自主可控+景氣復蘇成為23年主旋律半導體行業2023年春季投資策略2023.02.21投資要點

春季來看，景氣復蘇+自主可控依舊是半導體23年成長主旋律。半導體2023年主要成長邏輯圍繞自主可控和景氣復蘇兩個環節展開。核心環節自主可控將進一步加速半導體設備以及零部件等核心環節的自主可控進程，龍頭公司持續受益自主可控大趨勢；景氣復蘇角度來看，汽車電子需求依舊強勁，消費電子領域在經歷22年需求疲軟、庫存壓力較大的情況后，庫存的逐漸去化，行業呈現出弱復蘇跡象，預計消費電子、家電等領域在23Q2開始全面復蘇，景氣復蘇將成為23年春季以后的第二配置曲線。

半導體設計重點關注低滲透率與景氣度復蘇品種。CPU、GPU、FPGA，存儲芯片DRAM、NAND，高端模擬芯片等仍處于國產化初期，綜合國產化率不足10%。受手機、消費電子等終端需求影響，部分IC品類短期處于調整期，隨著目前庫存去化接近尾聲，板塊層面將在Q2開始逐步復蘇。舉國體制催化半導體設備及零部件等關鍵環節復蘇進步。舉國體制將對半導體板塊帶來新加速驅動力，針對性高，目標更明確，高難度、高精尖和“卡”板塊更加受益。針對半導體設備板塊，先進制程國產化將成為未來核心推動環節，半導體設備板塊將面臨持續加速受益。汽車電子需求仍舊強勁，汽車模擬芯片、SiC等需求持續增長。汽車電動化+智能化，帶動主控芯片、存儲芯片、功率芯片、通信接口芯片、傳感器芯片等芯片快速發展，芯片單位價值不斷提升，整車芯片總價值不斷提升。高壓平臺下，SiC有望迎量產機遇。根據Yole數據，全球碳化硅功率器件市場規模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，CAGR達34%，增速明顯。

推薦關注：持續加速國產化進程，國產化標的持續受益。持續關注：設備：芯源微/北方華創/中微公司/富創精密/新萊應材等；設計：圣邦股份/納芯微/瀾起科技/芯朋微/峰岹科技/聚辰股份等；功率：東尼電子/天岳先進/時代電氣等。風險提示：疫情反復的風險；原材料短缺、價格波動；汽車智能化等新型終端創新和滲透提升不及預期風險。21.1

預計2022半導體市場增速4.4%，增速放緩

2021年全球半導體市場規模達5559億美元，同比+26%，為近十年最大增幅?

2021年，隨著5G移動通信、汽車電子（智能網聯汽車）、工業電子、人工智能、云計算、各類消費電子產品等終端市場需求的快速增長，行業“缺芯”的情況進一步加劇；全球汽車電子芯片供應緊繃，部分車企被迫間歇性停產。

2021年半導體景氣高增形成高基數，2022年增長降速是必然?

WSTS預計，2022年全球半導體市場規模達5801億美元，同比+4.4%。?分區域看，WSTS預計除亞太地區外，所有地理區域都將呈現兩位數的增長。其中美洲地區市場增速領先，預計達17%，歐洲市場增長12.6%，日本市場增速10%，除日本外的亞太地區市場增速為-2%。全球半導體銷售額及其同比增速（億美元，%）7000600050004000300020001000030%25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%20152016201720182019202020212022E全球半導體銷售額（億美元）同比（%）3資料:WSTS，申萬宏源研究1.2仍為主旋律

全球市場主流芯片2022增速情況：?

