1、電力電子技術試題填空0000002、電子技術包括 信息電子技術 和電力電子技術兩大分支，通常所說的模擬電子 技術和數字電子技術就屬于前者。0000001、電力變換通常可分為：交流變直流、直流變直流、直流變交流和交流變交開關狀態。當器件0000002、為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在的工作頻率較高時,開關 損耗會成為主要的損耗。0000001、電力變換通常分為四大類，即交流變直流、直流變直流、直流變交流、交流變交流 。0100004、過電壓產生的原因操作過電壓雷擊過電壓，可采取RC過電壓抑制電路壓敏電阻_等措施進行保護。0100002、請在空格內標出下面元件的簡稱：電力晶體管G

2、TR ;可關斷晶閘管GTO;功率場效應晶體管MOSFET ;絕緣柵雙極型晶體管IGBT ； IGBT是MOSFET和GTR的復合管。0100004、晶閘管對觸發脈沖的要求是觸發脈沖的寬度應保證晶閘管可靠導通、觸發脈沖應有足夠的幅度、觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額和應有良好的抗干擾性能、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離。（可作簡答題）0100003、多個晶閘管相并聯時必須考慮均流 的問題，解決的方法是挑選特性參數盡量一致的器件和采用均流電抗器。0100004、抑制過電壓的方法之一是用吸收可能產生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。0100001、型號為KP100-8的晶閘管表示其額定

3、電壓為800伏、額定有效電流為 100安。0100003、在電力晶閘管電路中，常用的過電壓保護有避雷器；RC過電壓抑制電路/阻容吸收；硒堆；壓敏電阻等幾種。（寫出2種即可）0100001、目前常用的具有自關斷能力的電力電子元件有GTR、GTO、MOSFET、IGBT 幾種。0100003、普通晶閘管的圖形符號是，三個電極分別是陽極A，陰極K和丄。或極G晶閘管的導通條件是 晶閘管承受正相陽極電壓，并在門極施加觸發電流（脈沖）者UAk 0且Ug0 ;關斷條件是 使流過晶閘管的陽極電流降到維持電流以下0100002、可關斷晶閘管的圖形符號是電力場效應晶體管的圖形符號是_，絕緣柵雙極晶體管的圖形符號是

4、 ；電力晶體管的圖形符號是KGT0ISH0SFETEIGBTCEGTR0100003、絕緣柵雙極型晶體管是以電力場效應晶體管柵極作為柵極,以電力晶體管發射極和集電極 作為發射極與集電極復合而成。0100004、有一晶閘管的型號為 KK200- 9,請說明KK 快速晶閘管 ；200表示表示定電流200A, 9表示 額定電壓900V O0100004、一個單相全控橋式整流電路，交流電壓有效值為220V,流過晶閘管的電流有效值為15A,則這個電路中晶閘管的額定電壓可選為（1.52）X 1.414 X 220;晶閘管的額定電流可選為 （1.52）X 15/1.57 O0100003、常用的過電流保護措

5、施有電子電路快速熔斷器、直流快速熔斷器過電流繼電器 。（寫出2種即可）0100003、給晶閘管陽極加上一定的正向 電壓；在門極加上 正向門極 電壓，并形成足夠的上極觸廠電流，晶閘管才能導通。0100002、晶閘管在觸發開通過程中，當陽極電流小于 擎住 電流之前，如去掉 觸發 脈沖，晶閘管又會關斷。0100002、請在正確的空格內標出下面元件的簡稱:電力晶體管 GTR ;可關斷晶閘管 GTO ;功率場效應晶體管 MOSFET ;絕緣柵雙極型晶體管IGBT; IGBT是MOSFET和GTR的復合管。0100003、多個晶閘管相并聯時必須考慮均流 的問題，解決的方法是首要措施是挑選特性參數盡量一致的

