模擬集成電路電流源基準源Dr.JianFang.UESTC第1頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC1.鏡像電流源基準電流：無論Rc的值如何，IC2的電流值將保持不變。恒流源和有源負載一電流源電路因為：所以：第2頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第3頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC2.微電流源由于很小，所以IC2也很小第4頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第5頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC3.多路電流源第6頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC3.電流源的改進帶緩沖恒流源第7頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第8頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC具有基極電流補償的恒流源第9頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCMOS恒流源第10頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCWilso恒流源第11頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC4.電流源作有源負載交流電阻大直流電阻小電壓范圍寬工藝容易實現第12頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC4.電流源作有源負載共射電路的電壓增益為：對于此電路Rc就是鏡像電流源的交流電阻，因此增益比用電阻Rc作負載時大大提高了。放大管鏡像電流源鏡像電流源鏡像電流源第13頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC恒流源電路

精密匹配電流鏡第14頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCPNP基本恒流源及其改進電路第15頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC模擬集成電路.基準源電路第16頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC基準源電路穩定的電壓輸出不隨溫度變化低的輸出電阻,不隨負載變化第17頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC(1)BE結二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數

;(2)由NPN管反向擊穿BE結構成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數：(3)等效熱電壓Vt＝26mV，溫度系數第18頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC正向二極管基準電路齊納二極管基準電路具有溫度補償的齊納基準電路負反饋基準源電路參考電壓源第19頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC正向二極管基準電路溫度系數大內阻較大芯片面積大Vref第20頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTCR1R2TVref解決了大Vref的問題(1)BE結二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數

第21頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC齊納二極管基準電路Vref(2)由NPN管反向擊穿BE結構成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數：第22頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC(1)BE結二極管的正向壓降VBE,VBE=0.6~0.8V,他的溫度系數

;(2)由NPN管反向擊穿BE結構成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=6～9V，它的溫度系數：(3)等效熱電壓Vt＝26mV，溫度系數第23頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC具有溫度補償的齊納基準電路Vref第24頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC負反饋基準源電路第25頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC偏置電壓源和基準電壓源電路

雙極型三管能隙基準源雙極型二管能隙基準源

E／DNMOS基準電壓源

CMOS基準電壓源

第26頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC1.雙極型三管能隙基準源第27頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC只要適當設計R2／R3和J1／J2，即可使在該溫度下基準電壓的溫度系數接近零第28頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC輸出接近為5V的能隙基準源第29頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC2.雙極型二管能隙基準源

第30頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC可以通過控制有效發射結面積比AEl／AE2或AE3／AE4及電阻比R2／R1來獲得接近零溫度系數的基準源第31頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC3.E／DNMOS基準電壓源

第32頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC耗盡型和增強型MOS的閾值耗盡型增強型第33頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第34頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第35頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第36頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第37頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC其溫度系數決定于三個因素M1，M2的開啟電壓之差的溫度系數，M1，M2漏極電流IDE＝IDD＝ID的溫度系數溝道電子遷移率的溫度系數。第38頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第39頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC第40頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianFang.UESTC4.CMOS基準電壓源

第41頁，共43頁，2023年，2月20日，星期一Dr.JianF