PCM測試培訓 1 概述 PCM測試的作用測參數(shù)參數(shù)有什么作用 建立器件模型制定出片標準監(jiān)控工藝質量尋找低良原因 2 PCM設備類型CMOS BICMOS E2等低壓器件測試設備 4070 4062 450 425 DMOS測試設備 FET3600 兼顧CP測試和中測打點的功能 二極管測試設備 APD01 概述 3 三PCM測試系統(tǒng)結構 控制終端 測試儀TESTER 探針臺PROBER 網(wǎng)線 概述 開關矩陣和針卡 電容儀萬用表脈沖發(fā)射器 4 PCM程序描述 4070 語言BASIC程序結構 子程序主程序PRINT文件LIMIT文件坐標文件 TESTSUBS 6 5 450程序描述 語言 C子程序主程序標準測試模塊LIMITFILE坐標文件 產(chǎn)品測試程序 CODE名 pgm klf plans wdu PLANS NMOS PMOS klf wdu PGM cpf wpf 6 開發(fā)PCM程序需要與PCM確認什么信息 測試需要的硬件配 電容儀 脈沖發(fā)生儀等 針卡信息針卡上的針間距是否可以與開發(fā)產(chǎn)品WAFER上的PAD間距一致 針卡上的針的個數(shù)與排列是否與開發(fā)產(chǎn)品WAFER上的PAD個數(shù)與排列一致測試電壓電流要求PCM測試機臺是否可以滿足4070 4062 見后頁450 425 200ma 200vFET3600 5A 2000V 7 4070 8 9 450 10 PCM測試程序開發(fā) 開發(fā)PCM程序需要提供什么資料 測試模塊坐標測試電學條件參數(shù)規(guī)范 11 PCM程序開發(fā)需要填寫的表單 E狀態(tài)產(chǎn)品的更改路徑 Fas920a Fab1文件庫 特別共享 PI電性測量課 TD程序調試申請報表M N P ER狀態(tài)的更改使用路徑 工作流路徑 什么時候需要寫申請 單個產(chǎn)品更改的時候 子程序優(yōu)化走PCM人員走 PCCB 12 程序開發(fā)完后PCM人員做什么 E狀態(tài)產(chǎn)品 M N P ER狀態(tài)產(chǎn)品 EIP系統(tǒng)里會有附件附上 13 PCM異常處理流程 14 PCM測試問題分析流程 測試問題反饋測試問題思考方向 針卡 機臺 操作習慣 程序 15 經(jīng)典案例分析 450IOFF 彌補設備硬件差異MGLVP 測試問題 解決工藝缺陷VTFOX測試問題 TESTKEY設計問題導致PCM問題FAIRCHART扎偏移 找目標對測試的影響 16 450IOFF 產(chǎn)品反映IOFF450 4070測試值有臺階 導致工藝SPC不達標準 17 450IOFF 為什么會有漏電類參數(shù) 450測試結果比4070漏電小的呢 18 450IOFF 檢查程序尋找差異 450漏電更小的原因是使用了皮安表 19 450IOFF 優(yōu)化程序解決問題 20 LVMG產(chǎn)品一直以來都存在P 測試不出的問題 現(xiàn)在以在北京生產(chǎn)的ICET316 314尤為突出分析認為是PCMTEST設計結構不合理導致PCM測試有問題 MGLVP 測試問題 21 22 MGLVP 測試問題 PCMP 測試結構 備注 紅色 N 蘭色 P 綠色 AL AL SIO2 N NSUB 探針 結論 因為設計規(guī)則的問題 導致當探針過重扎穿AL SIO2 1100A 直接與N 連通 即發(fā)生漏電 電阻測量不出 當探針輕扎時 P 是可以測試出來的 與實驗吻合 見附錄一 23 MGLVP 測試問題PCMN 測試結構 備注 紅色 N 蘭色 P 綠色 AL 結論 因為設計規(guī)則的問題 導致當探針過重扎穿AL SIO2 1100A 直接與N 連通 因為所接觸的還是N 不會漏電 這就是N 從沒有出現(xiàn)測量不出的原因 AL SIO2 N PWELL NSUB 24 MGLVP 測試問題 