6、器件、采用均流電抗器0100003、由波形系數可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流It等于1.57 倍 It（av,如果It（AV =100安培，則它允許的有效電流為 157安培。通常在選擇晶閘管時還要留出1.52倍的裕量。0100001、晶閘管的維持電流Ih是指在40度以下溫度條件下，門極斷開時，晶閘管從較大通態電流下降到剛好能保持導通所必須的最小陽極電流。_極_極和極。0100001、普通晶閘管內部有 PN結，外部有三個電極，分別是 1、兩個、陽極A、陰極K、門極G0100001、晶閘管在其陽極與陰極之間加上_電壓的同時，門極上加上 _電壓，晶閘管就導通。2、正向、觸發。0100001、晶

7、閘管的工作狀態有正向 _狀態，正向_狀態和反向_狀態。3、阻斷、導通、阻斷。0100002、某半導體器件的型號為KP50- 7的，其中KP表示該器件的名稱為，50表示，7表示。4、普通晶閘管、額定電流50A額定電壓 700V。0100001、只有當陽極電流小于電流時，晶閘管才會由導通轉為截止。5、維持電流。0100003、在晶閘管兩端并聯的RC回路是用來防止_損壞晶閘管的。15、（關斷）過電壓。0100002、GTO的全稱是_，圖形符號為GTR勺全稱是_，圖形符號為P-MOSFE啲全稱是_，圖形符號為IGBT的全稱是_，圖形符號為_。33、門極可關斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應管、絕緣柵雙

8、極型晶體管。0100003、GTO的關斷是靠門極加 出現門極來實現的。33、負脈沖、反向電流。0100001、大功率晶體管簡稱。34、GTR 0100003、功率場效應管是一種性能優良的電子器件，缺點是 35、電流不夠大、耐壓不夠高。0100002、在GTR GTO IGBT與MOSFE中，開關速度最快的是MOSFET,單管輸出功率最大的是GTO,應用最為廣泛的是 IGBT 。0100003、 GTR 存在二次擊穿現象,IGBT存在擎住現象。0100003、晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同阻值的電阻R是均壓措施。0100003、同一晶閘管，維持電流Ih與掣住電流I L在數值大小上有I大于_1

9、Ho0100003、常用的過電流保護措施有電子電路、快速熔斷器。（寫出二種即可）0100001、晶閘管是硅晶體閘流管的簡稱，常用的外形有螺栓型與平板型。0100002、選用晶閘管的額定電流時，根據實際最大電流計算后至少還要乘以1.5 2。0100003、晶閘管的導通條件是晶閘管承受正相陽極電壓，并在門極施加觸發電流（脈沖）。或者 UAk 0 且 UG0。0100004、晶閘管的斷態不重復峰值電壓UDsM與轉折電壓Ufeo在數值大小上應為，UbsM U B60100002、晶閘管的內部結構具有 3端、4層、3個PN結。0100002、在螺栓式晶閘管上有螺栓的一端是陽極。0100003、晶閘管的關

10、斷條件是使流過晶閘管的陽極電流降到維持電流以下0100002、當晶閘管承受反向陽極電壓時，不論門極為何種極性觸發電壓，管子都將工作在 阻斷狀態。0100002、晶閘管元件并聯時，要保證每一路元件所分擔的電流相等。0100004、根據對觸發電路的要求知道，觸發電路應由同步環節、鋸齒波形成環節 、脈沖形成環節、脈沖移相環節和脈沖整形與放大輸出環節等組成。0100001、晶閘管是三端器件，三個引出電極分別為：陽極、陰極和門極。0100002、晶閘管的額定電流是用在一定條件下的通態平均電流來標定。0100002、為了保證晶閘管可靠與迅速地關斷，通常在管子陽極電壓下降為零之后,加一段時間的反向電壓。01

11、00002、同一晶閘管，維持電流Ih與擎住電流I L的數值大小上有Il2丄Ho0100003、某晶閘管的型號為KP200-5，其中200表示 額定電流為200A , 5表示 額定電壓為 500V。0100004、晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同的RC電路是 均壓 措施。0100001、晶閘管的三個電極分別是陽極A、 陰極K、 門極G。1.52倍，使其有一定0100002、選用晶閘管的額定電壓值應比實際工作時的最大電壓大的電壓裕量。0100002、當晶閘管加上正向陽極電壓 后，門極加上適當的正向觸發電流，使晶閘管導通的過程，稱為觸發。0100003、晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同阻值的電阻R是

