ICS49.045GB/T41040—2021宇航用商業(yè)現(xiàn)貨(COTS)半導(dǎo)體器件質(zhì)量保證要求國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會I 12規(guī)范性引用文件 1 1 13.2縮略語 2 24.1質(zhì)量保證單位資質(zhì) 24.2質(zhì)量保證人員 24.3儀器設(shè)備管理與使用 24.4器件防護(hù) 24.5環(huán)境要求 3 34.7失效分析 34.8假冒翻新元器件控制計(jì)劃 34.9信息數(shù)據(jù)庫 34.10元器件貯存和超期復(fù)驗(yàn) 3 35.1通則 35.2需求分析 4 55.4破壞性物理分析(DPA) 65.5篩選試驗(yàn) 75.6鑒定試驗(yàn) 75.7質(zhì)量保證結(jié)論確定 85.8應(yīng)用控制 8附錄A(資料性)COTS器件的試驗(yàn)等級和宇航任務(wù)應(yīng)用 9附錄B(資料性)典型COTS器件篩選和鑒定試驗(yàn)(集成電路) 附錄C(資料性)典型COTS器件篩選和鑒定試驗(yàn)(密封分立器件) 附錄D(資料性)老煉試驗(yàn)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) ⅢGB/T41040—2021本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC425)提出并歸口。1GB/T41040—2021宇航用商業(yè)現(xiàn)貨(COTS)半導(dǎo)體器件質(zhì)量保證要求本文件規(guī)定了宇航用商業(yè)現(xiàn)貨半導(dǎo)體器件(以下簡稱COTS器件)的質(zhì)量保證要求，確立了宇航用要求。本文件適用于宇航用COTS器件質(zhì)量保證。本文件不適用于COTS器件供方的生產(chǎn)過程及質(zhì)量體系的管理和控制。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文GB/T4937.201—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20-1部分：對潮濕和焊接熱綜合GB/T19000—2016質(zhì)量管理體系基礎(chǔ)和術(shù)語GB/T19001—2016質(zhì)量管理體系要求GB/T32304—2015航天電子產(chǎn)品靜電防護(hù)要求JESD46供應(yīng)商發(fā)給客戶的產(chǎn)品/工藝變更通知(CustomerNotificationofProduct/ProcessChangesbySolid-StateSuppliers)JEDEC/IPC/ECIAJ-STD-048產(chǎn)品斷檔通知標(biāo)準(zhǔn)(NotificationStandardforProductDiscontinuance)GB/T19000—2016界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1.1商業(yè)現(xiàn)貨commercialoff-the-shelf;COTS注2:商業(yè)現(xiàn)貨半導(dǎo)體器件一般包含分立器件、單片集成電路、混合集成電路、光電子器件等。3.1.2質(zhì)量保證qualityassurance應(yīng)對COTS器件宇航應(yīng)用可能的存在的風(fēng)險(xiǎn)，提供其能夠滿足宇航任務(wù)使用的信任的活動。3.1.3評價試驗(yàn)evaluationtest2GB/T41040—2021用基礎(chǔ)條件的一系列試驗(yàn)。下列縮略語適用于本文件。