結論 因為模塊設計問題 導致會有測試不出的問題發(fā)生 與PCM工藝無關 25 經(jīng)過單點扎針測試 發(fā)現(xiàn)當高度為310時 測試結果為片子真實值 同一點 附件一 PCM探針高度實驗 26 同一片在310高度測試的結果 05 dat 4 PPLUSSHEETRESOHMS SQ000710 500UUU U50090005 dat 4 PPLUSCONTRESOHMS CNT53 8 33 1726 05105 958153 8 U O025025 dat 4 PPLUSSHEETRESOHMS SQ000000UUUUU50090025 dat 4 PPLUSCONTRESOHMS CNT 506 3 192 2130 32 3E 04443 7130 3UU Oo025012 dat 5 PPLUSSHEETRESOHMS SQ08140000U UUU50090012 dat 5 PPLUSCONTRESOHMS CNT2 4E 04100 54 2E 042E 212E 214 2E 04O OOO0250 發(fā)現(xiàn)有的點能測試出 而有些點測不出 加深為311 則測試結果如下 15 dat 5 PPLUSSHEETRESOHMS SQ739 40734 8000 U UU50090015 dat 4 PPLUSSHEETRESOHMS SQ0721 1713 50744713 5U U 50090017 dat 4 PPLUSSHEETRESOHMS SQ715 1745 5721 1696 8742 4721 1 500900 認為針的高度對測試結果有很重要的結果 但很難保證測試高度合適 17 dat 6 PPLUSSHEETRESOHMS SQ000000UUUUU50090021 dat 5 PPLUSSHEETRESOHMS SQ0710 500748 50U UU 50090022 dat 7 PPLUSSHEETRESOHMS SQ0705 97090744705 9U U 50090025 dat 7 PPLUSSHEETRESOHMS SQ07120724 200U U U500900 加深為312 則測試結果如下 不難發(fā)現(xiàn)當針高由311變?yōu)?12時 17片的P 測試不出來 27 TESTU FORCEI 如上圖所示 PPLUSRES測試為范德堡測試方法 即在相鄰兩端加電流 測另外兩端的電壓 一共可測出四組值 然后再電壓除電流得出所要測的電阻 具體公式為 Rs U I 4 532 rs pplusi i 1 2 3 4 P 附錄二 PCMP N 范德堡測試方法 28 PPLUSRES rs pplus1 rs pplus2 rs pplus3 rs pplus4 4即 PPLUSRES是所測四組值的平均值 IFMAX rs pplus1 rs pplus2 rs pplus3 rs pplus4 MIN rs pplus1rs pplus2 rs pplus3 rs pplus4 X1 5 RATIO MAX MIN則PPLUSRES 0 即 如果所測四組值中的最大值大于最小值的 倍 RATIO 1 5 那么PPLUSRES被賦值為 29 2 主要涉及產(chǎn)品有SG5306和SG6827 NFOX0 8 20Vtf測試值都在10 2V左右 比正常均值低1V以上 10 2V 1 異常起因 3月產(chǎn)品Owner反映6S05SPSM ST0100NFOX0 8X20VTFSPC不達標 VTFOX測試問題 30 VTFOX測試問題 1 SG5306 SPC異常值產(chǎn)品 NFOXVTF調用Vtfox測試子程序 2 SG6827 SPC異常值產(chǎn)品 NFOXVTF調用Vtfox測試子程序 3 HL0548 SPC正常值產(chǎn)品 NFOXVTF調用Vgsearchn測試子程序 分析 SPCTRENDCHART異常點涉及的兩個產(chǎn)品SG5306和SG6827 