1、模擬綜合試卷12答案一、填空（24分，每空1分）1半導體中存在兩種載流子，分別為 電子和 空穴 。雜質半導體分為兩種，分別為 N型半導體 和 P型半導體 。2、雙極性晶體三極管工作于放大模式的外部條件是 發射結正偏，集電結反偏 。3從信號的傳輸途徑看，集成運放由 輸入級 、中間級 、 輸出級 、偏置電路 這幾個部分組成。4某放大器的下限角頻率，上限角頻率，則帶寬為（-）/2 Hz。5共發射極電路中采用恒流源做有源負載是利用其 交流電阻大 的特點以獲得較高增益。6在RC橋式正弦波振蕩電路中，當滿足相位起振條件時，則其中電壓放大電路的放大倍數要略大于 3 才能起振。7電壓比較器工作時，在輸入電壓從

2、足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器的輸出狀態發生 1 次躍變，遲滯比較器的輸出狀態發生 1 次躍變。8、乙類推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，應改用 甲乙 類推挽放大器。9、負反饋系統產生自激的條件是 ，相應的振幅條件是，相位條件是。10、若三級放大電路中AU1=AU2=30dB，AU3=20dB，則其總電壓增益為 80 dB，折合為 104 倍。11、差分放大電路，若兩個輸入信號uI1=uI2，則輸出電壓，uO= 0 mV；若u I1=100mV，u I 2=80mV則差模輸入電壓uId= 20 mV；共模輸入電壓uIc= 90 mV。二、按要求選其中正確的一項填入括

3、號（26分，每小題2分）1當環境溫度升高時，二極管的反向飽和電流Is將增大，是因為此時PN結內部的。（ B）A 多數載流子濃度增大 B少數載流子濃度增大C多數載流子濃度減小 D少數載流子濃度減小2、晶體三極管的各極電流是由（ C ）形成的。A、多數載流子 B、少數載流子 C、兩種載流子 D、熱運動3、若要提高某放大器的輸入電阻且使輸出電壓穩定，可以加入下列負反饋：( B )A、電流串聯 B、電壓串聯 C、電流并聯 D、電壓并聯4、在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態電位分別為12V，3.7V，3V，則它是（ A ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺

4、管5.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯選頻網絡和（ D ）。A、基本共射放大電路 B、基本共集放大電路C、反相比例運算電路 D、同相比例運算電路6、直接耦合放大電路存在零點漂移的原因主要是（ C ）。 A 電阻阻值有誤差 B 晶體管參數的分散性 C 晶體管參數受溫度影響 D 受輸入信號變化的影響7、 某只硅穩壓管的穩定電壓Vz = 4v，其兩端施加的電壓分別為+5v（正向偏置）和5v（反向偏置）時，穩壓管兩端的最終電壓分別為（ D ）。A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v8、差分放大電路的長尾電阻的主要功能是（ A ），而提

5、高共模抑制比。A 抑制共模信號； B 抑制差模信號；C 放大共模信號； D既抑制共模信號又抑制差模信號；9、組合放大電路的輸出級采用射極輸出方式是為了使（ D ）。 A 電壓放大倍數高 B 輸出電流小 C 輸出電阻增大 D 帶負載能力強10、由NPN型三極管組成的基本共射放大電路的靜態工作點設置不當時，輸出波形容易產生失真，Q點偏高時的失真叫做 失真，對應的輸出電壓波形將出現 失真。（ B ）A 飽和；頂部 B 飽和；底部 C 截止；底部 D 截止；頂部11、當我們想要放大頻率為10KHZ以上的信號時，應采用（ B ）濾波器。A、低通 B、高通 C、帶阻 D、帶通0iD/mA-4 uGS/V5

6、12、石英晶體振蕩頻率穩定的原因是（ B ）A 體積小 B 品質因數高 C 振蕩頻率高 D 有兩個振蕩頻率13、某場效應管的轉移特性如圖所示，該管為（ D ）。AP溝道增強型MOS管 B、P溝道結型場效應管 C、N溝道增強型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管三 、電路分析（16分）1、判斷圖3.1.1，圖3.1.2電路的反饋極性與組態（6分） 圖3.1.1 圖3.1.2（瞬時極性標圖1上） （瞬時極性標圖2上） 電流并聯負 反饋 電壓串聯負反饋+VCCR2R1+C12、判斷電路工作狀況（10分）（1）圖3.2.1電路如下圖示，請回答問題：圖1電路無（填有或無）放大作用。簡單說明理由：因電容隔直

7、作用，該電路中基極靜態偏置電流為零，所以放大電路處于截止狀態，無法對交流信號進行放大。 圖3.2.1（2）圖3.2.2電路如下圖示，試判斷各三極管分別工作在截止區、放大區還是飽和區，并說明理由。 圖3.2.2解：圖A、晶體管為PNP，因發射結正偏、集電結反偏，所以三級管工作在放大區； 圖B、晶體管為NPN，因發射結反偏、集電結反偏，所以三級管工作在截止區； 圖C、晶體管為PNP，因發射結正偏、集電結偏置電壓為零伏，所以三級管工作在臨界飽和區；四、電路分析和計算（34分）1、如下圖所示的電壓串聯負反饋電路中，假設集成運放的開環電壓放大倍數A=100000，電阻R1 = 2K，RF = 18K。（15分）1)估算反饋系數和反饋深度；2)估算閉環放大倍數；3)如果開環電壓放大倍數的相對變化量為±10%，求閉環電壓放大倍數的相對變化量。 圖4.1解：該電路為電壓串聯負反饋電路，1）反饋系數為；反饋深度為。2）因反饋類型為電壓串聯負反饋，所以閉環放大倍數即為閉環電壓放大倍數。3）因，所以閉環電壓放大倍數的相對變化量為C2Ui-+RL+VCCRCRbC1UO2、下圖示放大電路中，已知三極管的， ，、，。（12分）（1）試估算靜態工作點；（2）計算三極管的值；（3）求出中頻時的電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻；圖4.2 解：（1） （2） （3）中頻時的電壓放