為KP507的，其中KP表示該器件的名稱為 ，50表示 ，7表示 。4、普通晶閘管、額定電流50A、額定電壓700V。0100001、只有當陽極電流小于 電流時，晶閘管才會由導通轉為截止。5、維持電流。0100003、在晶閘管兩端并聯的RC回路是用來防止 損壞晶閘管的。15、（關斷）過電壓。0100002、GTO的全稱是 ，圖形符號為 ；GTR的全稱是 ，圖形符號為 ；P-MOSFET的全稱是 ，圖形符號為 ；IGBT的全稱是 ，圖形符號為 。33、門極可關斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應管、絕緣柵雙極型晶體管。0100003、GTO的關斷是靠門極加 出現門極 來實現的。33、負脈沖、反向電流。0100001、大功率晶體管簡稱 。34、GTR。0100003、功率場效應管是一種性能優良的電子器件，缺點是 和 。35、電流不夠大、耐壓不夠高。0100002、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開關速度最快的是_MOSFET_，單管輸出功率最大的是_GTO_，應用最為廣泛的是_IGBT_。 0100003、_GTR_存在二次擊穿現象，_IGBT_存在擎住現象。 0100003、晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同阻值的電阻R是 均壓_措施。 0100003、同一晶閘管，維持電流IH與掣住電流IL在數值大小上有IL_ 大于 _IH。 0100003、常用的過電流保護措施有電子電路 、快速熔斷器 。（寫出二種即可）0100001、晶閘管是硅晶體閘流管的簡稱，常用的外形有 螺栓型 與 平板型 。0100002、選用晶閘管的額定電流時，根據實際最大電流計算后至少還要乘以 1.52 。0100003、晶閘管的導通條件是 晶閘管承受正相陽極電壓，并在門極施加觸發電流（脈沖）。或者UAK 0且UGK0 。0100004、晶閘管的斷態不重復峰值電壓UDSM與轉折電壓UBO在數值大小上應為，UDSM IH。0100003、某晶閘管的型號為KP200-5，其中200表示 額定電流為200A ，5表示 額定電壓為500V 。0100004、晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同的RC電路是 均壓 措施。0100001、晶閘管的三個電極分別是 陽極A 、 陰極K 、 門極G 。0100002、選用晶閘管的額定電壓值應比實際工作時的最大電壓大 1.52 倍，使其有一定的電壓裕量。0100002、當晶閘管加上正向 陽極電壓 后，門極加上適當的正向 觸發電流 ，使晶閘管導通的過程，稱為觸發。0100003、晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同阻值的電阻R是 均壓 措施。0100003、由波形系數可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為ITn等于 1.57 倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，則它允許的有效電流為 157 安培。通常在選擇晶閘管時還要留出 1.52 倍的裕量。0200004、整流電路中變壓器漏抗對電路的影響是_出現換相重疊角，整流輸出電壓平均值降低_ 、_整流電路的工作狀態增多_、_使電網電壓出現缺口，稱為干擾源_。0200001、晶閘管一旦導通后流過其中的電流大小由_負載_決定。0200004、防止單相橋式半控整流電路失控的最有效方法是 給負載并聯續流二極管 。0200004、單相全控橋電阻性負載時，電路的移相范圍 0180或180 ；三相半波可控整流電路電阻性負載時，電路的移相范圍 0150或150 ；三相全控橋電阻性負載時，電路的移相范圍 0120或120 。0200004、鋸齒波同步的晶閘管觸發電路由 同步環節 、 鋸齒波形成環節 、 脈沖形成與脈沖移相 及其它環節成。 0200002、晶閘管每周期導通的電度角稱晶閘管的 導通角 。0200003、電阻性負載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFM等于 （設U2為相電壓有效值）。0200004、三相橋式全控整流電路，電阻性負載，當控制角 /2，同時|Ed| |Ud|。0200003、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，在換相過程期間，兩個相鄰的晶閘管同時導通，對應的電角度稱為 換相重疊角 。0200003、在三相全控橋中，接在同一相的兩個晶閘管觸發脈沖的相位應相差 180。0200004、在三相半波可控整流電路中，電阻性負載，當控制角 30 時，電流連續。