12、均壓措施。0100003、由波形系數可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為iTn 等于 1.57 倍 It( AV,如果It（AV =100安培，則它允許的有效電流為 157安培。通常在選擇晶閘管時還要留出1.52倍的裕量。0200004、整流電路中變壓器漏抗對電路的影響是出現換相重疊角，整流輸出電壓平均值降低整流電路的工作狀態增多.使電網電壓出現缺口，稱為干擾源0200001、晶閘管一旦導通后流過其中的電流大小由負載決定。0200004、防止單相橋式半控整流電路失控的最有效方法是給負載并聯續流二極管。0200004、單相全控橋電阻性負載時，電路的移相范圍0。180或180;三相半波可控整流電

13、路電阻性負載時，電路的移相范圍0。150或150;三相全控橋電阻性負載 時，電路的移相范圍 0 120或120 。0200004、鋸齒波同步的晶閘管觸發電路由同步環節、鋸齒波形成環節 、脈沖形成與脈 沖移相及其它環節成。導通角 。0200002、晶閘管每周期導通的電度角稱晶閘管的UFm等于0200003、電阻性負載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓屈2 （設U2為相電壓有效值）。0200004、三相橋式全控整流電路，電阻性負載，當控制角n /2，同時|Ed| JU d|。0200003、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，在換相過程期間，兩個相鄰的晶閘管同時導通，對應的電角度稱為換

14、相重疊角。0200003、在三相全控橋中，接在同一相的兩個晶閘管觸發脈沖的相位應相差180 。0200004、在三相半波可控整流電路中，電阻性負載，當控制角30 時，電流連續。0200002、把晶閘管承受正壓起到觸發導通之間的電角度稱為觸發角。0200004、觸發脈沖可采取 寬脈沖 觸發與 雙窄脈沖 觸發兩種方法,目前采用較多的是 雙窄脈沖觸發方法。0200002、二相半匚可控整流電路，是三相可控整流電路最基本的組成形式。0200003、在三相半波可控整流電路中，電感性負載，當控制角大于30度時，輸出電壓波形出現負值，因而常加續流二級管。0200004、考慮變壓器漏抗的可控整流電路中，如與不考

15、慮漏坑的相比，則使輸出電壓平均值降低。0200002、有源逆變器是將直流電能轉換為交流電能饋送回電網的逆變電路。0200002、有源逆變產生的條件之一是：變流電路輸出的直流平均電壓Ud的極性必須保證與直流電源電勢 巳的極性成 反向 相連，且滿足|Ud| n /2，使Ud為負值。（可做簡答題）0200002、有源逆變指的是把 直流 能量轉變成 交流 能量后送給 電網 的裝置。0200003、單相全波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為J2U2。三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為2。（電源相電壓為L2）大于0200003、要使三相全控橋式整流電路正常工作，對晶閘管觸發方法有兩

16、種，一是用 600小于1200的寬脈沖觸發；二是用脈沖前沿相差 600的雙窄脈沖觸發。0200002、逆變角3與控制角a之間的關系為。3、 a = n 30200004、當電源電壓發生瞬時與直流側電源聯，電路中會出現很大的短路電流流過晶閘 管與負載，這稱為或。5、順向串、逆變失敗、逆變顛覆。0200004、為了保證逆變器能正常工作，最小逆變角應為6、30350300002、斬波器是接在恒定直流電源和負載電路之間，用于將直流電變為另一直流電。0300004、設 DC/DC變換器的 Boost 電路中，E=10V, a =0.7，貝U U=_10/0.3_。0300002、將直流電源的恒定電壓，通

17、過電子器件的開關控制，變換為可調的直流電壓的裝置稱為8、斬波。0300003、斬波器的時間比控制方式分為脈沖寬度調制頻率調制、混合調制三種方式。0300003、由普通晶閘管組成的直流斬波器通常有_式，_式和_式三種工作方式。1、定頻調寬，定寬調頻。調寬調頻。0300003、直流斬波電路在改變負載的直流電壓時，常用的控制方式有脈沖寬度調制、頻率調制、混合調制三種。升壓斬波電路；降0300003、直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有V2壓 斬波電路； 升降壓 斬波電路。0300004、在下圖中， _21_和_VD1成降壓斬波電路使直流電動機電動運行;和_VD2成升壓斬波電路，把直流

