硅基太陽能電池集成技術的進展,制作人：陳培芬學號：19920078103611,引言,太陽能電池的發展,硅基太陽能電池集成技術的進展,現狀分析,前景展望,目錄,引言,太陽電池作為重要的清潔能源而越來越受到世界各國的重視。1954年，貝爾實驗室Chapin等人開發出效率為6的單晶硅光電池，為太陽能光伏發電奠定了技術基礎，成為現代太陽電池時代的劃時代標志。硅太陽能電池產業的研制和生產日益壯大,1990年以來,年均增長率高達16%，每年的貿易額達10億美元,以Si材料為主的光伏工業增長率已高于集成電路工業。,太陽能電池的發展,第一代,第二代,第三代,晶體硅太陽電池,各種薄膜太陽電池,新概念太陽電池,硅基太陽能電池,微晶硅薄膜太陽電池,單晶硅太陽電池,多晶硅太陽電池,非晶硅薄膜電池,以硅材料為基本材質,單晶硅太陽電池,材料,加工工藝,以高純的單晶硅棒為原料,純度要求99.999%。地面使用材料性能指標有所放寬，可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉制成太陽能電池專用的單晶硅棒。,在電池制作過程中，一般都采用表面織構化、發射區鈍化、分區摻雜等技術形成太陽電池陣列，開發的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電極單晶硅電池。,多晶硅太陽能電池,多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生長在低成本襯底材料上,用相對薄的晶體硅層作為太陽能電池的激活層,不僅保持了晶體硅太陽能電池的高性能和穩定性,而且材料用量下降,成本降低,多晶硅由硅純度較低的冶金級硅提煉而來,澆鑄多晶硅技術是降低成本的重要途徑之一,該技術省去了昂貴的單晶拉制過程,也能用較低純度的硅作投爐料,材料及電能消耗方面都較省,材料,多晶硅的生產方法,非晶硅薄膜太陽能電池,由于非晶硅對太陽光的吸收系數大,因而非晶硅太陽電池可以做得很薄,通常硅膜厚度僅為12m,是單晶硅或多晶硅電池厚度(0.5mm左右)的1/500,所以制作非晶硅電池資源消耗少。,非晶硅薄膜太陽能電池加工工藝,制備方法有反應濺射法、低壓化學氣相沉積法(LPCVD)、等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD),一般采用PECVD使高純硅烷等氣體分解沉積而成的。連續在多個真空沉積室完成，由于沉積分解溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積薄膜，易于大面積化生產，成本較低。,硅基太陽能電池比較,優點：技術最為成熟，轉換效率最高缺點：成本價格高，大幅度降低其成本很困難,非晶硅薄膜,優點：成本低重量輕，轉換效率較高缺點：不穩定，其材料會引發光電效率衰退效應,多晶硅,優點：與單晶硅比較,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜電池缺點：轉換效率低于單晶硅電池,各類太陽電池產量比重（單位：%）,現狀分析,2009年產量達到4GW，超過全球份額的40,多結晶Si產量還將擴大,薄膜太陽能電池的發展也在穩步推進,中國太陽能電池產業現狀分析,太陽能電池展會“SOLARCONChina2010”,前景展望,在未來世界太陽電池的主流產品仍舊為硅基太陽電池。