C-SAM:C模式超聲掃描顯微鏡(C-modeScanningAcousticMicroscope)CA:結(jié)構(gòu)分析(ConstructionAnalysis)CCD:電荷耦合器件(ChargeCoupledDevice)COTS:商業(yè)現(xiàn)貨(CommercialOff-The-Shelf)DPA:破壞性物理分析(DestructivePhysicalAnalysis)HAST:高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HighlyAcceleratedStressTest)MSL:潮濕敏感等級(MoistureSensitivityLevel)MTTF:平均故障時間(MeanTimeToFailure)PDA:允許不合格品率(PercentDefectiveAuowable)PIND:顆粒碰撞噪聲檢測(ParticleImpactNoiseDetection)VLSI:超大規(guī)模集成電路(VeryLargeScaleIntegration)4基本要求COTS器件的質(zhì)量保證單位應(yīng)擁有GB/T19001—2016或相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量證書(如符合ISO9001),且4.2質(zhì)量保證人員質(zhì)量保證人員要求如下：a)按規(guī)定參加培訓(xùn)并取得合格資格；d)能對試驗(yàn)結(jié)果做出正確的分析與評價。4.3儀器設(shè)備管理與使用c)儀器設(shè)備的精度應(yīng)滿足試驗(yàn)或檢驗(yàn)的要求；d)使用儀器設(shè)備應(yīng)按規(guī)定做好記錄。a)潮濕敏感器件應(yīng)按照GB/T4937.201—2018的MSL等級要求采取相應(yīng)的保護(hù)措施；b)靜電敏感器件應(yīng)按照GB/T32304—2015要求采取保護(hù)措施；GB/T41040—20214.5環(huán)境要求質(zhì)量保證試驗(yàn)應(yīng)與失效分析相結(jié)合。如果質(zhì)量保證試驗(yàn)過程中器件參數(shù)嚴(yán)重超差或功能失效，應(yīng)進(jìn)行失效分析。元器件的控制計(jì)劃。4.9信息數(shù)據(jù)庫d)其他器件質(zhì)量保證信息。4.10元器件貯存和超期復(fù)驗(yàn)5技術(shù)要求5.1通則在對使用方工程特點(diǎn)及特殊要求進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，考慮COTS器件供貨方產(chǎn)品質(zhì)量信息，了解a)需求分析；b)評價試驗(yàn)(適用時);e)鑒定試驗(yàn)。34GB/T41040—2021宇航任務(wù)涉及空間環(huán)境對是否對COTS器件有特殊要求。典型空間環(huán)境及其對COTS器件的風(fēng)險(xiǎn)見表1。表1典型空間環(huán)境及其對COTS器件的風(fēng)險(xiǎn)序號環(huán)境條件風(fēng)險(xiǎn)問題1溫度極限當(dāng)超過器件規(guī)定的貯存或使用的最高或最低溫度限值時，會發(fā)生損壞。部分功率器件使用中可能需要適當(dāng)?shù)纳岷屠鋮s方法2溫度交變器件組成材料熱膨脹系數(shù)不匹配，長時間的溫度變化循環(huán)可能導(dǎo)致?lián)p壞3機(jī)械沖擊當(dāng)器件受到機(jī)械沖擊時，可能會超過機(jī)械應(yīng)力極限4機(jī)械振動由于長期暴露在某些機(jī)械振動環(huán)境中，器件可能會發(fā)生損壞5輻射宇宙射線或地球輻射帶中的質(zhì)子、重離子等產(chǎn)生輻射，導(dǎo)致總劑量效應(yīng)、位移效應(yīng)、單粒子效應(yīng)6真空真空條件下，有機(jī)材料釋氣可能造成器件性能退化或污染光學(xué)元件7濕氣暴露于潮濕環(huán)境會造成非密封器件封裝結(jié)構(gòu)損壞8腐蝕暴露于腐蝕性環(huán)境可能造成器件封裝結(jié)構(gòu)損壞使用時，宜考慮和防范硬件木馬等COTS器件安全性問題。識別COTS器件的替換范圍。使用方應(yīng)在采購合同或協(xié)議中明示對供貨方產(chǎn)品質(zhì)量信息的要求和特殊要求。a)質(zhì)量等級；b)靜電敏感度等級；5GB/T41040—2021c)潮濕敏感等級(片式非密封器件適用);d)引線/引出端的鍍層材料或無鉛化標(biāo)注；f)經(jīng)歷的質(zhì)量保證試驗(yàn)項(xiàng)目和試驗(yàn)條件。宇航任務(wù)需評估和驗(yàn)證COTS器件產(chǎn)品或工藝變更是否影響其功能性。