1、電力電了課程設計班 級：學 號：姓 名：指導老師：目錄摘要 . 11 單相雙半波晶閘管整流電路主電路設計 21.1 晶閘管的介紹 . 21.1.1 晶閘管的結構 21.1.2 晶閘管的工作原理 21.1.3 晶閘管的伏安特性 41.2 總電路的設計 . 51.2.1 總電路的原理框圖. 51.2.2 主電路原理圖 . 61.3 相控觸發電路設計 71.3.1 相控觸發電路工作原理 . 71.3.2 相控觸發芯片的選擇 81.4 保護電路設計 . 92 電路參數及元件選擇 102.1 主電路電路參數計算 . 102.2 電路元件的選擇 . 112.2.1 整流元件的選擇 112.2.2 保護元件

2、的選擇 113 MATLAB仿真 123.1 MATLAB 軟件介紹 . 123.2 系統建模及電路仿真 . 123.3 系統仿真結果及分析 . 154 設計總結 16參考文獻 . 17摘要電力電子技術是一門新興技術， 它是由電力學、 電子學和控制理論三個學科 交叉而成的，在電氣自動化專業中已成為一門專業基礎性強且與生產緊密聯系的 不可缺少的專業基礎課。 本課程體現了弱電對強電的控制， 又具有很強的實踐性。 它包括了晶閘管的結構和分類、 晶閘管的過電壓和過電流保護方法、 可控整流電 路、晶閘管有源逆變電路、晶閘管無源逆變電路、PWM制技術、交流調壓、直流斬波以及變頻電路的工作原理。晶閘管出現前

3、的時期可稱為電力電子技術的史前期或黎明時期。 晶閘管由于 其優越的電氣性能和控制性能，使之很快就取代了水銀整流器和旋轉變流機組。 并且，其應用圍也迅速擴大。 電力電子技術的概念和基礎就是由于晶閘管及晶閘 管變流技術的發展而確立的。 晶閘管是通過對門極的控制能夠使其導通而不能使 其關斷的器件，屬于半控型器件。對晶閘管電路的控制方式主要是相位控制式， 簡稱相控方式。晶閘管的關斷通常依靠電網電壓等外部條件來實現。整流電路按組成的器件不同， 可分為不可控、 半控與全控三種， 利用晶閘管 半導體器件構成的主要有半控和全控整流電路； 按電路接線方式可分為橋式和零 式整流電路；按交流輸入相數又可分為單相、多

4、相（主要是三相）整流電路。正 是因為整流電路有著如此廣泛的應用，因此整流電路的研究無論在是從經濟角 度，還是從科學研究角度上來講都是很有價值的。 本設計正是結合了 Matlab 仿真 軟件對單相雙半波晶閘管整流電路在阻感負載下進行分析。關鍵詞：晶閘管，整流電路， Matlab, 仿真，阻感負載，相控方式單相雙半波晶閘管整流電路的設計（阻感負載）1. 單相雙半波晶閘管整流電路主電路設計1.1晶閘管的介紹晶閘管的結構晶閘管是一種4層功率半導體器件，具有3個PN結，其結構和電路符號如圖1-1所示。其中，最外層的P區和N區分別引出兩個電極，稱為陽極A和陰極K,中間的P區引出控制極（或稱門極）Pt肌P2

5、J1J3圖1-1晶閘管的結構及電氣符號晶閘管的工作原理晶閘管組成的實際電路如圖1-2所示。A圖1-2組成的實際電路圖為了說明晶閘管的工作原理，可將其看成NPNffi PNF兩個三極管相連，用三A on,.T圖1-3晶閘管雙晶體管模型其工作過程如圖1-4所示。當晶閘管的陽極A和陰極K之間加正向電壓UZ而控制極K不加電壓時，中 間的PN結處于反向偏置，管子不導通，處于關斷狀態。圖1-4晶閘管工作原理當晶閘管的陽極A和陰極K之間加正向電壓UA且控制極G和陰極K之間 也加正向電壓UG時，外層靠下的PN結處于導通狀態。若V2管的基極電流為IB2 , 則集電極電流Ic2為B 2IB2，V1管的基極電流IB

6、1等于Vz管的集電極電流，因 而V2的集電極電流Icl為B l B 2,該電流又作為V2管的基極電流，再一次進 行上述的放大過程，形成正反饋。在很短的時間（一般幾微秒）兩只二極管均進 入飽和狀態，使晶閘管完全導通。當晶閘管完全導通后，控制極就失去了控制作 用,管子依靠部的正反饋始終維持導通狀態。此對管子壓降很小，一般為0. 61.2 V，電源電壓幾乎全部加在負載電阻 R上，晶閘管中有電流流過，可達幾十 至幾千安。要想關斷晶閘管，必須將陽極電流減小到不能維持正反饋過程，當然也可以將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極之間加一反向電壓。綜上所述，可得如下結論:1）晶閘管與硅整流二極管相似，都具有反