18、電動機的動能轉變成為電能反饋到電源，使電動機作再生制動運行。.L0400003、在單相交流調壓電路中，負載為電阻性時移相范圍是0180 ，負載是阻感性時移相范圍是_180。0400003、變頻電路從變頻過程可分為變頻和_變頻兩大類。15、交流一交流，交流一直流一交流。0500004、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為正弦 波,輸出電流波形為 矩形/方 波。0500001、按逆變后能量饋送去向不同來分類,電力電子元件構成的逆變器可分為有源逆變器與無源逆變器兩大類。0500003、通常變流電路實現換流的方式有器件換流、電網換流、負載換流、強迫換 流四種。0500001、逆變電路分為_逆變電路和_逆變

19、電路兩種。2、有源、無源。0500003、逆變電路的負載如果接到電源，則稱為 有源 逆變,如果接到負載，則稱為 無源 逆變。0500004、如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時間段電流流經的通路V1,VD1,V2,VD2 表示）。(1) 0t1時間段內，電流的通路為VD1t1t2時間段內，電流的通路為V1(3) t2t3時間段內，電流的通路為VD2 t3t4時間段內，電流的通路為V2_;(5) t4t5時間段內，電流的通路為VD1:a)b)0500002、逆變器按直流側提供的電源的性質來分，可分為電壓型逆變器和電流型逆變電容器進行電感0500004、在電壓型逆變器中，輸出電壓波形為

20、矩形 波，輸出電流波形與負載阻抗有關。0500002、將直流電逆變為某一頻率或可變頻率的交流電直接供給負載的過程稱為無源逆變。0500003、電壓型逆變器其中間直流環節以電容 貯能。0500003、換流的方式有器件換流、電網換流、負載換流和強迫換流四種。0500004、換流的方式有器件換流電網換流負載換流強迫換流，全器，電壓型逆變器直流側是電壓源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側用 濾波；而電流型逆變器直流側是電流源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側是用 濾波。控型器件用器件換流方式換流0600002、PWM波形的生成方法主要有計算法和調制法兩種。0600004、SPWh脈寬調制型變頻電路

21、的基本原理是：對逆變電路中開關器件的通斷進行有規律的調制,使輸出端得到一系列幅度相等，脈寬與正弦波幅值成正比的脈沖列來等效正弦波。0600003、PW碉制方式有同步調制、異步調制、分段同步調制三種。0600003、PWM逆變電路的控制方法有計算法、調制法、跟蹤控制法三種。其中調制 法又可分為同步調制、異步調制兩種。載波比，當它為常數0600003、在PWM控制電路中，載波頻率與調制信號頻率之比稱為每個頻段內時的調制方式稱為_同步調制。將逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段,載波頻率與調制信號頻率之比為恒定的調制方式稱為分段同步調制。0600003、面積等效原理指的是,沖量相等而形狀不同的窄脈沖

22、加在具有慣性的環節上時，其效果基本相同。0600004、載波比（又稱頻率比）K是PWM主要參數。設正弦調制波的頻率為fr，三角波的頻率為fc，則載波比表達式為 K= f c / f r_。0700002、為了減小變流電路的開、關損耗，通常讓元件工作在軟開關狀態，軟開關電路種類很多，但歸納起來可分為 零點壓電路/開關 與 零電流電路/開關 兩大類。0700002、為了減小變流電路的開、關損耗，通常讓元件工作在軟開關狀態，軟開關電路種類很多，但歸納起來可分為 零電壓電路 與 零電流電路 兩大類。0700003、軟開關電路種類很多，大致可分成零電壓 電路、 零電流 電路兩大類。0800003、對異步

