ICS31.080.30L42中華人民共和國工業和信息化部發布ISJ/T1839—2016——原標準開關參數ts(載流子貯存時間)和tg(下降時間)在本規范中合并為tor(關斷時間),1半導體分立器件3DK108型NPN硅小功率開關晶體管詳細規范中華人民共和國工業和信息化部評定器件質量的根據：GB/T4589.1-2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規范》GB/T12560-1999《半導體器件分立器件分規范》SJ/T1839-2016半導體分立器件3DK108型NPN硅小功率開關晶體管詳細規范外形符合GB/T7581-1987《半導體分立器件外形尺寸》中A3-02C型的規定。 1.發射極2.基極3.集電極單位為毫米開關用雙極型晶體管半導體材料：硅金屬封裝(空腔)應用：各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用。3質量評定類別考數據T=25℃)=1800mWIc=1000mAVCBo=40V(3DK108AVcBo=60V(3DK108B、DVcEo=30V(3DK108A、C)VCEo=45V(3DK108B、D)Yo=4Vhg:25～180C尺寸數值最小最大A6.709.900.400.518.64—9.398.018.50j0.710.790.87K0.74L24規范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2423.23—2013環境試驗第2部分：試驗方法試驗Q:密封GB/T4587—1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規范GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法GB/T6218—1996開關用雙極型晶體管空白詳細規范GB/T7581—1987半導體分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半導體器件分立器件分規范5極限值(絕對最大額定值)極限值見表1。除非另有規定，這些極限值在整個工作溫度范圍內適用。章條號符號最小值最大值工作環境溫度℃貯存溫度℃最大集電極-基極直流電壓Vso—V最大集電極-發射極直流電壓Vceo V最大發射極-基極直流電壓Vn—4V最大直流集電極電流mAT=25℃,不加散熱片時的最大額定功率PotmW最高結溫T—℃電特性見表2。檢驗要求見本標準的第9章。3SJ/T1839—2016章條號特性和條件除非另有規定，T=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號單位試驗分組最小值最大值正向電流傳輸比Va=1V,I=500mA色標：橙綠藍紫A2b特征頻率Ve=10V,I=100mA,f30MzMHz—A4、C2a集電極-基極截止電流A2b集電極-發射極截止電流u1A2b高溫下的集電極-基極器止電流A發射極基極截止電流A1A2b基極-發坩極飽和電壓A2b集電極發射極飽和電用VA2b共基極輸出電容V=10v,Z=0,=5MLz導通時間關斷時間C——A4A47標志4 檢驗批的識別代號。7.2包裝盒上的標志——制造廠商標；——制造廠聯系方式。8訂貨資料訂貨單上應有下列內容：——產品型號和分檔標志，如3DK108A; ——質量評定類別標志Ⅱ,如3DK108AIⅡ; 9試驗條件和檢驗要求試驗條件和檢驗要求按表3～表5的規定。本章中，LTPD抽樣引自GB/T12560—1999。5表3A組—逐批檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—-2006的4.1)極限值單位LTPD最小值最大值A1分組外部目檢GB/T4589.1—20064.3.1.1-—標志清晰，表面無機械損傷、破損5A2a分組不工作器件集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,Va=20Ve=1V,I=500mA短路：Iao?≥50μA開路：hE≤5A2b分組集電極-基極截止電流集電極-發射極截止電流發射極-基極截止電流正向電流傳輸比基極-發射極飽和電壓集電極-發射極飽和電壓VeaatGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黃綠藍紫I=0,a=20VI=0,K=20VL=0,k=4VVc=1V,I=500mAI?=50mA,I=500mAI?=50mA,I=500mA—115580VV5A4分組特征頻率導通時間關斷時間3DK108A、B3DK108C、DtonGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Va=10V,I=100mAf=30MHzI=50mA,I=500mAI=50mA,I=500mA—-MHz6SJ/T1839—2016表4B組一逐批檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位LTPDB1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD見第1章外形圖B3分組引出彎曲(D)GB/T4937—1995方法1,受試引出端數：3外加彎曲力：2.5N發現有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動，均認為器件失效B4分組可焊性GB/I4937—1995焊槽法潤濕良好B5分組快速溫度變化(D)密封a.細檢漏b.粗檢漏最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4937—1995Ⅲ,1.2GB/14937—1995GB/29871995H,7.3.6GB/T4681994IV,1,2.1GB/T4587—1994橙橙黃綠藍紫0℃~100℃:10個循環GB/122423.23—2013試驗Q,方法1K=1V,1=500mA0B8分組電耐久性(168h)最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比集電極-發射極飽和電壓VdsatGB/T4587—199V,1GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994工作壽命t168h,V=0.6Koa=1000mWI=0,Va=20VVa=1V,I=500mA黃紫I=50mA,I=500mA16696—注：標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C組—周期檢驗或試驗符號引用標準除非另有規定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值單位C1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖C2a分組特征頻率共基極輸出電容CGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Ve=10V,I=100mA,f=30MHzXs=10V,I=0,f=5MHzMHzC2b分組高溫下的集電極-基極截止電流GB/T4587—1994IV,1,2.1Tm=125℃I=0,Va=20V—C3分組引出端強度(D)拉力GB/T4937—1995受試引出端數：3外加力：5N發現有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動均認為器件失效C4分組耐焊接熱(D)最后測試GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分組最后測試——C6分組恒定加速度最后測試GB/T4937—199520000g同B5分組最后測試—一C7分組穩態濕熱(D)最后測試GB/T4937—1995Ⅲ,585℃±2℃,相對濕度85%±5%,時間168h同B8分組最后測試C8分組電耐久性(1000h)最后測試GB/T4587—1994V,1Pot=1000mW同B8分組最后測試——C9分組高溫貯存(D)最后測試GB/T493