1、英威騰光明科技大廈水土保持度汛方一、施工概況 TOC o 1-5 h z 二、編制方案的目的4三、指導(dǎo)思想5四、依據(jù)的圖紙、文件、標(biāo)準(zhǔn)5五、作業(yè)準(zhǔn)備和條件要求6六、施工作業(yè)工藝內(nèi)容7七、雨季施工措施 8八、 水土流失事件應(yīng)急措施9九、現(xiàn)場安全、文明施工措施 10施工概況 1.1項(xiàng)目工程概況項(xiàng)目場地位于深圳市光明新區(qū)公明街道薯田埔社區(qū)松白路與田園 路交匯處西北側(cè)。占地面積13892平方米，擬建一棟研發(fā)綜合樓 和一棟生產(chǎn)廠房。研發(fā)綜合樓地下層數(shù)為2層，生產(chǎn)廠房地下層 數(shù)為1層。項(xiàng)目設(shè)計(jì)研發(fā)綜合樓土 0.00M為絕對(duì)標(biāo)高9.65M，生產(chǎn)廠房土 0.00M為絕對(duì)標(biāo)高8.75M。研發(fā)綜合樓地下室底板頂標(biāo)

2、高為-0.75M，底板厚度500MM，墊層 厚度100MM，基坑坑底絕對(duì)標(biāo)高為-1.35M；生產(chǎn)廠房地下室底板 頂標(biāo)高為3.15M，底板厚度500MM，墊層厚度100MM，基坑坑底絕 對(duì)標(biāo)高為2.55M，慮四周地面標(biāo)高，基坑開挖深度約5.159.75M，基坑周長約440M，面積約10721M2。1.2項(xiàng)目環(huán)境概況項(xiàng)目場地周邊環(huán)境較簡單，東側(cè)為空地，南側(cè)為空地，西側(cè)為深 圳市方向電子股份有限公司，北側(cè)為在建220千伏民生變電站工 程。英威騰深圳公明科技產(chǎn)業(yè)園地貌上屬河流沖積平原與丘陵地區(qū)剝 蝕殘丘過渡帶。原始地形有所起伏并伴有坑塘發(fā)育，后經(jīng)人工改 造夷為平地，現(xiàn)狀地勢空曠開闊，地形平坦，總體呈北

3、高南低之 態(tài)勢，整個(gè)項(xiàng)目周邊場地均已硬化。場地地層自上而下依次為：第四系人工填土層（QML）、第四系上 更新統(tǒng)沖積相沉積層（Q3AL），下伏基巖為三疊系上統(tǒng)小坪組沉 積巖（T3）。本基坑?xùn)|側(cè)為一電科技大廈項(xiàng)目，設(shè)兩層地下室，采用放坡開 挖，與一電科技基坑挖通。其余三面，采用土釘墻及復(fù)合土釘墻支護(hù)：攪拌樁直徑550MM， 間距400MM；微型樁直徑300，內(nèi)插20A#工字鋼，間距1200MM； 采用D48X3.25鋼花管土釘+預(yù)應(yīng)力錨索。微型樁樁頂設(shè)置300MM X300MM的冠梁。表面掛鋼筋網(wǎng)噴射混凝土護(hù)面。1.3水土流失現(xiàn)狀場地地下水主要以兩種方式進(jìn)行補(bǔ)給：（1）大氣降水垂直入滲補(bǔ) 給；（2

4、）人類活動(dòng)用水側(cè)向逕流補(bǔ)給。因場地周邊大部區(qū)域被混 凝土覆蓋，補(bǔ)給水量有限。除有少量地下水以蒸發(fā)形式排泄外， 其余部份整體由北向南逕流于場地外向低洼地排泄。水位變幅因 季節(jié)而異，根據(jù)深圳地區(qū)經(jīng)驗(yàn)及場地周邊條件，本場地地下水的 年變化幅度約在12米左右。1月22日至2月1日測得地下水 穩(wěn)定水位埋深在2.843.87米范圍，標(biāo)高4.035.28米之間。項(xiàng)目所在地區(qū)雨量豐富，雨季分布較廣且單次降雨量大，蒸發(fā)強(qiáng) 烈，植被稀疏，水土流失以雨水侵蝕和風(fēng)力侵蝕為主且較嚴(yán)重。1.4場地地表水及地下水處理方案當(dāng)前深圳地區(qū)對(duì)地下水的處理方法主要是截水或降水。降水 會(huì)造成地面沉降，對(duì)周邊環(huán)境破壞較大，只有在基坑周邊沒有建 筑物、地下管線等條件下使用。本設(shè)計(jì)對(duì)地下水和地表水的處理 方法為：）帷幕截水一一截堵基坑四周地下水本基坑采用攪拌樁形成全封閉止水帷幕，能夠有效地截堵坑 外地下水向基坑內(nèi)滲透。）明溝排水一一排除地表水及坑內(nèi)積水基坑周邊坡上、平臺(tái)及坑內(nèi)布置排水溝和集水坑，形成排水 系統(tǒng)。集中排入地面沉淀池，經(jīng)三級(jí)沉淀后排入市政管網(wǎng)。排水 溝斷面300X300MM，集水坑約50M設(shè)一個(gè)，尺寸長X寬X高=800 X500X300MM。三級(jí)