23、電動機實施變頻調速控制,通常的控制方式有恒壓頻比控制、轉差頻率控制、矢量控制、直接轉矩控制等四種0000002、下面哪種功能不屬于變流的功能（A有源逆變B交流調壓C變壓器降壓D直流斬波0100003、如某晶閘管的正向阻斷重復峰值電壓為745V,反向重復峰值電壓為 825V,則該晶閘管的額定電壓應為（BA 700VB、750VC 800VD 850V0100001、晶閘管內部有（C）PM。A 一個,B二個，C三個,D四個0100002晶閘管可控整流電路中的控制角a減小，則輸出的電壓平均值會（B)。A不變,B增大，C減小。0100003、晶閘管兩端并聯一個RC電路的作用是（C ）。A分流，B降壓，

24、C過電壓保護，D過電流保護。0100002、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（C ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。0100002、普通晶閘管的通態電流（額定電流）是用電流的C）來表示的。A 有效值 B 最大值 C 平均值0100001、比較而言，下列半導體器件中性能最好的是（C)。A、 GTR B、 MOSFETC 、IGBT0100001、下列半導體器件中屬于電流型控制器件的是（A、 GTRB 、 MOSFETC 、 IGBT。0100003. 晶閘管導通的條件是（ A）。A.陽極加正向電壓，門極有正向脈沖B. 陽極加正向電壓，門極有負向脈沖C.陽極加反向電

25、壓，門極有正向脈沖D. 陽極加反向電壓，門極有負向脈沖B)0100003、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，恒流驅動電路經常采用（A、du/dt 抑制電路 B 、抗飽和電路C di/dt抑制電路 D、吸收電路 0100002、已經導通的晶閘管的可被關斷的條件是流過晶閘管的電流（A、減小至維持電流以下B、減小至擎住電流以下C減小至門極觸發電流以下D、減小至5A以下 0100002、IGBT是一個復合型的器件，它是（ B）A GTR驅動的 MOSFET B MOSFE驅動的 GTRC MOSFE驅動的晶閘管 D、MOSFE驅動的GTO 0100002、晶閘管穩定導通的條件（ C ）A.晶閘

26、管陽極電流大于晶閘管的擎住電流B.晶閘管陽極電流小于晶閘管的擎住電流C. 晶閘管陽極電流大于晶閘管的維持電流D. 晶閘管陽極電流小于晶閘管的維持電流0100001、具有自關斷能力的電力半導體器件稱為 ( A )A全控型器件B、半控型器件C不控型器件D觸發型器件0100002、取斷態重復峰值電壓和反向重復峰值電壓中較小的一個，并規化為標準電壓等級后，定為該晶閘管的 ( D )A、轉折電壓B、反向擊穿電壓C閾值電壓D、額定電壓0100002、晶閘管的伏安特性是指A陽極電壓與門極電流的關系B、門極電壓與門極電流的關系C陽極電壓與陽極電流的關系D門極電壓與陽極電流的關系0100002、當晶閘管承受反向

27、陽極電壓時，不論門極加何種極性觸發電壓，管子都將工作在A導通狀態 B、關斷狀態 C、飽和狀態 D、不定 0100002、在型號 KP10- 12G中，數字10表示(B )A額定電壓10V B、額定電流10AC 額定電壓1000V D、額定電流100A0100002、對于同一晶閘管，維持電流Ih與擎住電流Il在數值大小上有，Il (A) IhA大于B、等于C、小于D、無關 0100002、在晶閘管應用電路中，為了防止誤觸發，應使干擾信號的幅值限制在(A可靠觸發區 B、不可靠觸發區C安全工作區 D、不觸發區0100003、功率晶體管的安全工作區由以下4條曲線限定：集電極-發射極允許最高擊穿電壓，集

28、電極最大允許直流功率線，集電極最大允許電流線和A基極最大允許直流功率線B、基極最大允許電壓線C臨界飽和線 D、二次擊穿功率線0100003、若晶閘管電流有效值是157A,則其額定電流為(B )A 157A B、100A C、80A D、246.5A0100004、下列全控器件中，屬于電流控制型的器件是(B C ),屬于電壓控制型的器件是A P-MOSFET B GTO C GTR D IGBT0200004、單相全控橋大電感負載電路中，晶閘管可能承受的最大正向電壓為(B )A. 2 U2 B.屈2 C. 2屈2 D.屜0200004、在下列可控整流電路中，不能實現有源逆變的是A單相全控橋整流電