7、向阻斷能力，但晶閘管還具有正 向阻斷能力，即晶閘管正向導通必須具有一定的條件： 陽極加正向電壓， 同時控制極也加正向觸發電壓（實際工作中，控制極加正觸發脈沖信號）。2）晶閘管一旦導通，控制極即失去控制作用。要使晶閘管重新關斷，必須 做到以下兩點之一：一是將陽極電流減小到小于維持電流IH ；二是將陽 極電壓減小到零或使之反向。晶閘管的伏安特性晶閘管的導通和截止這兩個工作狀態是由陽極電壓、陽極電流及控制極電流決定的，而這幾個量又是互相有聯系的，在實際應用上常用實驗曲線來表示它們 之間的關系，這就是晶閘管的伏安特性曲線，其伏安特性曲線如圖1-5所示，可 分為正向特性和反向特性曲線兩部分。圖1-5晶閘

8、管的伏安特性1）晶閘管的正向特性當U>O時對應的特性曲線為正向特性。由圖1-5可知，晶閘管的正向特性分 為關斷狀態0A段和導通狀態BC段。當控制極電流IG=O時，逐漸增加陽極電壓 U,觀察陽極電流I的變他情況。開始時，三個PN結只有一個導通，晶閘管處于 關斷狀態，只有很小的正向漏電流。當電壓增加到正向轉折電壓 U=UBO寸，晶閘 管突然導通，進入伏安特性的 BC段。此時晶閘管可通過較大的電流，而管壓降 很小。在晶閘管導通后，若減小正向電壓，則正向電流就逐漸減小。當電流小到 某一數值時，晶閘管又從導通狀態轉為阻斷狀態， 這時所對應的最小電流稱為維 持電流IH。從圖1-5的晶閘管的正向伏安特

9、性曲線可見，當陽極正向電壓高于轉折電壓 時，元件將導通。但是這種導通方法很容易造成晶閘管的不可恢復性擊穿而使元 件損壞，在正常工作時是不采用的。晶閘管的正常導通受控制極電流IG的控制， 為了正確使用晶閘管，必須了解其控制極特性。當控制極加正向電壓時，控制極電路就有電流 IG,晶閘管容易導通，其正 向轉折電壓降低，特性曲線左移。控制極電流越大，正向轉折電壓越低。改變控 制極電流IG,控制極電流越大(IGI>IG2>0)，轉折電壓UBO就越低。2)晶閘管的反向特性當U<O)時對應的特性曲線為反向特性。當晶閘管加反向電壓時，三個PN結中有兩個是反向偏置，只有很小的反向漏電流IR。反

10、向電壓U增加到一定數值后，反向電流急劇增加，使晶閘管反向擊穿，將這一電壓值稱為反向轉折電壓 UBR此時，晶閘管的工作狀態與控制極是否加觸發電壓無關。但晶閘管一旦反 向擊穿就永久損壞，在實際應用中應避免出現這種狀況。1.2總電路的設計總電路的原理框圖總電路原理圖如1-6所示。圖1-6總電路的原理框圖該電路主要由四部分構成，分別為電源，過電保護電路，整流電路和觸發電 路構成。輸入的信號經變壓器變壓后通過過電保護電路，保證電路出現過載或短路故障時，不至于傷害到晶閘管和負載。在電路中還加了防雷擊的保護電路。 然 后將經變壓和保護后的信號輸入整流電路中在電路中，過電保護部分我們分別選擇的快速熔斷器做過流

11、保護，而過壓保護則采用RC電路。整流部分電路則是根據題目的要求為單相雙半波整流電路。 該電路的結構和工作原理是利用晶閘管的開關特性實現將交流變為直流的功能。 單結晶體管直接觸發電路的移相圍變化較大， 而且由于是直接觸發電路它的結構 比較簡單。方便我們對設計電路中變壓器型號的選擇。122主電路原理圖單相雙半波整流電路如圖1-7所示。VII圖1-7單相雙半波整流電路單相雙半波可控整流電路中，變壓器 T帶抽頭，在U2正半周，VT1工作,變壓器二次繞組上半部分通過電流。U2負半周，VT2工作，變壓器二次繞組下半部 分流過反向電流。由上波形圖知，單相雙半波可控整流電路的 Ud波形與單相全控橋的一樣，交流