WSTS預計大部分主要類別的產品銷售將實現兩位數增速，其中邏輯類產品增長14.5%，模擬產品增長20.8%，傳感器產品增長16.3%，分立器件增長12.4%，光電類產品預計今年市場規模與去年大體持平，微漲0.9%。

空間大，2021年中國半導體市場自給率為18%，預計2030年有望達到42%。??低國產化率的半導體產品：CPU、GPU、FPGA，存儲芯片DRAM、NAND，高端模擬芯片以及IGBT、SiC等功率器件，仍處于國產化初期。半導體產業鏈上游材料、設備綜合國產化率不足10%。2021年細分領域國產化程度處在初期細分領域CPUGPU全球市場空間（億美元）全球主要玩家Intel、AMD英偉達、AMD賽靈思、Intel國內廠家飛騰、龍芯、中科曙光景嘉微60033969FPGA紫光同創、安路信息、高云TI、ADI、美信、安森美、模擬芯片742矽力杰、圣邦股份、3peak、杰華特MPSDRAM+NAND12601026美光等長鑫，長存半導體設備應用材料等北方華創，中微，華海清科等資料:Verified

MarketResearch，HIS,

ICInsight,

SEMI，申萬宏源研究41.3

下游賽道狀況迥異，汽車電子景氣度引領行業

半導體下游主要包括數據中心，手機，汽車電子，工控，消費電子，通訊等賽道；不同賽道市場空間迥異。?按照下游終端需求來看，半導體數據中心、手機、汽車電子、工業控制、消費電子、通訊等領域占比分別為35%、30%、10%、10%、9%、6%。

全球半導體市場受下游需求變化影響，行業呈現結構性景氣狀態，汽車電子領域需求持續向上，維持持續增長。?

2022年全球新能源汽車銷量達

1050萬

量。全球新能源汽車滲透率不斷提升

，據Marklines預計，2025年全球新能源汽車銷售量將超過2100萬臺，2021-2025年CAGR增長超過30%。2021年全球半導體下游應用（%）全球新能源車銷量持續提升（萬輛，%）2500200015001000500120%6%9%100%80%60%40%20%0%35%10%10%30%02020202120222023E

2024E

2025E同比（%）新能源汽車銷量（萬輛）計算和數據中心

手機

工業控制

汽車電子

消費電子（非手機）

通信

資料：IHSmarket，申萬宏源研究資料：Marklines，申萬宏源研究51.3

汽車智能化+電動化持續拉升汽車半導體景氣度

汽車電動化+智能化，帶動主控芯片、存儲芯片、功率芯片、通信接口芯片、傳感器芯片等芯片快速發展，芯片單位價值不斷提升，整車芯片總價值不斷提升。??根據電動化來看，三電系統對半導體的需求提升明顯，根據汽車芯片應用牽引創新發展論壇統計顯示，電動車半導體含量約為燃油車的2倍；根據智能化來看，智能座艙、智能駕駛對半導體提升需求明顯，智能車半導體含量是傳統車的數倍。智能汽車結構汽車半導體對硅材料需求提升明顯（百萬片/月）300250200150100500201620182022E6寸

8寸

12寸

資料：蓋世汽車，申萬宏源研究資料：SUMCO，申萬宏源研究61.4

IC強勢應用之MCU

MCU市場空間廣闊，行業增速穩定，據IC

Insight數據，2020年全球MCU市場規模約為207億美元，到2023年可達248億美元；

2020年國內MCU芯片市場規模達269億元，隨著汽車電子和物聯網領域發展，預計2025年中國MCU芯片市場規模有望達到483億元。全球MCU市場空間（億美元，%）中國MCU市場規模及其增速（億元，%）3002502001501005014%12%10%8%6%4%2%0%-2%-4%-6%-8%600500400300200100040%35%30%25%20%15%10%5%00%全球MCU市場規模（億美元）同比中國MCU市場規模（億元）增速（%）資料：ICInsights，申萬宏源研究71.4

IC強勢應用之MCU

行業競爭格局來看，國產MCU廠商市占率較低，長期受益于提升空間充足。?全球MCU市場格局較為集中，根據IC

Insights，2021年全球MCU市場份額中，恩智浦（NXP）、微芯科技（Microchip）、瑞薩電子（Renesas）、意法半導體（STMicroelectronics）、英飛凌（Infineon）五大廠商占據了82%的市占份額；??根據ICInsights，國產MCU廠商合計市占率不足12%，主要集中在消費類市場，可拓展空間充足；缺貨導致國產MCU廠商導入節奏加速，在汽車、工業乃至消費類賽道，國產MCU認證節奏持續加快。