0200002、把晶閘管承受正壓起到觸發導通之間的電角度稱為 觸發角 。0200004、觸發脈沖可采取 寬脈沖 觸發與 雙窄脈沖 觸發兩種方法，目前采用較多的是 雙窄脈沖 觸發方法。0200002、 三相半波 可控整流電路，是三相可控整流電路最基本的組成形式。0200003、在三相半波可控整流電路中，電感性負載，當控制角 大于30度 時，輸出電壓波形出現負值，因而常加續流二級管。0200004、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，如與不考慮漏坑的相比，則使輸出電壓平均值 降低 。0200002、有源逆變器是將直流電能轉換為交流電能饋送回 電網 的逆變電路。0200002、有源逆變產生的條件之一是：變流電路輸出的直流平均電壓Ud的極性必須保證與直流電源電勢Ed的極性成 反向 相連，且滿足|Ud|/2，使Ud為負值 。（可做簡答題）0200002、有源逆變指的是把 直流 能量轉變成 交流 能量后送給 電網 的裝置。0200003、單相全波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為 。三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為 。（電源相電壓為U2）0200003、要使三相全控橋式整流電路正常工作，對晶閘管觸發方法有兩種，一是用 大于60小于120的寬脈沖 觸發；二是用 脈沖前沿相差60的雙窄脈沖 觸發。0200002、逆變角與控制角之間的關系為 。3、=0200004、當電源電壓發生瞬時與直流側電源 聯，電路中會出現很大的短路電流流過晶閘管與負載，這稱為 或 。5、順向串、逆變失敗、逆變顛覆。0200004、為了保證逆變器能正常工作，最小逆變角應為 。6、30350300002、斬波器是接在恒定直流電源和負載電路之間，用于 將直流電變為另一直流電 。0300004、設DC/DC變換器的Boost電路中，E=10V，=0.7，則Uo=_10/0.3_。0300002、將直流電源的恒定電壓， 通過電子器件的開關控制，變換為可調的直流電壓的裝置稱為 器。8、斬波。0300003、斬波器的時間比控制方式分為 脈沖寬度調制 、 頻率調制 、 混合調制 三種方式。0300003、由普通晶閘管組成的直流斬波器通常有 式， 式和 式三種工作方式。1、定頻調寬，定寬調頻。調寬調頻。0300003、直流斬波電路在改變負載的直流電壓時，常用的控制方式有 脈沖寬度調制 、 頻率調制 、 混合調制 三種。0300003、直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有 升壓 斬波電路；降壓 斬波電路； 升降壓 斬波電路。0300004、在下圖中，_V1_和_VD1_構成降壓斬波電路使直流電動機電動運行；_V2_和_VD2_構成升壓斬波電路，把直流電動機的動能轉變成為電能反饋到電源，使電動機作再生制動運行。0400003、在單相交流調壓電路中，負載為電阻性時移相范圍是 0180 ，負載是阻感性時移相范圍是 180。0400003、變頻電路從變頻過程可分為 變頻和 變頻兩大類。15、交流交流，交流直流交流。0500004、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為正弦 波，輸出電流波形為矩形/方波。0500001、按逆變后能量饋送去向不同來分類，電力電子元件構成的逆變器可分為 有源逆變器與 無源 逆變器兩大類。0500003、通常變流電路實現換流的方式有 器件換流 、 電網換流 、 負載換流 、 強迫換流 四種。0500001、逆變電路分為 逆變電路和 逆變電路兩種。2、有源、無源。0500003、逆變電路的負載如果接到電源，則稱為 有源 逆變，如果接到負載，則稱為 無源 逆變。0500004、如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時間段電流流經的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0t1時間段內，電流的通路為_VD1_；(2) t1t2時間段內，電流的通路為_V1_；(3) t2t3時間段內，電流的通路為_VD2_；(4) t3t4時間段內，電流的通路為_V2_；(5) t4t5時間段內，電流的通路為_VD1_；0500002、逆變器按直流側提供的電源的性質來分，可分為 電壓 型逆變器和 電流 型逆變器，電壓型逆變器直流側是電壓源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側用 電容 器進行濾波；而電流型逆變器直流側是電流源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側是用 電感 濾波。