使用方宜在合同或協(xié)議中依據(jù)JESD46或等效方法明確指出供貨方需要通知的變更、通知的形式和要求。供貨方應(yīng)依據(jù)JEDEC/IPC/ECIAJ-STD-048或等效方法發(fā)布產(chǎn)品停產(chǎn)通知。使用方需考慮需考慮的主要風(fēng)險(xiǎn)包含但不限于：a)供貨方的質(zhì)量狀況；b)器件是否采用已知禁限用工藝；c)器件是否應(yīng)用未經(jīng)宇航任務(wù)驗(yàn)證的新技術(shù)；d)同宇航任務(wù)或結(jié)構(gòu)相似器件的使用經(jīng)歷；要求，明確選用COTS器件的必要性和為應(yīng)對風(fēng)險(xiǎn)所必須開展的質(zhì)量保證在COTS器件沒有足夠宇航應(yīng)用經(jīng)歷或采用未經(jīng)宇航任務(wù)驗(yàn)證的新技術(shù)的情況下，應(yīng)針對應(yīng)用風(fēng)價試驗(yàn)可以按照結(jié)構(gòu)相似性原則進(jìn)行。評價試驗(yàn)一般包括：a)結(jié)構(gòu)分析；c)抗輻射摸底試驗(yàn)；e)壽命評估試驗(yàn)。GB/T41040—20215.3.2結(jié)構(gòu)相似性原則供貨方應(yīng)存檔記錄并履行實(shí)施一套經(jīng)過相應(yīng)工程評審的芯片相似性準(zhǔn)則或指南。同一鑒定系列的器件應(yīng)具有相同的關(guān)鍵工藝過程與材料要素。一般情況下，只要封裝工藝技術(shù)一致，具有相同或較小引線數(shù)量的器件均可視為與某一評價試驗(yàn)的采用檢驗(yàn)、試驗(yàn)分析等方法以及復(fù)核復(fù)算、仿真等手段，獲取COTS器件的設(shè)計(jì)、工藝和材料等要求如下：a)對首次選用的器件一般應(yīng)進(jìn)行CA;b)對3只～5只典型樣品進(jìn)行CA;c)CA結(jié)論包含，適合宇航應(yīng)用(可用),特定范圍可用(限用),不適合宇航應(yīng)用(禁用),進(jìn)一步評1)對于限用結(jié)論，一般應(yīng)明確產(chǎn)品的限用范圍或者限制使用條件，在應(yīng)用控制中予以注意；2)對于進(jìn)一步評價結(jié)論，一般應(yīng)提出相應(yīng)的后續(xù)評價驗(yàn)證工作要求，根據(jù)評價驗(yàn)證結(jié)果綜合判斷。按照宇航任務(wù)對不同條件下器件的特性應(yīng)進(jìn)行測試分析。必要時，判斷參數(shù)一致性，并完善特性參數(shù)失效判據(jù)。5.3.5抗輻照摸底試驗(yàn)對不能確定其抗輻射能力的輻射敏感COTS器件，應(yīng)進(jìn)行抗輻射能力評估，包括抗輻射能力調(diào)研輻射保證的要求或需要使用中進(jìn)行抗輻射加固。5.3.7壽命評估試驗(yàn)對器件的工作壽命可靠性應(yīng)進(jìn)行評價。5.4破壞性物理分析(DPA)應(yīng)按照器件具體封裝、類型和宇航任務(wù)要求制定DPA方案，確定抽樣數(shù)、試驗(yàn)項(xiàng)目、條件和判據(jù)，67GB/T41040—2021一般每檢驗(yàn)批抽樣3只～5只。DPA的可篩選項(xiàng)目出現(xiàn)不合格時，應(yīng)對該批次進(jìn)行100%針對性篩選，篩選合格后可用。5.4.3DPA替代性試驗(yàn)若同規(guī)格、批次器件進(jìn)行過CA且結(jié)論可用，且CA已經(jīng)覆蓋DPA的試驗(yàn)項(xiàng)目，則可不再進(jìn)每檢驗(yàn)批均應(yīng)100%進(jìn)行篩選試驗(yàn)。篩選試驗(yàn)項(xiàng)目和方法要求如下：b)對器件具有破壞性的試驗(yàn)項(xiàng)目不應(yīng)列為篩選項(xiàng)目，篩選試驗(yàn)所施加的應(yīng)力不能超過器件手冊c)老煉試驗(yàn)設(shè)計(jì)參照附錄D進(jìn)行。篩選批次關(guān)鍵項(xiàng)目應(yīng)設(shè)置PDA,參照附錄B、附錄C的試驗(yàn)等級1級～3級進(jìn)行選擇。若不合格品數(shù)超過PDA,則檢驗(yàn)批質(zhì)量保證結(jié)論為不合格。