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文檔簡介

1、設計指標：AV>250，Ri10k，RL=5.1k， BW=50Hz50kHz，D<5% 。設計條件：輸入信號正弦信號：2mVVi5mV，信號源內阻：Rs=50，電源電壓：VCC=12V；半導體三極管9013，參數：=100，rbb=300，C=5pF，fT=150MHz，3VVCC20V， PCM=625mW，ICM=500mA，V(BR)CEO=40V。1電路選型：小信號放大電路選用如圖1所示兩級阻容耦合放大電路，偏置電路采用射極偏置方式，為了提高輸入電阻及減小失真，滿足失真度D<5%的要求，各級射極引入了交流串聯負反應電阻。2指標分配：要求AV>250，設計計算取

2、AV=300，其中T1級AV1=12，AV2=25；Ri10k要求較高，一般，T1級需引入交流串聯負反應。3半導體器件的選定指標中，對電路噪聲沒有特別要求，無需選低噪聲管；電路為小信號放大，上限頻率fH=50kHz，要求不高，故可選一般的小功率管。現選取NPN型管9013，取=100。4各級靜態工作點設定動態范圍估算：T1級： T2級：， 為防止飽和失真，應選： ；可見 T1級VCEQ1可選小些，T2級VCEQ2可選大些。T1級靜態工作點確定：T2級靜態工作點確定： 一般應取 ， 選 ：5偏置電路設計計算設T1級偏置電路計算：故： 取標稱值120 k 選120 k / 取標稱值62 k 選62 k / 取標稱值9.1k 選9.1 k /T2級偏置電路計算：故： 取標稱值68 k 選68 k / 取標稱值36 k 選 36 k / 取標稱值3.9k 選 3.9 k /6靜態工作點的核算 T1級：符合設計要求。 符合設計要求。7電容器的選擇 C1： C2： C3： Ce1： 取Ce1=47F 選Ce1 47F/16VCe2：取Ce2=47F 選Ce2 47F/16V8.指標核算Ri=18.

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