12、輸入端電流波形一樣，變壓器也不存在直流磁化的問題。 當接其他負載時，也由相同的結論單相全控橋整流電路如圖1-8所示圖1-8單相全控橋整流電路圖因此，單相雙半波與單相全控橋從直流輸出端或從交流輸入端看均是一致 的。二者區別在于：單相雙半波中變壓器結構較復雜，材料的消耗多。單相雙半 波只用2個晶閘管，比單相全控橋少2個，相應的，門極驅動電路也少2個；但 是晶閘管承受的最大電壓是單相全控橋的 2倍。單相雙半波導電回路只含1個晶 閘管，比單相橋少1個，因而也少了一次管壓降。單相雙半波整流電路阻感負載電路如圖 1-9所示。圖1-9單相雙半波整流電路阻感負載電路圖在電源電壓正半周期間，晶閘管 VT1承受正

13、相電壓，VT2承受反相電壓。若 在3 t=a時觸發，VT1導通，電流經VT1、阻感負載、和T二次側中心抽頭形成 回路，但由于大電感的存在，電壓過零變負時，電感上的感應電動勢使 VT1繼續 導通，直到VT2被觸發時，VT1承受反向電壓而截至。在電源電壓負半周期間，晶閘管VT2承受正向電壓，在3 t=a+ n時觸發，VT2 導通，VT1反向則截止，負載電流從 VT1中換流至VT2中。在3 t=2 n時，電壓 過零，VT2因電感L中的感應電動勢一直導通，直到下一個周期 VT1導通時。只有當a<n /2時,負載電流才連續,當a>n /2時，負載電流不連續,而且輸 出電壓的平均值接近于零，因

14、此這種電路控制角的移相圍是 0n /2。1.3相控觸發電路設計相控觸發電路工作原理晶閘管觸發主要有移相觸發、過零觸發和脈沖列調制觸發等。觸發電路對其 產生的觸發脈沖要求：1）觸發信號可為直流、交流或脈沖電壓。2）觸發信號應有足夠的功率（觸發電壓和觸發電流）。3）觸發脈沖應有一定的寬度，脈沖的前沿盡可能陡，以使元件在觸發導通后，陽極電流能迅速上升超過掣住電流而維持導通。4）觸發脈沖必須與晶閘管的陽極電壓同步，脈沖移相圍必須滿足電路要求132相控觸發芯片的選擇相控觸發電路芯片選擇 KJ004集成觸發電路芯片構成的集成觸發器KJ004可控硅移相電路可控硅移相觸發電路適用于單相、三相全控橋式供電裝置中

15、，作可控硅的雙路脈沖移相觸發。器件輸出兩路相差180度的移相脈沖，可以方便地構成全控橋式觸發器線路。電路具有輸出負載能力大、移相性能好、正負半周脈 沖相位均衡性好、移相圍寬、對同步電壓要求低，有脈沖列調制輸出端等功能與特點。觸發器KJ004引腳圖如圖1-10所示。wk冋冋冋冋冋 冋LI HI Lil LU LJ l±l Hl 11J 圖1-10 KJ004引腳圖觸發器KJ004管腳功能如表1-1所示。表1-1觸發器KJ004管腳功能表功能輸出空鋸齒波形成-Vee(1kQ)空地同步輸入綜合比較空微分阻容封鎖調制輸出+Vcc引線腳號12345678910111213141516單結晶體管

16、觸發電路由單結晶體管構成的觸發電路具有簡單、可靠、抗干擾能力強、溫度補償性能好，脈沖前沿徒等優點，在容量小的晶閘管裝置中得到了 廣泛應用。他由自激震蕩、同步電源、移相、脈沖形成等部分組成，相控觸發電 路如圖1-11所示。+2W5：ppi <iX15V24V圖1-11相控觸發電路圖1.4保護電路設計1）過電流保護電路設計當電力電子變流裝置部某些器件被擊穿或短路，驅動、觸發電路或控制電路發生故障，外部出現負載過載；直流側短路，可逆傳動系統產生逆變失敗以及交 流電源電壓過高或過低均能引起裝置或其他元件的電流超過正常工作電流，即出現過電流。因此，必須對電力電子裝置進行適當的過電流保護。2）過電壓

17、保護電路設計設備在運行過程中，會受到由交流供電電網進入的操作過電壓和雷擊過電壓 的侵襲。同時，設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現，因此，必須 對電力電子裝置進行適當的過電壓保護。過流、過壓保護電路如圖1-12所示Rd2. 電路參數及元件選擇2.1主電路電路參數計算1)在阻感負載下電流連續，整流輸出電壓的平均值為：12 J 2Ud2U2sin td( t)U2cos 0.9cos(2-1)設計任務有輸出功率P=500W電感L=1000mH錯誤！未找到引用源。，則輸出電壓平均值Ud的最大 值可由下式可求得。d錯誤！未找到引用源。=0.9 X 50X仁45v(2-2)可見，當Id045 V