替代性試驗(yàn)要求如下：b)對于超大規(guī)模集成電路(VLSI)、混合電路和CCD,當(dāng)電測試因測試程序或產(chǎn)品復(fù)雜性而不可5.6鑒定試驗(yàn)a)應(yīng)從篩選合格的同批次COTS器件中隨機(jī)抽樣規(guī)定數(shù)量器件，實(shí)施用于批接收的鑒定試驗(yàn)；b)應(yīng)按器件類型，分析COTS器件已進(jìn)行過的可靠性試驗(yàn)與宇航任務(wù)需求之間的差異，參照附錄B、附錄C的試驗(yàn)等級1級～3級進(jìn)行選擇，確定鑒定試驗(yàn)的項(xiàng)目和條件；8GB/T41040—2021c)鑒定試驗(yàn)所施加的應(yīng)力一般不應(yīng)超過器件手冊規(guī)定的額定應(yīng)力。鑒定批次PDA為0。替代性試驗(yàn)要求如下：應(yīng)根據(jù)分析篩選試驗(yàn)、鑒定試驗(yàn)的結(jié)果，以及評價試驗(yàn)中已獲取的性能試驗(yàn)、可靠性數(shù)據(jù)，判斷應(yīng)采用冗余設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)、容差設(shè)計(jì)、最壞境況分析等可靠性設(shè)計(jì)方法，在宇航任務(wù)中適當(dāng)應(yīng)用導(dǎo)致的應(yīng)力。即使COTS器件已經(jīng)進(jìn)行了超額應(yīng)力試驗(yàn)分析，仍建議在原有的額定應(yīng)力范圍內(nèi)使用。COTS器件降額包括可靠性降額和功能降額：9GB/T41040—2021(資料性)推薦的COTS器件的試驗(yàn)等級和其應(yīng)用的典型宇航任務(wù)見表A.1。表A.1推薦的COTS器件的試驗(yàn)等級和其應(yīng)用的典型宇航任務(wù)試驗(yàn)等級質(zhì)量成本應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)典型應(yīng)用1級最高低衛(wèi)星平臺2級高中衛(wèi)星平臺、運(yùn)載火箭或關(guān)鍵地面支持設(shè)備3級中高試驗(yàn)衛(wèi)星、非關(guān)鍵衛(wèi)星、運(yùn)載火箭、關(guān)鍵地面支持設(shè)備低最高非關(guān)鍵衛(wèi)星、非關(guān)鍵地面支持設(shè)備，立方星，演示樣機(jī)等對于試驗(yàn)等級4級，可不進(jìn)行篩選試驗(yàn)和鑒定試驗(yàn)，但建議進(jìn)行電性能測試。(資料性)典型COTS器件篩選和鑒定試驗(yàn)(集成電路)B.1典型密封集成電路的篩選和鑒定試驗(yàn)典型密封集成電路篩選試驗(yàn)方法和要求見表B.1。表B.1典型密封集成電路篩選試驗(yàn)方法和要求序號檢驗(yàn)/試驗(yàn)試驗(yàn)方法試驗(yàn)等級1級2級3級1外部目檢GB/T4937.3√√√2溫度循環(huán)JESD22-A104√√√3恒定加速度MIL-STD-883,方法2001√√√4PINDbMIL-STD-883,方法2020√√√5X射線檢查MIL-STD-883,方法2012√√√6編序列號√√√7初始電參數(shù)測試√√√8老煉ef,g,hMIL-STD-883,方法1015√√√9終點(diǎn)電參數(shù)測試√√√計(jì)算△值—√√不合格品率計(jì)算密封MIL-STD-883,方法1014√√√√√√外部目檢GB/T4937.3√√√注1:如果生產(chǎn)廠進(jìn)行的試驗(yàn)條件不低于表中的規(guī)定，這些試驗(yàn)不必重復(fù)進(jìn)行。注2:“√”表示該項(xiàng)試驗(yàn)應(yīng)進(jìn)行，“—”表示該項(xiàng)試驗(yàn)可不進(jìn)行。"也可按照MIL-STD-883方法5004確定具體條件。如果生產(chǎn)廠已經(jīng)進(jìn)行PIND,則不必重復(fù)進(jìn)行。X射線檢查可在PIND試驗(yàn)后任意順序進(jìn)行，表貼封裝器件只進(jìn)行Y方向檢查。除了對器件進(jìn)行功能和電參數(shù)測試之外，應(yīng)考慮I、熱阻、輸出噪聲等參數(shù)測試；允許時可進(jìn)行板級測試。