1、11、空間點陣由結點在三維空間做周期性排列所形成的三維陣列。,2、肖脫基缺陷 處于晶格結點上的原子離開平衡位置遷移到晶體表面或內表面的 |正常結點位置上，而使晶體內部留下空位13、柯氏氣團溶質原子或雜質原子與位錯交互作用而形成的溶質原子氣團。| 4、Orowan機制第二相粒子比基體硬，位錯受到粒子的阻擋，形成了包圍粒子的 ；位錯環，其余部分位錯線在線張力作用下迅速被拉直并繼續滑移| 5、無限固溶體 若溶質可以任意比例溶入溶劑，即溶質的溶解度可達100%，貝個；溶體稱為無限固溶體I &孿晶 孿生區域內晶體結構與母體結構相同，但晶體取向發生了變化，與母體 |呈鏡面對稱，構成孿晶。姓名:學號

2、:院系:大連 理工大學課程名稱：材料科學基礎試卷：A考試形式：閉卷授課院（系）：材料科學與工程學院考試日期：2014年5月 試卷共8頁-一-_ 二三四五六七總分標準分16182012101212100得分得丨丨分| |一、解釋下列概念（8 2分=16分）7、partial dislocation柏氏矢量小于點陣矢量的位錯稱為分位錯8 slip system一個滑移面及其上的一個滑移方向構成一個滑移系分二、填空題(18X1分=18分)1用字母A、B、C表示FCC結構(111)面的堆垛次序為ABCABC,HCP結構(0001)面的堆垛次序 為ABAB。2刃位錯的割階為刃 型位錯，扭折為 螺 型位錯

3、。3.BCC晶體中原子密排方向為，密排面為110。4刃型位錯的運動方向與位錯線 垂直：螺型位錯的運動方向與位錯線平行。5產生塑性變形的方式主要有滑移 、 扭折 和 孿牛。6相界面按照結構特點可以分為共格、 半共格 和 非共格 界面。7再結晶的驅動力是 變形金屬經回復后未被釋放的儲存能，回復的驅動力是 形變儲存能。8一個b|110的螺位錯在(111)面上運動，若發生交滑移，則交滑移后在(-1-11) 面上運動。9. (110)、(112)和(113)晶面的晶帶軸為1-10。得分三、簡答題（4X5分=20分）I 1.試說明位錯反應 a100a111a111能否進行。I22|2.Fe有BCC和FCC

4、兩種結構，C在FCC結構的Fe中溶解度較大。請從間隙的 形狀和大小分析原因。3.在立方晶系的晶胞圖中畫出下列晶面和晶向：（112）、（213）、120、121。4在對BCC結構金屬做拉伸實驗時，某一位錯開動的滑移系為（11）111，如果在010方向上作用85 MPa的應力，計算該滑移系的分切應力。幾何條件a100=a/21-1-1+a/2111能量條件a23a2/4+3a2/4能量條件不滿足，不能進行。這是因為固溶于FCC-Fe和BCC-Fe中的碳原子均處于八面體間隙中，而FCC-Fe的八面體間隙尺寸比BCC-Fe的大的緣故。圖略。COSA二34.7MPaI 1.I 2.14.010-110近

5、I得I空I四、（共12分）。請說明以下概念的差異：!（1）臨界分切應力-臨界變形量；:（2）二次再結晶-動態再結晶；I（3）交滑移-多滑移1臨界分切應力：當塑性變形以滑移方式變形時，外力在某一滑移系上的分切應力:達到臨界值時才能發生滑移。這一極限分切應力稱為臨界分切應力。i臨界變形量：一般為2%-10%在臨界變形量處，再結晶得到特別粗大的晶粒。；動態再結晶：即金屬在熱變形過程中發生的再結晶現象。I二次再結晶：再結晶結束后晶粒正常長大被抑制，只有少數晶粒異常長大。通常是1再結晶結束后，若金屬變形較大且加熱溫度較高，則只有少量處于優越條件的晶粒:優先長大，并吞食周圍的大量小晶粒，最后獲得晶粒異常粗

6、大的組織。|交滑移：螺型全位錯從一個滑移面轉移到另一個滑移面上繼續滑移的現象。|多滑移：即晶體的滑移在兩組或者更多的滑移面上同時進行或者交替進行得分丨丨五、（共10分）室溫下槍彈穿過一銅板和一鉛板，試分析長期保持后兩板彈孔周圍組織的 變化和原因。（提示：銅和鉛的熔點分別為1357.77K和600.61K）答：對于銅板，由題可知其熔點為1357.77K。室溫下溫度為20攝氏度，即：293.15K。TH=T/Tm=293.15/1357.77=0.2159可知0.1TH0.3且TH0.35可知長時間在室溫下，彈孔 周圍組織會發生低溫回復。微觀上，組織中的空位或間隙原子移動到晶界或位錯處消失，空位和

7、間隙原 子相遇復合，空位集結形成空位對或空位片，點缺陷密度大大下降。相對于銅板的再結晶溫度，由于溫 度過低，并不會發生再結晶。對于鉛板，由題可知其熔點為600.61K。可知TH=293.15/600.16= 0.4885可知0.3TH0.35可知長時間在室溫下，彈孔周圍組織會發生中溫回復，即組織中原子活動能力比較強，位錯可以在滑移面上滑移或交滑移，使異號位錯相遇相消，位錯密度下降，位錯纏結內部重新排列組合， 使亞晶規整化。并且會發生再結晶，由原來的變形大晶粒生成細小的晶粒，使周圍組織軟化。對于銅板和鉛板來說遠離彈孔的組織由于受到的影響較小，并不會發生變化。得六、（共12分）如圖，在晶體的滑移面

8、上有一柏氏矢量為b的位錯環, 并受到均勻切應力T和正應力c的作用。（1）分析該位錯環各段位錯的結構 類型；（2）在T的作用下，該位錯環將如何運動？ （3）在c的作用下，位錯 環將如何運動？（可畫圖解答）（2）:T的方向與b相同，且與刃位錯線垂直，由AB刃型位錯半原子面向CD運動，CD刃位錯半原子面向AB運動，兩個螺型位錯在切應力下向中間移動， 可知位錯環縮小。（3） 在c的作用下，AB發生正攀移與CD發生負攀移，而AD,BC為螺型位 錯無變化。(共12分)There is a single crystal with FCC structure.(1) What is its slip syst

9、em?(2) Determi ne the active slip system by Reflecti on Rule (mirror rule) in resp onse to tensile load ingalo ng 213(Poi nt F).(3) Accord ing to the crystal rotati on, an alyze the possible multi-slip process.(可中文回答)(1)111(2)(1-11)011單晶體受拉伸時滑移方向力圖轉向拉伸方向，這在極圖上相當于拉伸軸向滑移方向011轉動，剛開始滑移系為(1-11)011，當F點到達對稱線上時(1-11)011和(-111)101這兩個滑移系 的取向因子相