1、EL測試儀培訓(xùn)EL測試儀原理及結(jié)構(gòu)介紹EL缺陷圖片分析目錄EL測試儀應(yīng)用介紹EL測試儀原理及結(jié)構(gòu)介紹EL（ electroluminescence ）：電致發(fā)光）：電致發(fā)光電致發(fā)光電致發(fā)光(英文electroluminescent)，又可稱電場發(fā)光，簡稱EL，是通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場，被電場激發(fā)的電子在能級(jí)間的躍遷、變化、復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。根據(jù)發(fā)光原理分為本證電致發(fā)光和注入式電致發(fā)光，半導(dǎo)體發(fā)光二極管（根據(jù)發(fā)光原理分為本證電致發(fā)光和注入式電致發(fā)光，半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）就是使用注入式電致發(fā)光。）就是使用注入式電致發(fā)光。外加電壓V由于晶硅電池片具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)，接入正向偏壓V后

2、，本身平衡的載流子在電場作用下移動(dòng)，少數(shù)載流子在導(dǎo)帶低向價(jià)帶頂發(fā)生躍遷，激發(fā)出能量為Eg的光子。對(duì)于Si，該方式發(fā)光的波長為：波長 =hc/Eg=1110nmEL測試儀原理及結(jié)構(gòu)介紹在摻雜的晶體Si中存在施主、受主能級(jí)，其他雜志能級(jí)，缺陷能級(jí)等，注入的非平衡載流子也可在上述能級(jí)間復(fù)合發(fā)光，因?yàn)樯鲜瞿芗?jí)間能量小于Eg，因此輻射的光波長大于1110nm。Si 電子注入發(fā)光光譜電子注入發(fā)光光譜右側(cè)1300-1700nm間也存在發(fā)光光譜，該光譜主要為缺陷能級(jí)復(fù)合的發(fā)光光譜。EL測試儀原理及結(jié)構(gòu)介紹電致發(fā)光的亮度正比于總的非平衡少數(shù)載流子數(shù)量，正比于少子擴(kuò)散長度，正比于電流密度。EL亮度與少子擴(kuò)散長度的

3、關(guān)系EL測試儀原理及結(jié)構(gòu)介紹電致發(fā)光（EL）缺陷檢測儀結(jié)構(gòu)當(dāng)太陽能電池加正向偏壓時(shí)，可以將其看作一個(gè)發(fā)光效率很低的發(fā)光二級(jí)管EL測試儀應(yīng)用介紹EL缺陷測試儀在正向偏壓下，可檢測如下太陽能電池、組件缺陷： 晶界、穿孔、污染、隱裂等材料本身缺陷 斷柵、燒結(jié)異常、邊緣漏電、接觸電阻過大等工藝過程造成缺陷在反向偏壓下，可以檢測電池片中因各種缺陷所造成的漏電，可通過不同電壓值下漏電大小并結(jié)合圖片發(fā)現(xiàn)漏電區(qū)域及嚴(yán)重程度。EL缺陷圖片分析正常電池片測試圖片亮度較高，亮度較均勻。正常電池片EL缺陷圖片分析隱裂片EL缺陷圖片分析材料缺陷EL缺陷圖片分析燒結(jié)爐帶網(wǎng)紋EL缺陷圖片分析斷柵EL缺陷圖片分析邊緣過刻EL缺陷圖片分析晶界、暗紋EL缺陷圖片分析邊緣漏電EL缺陷圖片分析劃痕EL測試儀與Correscan對(duì)比溫度對(duì)EL測試的影響本征缺陷（晶格缺陷、晶界等）的EL圖像對(duì)溫度較敏感，而非本征缺陷（斷柵、