我們認為受益于行業高成長空間、低國產滲透率以及缺貨帶來的國產認證持續加速浪潮，國產MCU行業將持續維持高增長。

建議關注：兆易創新、中穎電子、芯海科技、樂鑫科技、華大半導體（未上市）等2021年全球MAU前五大廠商份額GD32E501系列MCU產品組合排名1234公司恩智浦微芯科技瑞薩意法半導體英飛凌市占率18.8%17.9%17.0%16.7%11.8%5資料：

ICInsights

，IHS，申萬宏源研究81.4

強勢芯片FPGA

FPGA行業快速成長+進入快車道?國內市場，Frost&Sullivan數據顯示，以出貨量統計，2019年國產廠商份額占比不足15%。以營收計，2019年Xilinx、Altera、Lattice、安路科技四者在中國市場的收入比為56.69%：37.04%：5.35%：0.93%。測算得2021年安路科技在四者中國市場收入總和的占比已經由0.93%提升至5.29%，進入快車道，且遠未觸及替代空間上限。??據Frost&Sullivan預測2022、2023年的國內行業增速將達到18.10%、19.68%，行業增長迅猛，帶動國產廠商收入提升。FPGA國產化領軍：安路科技、復旦微等。統計國內3家FPGA相關上市公司，相關板塊的營收從2018年的7.98億元增長至2021年的44.34億元，3年CAGR為77.14%。2019年中國FPGA市場部分玩家收入相對比例2021年中國FPGA市場部分玩家收入相對比例0.93%5.29%5.35%4.94%安路科技：0.93%→5.29%37.04%32.37%56.69%57.40%XilinxAlteraLattice安路科技XilinxAlteraLattice安路科技資料:

Frost&Sullivan，申萬宏源研究91.4

強勢芯片FPGA

中國FPGA行業市場規模分布如何？有多大市場空間？1）市場規模分布：2022年，28nm以上制程、500K

LUT以下

國內民用FPGA廠商安路科技的產品系列替代空間極為廣闊。包括安路科技的ELF系列、EG系列、PH系列。其中40nm-65nm系列產品已從2019年開始逐步放量。民用FPGA空間：109.62億元。FPGA國產化空間

28nm系列產品為下一重要發力點。PH系列、LOGO2系列均于2020年開始量產，并于2021年初步放量，二者市場規模尤為廣闊，將與同類型產品在36.54億元的市場中競爭，伴隨著國產FPGA軟件生態不斷完善，預計28nm系列后續放量將成為的下一重要發力點。

此外，隨著高研發投入下的產品線快速擴張，預計下一代FPGA推出后空間將會增加至150億元以上。資料:

Frost&Sullivan

，申萬宏源研究101.4

強勢芯片FPGA

以通信、工業、宇航等市場加速FPGA?Frost&Sullivan數據顯示，FPGA國內市場規模從2018年的115.6億元增長到2021年的176.8億元，3年CAGR為15.21%。2022年-2025年，FPGA國內市場規模有望從208.8億元增長到332.2億元，3年CAGR為16.74%。

未來隨著通信市場的擴張，以及工業控制等領域的持續發力，國內市場占比可持續保持30%以上，其中工業領域及通信市場規模未來3年CAGR分別為15.63%及17.43%。FPGA下游應用資料：Frost&Sullivan，申萬宏源研究111.4

強勢芯片模擬芯片

市場空間廣闊，歐美廠商占主導，國產替換機會充足。?全球模擬芯片市場規模穩定增長。根據IC

Insight顯示，2018年-2023年全球模擬芯片銷售額預計從588億美元提升至779億美元，占全部集成電路銷量的16%左右，保持穩定。不同于整個集成電路行業周期波動性較強特點，模擬芯片行業因下游應用領域廣泛，單機模擬芯片用量提升等波動性小，呈現弱周期性穩定增長態勢。?中國模擬芯片市場規模巨大且穩定增長，但自給率較低，替代成長空間大。根據研究院的數據，2021年中國模擬集成電路市場規模為2731億元，同比增長9.1%，2021年國產化率為15%。全球模擬芯片市場空間（億美元）中國模擬芯片市場空間（億元，%）90080070060050040030020010003000250020001500100050020%15%10%5%0%0-5%2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

