1、.電子元器件來料檢驗規程（一）半導體晶體管部分1 內容本規程規定了本公司常用半導體二極管、三極管、達林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（igbt）來料檢驗的抽樣方式、接收標準、檢驗測試方法和所用測試儀器等具體要求。2 范圍本規程適用于本公司常用半導體二極管、三極管、達林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（igbt）來料檢驗和驗收。3 引用標準gb2828.1-2003 計數抽樣檢驗程序 第一部分：按接收質量限（aql）檢索的逐批檢驗抽樣計劃gb2421 電工電子產品基本環境試驗規程 總則gb2423.22 電工電子產品基本環境試驗規程 試驗cb：恒定濕熱試驗方法gb2421 電工電子產品基本環境試驗規程 試

2、驗n：溫度變化試驗方法gb4798.1 電工電子產品應用環境條件 貯存4 檢驗測試設備和測試方法測試設備：dw4824型晶體管特性圖示儀（或qt2型晶體管特性圖示儀等） 測試大功率晶體管專用轉接夾具、插座或裝置 數字萬用表、不銹鋼鑷子等應手工具晶體管特性圖示儀、數字萬用必須經檢定合格并且在計量檢定的有效期內。人員素質：能熟練操作使用晶體管特性圖示儀進行各種半導體器件參數測試，工作態度嚴謹、細心，持有檢驗測試操作合格證或許可證。測試準備：晶體管特性圖示儀每次開啟，必須預熱五分鐘。檢查確認圖示儀的技術狀態完好方能進行測試。每種器件在測試前都要做外觀檢查：管腳應光潔、明亮，管身標志清晰、無劃痕，封裝

3、尺寸應符合訂貨要求。4.1 絕緣柵n溝道雙極晶體管igbt主要測試參數：igbt的特性曲線igbt的飽和壓降vces igbt的柵極閾值電壓vge（th）igbt的擊穿電壓vcer測試方法： 現將上述特性參數的測試方法分述如下。4.1.1 測igbt的輸出特性曲線按附表1“常規測試/輸出特性曲線”欄、測igbt的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。正確連接相應的igbt測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的igbt，圖示儀即顯示一簇該igbt的輸出特性曲線。該線簇應均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖1a所示）。否則為不合格（如圖1b所示）。精品.圖 14.1.2 測igbt的飽

4、和壓降vces在特性曲線中選擇vge=4.5v的一條曲線，它與ic=7.0a直線的交點所對應的vc電壓值就是所測試的igbt在vge=4.50v、ic=7.0a時的飽和壓降vces。vces3.0v為合格。否則為不合格。4.1.3 測igbt的轉移特性曲線按附表1“常規測試/轉移特性曲線”欄、測igbt的要求調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。正確連接相應的igbt測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的igbt，圖示儀即顯示一簇該igbt的轉移特性曲線。該線簇應當是一組幅度由小到大的、等間距的豎直線段。這些線段的一端在x軸上，另一端連接起來應當是一條平滑的曲線。4.1.4 測igb

5、t的柵極閾值電壓vge（th）觀測特性曲線與ic=1ma直線的交點所對應的vbe電壓值，就是該igbt在該測試溫度下的柵極閾值電壓vge（th）。此時vbe=vge（th）。所測得的vge（th）在該igbt的標稱柵極閾值電壓范圍內為合格。否則為不合格。4.1.5 測igbt的擊穿電壓vcer按附表1“擊穿電壓測試”欄、測igbt的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。接入待測的igbt并使柵極懸空，使峰值電壓由0v緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓，此電壓在該igbt的標稱擊穿電壓范圍內為合格。否則為不合格。注意：操作人員應避免直接接觸高壓電極，并且每測試完一只igbt的擊穿電壓

6、，都要將“峰值電壓調節”旋鈕調節回0，以保障人員和設備安全。4.2 達林頓大功率npn晶體管 主要測試參數：達林頓晶體管的共射輸出特性曲線達林頓晶體管的飽和壓降bvces 達林頓晶體管的共射極電流放大系數達林頓晶體管的反向擊穿電壓bvce0測試方法：現將上述特性參數的測試方法分述如下。4.2.1 測達林頓晶體管的共發射極輸出特性曲線按附表1“常規測試/輸出特性曲線”欄、測達林頓晶體管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。正確連接相應的達林頓晶體管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的igbt，圖示儀即顯示一簇該達林頓晶體管的共發射極輸出特性曲線。精品.該線簇應均勻、平滑、無畸