0500004、在電壓型逆變器中，輸出電壓波形為矩形 波，輸出電流波形與負載阻抗 有關。0500002、將直流電逆變為某一頻率或可變頻率的交流電直接 供給負載 的過程稱為無源逆變。0500003、電壓型逆變器其中間直流環節以 電容 貯能。0500003、換流的方式有器件換流、電網換流、 負載換流 和 強迫換流 四種。0500004、換流的方式有_器件換流_、_電網換流_、_負載換流_、_強迫換流_，全控型器件用_器件換流_方式換流0600002、PWM波形的生成方法主要有_計算法_和_調制法_兩種。0600004、SPWM脈寬調制型變頻電路的基本原理是：對逆變電路中開關器件的通斷進行有規律的調制，使輸出端得到 一系列幅度相等，脈寬與正弦波幅值成正比的 脈沖列來等效正弦波。0600003、PWM調制方式有 同步調制 、 異步調制 、 分段同步調制 三種。0600003、PWM逆變電路的控制方法有 計算法 、 調制法 、 跟蹤控制法 三種。其中調制法又可分為 同步調制 、 異步調制 兩種。0600003、在PWM控制電路中，載波頻率與調制信號頻率之比稱為_載波比_，當它為常數時的調制方式稱為_同步_調制。將逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個頻段內載波頻率與調制信號頻率之比為恒定的調制方式稱為_分段同步_調制。 0600003、面積等效原理指的是，_沖量_相等而_形狀_不同的窄脈沖加在具有慣性的環節上時，其效果基本相同。0600004、載波比(又稱頻率比)K是PWM主要參數。設正弦調制波的頻率為fr，三角波的頻率為fc，則載波比表達式為K= fc / fr 。0700002、為了減小變流電路的開、關損耗，通常讓元件工作在軟開關狀態，軟開關電路種類很多，但歸納起來可分為 零點壓電路/開關 與 零電流電路/開關 兩大類。0700002、為了減小變流電路的開、關損耗，通常讓元件工作在軟開關狀態，軟開關電路種類很多，但歸納起來可分為 零電壓電路 與 零電流電路 兩大類。0700003、軟開關電路種類很多，大致可分成 零電壓 電路、 零電流 電路兩大類。0800003、對異步電動機實施變頻調速控制，通常的控制方式有 恒壓頻比控制 、 轉差頻率控制 、 矢量控制 、 直接轉矩控制 等四種0000002、下面哪種功能不屬于變流的功能（C）A、有源逆變B、交流調壓C、變壓器降壓D、直流斬波0100003、如某晶閘管的正向阻斷重復峰值電壓為745V，反向重復峰值電壓為825V，則該晶閘管的額定電壓應為（B）A、700VB、750VC、800VD、850V0100001、晶閘管內部有（C ）PN結。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個0100002晶閘管可控整流電路中的控制角減小，則輸出的電壓平均值會（B）。A 不變， B 增大， C 減小。 0100003、晶閘管兩端并聯一個RC電路的作用是（C ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。0100002、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（C ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。0100002、普通晶閘管的通態電流（額定電流）是用電流的（C）來表示的。A 有效值 B 最大值 C 平均值0100001、比較而言，下列半導體器件中性能最好的是（ C）。A、 GTR B、 MOSFET C、IGBT0100001、下列半導體器件中屬于電流型控制器件的是（A ）A、GTR B、 MOSFET C、IGBT。0100003.晶閘管導通的條件是（ A ）。A.陽極加正向電壓，門極有正向脈沖 B.陽極加正向電壓，門極有負向脈沖C.陽極加反向電壓，門極有正向脈沖 D.陽極加反向電壓，門極有負向脈沖0100003、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，恒流驅動電路經常采用（ B）A、du/dt抑制電路 B、抗飽和電路C、di/dt抑制電路 D、吸收電路 0100002、已經導通的晶閘管的可被關斷的條件是流過晶閘管的電流（ A ）A、減小至維持電流以下 B、減小至擎住電流以下C、減小至門極觸發電流以下 D、減小至5A以下 0100002、IGBT是一個復合型的器件，它是（ B ）A、GTR驅動的MOSFET B、MOSFET驅動的GTR C、MOSFET驅動的晶閘管 D、MOSFET驅動的GTO0100002、晶閘管穩定導通的條件（ C ）A.晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流B.晶閘管陽極電流小于晶閘管的擎住電流C.晶閘管陽極電流大于晶閘管的維持電流D.晶閘管陽極電流小于晶閘管的維持電流 0100001、具有自關斷能力的電力半導體器件稱為( A )A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、觸發型器件0100002、取斷態重復峰值電壓和反向重復峰值電壓中較小的一個，并規化為標準電壓等級后，定為該晶閘管的( D )A、轉折電壓B、反向擊穿電壓C、閾值電壓D、額定電壓0100002、晶閘管的伏安特性是指( C )A、陽極電壓與門極電流的關系B、門極電壓與門極電流的關系C、陽極電壓與陽極電流的關系D、門極電壓與陽極電流的關系0100002、當晶閘管承受反向陽極電壓時，不論門極加何種極性觸發電壓，管子都將工作在( B )A、導通狀態 B、關斷狀態 C、飽和狀態 D、不定0100002、在型號KP1012G中，數字10表示( B )A、額定電壓10V B、額定電流10AC、額定電壓1000V D、額定電流100A0100002、對于同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數值大小上有，IL（A）IHA、大于 B、等于 C、小于 D、無關 0100002、在晶閘管應用電路中，為了防止誤觸發，應使干擾信號的幅值限制在（ D ）A、可靠觸發區 B、不可靠觸發區 C、安全工作區 D、不觸發區 0100003、功率晶體管的安全工作區由以下4條曲線限定：集電極-發射極允許最高擊穿電壓，集電極最大允許直流功率線，集電極最大允許電流線和_ D _A、基極最大允許直流功率線 B、基極最大允許電壓線C、臨界飽和線 D、二次擊穿功率線0100003、若晶閘管電流有效值是157A，則其額定電流為 （ B ）A、157A B、100A C、80A D、246.5A0100004、下列全控器件中，屬于電流控制型的器件是 （ B C ），屬于電壓控制型的器件是 （ A D ）A、P-MOSFET B、GTO C、GTR D、IGBT0200004、單相全控橋大電感負載電路中，晶閘管可能承受的最大正向電壓為(B ) A. B. C. D.0200004、在下列可控整流電路中，不能實現有源逆變的是 （ C ）A、單相全控橋整流電路 B、單相全波整流電路 C、單相半控橋整流電路 D、三相全控橋整流電路0200003、帶反電動勢負載的電路，當晶閘管關斷時負載上的電壓Ud為（ B ）A、Ud=0 B、Ud=E C、Ud=E/2 D、Ud= E0200004、三相全控橋式整流電路帶電阻負載，當觸發角=0時，輸出的負載電壓平均值為 D 。A、0.45U2； B、0.9U2； C、1.17U2； D、2.34U2；0200004、三相全控橋式整流電路帶大電感負載時，控制角的有效移相范圍是 A 度。A、0-90； B、30-120； C、60-150； D、90-150；0200004、三相半波可控整流電路在換相時，換相重疊角的大小與哪幾個參數有關 A 。A、Id、 XL、U2； B、Id；C、U2； D、U2、XL；0200003、單相半控橋電感性負載電路中，在負載兩端并聯一個續流二極管的作用是_ D _A、增加晶閘管的導電能力 B、抑制溫漂C、增加輸出電壓的穩定性 D、防止失控現象的產生0200003、單相全控橋大電感負載電路中，晶閘管可能承受的最大正向電壓為( B )A、U2 B、U2 C、2U2 D.、U20200004、三相橋式全控整流電路，大電感負載，當（C ）時整流平均電壓Ud=0。A、300 B、600 C、900 D、12000200004、在三相橋式不控整流電路中，整流輸出電壓的平均值為( A )A、B、C、D、0200003、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是( D )A、90 B、120 C、150 D、1800200003、電阻性負載三相半波可控整流電路，相電壓的有效值為U2，當控制角30時，整流輸出電壓平均值等于( A )A、1.17U2cos B、1.17U2sin C、1.41U2cos D、1.41U2sin 0200004、在大電感負載三相全控橋中，整流電路工作狀態的最大移相范圍是（D）A、60 B、180 C、120 D、900200004、對于三相半波可控整流電路，換相重疊角與哪幾個參數有關( A )A、U2、負載電流Id以及變壓器漏抗XB B、和U2 C、以及負載電流Id D、和變壓器漏抗XB0200004、單相全控橋式整流電路帶純電阻性負載時，晶閘管承受正向電壓的最大值為( A )A、B、 C、D、0200004、單相橋式全控整流電路中，電阻性負載，流過每個晶閘管的有效電流IT( C )A、I B、0.5I C、()*I D、()*I0200004、三相橋式全控整流電路，電阻性負載時的移相范圍為（C）。