202120172018201920202021E2022E2023E中國模擬芯片市場規模（億元）同比資料：研究院，申萬宏源研究12

資料：ICInsight，申萬宏源研究1.4

強勢芯片模擬芯片

格局方面，全球模擬芯片市場份額主要由海外歐美企業占據，空間巨大。?

根據IC

Insights統計，2021年全球第一大模擬芯片廠商德州儀器市場占有率為19%，CR10

68%，整體競爭格局較為分散。絕大部分國內模擬集成電路廠商起步較晚，研發投入相對較低，產品以中低端芯片為主，而且在價格上競爭激烈。近年來，隨著技術的積累和政策的支持，部分國內公司在高端產品方面取得一定的突破，逐步打破國外廠商壟斷，面臨著廣闊的空間。

重點關注：圣邦股份（國產模擬芯片龍頭企業）、納芯微（隔離芯片龍頭企業+汽車模擬芯片龍頭企業）2021年全球模擬芯片行業競爭格局分散，CR10為68%圣邦股份產品類別排名公司總部所在地

營業收入（百萬美元）市占率12德州儀器（TI）亞諾德（ADI）美國美國14,0509,35519.0%12.7%3思佳訊（Skyworks）美國5,9108.0%45英飛凌（Infineon）意法半導體（ST）威訊聯合半導體德國瑞士4,8003,9066.5%5.3%6美國3,8755.2%（QROVO）789恩智浦（NXP）荷蘭美國美國日本3,4572,1151,8391,1104.7%2.9%2.5%1.5%安森美（ON

Semi）微芯（Microchip）瑞薩（Renesas）10資料：公司官網，申萬宏源研究

資料：申萬宏源研究131.5

半導體設備核心環節

半導體設備，即在芯片制造和封測流程中應用到的設備。在整個芯片制造和封測過程中，會經過上千道加工工序，涉及的設備種類大體有九大類，細分又可以劃出百種不同的機臺，占比較大的主要有：光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入機、測試機、分選機、探針臺等。?光刻的本質是把臨時電路結構復制到硅片上，這些結構首先以圖形形式制作在掩膜版上；光源透過掩膜版將圖形轉移到硅片表面的光敏薄膜上。??刻蝕是利用化學或者物理的方法將晶圓表面附著的不必要的材質進行去除的過程。薄膜的沉積，是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當的位置下聚結，以漸漸形成薄膜并成長的過程。?半導體清洗設備針對不同的工藝需求，對晶圓表面進行無損傷清洗以去除半導體制造過程中的顆粒、自然氧化層、金屬污染、有機物、犧牲層、

拋光殘留物等雜質。半導體設備產業鏈14資料：前瞻產業研究，申萬宏源研究1.5

國內晶圓廠投產拉動半導體設備需求

晶圓廠資本開支整體呈上升趨勢，并且北美半導體設備支出2021年已創新高，行業景氣度持續向好。?根據SEMI數據，2021-2022年全球將新增29座晶圓廠陸續進入建設階段，其中中國大陸8座。到2024年，全球12英寸晶圓廠數量將達到161座，產能達700萬片/月，其中中國大陸12英寸晶圓廠2024年產量將達150萬片/月，占全球約21%。