18、圍取值。PUd11.11A 0/2圍變化 時，整流器 可在2)整流輸出電流平均值為:(2-3)3) 在一個周期每組晶閘管各導通180°,兩組輪流導通，整流變壓器二次電流 是正、負對稱的方波，電流的平均值ld和有效值I相等，其波形系數為1。 流過每個晶閘管的電流平均值 錯誤!未找到引用源。與有效值錯誤!未找到引用源。分別為:IdVT fid 5.56A2IVT,2Id7.86A(2-4)(2-5)4) 晶閘管在導通時管壓降Ut =0,故其波形為與橫軸重合的直線段；VT1和VT2加正向電壓但觸發脈沖沒到時，VT3 VT4已導通，把整個電壓u2加到VT1 或VT2上,則每個元件承受的最大可

19、能的正向電壓等于 錯誤!未找到引用源。； VT1和VT2反向截止時漏電流為零，只要另一組晶閘管導通，也就把整個電壓U2加到VT1或VT2上,故兩個晶閘管承受的最大反向電壓也為 錯誤!未找 到引用源。2.2電路元件的選擇整流元件的選擇由于單相雙半波整流帶阻性負載主電路主要元件是晶閘管，所以選取元件時 主要考慮晶閘管的參數及其選取原則。晶閘管的主要參數如下：1) 額定電壓UNvt斷態重復峰值電壓UDrm是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上 的峰值電壓。反向重復峰值電壓URrm是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上 的反向峰值電壓。通常取UDrM和URrm中較小的，再取靠近標準

20、的電壓等級作為晶閘管型的額定電 壓。在選用管子時，額定電壓要留有一定裕量，應為正常工作時晶閘管所承受峰 值電壓的23倍，以保證電路的工作安全。晶閘管的額定電壓 UnVT mi nUDRM,URRMUNvt >(23) 2 2U(3-1 )UNvt：工作電路中加在管子上的最大瞬時電壓Unvt=(2-3)2、2li=( 282.8-424.3 ) V2) 額定電流I nvt考慮安全裕量，I nvt2Ivt5.005A222保護元件的選擇變壓器二次側熔斷器采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應用最廣的一種過電流保護措施。在選擇快熔時應考慮：1）電壓等級應根據熔斷后快熔實際承受的電壓來確定。2

21、）電流容量應按其在主電路中的接入方式和主電路聯結形式確定。快熔一 般與電力半導體器件串聯連接，在小容量裝置中也可串接于閥側交流母線或直流 母線中。3）快熔的12t值應小于被保護器件的允許12t值。4）為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應考慮其時間電流特性。3. MATLAB 仿真3.1 MATLAB軟件介紹本次系統仿真采用目前比較流行的控制系統仿真軟件MATLAB MATLA是矩陣實驗室（Matrix Laboratory ）之意，主要用于方便矩陣的存取，其基本元素 是無須定義維數的矩陣。MATLAB是用于算法開發、數據可視化、數據分析以及 數值計算的高級技術計算語言和交互式環境， 主要包括M

22、ATLAB口 Simulink兩大 部分。Simulink是MATLA最重要的組件之一，它提供一個動態系統建模、仿真 和綜合分析的集成環境。在該環境中，無需大量書寫程序，而只需要通過簡單直 觀的鼠標操作，就可構造出復雜的系統。Simuli nk具有適應面廣、結構和流程清晰及仿真精細、貼近實際、效率高、靈活等優點，并基于以上優點Simuli nk已被廣泛應用于控制理論和數字信號處理的復雜仿真和設計。同時有大量的第三方軟件和硬件可應用于或被要求應用于Simuli nk3.2系統建模及電路仿真仿真電路如圖3-1所示。圖3-1仿真電路圖電路仿真波形如下：1）當a =30°時，仿真波形如圖3-2所示圖3-2 a =30°時，仿真波形圖2）當a =60°時，仿真波形如圖3-3所示圖3-3 a =60°時，仿真波形圖3）當a =90°時，仿真波形如圖3-4所示圖3-4 a =90°時，仿真波形圖3.3系統仿真結果及分析當建模和參數設置完成后，即可開始進行仿真。圖 3-2、圖3-3、圖3-4分 別是單相雙半波晶閘管整流電路仿真模型在:分別為30°、60°、90。時的輸出 曲線。從仿真結果可以看出，它非常接近于理論分析的波形。4. 設計總結通過單相雙半波整流電路的設計， 使我加深了對單相雙半