7、變，為合格（如圖2a所示）。否則為不合格（如圖2b所示）。圖 24.2.2 測達林頓晶體管的飽和壓降bvces觀測達林頓晶體管的共發射極輸出特性曲線ic=6a的直線與飽和區某一特性曲線的交點所對應的vce值，就是該測達林頓晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流ic=6a時的飽和壓降vces。觀測到的vces值在該達林頓晶體管的標稱飽和壓降范圍內為合格，否則為不合格。4.2.3 測達林頓晶體管的共射極電流放大系數觀測達林頓晶體管的共發射極輸出特性曲線ic=6a的直線與放大區某一特性曲線的交點所對應的ib值，即可粗略地計算出在該工作點對應的共發射極電流放大系數 =（1.011.20）ic/ib值在

8、該達林頓晶體管的標稱電流放大系數范圍內為合格，否則為不合格。4.2.4 測達林頓晶體管的反向擊穿電壓bvce0 按附表1“擊穿電壓測試”欄、測達林頓晶體管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。接入待測的達林頓晶體管并使基極懸空，使峰值電壓由0v緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓vce，此電壓即為達林頓晶體管基極開路時的擊穿電壓bvce0，bvce0在該達林頓晶體管的標稱擊穿電壓范圍內為合格。否則為不合格。注意：操作人員應避免直接接觸高壓電極，并且每測試完一只達林頓晶體管的反向擊穿電壓，都要將“峰值電壓調節”旋鈕調節回0，以保障人員和設備安全。4.3 小功率晶體管 主要測試參數：小

9、功率晶體管的共發射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降vces 小功率晶體管的共射極電流放大系數小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓bvce0 小功率晶體管基極開路時的穿透電流ice0測試方法：現將上述特性參數的測試方法分述如下。4.3.1 測小功率晶體管的共發射極輸出特性曲線 按附表1“常規測試/輸出特性曲線”欄、測npn晶體管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。正確連接相應的npn晶體管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的小功率npn晶體管，圖示儀即顯示一簇該小功率npn晶體管的共發射極輸出特性曲線。精品.該線簇應均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖3a所示）。否則為不合

10、格（如圖3b所示）。pnp晶體管npn晶體管圖 34.3.2 測小功率晶體管的飽和壓降bvces 觀測小功率npn晶體管的共發射極輸出特性曲線ic=10ma的直線與飽和區某一特性曲線的交點所對應的vce值，就是該小功率npn晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流ic=10ma時的飽和壓降bvces。觀測到的vces值在該小功率晶體管的標稱飽和壓降范圍內為合格，否則為不合格。4.3.3 測小功率晶體管的共射極電流放大系數 觀小功率npn晶體管的共發射極輸出特性曲線ic=10ma的直線與放大區某一特性曲線的交點所對應的ib值，即可粗略地計算出在該工作點對應的共發射極電流放大系數 =（1.011.2

11、0）ic/ib值在該小功率npn晶體管的標稱電流放大系數范圍內為合格，否則為不合格。4.3.4 測小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓bvce0按附表1“擊穿電壓測試”欄、測小功率npn晶體管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。接入待測的小功率npn并使基極懸空，使峰值電壓由0v緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓vce，此電壓即為小功率npn晶體管基極開路時的擊穿電壓bvce0，bvce0在該小功率晶體管的標稱擊穿電壓范圍內為合格。否則為不合格。4.3.5 測小功率晶體管基射極開路時的穿透電流ice0在測小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓bvce0的基礎上，將“階梯作用”轉向

12、“關”狀態，y軸集電極電流調整到0.10.01ma(或0.50.01ma或最小電流檔)。接入待測的小功率npn并使基極懸空，使峰值電壓由0v緩慢增加，觀測在被測小功率晶體管正常工作電壓范圍內的集電極電流值ic，此電流就是該小功率晶體管基極開路時的穿透電流ice0。精品.所測得的ice0在該小功率晶體管基射極開路時的穿透電流ice0的標稱范圍內，為合格，否則為不合格。pnp小功率晶體管的測試方法與此基本相同。只是要按附表1各測試項目欄中測npn晶體管的要求調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。4.4 二極管主要測試參數：二極管的v-a特性曲線二極管的正向壓降vf二極管的反向電流i0二極管的反向擊