A、01800 B、01500C、01200 D、09000200004、單相全控橋式整流電路帶阻感負載，控制角為a，則輸出電壓的平均值為( B )A、Ud=1.17U2cosa B、Ud=0.9U2cosaC、Ud=-2.34U2cosa D、Ud=0.45U2cosa 0200002、有源逆變產生的條件是觸發角a要滿足( D )A、B、C、D、0200003、為了防止逆變失敗，最小逆變角限制為( C )。A、100150 B、200250 C、300350 D、4004500200003、三相半波可控整流電路的自然換相點是( B )A.交流相電壓的過零點B.本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點處C.比三相不控整流電路的自然換相點超前30D.比三相不控整流電路的自然換相點滯后60 0200003、下列電路中，不可以實現有源逆變的有（ D ）。A.三相半波可控整流電路 B.三相橋式全控整流電路C.單相橋式全控整流電路 D.單相全波可控整流電路外接續流二極管 0200003.單相半波可控整流電路，阻性負載，控制角的最大移相范圍是0（ D ）。A.90 B.120 C.150 D.1800200003.單相橋式整流電路，電阻性負載，控制角為（ D ）時，整流輸出電壓為0。A.0 B.90 C.120 D.1800200002.三相全控橋式整流電路，控制角為（ A ）時，整流輸出電壓為最大值。A.0 B.90 C.120 D.1800200003.單相半波整流電路中，晶閘管可能承受的最大反向峰值電壓約為（ A ）。A. U2 B. U2 C.U2 D. 2.34U20200003.三相半波可控整流電路，電阻性負載，控制角30，每個周期內輸出電壓的平均值為（ C ）。A.Ud=0.45U2COS B.Ud=0.92COS C.Ud=1.172COS D.Ud=2.342COS0200004.三相全控橋式整流電路，晶閘管可能承受的最大反向電壓約為（ C ）。A. U2 B. U2 C.U2 D. 2.34U20200003.三相橋式全控整流電路，在交流電源一個周期里，輸出電壓脈動（ D ）次。A.2 B.3 C.4 D.60200003.三相半波可控整流電路中三個晶閘管的觸發脈沖相位互差（ C ）。A.60 B.90 C.120 D.1800200003.單相半波可控整流電路，阻性負載，導通角的最大變化范圍是0(D)A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相半波可控整流電路，阻性負載，導通角的最大變化范圍是0( C )A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相全控橋式整流電路，阻性負載，控制角的最大移相范圍是0(B )A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相半波可控整流電路電源電壓波形的自然換向點比單相半波可控整流電路的自然換向點( B )A.超前30 B.滯后30 C.超前60 D.滯后600200003.單相全波可控整流電路，電感性負載，控制角300，每個周期內輸出電壓的平均值為( B )A.Ud=0.45U2cos B.Ud=0.92cos C.Ud=1.172cos D.Ud=2.342cos0200003.三相全控橋式整流電路，電感性負載，控制角30，負載電流連續，整流輸出電流的平均值為Id，流過每只晶閘管的平均值電流為( B )A.Id/2 B.Id/3 C.2Id/3 D.Id0200003.單相全控橋式有源逆變電路最小逆變角為( D )A.13 B.1015 C.2025 D.30350200003.三相全控橋式整流電路，在交流電源一個周期里，輸出電壓脈動( D )次。A.2 B.3 C.4 D.60200002.有源逆變電路是( B )A.AC/DC變換器 B.DC/AC變換器 C.AC/AC變換器 D.DC/DC變換器0200003.PWM脈寬調制技術用于( B )A.有源逆變器B.無源逆變器C.脈沖觸發器D.脈沖移相器0200004.KC04型集成觸發電路引角1和15輸出兩個互差180的觸發脈沖，經過放大隔離后，可驅動三相全控橋_的兩只晶閘管。( A )A.同一橋臂 B.不同橋臂 C.共陰組D.共陽組0200003、下列不可以實現逆變的電路是（B）式晶閘管電路。A 單相全波， B 三相半控橋， C三相全控橋0200003、變流器必須工作在（A）區域，才能進行逆變。A 90， B 0， C 90， D 0。0200003、為了保證逆變能正常工作，變流器的逆變角不得小于（D）。A 5， B 15， C 20， D 30。