都調用Vtfox測試子程序 且G D調用同一PAD 第5PAD S是第7PAD B是第8PAD 而其他正常產(chǎn)品 如HL0548 調用Vgsearchn測試子程序 G 6 D 5 S 7 B 8 31 VTFOX測試問題 分析 從GDS的實際結構來看 SG5306和SG6827場管與HL0548類似 G D并未短接 32 VTFOX測試問題 Vgsearchn子程序 程序算法 二分查找法 測試機理是Vd 5V Vg掃描 S B接地 Id 1uA時的Vg 用于測試正常結構的場管Vtfox子程序 程序算法 線性查找法 測試機理是G D同步掃描電壓 S B接地 Id 1uA時的Vg 可測試正常結構的場管或者G D短接的特殊場管 33 VTFOX測試問題 34 Vtfox的淵源 針對G D短接的 特殊 場管 針對這種G D短接的場管只能使用Vtfox G D同步掃描方式 子程序來測試已到PCM的實際產(chǎn)品 并將子程序中調用的G D都寫成第5個PAD 即P 31 SC0612 典型的G D短接至第5個PAD 實際測試的是場管的單結擊穿 35 VTFOX測試問題 CE場管LAYOUT 部分老產(chǎn)品維持G D短接的場管 新產(chǎn)品使用G D分離的場管 PCM編程更改Vtfox G D短接 PCM新品編程根據(jù)工藝相近原則直接COPY同工藝下某產(chǎn)品的測試主程序TESTS 6 部分老產(chǎn)品G D分離的正常場管 PCM編程Vtfox G D分離 orVgsearchn PCM場管程序同工藝下產(chǎn)品場管的測試程序有不同的模板 Issue 1 從什么時間更改的 哪些產(chǎn)品使用了改后的結構 2 哪些老產(chǎn)品維持舊的場管結構 Comment 產(chǎn)品Owner未收到CE通知 不清楚同工藝FRAME場管結構更新 故無法通知PCM PCM編程人員只收到含TestKey名稱及坐標的Checklist 并不知道其中的場管結構已更改 36 CS80產(chǎn)品測試扎偏情況 CS80產(chǎn)品PCM測試針跡與實際對應pad位置不符 向上偏移大概9個pad的距離 由于該產(chǎn)品比較特殊 片內只有五個插花內有測試圖形 因此對測試參數(shù)影響較大 扎偏后直接導致部分參數(shù)測試失效 37 CS80產(chǎn)品測試扎偏原因分析 1 設備走位異常 圓片在設備上運行時由于設備硬件故障導致走位異常 移動位置發(fā)生偏差 從而導致探針針尖無法扎到正確的測試模塊 導致扎偏 2 找目標異常 EG2001探針臺的找目標動作是由VISIONMODULE來對目標圖形進行處理分析的 其原理是將所選定的目標圖形進行黑白對比度的分析 將圖形信號轉變?yōu)殡娦盘栠M而識別出目標圖形的過程 在找目標操作時 CCD光強的明暗度 選取的目標圖形都會影響找目標效果 若定義的不好 會使設備在進行找目標動作時識別到其他相似圖形 進而使測試模塊位置發(fā)生偏差 導致扎偏 38 CS80產(chǎn)品測試扎偏原因確認 找目標情況確認 使用假片進行找目標操作 按照作業(yè)員定義的目標圖形進行操作 發(fā)現(xiàn)在同一插花內有一相似圖形 當重復進行找目標操作時有可能會誤選到該類似圖形 兩個圖形相差大概9個pad的距離 而實際扎偏恰好也是9個pad的距離 兩者情況相吻合 因此可以判定是在找目標操作時選取的目標圖形不良導致的扎偏 39 CS80產(chǎn)品測試扎偏解決方法 1 重新定義找目標時的CCD光強明暗度及目標圖形 反復實驗以確定在CCD光強明暗度一定時 附近區(qū)域內無此圖形的類似圖形 這樣就會避免因找目標判定到其他類似的圖形上而導致走位異常的扎偏 2 在確定最佳CCD光強明暗度及目標圖形后 按此標準對作業(yè)員進行相應培訓 同時將該信息更新至 PCM測試菜單 中 并要求作業(yè)員嚴格按照菜單中的操作信息執(zhí)行 40 結論 VISIONMODULE