對于一次可編程只讀存儲器(PROM)和可編程邏輯器件/陣列(PLD/PLA)等類似結(jié)構(gòu)的器件，應(yīng)考慮在編程后進(jìn)行測試，并進(jìn)行后續(xù)的老煉試驗(yàn)等項(xiàng)目；即使生產(chǎn)廠已經(jīng)進(jìn)行了編程前的老煉。選擇合適的溫度和偏置，確保試驗(yàn)的有效性和合理性。老煉試驗(yàn)可能包含靜態(tài)老煉和動態(tài)老煉。5老煉試驗(yàn)溫度一般為生產(chǎn)廠規(guī)定的最高工作溫度，結(jié)溫不能超過生產(chǎn)廠規(guī)定的絕對最大值。對于BGA封裝的器件，為防止破壞引腳焊裝可靠性，老煉試驗(yàn)時間一般不應(yīng)超過96h,可結(jié)合宇航任務(wù)應(yīng)用時的相關(guān)試驗(yàn)對老煉試驗(yàn)應(yīng)力進(jìn)行補(bǔ)充。按規(guī)定的室溫、最高和最低溫度測量電參數(shù)和功能。k計(jì)算所有老煉過程的失效。B.1.2典型密封集成電路的鑒定典型密封集成電路鑒定試驗(yàn)方法和要求見表B.2。表B.2典型密封集成電路的鑒定試驗(yàn)方法和要求試驗(yàn)分組試驗(yàn)方法試驗(yàn)等級1級2級3級B組分組1b標(biāo)志耐久性MIL-STD-883,方法2015√√分組2可焊性JESD22-B102√√C組壽命試驗(yàn)MIL-STD-883,方法1005√√√電參數(shù)測試√√√D組“分組2引線牢固性√√密封(含細(xì)檢、粗檢)MIL-STD-883,方法1014√√分組3熱沖擊√溫度循環(huán)JESD22-A104√√—耐濕MIL-STD-883,方法1004√密封MIL-STD-883,方法1014√√分組4機(jī)械沖擊MIL-STD-883,方法2002√掃頻振動MIL-STD-883,方法2007√恒定加速度MIL-STD-883,方法2001√ 密封(含細(xì)檢、粗檢)MIL-STD-883,方法1014√外部目檢√終點(diǎn)電測試√ 分組5引線涂覆附著力MIL-STD-883,方法2025√—分組6玻璃熔封蓋板的扭矩試驗(yàn)MIL-STD-883,方法2024√對于試驗(yàn)等級3級，鑒定試驗(yàn)可不進(jìn)行，但建議進(jìn)行壽命試驗(yàn)。可采用電參數(shù)不合格的樣品。壽命試驗(yàn)條件原則上應(yīng)與篩選試驗(yàn)中的老煉試驗(yàn)相同。dD組檢驗(yàn)樣品可以共用，但應(yīng)關(guān)注因試驗(yàn)應(yīng)力疊加帶來的風(fēng)險(xiǎn)。B.2典型非密封集成電路篩選和鑒定試驗(yàn)B.2.1典型非密封集成電路篩選典型非密封集成電路篩選試驗(yàn)方法和要求見表B.3。GB/T41040—2021表B.3典型非密封集成電路篩選試驗(yàn)方法和要求序號試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法試驗(yàn)等級1級2級3級1外部目檢GB/T4937.3√√√2編號√√√3溫度循環(huán)JESD22-A10420次20次20次4X射線檢查MIL-STD-883,方法2012√√√5C-SAMIPC/JEDECJ-STD-035√√—6室溫電測試 √√√7工程評估8靜態(tài)老煉試驗(yàn)MIL-STD-883,方法10159室溫電測試√√√計(jì)算△值—√√√動態(tài)老煉e、MIL-STD-883,方法1015√√√室溫電測試√√√計(jì)算△值√√不合格品率計(jì)算低溫電測試 √√√高溫電測試√√√外部目檢GB/T4937.3√√√”表示該項(xiàng)試驗(yàn)應(yīng)進(jìn)行，“—”表示該項(xiàng)試驗(yàn)可不進(jìn)行。”外部目檢與編號宜一起進(jìn)行，以減少對器件操作的次數(shù)。要求對器件進(jìn)行靜電防護(hù)保護(hù)，以及防潮保護(hù)。為減少操作步驟，只要求對頂視面進(jìn)行X射線檢查。重點(diǎn)是內(nèi)引線掃描檢查。根據(jù)器件缺陷的情況，確定對另一面檢查的必要性。除了對器件進(jìn)行功能和電參數(shù)測試之外，應(yīng)考慮Ip、熱阻、輸出噪聲等參數(shù)測試；允許時可進(jìn)行板級測試。