0200002、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（B）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。0200002、三相全控橋整流裝置中一共用了（B）晶閘管。A 三只， B 六只， C 九只。0200001、雙向晶閘管外部有（C）電極。A 一個， B 兩個， C 三個， D 四個。0200003、0時，單相半波可控整流電路帶電阻負載輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓有效值的（C ）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.0200003、0時，單相橋式可控整流電路帶電阻負載輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓有效值的（ D）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.0200002、晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機應該屬于（C）負載。A 電阻性， B 電感性， C 反電動勢。0200004、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是( D )A、0-90 B、0-120 C、0-150 D、0-1800200003、在單相全控橋整流電路中，兩對晶閘管的觸發脈沖，應依次相差 A 度。A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；0200003、可實現有源逆變的電路為 A 。A、單相全控橋可控整流電路 B、三相半控橋可控整流電路C、單相全控橋接續流二極管電路 D、單相半控橋整流電路0200003、由晶閘管構成的可逆調速系統中，逆變角min選 A 時系統工作才可靠。A、300350 B、100150 C、00100 D、00 0200004、= B 度時，三相全控橋式整流電路帶電阻負載電路，輸出負載電壓波形處于連續和斷續的臨界狀態。A、0度； B、60度； C、30度； D、120度；0200003、變流器工作在逆變狀態時，控制角必須在 D 度。A、0-90； B、30-120； C、60-150； D、90-150；0200004、三相半波可控整流電阻性負載電路，如果三個晶閘管采用同一相觸發脈沖，的移相范圍 C 。A、0-60； B、0-90； C、0-120； D、0-150；0200004、三相半波可控整流電路在換相時，換相重疊角的大小與哪幾個參數有關 A 。A、Id、 XL、U2； B、Id； C、U2； D、U2、 XL；0200004、在單相橋式全控整流電路中，大電感負載時，控制角的有效移相范圍是A。A、090 B、0180 C、90180 0200004、三相全控橋式整流電路帶電阻負載，當觸發角=0時，輸出的負載電壓平均值為 D 。A、0.45U2； B、0.9U2； C、1.17U2； D、2.34U2；0200004、三相全控橋式整流電路帶大電感負載時，控制角的有效移相范圍是 A 度。A、0-90； B、30-120； C、60-150； D、90-150；0200004、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發脈沖依次應相差 A 度。A、180， B、60， c、360， D、1200200003、為 C 度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出的電壓波形，處于連續和斷續的臨界狀態。A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，0200003、晶閘管觸發電路中，若改變 B 的大小，則輸出脈沖產生相位移動，達到移相控制的目的。A同步電壓， B、控制電壓， C、脈沖變壓器變比。0200004、可實現有源逆變的電路為 A 。 A、三相半波可控整流電路， B、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續流二極管電路， D、單相半控橋整流電路。0200003、在一般可逆電路中，最小逆變角min選在下面那一種范圍合理 A 。A、30-35， B、10-15， C、0-10， D、0。0200003、在有源逆變電路中，逆變角的移相范圍應選 B 為最好。A、=90180， B、=3590， C、=090，0200004、晶閘管整流裝置在換相時刻（例如：從U相換到V相時）的輸出電壓等于 C 。