29、路 B、單相全波整流電路C單相半控橋整流電路 D、三相全控橋整流電路0200003、帶反電動勢負載的電路，當晶閘管關斷時負載上的電壓Ud 為(B )A Ud=0 B、Ud=E C、Ud=E/2 D、Ud= - E0200004、三相全控橋式整流電路帶電阻負載，當觸發角a =0o 時,輸出的負載電壓平均值為A 0.45U2； B、 0.9U2； C、 1.17U2； D、2.34U2；a的有效移相范圍是 A度。0200004、三相全控橋式整流電路帶大電感負載時，控制角A 0 -90 B、30 -120C、60 -15090 -150丫的大小與哪幾個參數有關0200004、三相半波可控整流電路在換

30、相時，換相重疊角A a、 Id、 Xl、 U2e; B、 a、Id；C a、U2;D、 a、U、Xl；0200003、單相半控橋電感性負載電路中，在負載兩端并聯一個續流二極管的作用是A增加晶閘管的導電能力B、抑制溫漂C增加輸出電壓的穩定性D、防止失控現象的產生 0200003、單相全控橋大電感負載電路中，晶閘管可能承受的最大正向電壓為A3 L2 B、竝 U C、2 li D.、A L20200004、三相橋式全控整流電路，大電感負載，當a =（ C ）時整流平均電壓 Ud=0。A 300 B、600 C、900 D、1200200004、在三相橋式不控整流電路中，整流輸出電壓的平均值為跡U2或

31、農2.34U2B、2兀3品 U2或 SZ 1.17U2空6 U2或 s：1.56U2C 兀U2 或址 0.78U2D 兀0200003、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角a的最大移相范圍是（D ）A 90 B、120 C、150 D、1800200003、電阻性負載三相半波可控整流電路，相電壓的有效值為 U2,當控制角a 30 時,整流輸出電壓平均值等于（A ）A 1.17U2COS a B、1.17U2sin aC 1.41U2COS a D、1.41U2Sin a0200004、在大電感負載三相全控橋中，整流電路工作狀態的最大移相范圍是（D)A 60 B、180 C、120 D、90

32、0200004、對于三相半波可控整流電路，換相重疊角丫與哪幾個參數有關（A ）a、U2、負載電流Id以及變壓器漏抗 Xb B、a和L2C a以及負載電流Id D、a和變壓器漏抗 対0200004、單相全控橋式整流電路帶純電阻性負載時，晶閘管承受正向電壓的最大值為B血U2 C 2加20200004、單相橋式全控整流電路中，電阻性負載，流過每個晶閘管的有效電流It= ( C )A I B、0.5I C、( 1/ 丿2 )*1 D、(込)*10200004、三相橋式全控整流電路，電阻性負載時的移相范圍為（0 0A 0180 B、 01500 0C 0 120 D、0 900200004、單相全控橋式

33、整流電路帶阻感負載，控制角為a,則輸出電壓的平均值為A Ud=1.17U2cosa B、Ud=0.9U2COsaC Ud=-2.34U 2cosa D、Ld=0.45U2COsa0200002、有源逆變產生的條件是觸發角a要滿足（D ）兀 a = A 3兀 a D 20200003、為了防止逆變失敗，最小逆變角限制為A 10015 B、20025 C、3035 D、40450200003、三相半波可控整流電路的自然換相點是（B ）A.交流相電壓的過零點B.本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點處C.比三相不控整流電路的自然換相點超前30D.比三相不控整流電路的自然換相點滯后600200003、下列

34、電路中，不可以實現有源逆變的有（D )。A.三相半波可控整流電路B.三相橋式全控整流電路C.單相橋式全控整流電路D.單相全波可控整流電路外接續流二極管0200003.單相半波可控整流電路，阻性負載，控制角a的最大移相范圍是 0D )。A. 90 B.120 C.150 D.180 0200003.單相橋式整流電路，電阻性負載，控制角A. 0 B.90 C.120 D.180 0200002.三相全控橋式整流電路，控制角 a為（Aa為（D ）時，整流輸出電壓為）時，整流輸出電壓為最大值。A.0 B.90 C.120 D.1800200003.單相半波整流電路中，晶閘管可能承受的最大反向峰值電壓約

