1、英威騰光明科技大廈水土保持度汛方一、施工概況 TOC o 1-5 h z 二、編制方案的目的4三、指導思想5四、依據的圖紙、文件、標準5五、作業準備和條件要求6六、施工作業工藝內容7七、雨季施工措施 8八、 水土流失事件應急措施9九、現場安全、文明施工措施 10施工概況 1.1項目工程概況項目場地位于深圳市光明新區公明街道薯田埔社區松白路與田園 路交匯處西北側。占地面積13892平方米，擬建一棟研發綜合樓 和一棟生產廠房。研發綜合樓地下層數為2層，生產廠房地下層 數為1層。項目設計研發綜合樓土 0.00M為絕對標高9.65M，生產廠房土 0.00M為絕對標高8.75M。研發綜合樓地下室底板頂標

2、高為-0.75M，底板厚度500MM，墊層 厚度100MM，基坑坑底絕對標高為-1.35M；生產廠房地下室底板 頂標高為3.15M，底板厚度500MM，墊層厚度100MM，基坑坑底絕 對標高為2.55M，慮四周地面標高，基坑開挖深度約5.159.75M，基坑周長約440M，面積約10721M2。1.2項目環境概況項目場地周邊環境較簡單，東側為空地，南側為空地，西側為深 圳市方向電子股份有限公司，北側為在建220千伏民生變電站工 程。英威騰深圳公明科技產業園地貌上屬河流沖積平原與丘陵地區剝 蝕殘丘過渡帶。原始地形有所起伏并伴有坑塘發育，后經人工改 造夷為平地，現狀地勢空曠開闊，地形平坦，總體呈北

3、高南低之 態勢，整個項目周邊場地均已硬化。場地地層自上而下依次為：第四系人工填土層（QML）、第四系上 更新統沖積相沉積層（Q3AL），下伏基巖為三疊系上統小坪組沉 積巖（T3）。本基坑東側為一電科技大廈項目，設兩層地下室，采用放坡開 挖，與一電科技基坑挖通。其余三面，采用土釘墻及復合土釘墻支護：攪拌樁直徑550MM， 間距400MM；微型樁直徑300，內插20A#工字鋼，間距1200MM； 采用D48X3.25鋼花管土釘+預應力錨索。微型樁樁頂設置300MM X300MM的冠梁。表面掛鋼筋網噴射混凝土護面。1.3水土流失現狀場地地下水主要以兩種方式進行補給：（1）大氣降水垂直入滲補 給；（2

4、）人類活動用水側向逕流補給。因場地周邊大部區域被混 凝土覆蓋，補給水量有限。除有少量地下水以蒸發形式排泄外， 其余部份整體由北向南逕流于場地外向低洼地排泄。水位變幅因 季節而異，根據深圳地區經驗及場地周邊條件，本場地地下水的 年變化幅度約在12米左右。1月22日至2月1日測得地下水 穩定水位埋深在2.843.87米范圍，標高4.035.28米之間。項目所在地區雨量豐富，雨季分布較廣且單次降雨量大，蒸發強 烈，植被稀疏，水土流失以雨水侵蝕和風力侵蝕為主且較嚴重。1.4場地地表水及地下水處理方案當前深圳地區對地下水的處理方法主要是截水或降水。降水 會造成地面沉降，對周邊環境破壞較大，只有在基坑周邊沒有建 筑物、地下管線等條件下使用。本設計對地下水和地表水的處理 方法為：）帷幕截水一一截堵基坑四周地下水本基坑采用攪拌樁形成全封閉止水帷幕，能夠有效地截堵坑 外地下水向基坑內滲透。）明溝排水一一排除地表水及坑內積水基坑周邊坡上、平臺及坑內布置排水溝和集水坑，形成排水 系統。集中排入地面沉淀池，經三級沉淀后排入市政管網。排水 溝斷面300X300MM，集水坑約50M設一個，尺寸長X寬X高=800 X500X300MM。三級