1、充電電路簡介 （一）充電基本部分：（一）充電基本部分： 1.充電檢測部分 2.充電控制部分 3.電量檢測部分 （二）充電保護部分：（二）充電保護部分： 1.過壓保護部分 2.過流保護部分 手機中MOS的使用場景分析 電池充電過程：預充電、恒流充電、恒壓充電、電池充電過程：預充電、恒流充電、恒壓充電、脈沖充電（線性無）脈沖充電（線性無）1.當當Vbat3.4V屬于預充階段，屬于預充階段，當電池電壓低于當電池電壓低于3.3V時，時，CPU處于關處于關機狀態，在這個模式只要機狀態，在這個模式只要BATDET腳通腳通過下拉電阻置低，即可進行預充！過下拉電阻置低，即可進行預充！充電電流充電電流Ipre=

2、10mV/Rsense2.當當3.4Vbat4.1V進入恒壓充電階段，這個階段電流逐漸變小，電壓維持不變！進入恒壓充電階段，這個階段電流逐漸變小，電壓維持不變！4.當恒壓階段的電流降低到一定值，就進行脈沖充電，當電壓為當恒壓階段的電流降低到一定值，就進行脈沖充電，當電壓為4.2V左右時，充左右時，充電完成。電完成。MT6225VDRVISNSVBAT_SNS0.2歐姆歐姆 按照充電電路的器件的不同，將充電方式分為四種：PMOS、OVP、BJT+NMOS、 BJT+PMOS。1 1、PMOSPMOS控制的充電方式：控制的充電方式： 目前在MTK的MT6223、MT6235、MT6253和展訊平臺

3、所有平臺中，都是采用PMOS控制的充電方式。優點：充電電路非常簡單穩定，成本低缺點：沒有過壓保護功能，耐壓能力低的平臺容易被燒壞。手機中MOS的使用場景分析 這是最的常見充電電路，其中MOS為P-MOS + 肖特基形式，常見于MTK，展訊等平臺。 MOS作為充電電流的控制器，工作在飽和區（恒流區），承受較大功耗。 此電路中使用者最為關心的參數為：PD, ID, RthjA。 容易出現的問題：溫度過高；最大功率不夠。 WILL對應的產品：WPM2005-8/TR,WPM2006-6/TR, WPM2009D-8/TR。手機中MOS的使用場景分析充電電路原理圖充電電路引腳說明MT6251/6252

4、/6236/MT65730.2歐姆歐姆VDRVISNSBATSNS3、BJT+NMOS方式：方式：MTK新推出的平臺(MT6252、MT6236、MT6573、MT6276)中，采用的是BJT+MOS的充電方案，充電管腳耐壓值為30V，且充電電流比PMOS、OVP控制方式大。手機中MOS的使用場景分析 BJT+NMOS的充電方式改變為脈沖充電，GATDRV由電壓控制改變為電流控制。 如右圖所示“電池充電電流I1由流進VDRV管腳的電流I2控制，假設PNP三極管在放大區的放大倍數為200，需要450mA的電池充電電流，那么手機平臺內部需要控制的電流為I2= 450mA/200=2.25mA，并通

5、過檢測Rsense上的壓降組成反饋系統來控制充電電流。手機中MOS的使用場景分析 4、BJT+PMOS方式高通的平臺充電部分一般采用的方式高通的平臺充電部分一般采用的方式為為BJT+PMOS。不同的平臺區別是。不同的平臺區別是PMIC內內部有沒有集成部有沒有集成BJT.其中其中QSC6270將將BJT集成集成在芯片內部。在芯片內部。以下是四個充電過程的詳細分析。以下是四個充電過程的詳細分析。QSC60X0/60X5/62X0/1100/11100.1歐姆歐姆CHG_CTLISNS_PISNS_MBAT_FET_N手機中MOS的使用場景分析 這是高通平臺上的充電電路，其中使用到單路P-MOS。 MOS作為電池電源開關，工作在可變電阻區，功耗不大。 此電路中使用者最為關心的參數為：PD, ID, RDSON。 容易出現的問題：最大功率或電流不夠。 WILL對應的產品：WPM2341-3/TR,WPM1480-3/TR, WPM2301-3/TR。手機中MOS的使用場景分析MT6573-BasebandMT6573-Baseband充電電路產品方案:WPT2F30-