隨著全球半導體產業向中國大陸轉移，中國大陸半導體設備產業持續快速發展。?中國大陸半導體設備產業的快速發展推動其在全球市場的份額的不斷提升，2020年中國大陸半導體設備銷售額占全球市場比例達26%，同比提升3個百分點。?新增晶圓廠建設快速拉動了對半導體設備的需求，目前設備供應主要由海外企業壟斷，但國內企業已在部分細分領域陸續取得突破，加速國產設備的驗證及供應鏈導入是必然趨勢，在行業景氣周期上行及國產化的推動下，我們認為，國內設備企業將迎來快速發展階段。?部分國內企業是在國家政策及資金支持下，進行相應設備的研發，并已經逐步取得階段性成果，并且訂單快速增長，各細分領域逐個擊破的策略已初見成效，涂膠顯影、CMP、清洗等領域相繼發展出優秀的國內供應商，并未因對應市場規模相對較小而放緩研發進度，2020年部分環節的國產化比例較2016年已有顯著提升，適合我國行業發展的階段及其規律，進一步提升整體設備國產化水平。151.5

半導體設備國產化進程任重道遠

國外廠商在全球半導體設備市場占主導，行業集中度較高。?以美國Applied

Material、荷蘭ASML、美國LAM、日本TEL和美國KLA等為代表的國際企業，憑借資金、技術、客戶資源、品牌等方面的優勢，占據了全球半導體專用設備市場的主要份額。2021年全球前5家半導體專用設備廠商市場占有率合計達77%。2020年全球半導體設備細分市場份額2021年全球半導體設備廠商市占率（%）光刻,19%封裝,5%薄膜沉積,24%23%22%刻蝕,19%7%其他,87%其他,10%測試,8%21%12%清洗,4%其他,0.2%14%CMP,

4%去膠,1%離子注入,3%AMATASMLLAMTELKLA其他涂膠顯影,3%16資料：SEMI，Gartner，申萬宏源研究1.5

半導體設備滲透率逐步提升

國內設備廠商已成功進入大多數半導體制造設備細分領域，但整體國產化率尚處于較低水平，政策支持下，半導體制造設備國產化潛力巨大。中國半導體設備國產化率情況（%）涂膠顯影設備CMP設備離子注入設備清洗設備?在國家資金及政策的大力支持下，目前在半導體設備制造部分環節，已經逐漸成長出一些優秀的國內設備供應企業，整體水平達到28nm制程，并在14nm和7nm制程實現了部分設備的突破。薄膜沉積設備光刻設備刻蝕設備0%5%10%15%20%25%2020

2016資料：上海集成電路產業發展研究報告，申萬宏源研究半導體設備國產化代表公司半導體設備國產化公司平臺型設備企業，產品涉及刻蝕、薄膜北方華創中微公司芯源微屹唐股份華海清科拓荊科技去膠設備全球龍頭沉積、氧化擴散、退火、清洗等刻蝕設備快速增長CMP國內主要供應商涂膠顯影國內龍頭，前道track產品收入及訂單快速放量PECVD、SACVD、ALD等薄膜沉積設備國產化主要供應商布局濕法設備，提供28nm節點的全部濕法工藝設備至純科技萬業企業盛美上海收購凱世通布局離子注入機清洗設備國內供應商，布局電鍍設備及先進封裝濕法設備等資料：申萬宏源研究172.1

第三代半導體特點卓越，發展迅速

第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表，因具有寬禁帶、高電導率、高熱導率、高抗輻射能力等優點，更適合在高壓、高頻、高功率、高溫等領域中應用，例如射頻通信、、電源管理、汽車電子、電力電子等??與第一代半導體材料Si相比，碳化硅具備更高的擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導性和熱穩定性碳化硅器件更高效節能、更能實現系統小型化：1）碳化硅更低的導通電阻阻值有利于模塊的小型化；2）碳化硅高頻的特點有利于周邊部品的更小型化；3）碳化硅更耐高溫的特點使得器件冷卻結構簡潔化。第三代半導體材料禁帶寬度大，耐高溫、高頻高功率，擁有高熱導率和高擊穿電場強度第一代半導體第二代半導體砷化鎵第三代半導體指標參數參數意義（越高）硅碳化硅氮化鎵禁帶寬度（eV）擊穿電場強度（10^5V/cm）1.11.43.23.4更高的應用電壓，更低的導通電阻454060飽和電子漂移速率（10^7cm/s）熱導率（W/cm·K）122.53.52.51.3更大的電流更好的散熱1.50.5用于低壓、低頻、低功率