13、穿電壓bvr 測試方法：現將上述特性參數的測試方法分述如下。4.4.1 測二極管的v-a特性曲線按附表1“常規測試/輸出特性曲線” 欄、測二極管的要求調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。正確連接相應的二極管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的二極管，圖示儀即顯示該二極管的v-a特性曲線。該曲線應平滑、陡峭、呈指數變化，為合格（如圖4a所示）。否則為不合格（如圖4b所示）。圖 44.4.2 測二極管的正向電壓降vf對應于特性曲線上標稱工作電流值的垂直直線與x軸的交點所對應的電壓坐標值，即是在該電流下二極管的正向電壓降vf。所測得的二極管的正向電壓降，在該二極管的標稱值范圍內為合格，

14、否則為不合格。4.4.3 測二極管的反向電流i0按附表1“擊穿電壓測試”欄、測二極管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。接入待測的二極管，使峰值電壓由0v緩慢增加，觀測在被測二極管正常工作電壓范圍內的反向電流值i0。所測得的反向電流i0，在該二極管的標稱值范圍內為合格，否則為不合格。4.4.4 測二極管的反向擊穿電壓bvr 緊接著反向電流的測試，使峰值電壓繼續緩慢增加，觀測在被測二極管剛剛被擊穿時的擊穿點的電壓值，就是該二極管的反向擊穿電壓bvr。所測得的反向擊穿電壓bvr，在該二極管的標稱值范圍內為合格，否則為不合格。4.5 可焊性檢查(槽焊法)以上半導體器件的引出腳都要按下述方法

15、進行可焊性檢查。精品.4.5.1 錫槽溫度：2355；浸漬時間30.5s；浸入深度：與引出腳或焊盤平齊。4.5.2 試驗完畢用5倍以上的放大鏡檢查，浸漬部位表面應浸潤覆蓋一層光滑的、明亮的焊錫涂層，缺陷比率（例如針孔或出現未浸潤面）不得多于5%，且這些缺陷不得集中在元件的相同部位。5 驗收規則 如果沒有特殊規定，電子元器件的驗收，應包括抽樣檢驗和接收試驗。5.1 抽樣 樣品應按正常檢驗aql一次抽樣方案，從來料批中隨機抽取。aql按表51的規定，檢查水平。5.2 檢驗項目及測試方法檢驗項目及測試方法如表51所列表51 檢驗項目和測試方法器件類別常規檢驗特殊檢驗檢驗項目檢驗方法aql抽樣數ac/

16、re抽樣數ac/re二極管外觀目測0.41251/21000/1電特性參數4.40.0112500/11000/1三極管外觀目測0.41251/21000/1電特性參數4.30.0112500/11000/1達林頓管外觀目測0.41251/21000/1電特性參數4.20.0112500/11000/1igbt外觀目測0.41251/21000/1電特性參數4.10.0112500/11000/1 注：特殊檢驗：是指對于那些經長期考核的質量信得過單位或合格器材供應單位而言的，對于他們供應的器件，已經委托該器材供應單位代為檢驗。此處抽驗只起監督作用。此外還要定期抽樣進行接收試驗。5.3 接收試驗

17、接收試驗的樣品從常規檢驗合格的樣品中抽取，樣品數量隨來料批量的大小來定。一般每種器件應取510只為宜。試驗項目與試驗方法如表52所列。表52 試驗項目與試驗方法試驗項目試驗條件試驗方法電性能測試nac/re高溫存儲125+3 存儲68h。室溫下放置2h，再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1低溫存儲40-3 存儲68h。室溫下放置2h，再再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1高低溫沖擊試驗125+340-3 2h/每種溫度，10次。室溫下放置2h，再再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1精品.濕熱試驗溫度40+3 相對濕度905% 濕熱條件保持48h，室溫下放置2h，再

18、再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1注：表中的“n”為樣品數5.4 不合格品處理檢驗的不合格批，退供應部門處理。如果生產急需，檢驗不合格的項目又非器件的主要性能指標時，可安排進行100%的篩選測試，將篩選出來的合格品驗收入庫，不合格品退供應部門處理。附表1 測試igbt、功率達林頓晶體管、小功率npn/pnp管、1n系列二極管時晶體管特性圖示儀的開關檔位常規測試輸出特性曲線圖示儀檔位測igbt測達林頓測pnp測npn測二極管峰值電壓范圍010v010v010v010v010v峰值電壓調節10v10v10v10v10v掃描極性功耗電阻2或12或10.2k0.2k0.2k電壓/度1v1v12v12v0.1v電流/度1a1a12ma12ma10ma階梯作用重復重復重復重復重復階梯極性階梯幅度/級1v1ma0.1ma0.1max軸電壓ube1v轉移特性峰值電壓范圍010v功耗電阻2或1電流/度0.2mavbe0.5v階梯選擇1ma/級公共部分階梯幅度/級0.2v20a/級20a/級測試選擇