ITO靶材尺寸大型化分析ITO靶材尺寸大型化隨著電視、PC等面板面積加速向大尺寸化邁進，相應的ITO玻璃基板也出現了明顯的大型化的趨勢，這使得對ITO靶材尺寸的要求越來越大。為滿足大面積鍍膜工藝要求，往往需使用多片或多節小尺寸靶材拼焊成大尺寸靶材，但焊縫的存在會導致靶材鍍膜質量的下降。因此，研發大尺寸單片（單節）靶材，減少焊縫數量成為ITO靶材技術發展趨勢。濺射靶材上游分析2021年國內共生產高純鋁14．6萬噸，同比增長9．77%，根據數據統計，2016年中國的高純鋁產量為11．8萬噸，2020年增至13．3萬噸，年均復合增長率為3．0%。2021年全球經濟復蘇疊加新能源汽車需求爆發，下游需求旺盛，高純鋁產量再創新高。預計2022年高純鋁產量將繼續保持增長，將達15．4萬噸。以純銅或銅合金制成各種形狀包括棒、線、板、帶、條、管、箔等統稱銅材。近年來中國銅材產量整體保持增長趨勢，2022年9月中國銅材產量222．1萬噸，同比增長9．5%；1-9月累計產量1636．6萬噸，同比下降0．5%。濺射靶材行業概述濺射工藝是物理氣相沉積（PVD）技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，而濺射靶材正是該工藝的關鍵原材料。以晶圓制造為例，需要反復重復薄膜沉積工藝，用于導電層、阻擋層、接觸層、介電層等的制備，薄膜沉積工藝通常分為物理氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術，其中PVD常用來生長鋁、銅、鈦、鉭等金屬薄膜，CVD常用來制備氧化硅等絕緣薄膜。除鎢接觸層和銅互連層外的絕大多數金屬薄膜都是用PVD技術生成，而濺射則是目前最主流的PVD技術。濺射是利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能得離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。類似地，除晶圓制造外，顯示面板、薄膜太陽能電池等的制造過程中也都會用到濺射工藝以制備薄膜材料。高性能靶材主要指應用于半導體、平板顯示、太陽能電池等領域的金屬純度為99．95%以上的濺射靶材。靶材制備位于產業鏈的中游，從產業鏈來看，靶材上游原材料材質主要包括純金屬、合金以及陶瓷化合物三類。下游應用市場則較為廣泛，但整體來看主要集中在平板顯示、信息存儲、太陽能電池、半導體四個領域。光伏靶材應用場景光伏領域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池（本征薄膜異質結電池），目前市場主流的晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。其中自2015年三洋的HIT專利保護結束后，技術壁壘消除，HIT電池電池開始推廣，近年來發展迅速。光伏電池用靶材形成背電極，靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：第一，它是各單體電池的負極；第二，它是各自電池串聯的導電通道；第三，它可以增加太陽能電池對光的反射。目前太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99．99%（4N）以上。其中薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶（氧化鋁鋅）等，HIT電池則主要使用ITO靶材作為其透明導電薄膜。鋁靶、銅靶主要用于導電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導電層薄膜。濺射靶材應用場景半導體芯片是對濺射靶材的成分、組織和性能要求的最高的領域。具體來講，半導體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環節，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環節中都需要用到金屬濺射靶材。靶材在晶圓制造環節主要被用作金屬濺鍍，常采用PVD工藝進行鍍膜，通常使用純度在99．9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環節常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。具體來看，半導體領域用量較多的濺射靶材主要有鉭靶、銅靶、鋁靶、鈦靶等，其中銅靶和鉭靶多配合起來使用，分別用于生成銅導電層和鉭阻擋層，在110nm以下技術節點中大量使用；鋁靶和鈦靶則主要用于8英寸晶圓110nm以上技術節點中導電層和阻擋層的制備。隨著芯片制程持續微縮，銅靶和鉭靶需求有望持續增長，而汽車芯片等仍廣泛使用成熟制程，鋁靶和鈦靶仍有大量應用。半導體芯片用金屬濺射靶材的作用，就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導線。具體工藝過程為，在完成濺射工藝后，使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導體芯片的表面上，然后再通過的特殊加工工藝，將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級別的金屬線，將芯片內部數以億計的微型晶體管相互連接起來，從而起到傳遞信號的作用。記錄媒體靶材應用場景數據存儲可分為光存儲、磁存儲與半導體存儲，近年來半導體存儲發展迅速。從數據存儲量來看，目前磁記錄仍然占據主導記錄。按記錄媒體的機械形狀和驅動方式的不同，磁記錄可分為磁鼓、磁帶（錄音機、錄像機、數據記錄）、磁盤（硬盤、軟盤）、磁卡等，其中，高密度硬盤領域的磁性薄膜幾乎都是以濺射法制作的，這些磁記錄薄膜材料有很高的記錄密度。因此也要求濺射靶材具有高純度、低氣體含量、細晶微結構、均勻的金相、高磁穿透和使用率、優異的電性與機械特性等特點。磁記錄靶材常用材料為鈷（3N）/鎳/鐵合金/鉻/碲、硒（4N）/稀土-遷移金屬（3N）等，主要包括鉻靶、鎳靶、鈷靶。濺射靶材種類和規格按材質可分為金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。按下游終端應用可分為半導體靶材、平板顯示靶材、太陽能電池靶材、記錄存儲靶材等，四大板塊約合占比97%。按形狀分類可分為長靶、方靶、圓靶和管靶。其中常見的靶材多為方靶、圓靶，均為實心靶材。近年來，空心圓管型濺射靶材由于具有較高的回收利用率，也在國內外得到了一定推廣。在鍍膜作業中，圓環形的永磁體在靶材的表面產生的磁場為環形，會發生不均勻沖蝕現象，濺射的薄膜厚度均勻性不佳，靶材的使用效率大約只有20%～30%。目前，為了提高靶材的利用率，國內外都在推廣可圍繞固定的條狀磁鐵組件旋轉的空心圓管型濺射靶材，此種靶材由于靶面360°都可被均