35、為（A )。A. 72 U2 B. 蔬 U C. +磯 D. 2.34U 20200003.三相半波可控整流電路，電阻性負載，控制角a 30,每個周期內輸出電壓的平均值為（C ）。A.Ud=0.45U2COSx B.Ud=0.9 U 2COSx C.Ud=1.17 U 2COSx D.Ud=2.34 U 2COSx0200004.三相全控橋式整流電路，晶閘管可能承受的最大反向電壓約為（C )。A. 運 U B. P圧 Ub C. 怡 L2 D. 2.34U 20200003.三相橋式全控整流電路，在交流電源一個周期里，輸出電壓脈動（D ）次。A.2 B.3 C.4 D.60200003.三相半

36、波可控整流電路中三個晶閘管的觸發脈沖相位互差（A.60 B.90 C.120 D.1800200003.單相半波可控整流電路，阻性負載,導通角的最大變化范圍是0 (D)A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相半波可控整流電路，阻性負載,導通角的最大變化范圍是0 (C )電流的平均值為Id，流過每只晶閘管的平均值電流為（B ）A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相全控橋式整流電路，阻性負載,控制角(X的最大移相范圍是0 (B )A.90 B.120 C.150 D.1800200004.三相半波可控整流電路電源電壓波形的自然換向點比單相半波可控整

37、流電路的自然換向點（B）A.超前30 B.滯后30 C.超前60 D.滯后600200003.單相全波可控整流電路，電感性負載，控制角a 30 ,負載電流連續，整流輸出A.I d/2 B.I d/3 C.2I d/3 D.I d0200003.單相全控橋式有源逆變電路最小逆變角B為（D ）A.1 3 B.10。15C.20。25 D.30。350200003. 三相全控橋式整流電路，在交流電源一個周期里，輸出電壓脈動( D ) 次。A.2 B.3 C.4 D.60200002. 有源逆變電路是 （ B ）A.AC/DC變換器B.DC/AC變換器C.AC/AC變換器 D.DC/DC變換器0200

38、003. PWM脈寬調制技術用于（B ）A.有源逆變器B. 無源逆變器C. 脈沖觸發器D. 脈沖移相器0200004.KC04型集成觸發電路引角1和15輸出兩個互差180。的觸發脈沖，經過放大隔離后，可驅動三相全控橋的兩只晶閘管。 （ A ）A. 同一橋臂 B. 不同橋臂 C. 共陰組D. 共陽組0200003、下列不可以實現逆變的電路是（B）式晶閘管電路。A 單相全波， B 三相半控橋， C 三相全控橋0200003、變流器必須工作在 a （A）區域，才能進行逆變。A 90, B 0 , C 90, D = 0 。D）。0200003、為了保證逆變能正常工作，變流器的逆變角不得小于（A 5，

39、 B 15C 20D 30 。0200002、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（B）晶閘管。A 一只，B 二只， C 三只， D 四只。0200002、三相全控橋整流裝置中一共用了（B）晶閘管。A 三只，B 六只， C 九只。0200001、雙向晶閘管外部有（C）電極。A 一個，B 兩個， C 三個， D 四個。0200003、a = 0。時，單相半波可控整流電路帶電阻負載輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓有效值的（C ）倍。A 1 , B 0.5 , C 0.45 , D 0.9.0200003、a = 0。時，單相橋式可控整流電路帶電阻負載輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓有效

40、值的（ D）倍。A 1 , B 0.5 , C 0.45 , D 0.9.0200002、晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機應該屬于（C）負載。A電阻性,B電感性，C反電動勢。0200004、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角a的最大移相范圍是（D ）A、0o-90B、0O-120 C、0O-150 D、00-1800200003、在單相全控橋整流電路中，兩對晶閘管的觸發脈沖，應依次相差_A _ 度。A、180 度；B、60 度；C、360 度；D、120 度;0200003、可實現有源逆變的電路為A _。A單相全控橋可控整流電路B、三相半控橋可控整流電路C單相全控橋接續流二極