對失效器件(參數(shù)或損壞),應(yīng)記錄其失效模式。對于一次可編程只讀存儲器(PROM)和可編程邏輯器件/陣列(PLD/PLA)等類似結(jié)構(gòu)的器件，應(yīng)考慮在編程后進(jìn)行測試，并進(jìn)行后續(xù)的老煉試驗(yàn)等項(xiàng)目；即使生產(chǎn)廠已經(jīng)進(jìn)行了編程前的老煉。對序號1~6進(jìn)行工程評估。如果C-SAM試驗(yàn)不合格率超過10%,應(yīng)對該批次器件進(jìn)行力和熱特性評估，或者更換批次。大多數(shù)批量生產(chǎn)塑封器件的生產(chǎn)廠已經(jīng)進(jìn)行了參數(shù)一致性控制，因此，若初始電參數(shù)測試不合格品率較高時，說明該批次器件質(zhì)量不受控，或者測試本身存在問題；應(yīng)進(jìn)行評估，確定是否更換批次。選擇合適的溫度和偏置，確保試驗(yàn)的有效性和合理性。老煉試驗(yàn)溫度應(yīng)為生產(chǎn)廠規(guī)定的最高工作溫度，結(jié)溫不能超過生產(chǎn)廠規(guī)定的絕對最大值；并考慮T。的溫度。對于BGA封裝的器件，為防止破壞引腳焊裝可靠性，老煉試驗(yàn)時間一般不應(yīng)超過96h,可結(jié)合宇航任務(wù)應(yīng)用時的相關(guān)試驗(yàn)對老煉試驗(yàn)應(yīng)力進(jìn)行補(bǔ)充，也可根據(jù)宇航任務(wù)需求進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。△值按器件規(guī)范的規(guī)定，或者根據(jù)器件的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，考慮宇航任務(wù)的實(shí)際需求后分析確定。每次老煉試驗(yàn)后均應(yīng)測試△參數(shù)并計(jì)算△值；△值失效超過10%時，應(yīng)進(jìn)行工程評估。對于處于穩(wěn)態(tài)狀態(tài)工作的器件不要求進(jìn)行動態(tài)老煉試驗(yàn)，如基準(zhǔn)電源、溫度傳感器等。B.2.2典型非密封集成電路的鑒定典型非密封集成電路鑒定試驗(yàn)方法和要求見表B.4。表B.4典型非密封集成電路鑒定試驗(yàn)方法和要求序號試驗(yàn)項(xiàng)目子分組試驗(yàn)方法試驗(yàn)等級1級2級3級1外部目檢GB/T4937.332(0)32(0)2C-SAMIPC/JEDECJ-STD-03522(0)22(0)3預(yù)處理濕熱JESD22-A11332(0)32(0)表面封裝器件的模擬回流焊接JESD22-A11332(0)32(0)插裝器件的耐焊接熱JESD22-B10632(0)32(0)4電參數(shù)測試32(0)32(0)5壽命試驗(yàn)高溫壽命試驗(yàn)，最高工作溫度MIL-STD-883,方法100522(0)22(0)電參數(shù)測試22(0)22(0)溫度循環(huán)溫度循環(huán)bJESD22-A10422(0)22(0)電參數(shù)測試22(0)22(0)C-SAMeIPC/JEDECJ-STD-03522(0)22(0)—6HAST加偏壓HASTJESD22-A110不加偏壓HASTJESD22-A118電參數(shù)測試注1:所有的器件應(yīng)從篩選批中選擇。注2:32(0)表示樣品數(shù)(允許不合格品數(shù))。注3:“—”表示該項(xiàng)試驗(yàn)可不進(jìn)行。應(yīng)確保不能超過最高結(jié)溫。溫度循環(huán)分組利用壽命試驗(yàn)分組樣品的原因僅考慮經(jīng)濟(jì)原因，也可另外選取樣品；抽樣數(shù)也可根據(jù)宇航任務(wù)要求，但最低不能少于5只。溫度循環(huán)的次數(shù)也可根據(jù)實(shí)際情況確定。為了檢查是否因溫度循環(huán)或回流焊而引起了失效，與序號2的C-SAM進(jìn)行比較。GB/T41040—2021(資料性)典型COTS器件篩選和鑒定試驗(yàn)(密封分立器件)典型密封分立器件篩選試驗(yàn)方法和要求見表C.1,鑒定試驗(yàn)方法和要求見表C.2。