A、U相換相時刻電壓uU， B、V相換相時刻電壓uV，C、等于uU+uV的一半即：0200004、三相全控整流橋電路，如采用雙窄脈沖觸發晶閘管時，下圖中哪一種雙窄脈沖間距相隔角度符合要求。請選擇 B 。0200003、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發脈沖依次應相差 A 度。A、180 B、60 C、360 D、1200200004、為 C 度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出的電壓波形，處于連續和斷續的臨界狀態。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度，0200003、晶閘管觸發電路中，若改變 B 的大小，則輸出脈沖產生相位移動，達到移相控制的目的。A、同步電壓 B、控制電壓 C、脈沖變壓器變比 D、以上都不能0200004、可實現有源逆變的電路為 A 。 A、三相半波可控整流電路 B、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續流二極管電路 D、單相半控橋整流電路。0200003、在一般可逆電路中，最小逆變角min選在下面那一種范圍合理 A 。A、30-35 B、10-15 C、0-10 D、0。0200002、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是_D_A、90 B、120 C、150 D、1800200003、三相半波可控整流電路的自然換相點是( B )A、交流相電壓的過零點；B、本相相電壓與相鄰相電壓正、負半周的交點處；C、比三相不控整流電路的自然換相點超前30；D、比三相不控整流電路的自然換相點滯后60。0200003、電阻性負載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（ D）A、30150 B、0120 C、15125 D、0150 0200004、三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為（ D ）A.U2 B.U2 C.2U2 D.U2 0200004、晶閘管電流的波形系數定義為( B )A. B.C. Kf =IdTIT D.Kf =IdT-IT 0200004、三相半波帶電阻性負載時，為 C 度時，可控整流輸出的電壓波形處于連續和斷續的臨界狀態。A、0度 B、60度 C、30度 D、120度。0200002、在晶閘管觸發電路中，改變 B 的大小，則輸出脈沖產生相位移動，達到移相控制的目的。A、同步電壓 B、控制電壓 C、脈沖變壓器變比 D、整流變壓器變比0300002、直流斬波電路是一種_ C _變換電路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC0300003、定寬調頻是斬波器的一種( A )A、時間比控制方式 B、瞬時值控制 C、移相控制方式 D、模糊控制 0300002、直波斬波電路是一種( C )變換電路A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 0300003、降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V，導通比，則負載電壓U0=( B )A、64V B、12V C、21V D、4V0300003、降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V，負載電壓Uo=12V，斬波周期T=4ms，則開通時Ton=（ C ）A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 0300002、直流斬波電路是一種（ C ）變換電路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 0400004、對于單相交流調壓電路的波形如下圖所示，那么晶閘管的觸發角與電路的功率因素角之間是（ C ）A、觸發角大于功率因素角 B、觸發角等于功率因素角C、觸發角小于功率因素角 D、二者沒有什么關系0400003、一般認為交交變頻輸出的上限頻率_D_A、與電網有相同的頻率 B、高于電網頻率C、可達電網頻率的80% D、約為電網頻率的1/21/30400004、對于單相交流調壓電路，下面說法正確的是（ A ）A、晶閘管的觸發角大于電路的功率因素角時，晶閘管的導通角小于180度 B、晶閘管的觸發角小于電路的功率因素角時，必須加寬脈沖或脈沖列觸發，電路才能正常工作C、晶閘管的觸發角小于電路的功率因素角時，兩只晶閘管的導通角均為180度D、晶閘管的觸發角等于電路的功率因素角時，兩只晶閘管的導通角均不為180度 0500004、采