相較第一代工作器件頻率晶體管與光電探測器等；

更高、更抗高壓、更高速在光電子器件和高頻高功

的光學性能；但有毒，會用于高壓、高頻率、耐高溫器件；有低能量損耗、耐腐蝕、抗輻射、禁帶寬度大、可實現系統小型化特點特點率器件的應用有局限污染環境注：上表第三代半導體列示的是主流碳化硅晶型4H-SiC參數（具有更高的載流子遷移率、更低的參雜電離能和載流子濃度18資料：《第三代半導體技術與應用》，申萬宏源研究2.2

縱觀碳化硅產業鏈：襯底與外延占據70%的生產成本

襯底與外延占據70%的碳化硅器件成本。根據研究院數據，碳化硅器件的成本構成中，襯底、外延、前段、研發費用和其他分別占比為47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約70%，是碳化硅器件制造產業鏈的重要組成部分。?受制于材料端的制備難度大，良率低，產能小，目前碳化硅襯底及外延層的價值量明顯高于硅材料（12英寸硅晶圓襯底+外延的價值量占比約11%）?襯底和外延層的缺陷水平的降低、摻雜的精準控制及摻雜的均勻性對碳化硅器件的應用至關重要2020年碳化硅產業鏈制造成本占比（%）2020年硅產業鏈制造成本占比（%）襯底外延前段研發費用其他襯底外延前道晶圓處理封裝測試資料：研究院，申萬宏源研究192.3

襯底：海外廠商壟斷，但空間大

海外廠商壟斷碳化硅襯底市場，但空間大??2020年全球導電型碳化硅襯底市場中，Wolfspeed獨占62%的市場份額，CR3約89%，國內份額最大的天科合達僅占4%。2020年全球半絕緣型碳化硅襯底市場中，Wolfspeed、II-VI分別占33%、35%的市場份額，CR2約68%，國內山東天岳占30%。未來幾年，我們認為隨著國內外新能源車和光伏發電等下游需求不斷增長，碳化硅襯底的市場規模有望快速增長。Wolfspeed預測，2026年碳化硅襯底市場規模有望達到17億美元，2022-2026年復合增速達到25%2020年全球導電型碳化硅襯底市占率（%）2020年全球半絕緣型碳化硅襯底市占率（%）WolfpeedII-VIROHMSKSiltron天科合達其他WolfpeedII-VI山東天岳其他資料：Yole，申萬宏源研究202.4

外延：質量對器件影響大，中國企業相繼布局

外延設備國外壟斷，國內以外延晶片為切入點?外延設備被行業四大龍頭企業德國的Aixtron、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare所壟斷，主流SiC高溫外延設備交付周期已拉長至1.5-2年左右，中國難以進入技術壁壘較高的外延設備領域，以外延晶片生產為主要切入方向。外延是指在碳化硅襯底上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜。

外延層對器件性能影響大，處產業鏈中間環節；碳化硅外延晶片市場呈現出雙寡頭壟斷格局，海外廠商占據主要市場?根據Yole數據，2020年全球碳化硅外延晶片市場中，Wolfspeed占52%，Showa

Denko占43%，CR2共占95%。中國廠商相較于海外廠商在外延晶片生產技術上稍有落后，目前中國SiC外延晶片主要產線均為4英寸和6英寸,而美國、日本已開始試產8英寸的SiC外延晶片2020年全球碳化硅外延晶片市占率（%）WolfpeedShowaDenko其他資料：Yole，申萬宏源研究212.5

碳化硅器件：下游應用廣泛，新能源拉動需求提升

碳化硅功率器件在新能源汽車、光伏新能源、軌道交通、智能電網、家電等領域均有廣泛應用前景。2021年碳化硅功率器件分別在新能源汽車、電源、光伏等領域應用占比為30%、22%和15%。?根據Yole數據，全球碳化硅功率器件市場規模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元，CAGR達34%，其中新能源車（主逆變器和充電機）、光伏及儲能系統貢獻了主要增量。新能源車將由從2021年6.85億美元增長至2027年49.86億美元，為最大增量領域；光伏及儲能預計2027年增長至4.58億美元；此外軌道交通領域預計也會為功率器件市場貢獻超過1億美元的增量空間。2021-2027年SiC功率器件市場預測SiC功率器件應用領域資料：Yole，申萬宏源研究資料：天科合達招股說明書，申萬宏源研究222.5