41、管電路D、單相半控橋整流電路3 min選A時系統工作才可靠。0200003、由晶閘管構成的可逆調速系統中，逆變角0200004、A 30 35 B、10 15 C 0 10 D 0a = B _度時，三相全控橋式整流電路帶電阻負載電路，輸出負載電壓波形處于連續和斷續的臨界狀態。A 0 度；B、60 度；C、30 度；D、120 度;0200003、變流器工作在逆變狀態時，控制角a必須在_D_度。A 0 -90 B、30 -120C、60 -150D、90 -1500200004、三相半波可控整流電阻性負載電路，如果三個晶閘管采用同一相觸發脈沖,移相范圍_C_。A 0O-60 0； B、0o-9

42、0 0； C、0o-120 o； D、0o-150 o；Y的大小與哪幾個參數有關0200004、三相半波可控整流電路在換相時，換相重疊角A a、Id、X L、U2 e ；B 、 a 、 I d；C、a、Ui ；出Xl；0200004、在單相橋式全控整流電路中，大電感負載時，控制角a的有效移相范圍是 A。90 B、0 180 C、901800200004、三相全控橋式整流電路帶電阻負載，當觸發角=0。時，輸出的負載電壓平均值為A 0.45U2； B、 0.9U2； C、 1.17U2； D、2.34U2；0200004、三相全控橋式整流電路帶大電感負載時，控制角a的有效移相范圍是 A_度。A 0

43、 -90 B、30 -120C、60 -15090 -1500200004、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發脈沖依次應相差A度。A 180, B、 60c、360 ，D、1200200003、a為C_度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出的電壓波形，處于連續和斷續的臨界狀態。A, 0 度，B，60 度，C，30 度，D，120 度,0200003、晶閘管觸發電路中，若改變_B _的大小，則輸出脈沖產生相位移動，達到移相控制A同步電壓，B、控制電壓,C、脈沖變壓器變比。0200004、可實現有源逆變的電路為A _。的目的。A三相半波可控整流電路，B、三相半控橋整流橋電路,C單相全控橋接續

44、流二極管電路,D、單相半控橋整流電路。0200003、在一般可逆電路中，最小逆變角3 min選在下面那一種范圍合理D、0o。A 300-35 0, B、100-15 0, C、0o-10o,0200003、在有源逆變電路中，逆變角3的移相范圍應選 B為最好。GGP=90os 1800, B、=35os 90o, C、=0os 90o,0200004、晶閘管整流裝置在換相時刻（例如：從U相換到V相時）的輸出電壓等于 C_。A U相換相時刻電壓 UU, B、V相換相時刻電壓uv,Uu +Uv2C等于U葉UV的一半即:0200004、三相全控整流橋電路，如采用雙窄脈沖觸發晶閘管時，下圖中哪一種雙窄脈

45、沖間距相隔角度符合要求。請選擇_B _。46D J%嚴J%1 60 JOt dA(A) D)CO0200003、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發脈沖依次應相差A度。A 180 B、60 C、360 D、1200200004、a為C度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出的電壓波形，處于連續和斷續的臨界狀態。A 0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度,0200003、晶閘管觸發電路中，若改變B_的大小，則輸出脈沖產生相位移動，達到移相控制的目的。A同步電壓 B、控制電壓 C、脈沖變壓器變比 D、以上都不能0200004、可實現有源逆變的電路為A三相半波可控整流電路 B、三相半控

46、橋整流橋電路,C單相全控橋接續流二極管電路D、單相半控橋整流電路。0200003、在一般可逆電路中，最小逆變角3 min選在下面那一種范圍合理A、300-35 0 B、100-15 0 C、0o-10 o D、0o。0200002、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角a的最大移相范圍是DA 90 B、120 C、150 D、1800200003、三相半波可控整流電路的自然換相點是（B ）A交流相電壓的過零點;B本相相電壓與相鄰相電壓正、負半周的交點處;C比三相不控整流電路的自然換相點超前30D比三相不控整流電路的自然換相點滯后60。0200003、電阻性負載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（A 30150 B、0120C 15125 D、 01500200004、三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為（A.U2 B.邁 U C.2 邁 U D. J6l2 0200004、晶閘管電流的波形系數定義為hrA.燈 B.5C. Kf=ldT It D.Kf =