表C.1典型密封分立器件篩選試驗(yàn)方法和要求序號試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法試驗(yàn)等級1級2級3級1外部目檢GB/T4937.3√√√2溫度循環(huán)JESD22-A104√√3恒定加速度MIL-STD-750,方法2006√ 4PINDMIL-STD-750,方法2052√√√5編序列號—√—6初始電測試√√√7高溫反偏JESD22-A108√√√8中間電測試√√√9功率老煉JESD22-A108√√√終點(diǎn)電測試√√√計(jì)算△值√不合格品率計(jì)算密封MIL-STD-750,方法1071√√√√X射線檢查MIL-STD-750,方法2076√—外部目檢GB/T4937.3√√√注1:如果生產(chǎn)廠進(jìn)行的試驗(yàn)條件不低于表中的規(guī)定，這些試驗(yàn)不必重復(fù)進(jìn)行。注2:“√”表示該項(xiàng)試驗(yàn)應(yīng)進(jìn)行，“—”表示該項(xiàng)試驗(yàn)可不進(jìn)行。“在生產(chǎn)廠規(guī)定的最高工作溫度下老化，可能低于125℃。按規(guī)定的室溫、最高和最低溫度下測試電參數(shù)和功能。計(jì)算所有高溫反偏和功率老煉過程的失效。GB/T41040—2021表C.2典型密封分立器件鑒定試驗(yàn)方法和要求試驗(yàn)分組試驗(yàn)方法試驗(yàn)等級1級2級3級1分組可焊性JESD22-B102√√標(biāo)志耐久性MIL-STD-750,方法1022√√2分組內(nèi)部目檢MIL-STD-750,方法2075√MIL-STD-750,方法2077√——鍵合強(qiáng)度MIL-STD-750,方法2037√芯片粘附強(qiáng)度MIL-STD-750,方法2017√—3分組間歇工作壽命MIL-STD-750,方法1037或1042√電測試√4分組加速穩(wěn)態(tài)工作壽命MIL-STD-750,方法1027或1042√電測試√5分組穩(wěn)態(tài)工作壽命MIL-STD-750,方法1026或1042√√電測試√√注：“√”表示該項(xiàng)試驗(yàn)應(yīng)進(jìn)行，“—”表示該項(xiàng)試驗(yàn)可不進(jìn)行。GB/T41040—2021(資料性)老煉試驗(yàn)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)老煉試驗(yàn)是篩選試驗(yàn)的重要項(xiàng)目之一，目的是剔除早期失效，但是大多數(shù)COTS器件在出廠前未b)試驗(yàn)設(shè)計(jì)應(yīng)考慮老煉有效性。器件老煉試驗(yàn)設(shè)計(jì)可參考JEP163的規(guī)定，建議包含：3)試驗(yàn)溫度設(shè)計(jì)，如結(jié)溫控制；4)儀器設(shè)備和連線圖設(shè)計(jì)；6)可編程邏輯器件工作狀態(tài)設(shè)計(jì)，如采用典型功能；7)在線監(jiān)測設(shè)計(jì)，如器件的典型功能和參數(shù)。1)結(jié)溫不能超過器件手冊規(guī)定的絕對最大值；2)避免電源或信號可能產(chǎn)生的瞬時大功率對器件的損壞；3)采取充氮保護(hù)等措施，防止器件管腳氧化。d)老煉試驗(yàn)后電參數(shù)的漂移可能與器件的使用可靠性有關(guān)，應(yīng)根據(jù)老煉試驗(yàn)后關(guān)鍵電參數(shù)的變化情況判斷是否滿足使用要求。e)一般設(shè)計(jì)專用老煉試驗(yàn)板進(jìn)行器件級老煉試驗(yàn)。如果器件的封裝形式不適合，或封裝復(fù)雜無GB/T41040—2021[1]GB/T4937.3半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分：外部目檢[4]ISO9001Qualitymanagementsystems—Requirements[5]JESD22-B102Solderability[6]JESD22-A104Temperaturecycling[7]JESD22-B106Resistancetosoldershockforthrough-holemounteddevices[8]JE