碳化硅器件：電動車規模上量800V高壓快充平臺

隨著續航問題逐漸成為電動車發展的重心，高壓快充大勢所趨。利于充電性能和整車運行效率大幅提升的800V快充平臺加速布局，碳化硅憑借其體積小、耐高溫和耐高壓的優勢脫穎而出。?根據ST數據顯示，800V系統下，相較于IGBT，SiC

MOSFET在25%負載下最多可減少80%能耗，在100%負載下最多可減少60%能耗?在10kHz工作頻率和800V架構下，相較于IGBT，采用SiC

MOSFET的210kW逆變器可以使總功率器件體積縮小5倍，開關損耗減小為原來的3.9倍，總損耗減小為原來的1.9倍，從而減少PCU尺寸并簡化冷卻系統800V高壓快充平臺布局品牌續航布局配置800V平臺車型保時捷Taycan

TurboS高壓動力電池、前/后驅動電機、車載充

保時捷Taycan

TurboS，純電動保時捷15分鐘充80%電電機和PTC部件均采用800V平臺Macan現代E-GMP平臺高壓動力電池、前/后驅動電機、電池加熱器、座艙加熱器以及高壓空調均采用800V平臺,IONIQ5國內版有望2022實現量產現代小鵬長城14分鐘充80%電現代IONIQ5,IONIQ6，EV6小鵬G9所有零部件均支持800V高壓，預計于2022年第三季度交充電5分鐘，續航200公里小鵬G9付長城正部署可支持800V電壓的雙電機矢量控制模塊、800V

SiC控制器、800V-1000V的250A超高壓線束系統等800V高壓技術零部件充電10分鐘，續航800公長城機甲龍里充電5分鐘，續航超200公

零跑計劃2023年年底量產支持800V快充的大功率碳化硅控制器，零跑比亞迪東風-里計劃2024年第四季度量產800V超高壓電氣平臺比亞迪的e-platform

3.0搭建800V高壓構架，海豚于2021年上市，ocean-X預計于2022年發布充電5分鐘，續航150公里比亞迪海豚東風嵐圖-充電10分鐘，續航400公

東風嵐圖動力電池和用電設備均采用800V高壓系統，2021年進入整車測試階段里充電10分鐘，續航400公

理想同步研發Whale和Shark800V高壓純電平臺，計劃2023年理想里起每年至少推出兩款高壓純電動汽車資料：各公司官網，申萬宏源研究232.5

碳化硅器件：SiC應用于新能源車的梳理

2016年，比亞迪在車載充電器和轉換器上使用碳化硅；特斯拉在Model

3上率先使用意法半導體碳化硅功率模塊。比亞迪、蔚來及小鵬等國內外廠商的碳化硅新車型陸續出貨。2023款極氪001搭載SiC器件，續航提升6-10km。SiC應用于新能源車梳理推出年份2022車型／平臺／場景G9smart精靈#1極氪

009極氪001E-GMPloniq

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G80BEVloniq

6OEM廠商國家小鵬中國202220222023吉利現代中國韓國20212022202120222021202220162019ET5、ET7ES7蔚來通用中國美國凱迪拉克LYRIQ汽車平臺UtiumModel

3Model

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GTLucid

AirMachE長城機甲龍Vision

EQXXEMA保時捷奧迪*保時捷奧迪德國德國德國美國美國中國德國英國Lucid

MotorsFord長城奔馳JLR資料：各公司官網，申萬宏源研究243.1

電子重點公司估值表電子行業重點公司估值表2023-02-20PB申萬預測EPSPE證券代碼

證券簡稱

投資評級收盤價(元)

總市值（億元）

2021A

2021A

2022E

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2024E

2022E