標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技術(shù) 版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅基微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）在版圖設(shè)計(jì)階段需要遵循的基本原則和技術(shù)要求。它旨在為從事MEMS器件開發(fā)與生產(chǎn)的工程師提供一套統(tǒng)一的設(shè)計(jì)指導(dǎo)方針，從而保證產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，首先明確了適用范圍，即適用于以硅材料為基礎(chǔ)的各種類型MEMS器件的版圖設(shè)計(jì)工作。接著對(duì)術(shù)語和定義進(jìn)行了詳細(xì)的說明，確保行業(yè)內(nèi)對(duì)于相關(guān)概念有一致的理解。

標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)列出了版圖設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮的關(guān)鍵因素，包括但不限于尺寸精度、布局合理性、電氣隔離、機(jī)械強(qiáng)度等方面的要求。例如，在尺寸方面，強(qiáng)調(diào)了不同層次間特征尺寸的一致性及其公差控制；而在布局上，則關(guān)注如何通過合理安排來優(yōu)化性能同時(shí)避免潛在的干擾問題。此外，還特別提到了關(guān)于電學(xué)特性的考量，比如如何有效地實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸而減少噪聲影響等。

針對(duì)特定類型的MEMS結(jié)構(gòu)，《GB/T 28274-2012》也給出了專門的設(shè)計(jì)指南，如懸臂梁、隔膜等常見元件的具體參數(shù)設(shè)置建議。這些指南幫助設(shè)計(jì)師們更好地理解和掌握不同類型MEMS器件的特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

最后，該標(biāo)準(zhǔn)還包括了一些輔助性的附錄資料，提供了更多參考信息，比如典型工藝流程介紹、常用材料屬性數(shù)據(jù)表等，為實(shí)際操作提供了便利。


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....

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  • 現(xiàn)行
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  • 2012-05-11 頒布
  • 2012-12-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Thebasicregulationoflayoutdesign

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T28274—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心中國電子科技集團(tuán)第十三研究所中國科學(xué)院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所西北工業(yè)大學(xué)

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成王瑋劉偉楊芳姜森林崔波熊斌喬大勇

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微結(jié)構(gòu)加工時(shí)光刻版圖設(shè)計(jì)中圖形設(shè)計(jì)應(yīng)遵循的基本規(guī)則

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用接觸式單雙面光刻氧化擴(kuò)散化學(xué)氣相淀積物理氣相淀積離

/、、(CVD)、(PVD)、

子注入反應(yīng)離子刻蝕氫氧化鉀腐蝕硅玻璃對(duì)準(zhǔn)靜電結(jié)合砂輪劃片等基本工藝方法

、(RIE)、(KOH)、-、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111—2010(MEMS)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

雙面光刻doublesidemaskalign

在基片的一面面制備與該基片另一面面已有光刻圖形或痕跡的有一定對(duì)準(zhǔn)關(guān)系的圖形

(A),(B)

的過程

。

32

.

亮版lightmask

大面積透光的光刻版

。

33

.

暗版darkmask

大面積不透光的光刻版

。

34

.

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記alignmark

用于對(duì)準(zhǔn)不同工序形成的圖形的標(biāo)記

。

4光刻對(duì)準(zhǔn)和鍵合對(duì)準(zhǔn)方法

41單面光刻對(duì)準(zhǔn)方法

.

通過使用光刻機(jī)等工具使光刻版上圖形與基片上對(duì)應(yīng)的圖形對(duì)準(zhǔn)其工作過程如圖所示

,1。

單面光刻對(duì)準(zhǔn)是在有圖形基片表面涂敷光刻膠使用光刻設(shè)備將光刻版圖形與基片上已有圖形對(duì)

,

準(zhǔn)后再通過曝光和顯影將基片上光刻膠處理成與光刻版圖形一致且

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