報告日期:2024年12月報告日期:2024年12月17日——電子行業年度策略執業登記編號：A01901230700電子行業指數與滬深300指數走勢對比-30%點將至，國產替代加速進行》2.《半導體測試設備行業專題研測試設備國產化持續推進》將至》2024.09.25根據SEMI預測，2024/2025年全球半導體設備行業市場著增加。伴隨國內晶圓制造端規模逐步壯大，將推進上游設備、材料和件等環節的國產化節奏。此外光刻機是半導體行業明珠，上海微電子有投入，有望推動AI終端市場的繁榮。IDC預達2350億美元，并預計2028年增長至6320億美元，復合增速達29%。AIAgent是以AI大模型為驅動的AI終端應用，有望推動大模型的商業化應用，加速“AI+”產業發展。根據IDC數據，預計2024年中國市場中搭載AI功能的智能終端滲透率超70%。其中AI手機在2024-2027年將由0.4億臺增長至增長，帶給上游供應鏈市場擴容機遇。半導體行業自主可控及AI終端應用繁榮是兩大主線，有望給電子展機遇：中微公司；3）光刻機零部件：福晶科技、富創精密、新萊應材。供應鏈發展不及預期。請閱讀最后評級說明和重要聲明2 4 42.保障芯片制造自主可控，設備國產化是必 7 9 圖1：預計全球半導體行業產值將在2025年增長至6547億美元 4圖2：半導體行業產業鏈 4圖3：半導體器件分類 5圖4：2025年全球晶圓廠設備支出有望達1128億美元 7圖5：半導體前道晶圓制程對應的主要工序 7圖6：2022年全球半導體設備各類型價值占比 8圖7：每5萬片晶圓產能對應設備投資額（億美元） 8圖8：二重模板/四重模板增加多道薄膜沉積、刻蝕工序 8圖9：三維存儲芯片增加多道薄膜沉積、刻蝕工序 8圖10：ASMLNXE：3400系列EUV光刻機，可用于7/5nm制程節點 10圖11：光刻機的基本結構 11圖12：帶有科勒結構的光刻機成像光路結構 11圖13：光刻機精度提升推動折射物鏡NA及尺寸增加 12圖14：光刻機由單工作臺向雙工作臺發展 12圖15：上海微電子SSA600/20光刻機圖例 14圖16：上海微電子600系列光刻機最高光刻精度在90nm 14圖17：預計2022-2024年全球AI支出年增速高于20% 15圖18：預計2025年中國智能算力規模同比增長44% 15圖19：IDC預計2024-2028年全球人工智能資本開支復合增速GAGR達29% 16圖20：IDC預計2028年軟件資本開支將占人工智能支出的57% 16圖21：AI服務器出貨量高速增長 17圖22：AI終端滲透率持續提升 18圖23：國內AI手機出貨量有望高速增長 183圖24：AI終端拓展至眼鏡、VR/AR和家用電器等更多場景 18表1：半導體產業鏈中游企業不同經營模式 6表2：美日荷聯合對華出口管制，以設備和芯片端力度最大 6表3：從整體看半導體設備國產化率仍處于較低水平 9表4：光刻機所用光源的波長決定光刻精度 10表5：ASML在全球光刻機市場一家獨大 13表6：ASML對華出口管制措施落地，涉及2000i及之后可用于14nm以上先進制程的機型 13表7：工信部重大技術裝備指導目錄中披露兩類半導體光刻機設備 14表8：人工智能大模型的參數規模呈指數級增長趨勢 15表9：國內廠商加大對AIAgent等大模型驅動下的人工智能應用的投入 17表10：AI手機帶來產業鏈發展機遇 19表11：PCB各細分品類產值2023-2028年復合增速預測 19表12：萬得一致盈利預測 204一、半導體產業迎來復蘇，自主可控迫在眉睫0 半導體行業上下游聯系緊密，各環節缺一不可。半導體行業產5和晶閘管等產品。式出現分化：u邏輯芯片：早期intel、AMD等公司均為IDM模式，而臺積電將代工模式發揚光大。代速度較慢；③國內IDM和fables于發展早期，市場份額較小，較難發揮IDM成等特色工藝代工平臺合作是目前不錯的選擇。6涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試以及后續的產品銷售等環節代工服務品銷售，將晶圓制造和封裝測試外包給專業的712001000800600400200全球晶圓廠設備支出（億美元）——YOY50%40%30%20%10%0%8刻蝕等工序的需求。未來薄膜沉積、刻蝕價值占比或將進一步提升。0資料來源：SEMI，中微公司，源達信息證券研究所資料來源：中芯國際招股說明書，源達信息證券研究所資料來源：中微公司，源達信息證券研究所資料來源：拓荊科技招股說明書，源達信息證券研究所全球半導體設備市場被美日荷壟斷。半導體設備行ASML、LAM（泛林半導體）、TEL（東京電子）、KLA（科磊半導體）等公司起步較根據芯源微公告，公司已在2022年底發布可用于28nm節點的第三代浸沒迎來“0-1突破”后的放量階段。目前光刻機國產化率幾乎為零，上海打破光刻機進口壟斷的國產公司，目前公司官網已推出光刻精度在90nm的ArF光刻機，9北方華創北方華創、拓荊科技、微唐半導體盛美上海、北方華創、至純科技、芯源微精測電子、中科飛測、上北方華創、屹唐半導體生產能力的公司。 設備名稱接觸式/接近式光刻機436nm接觸式/接近式光刻機掃描投影式光刻機45-10nm影響光刻機產能效率；5）掃描刻線模組：在光刻階段對誤差及擾動進行有效調整及補償；6）晶圓掃描模組：對硅片剪裁一個缺口，用于光刻機光源發出的光會先經過照明系統,再照射到掩模版上,然后從掩模版發出的衍射光被投影物鏡收集,最后成像到硅片上的光刻膠上。最早的光刻機成像方式一般采用科勒照明結構，主要原理是將光源中每個點發出的光以不同角度的平行光均勻地照射在掩模版上,最終形成光強均勻的照明。資料來源：《現代光刻機的發展歷程與未來展望》，源達信節點減小,對成像分辨率的要求增加,除縮短波長外,還要增加大,需要設計出符合要求的物鏡結構減小像差，也因此導致折射物鏡的尺寸增加，在ArF光刻機中用于組成折射物鏡的非球面鏡片已達十數片。資料來源：《現代光刻機的發展歷程與未來展望》，源達信臺在測量工位進行硅片對準和調焦調平時,另外一個工件臺在曝光工位曝光,因此顯著提升光資料來源：《現代光刻機的發展歷程與未來展望》，源達信ASML204242900044945程芯片有望加快擴產，光刻機國產化亟待突破。表6：ASML對華出口管制措施落地，涉及2000i及之后可用于14nm以上先進制程的機型TWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCANTWINSCAN上海微電子是最有望打破光刻機進口壟斷的國產公司。根據公司公眾號信息，公司在LED機，采用深紫外光源（DUV），光刻精度達90nm。同時公司正在進行28nm浸沒式光刻圖16：上海微電子600系列光刻機最高光刻精度在90nm型號SSA600/20SSC60資料來源：上海微電子官網，源達信息證券研究所資料來源：上海微電子官網，源達信息證券研究所光刻機。其中氟化氬光刻機分辨率≤65nm、套刻≤8nm；氟化氪光刻機分辨率≤110nm、定支持作用。裝備名稱核心技術指標氟化氪光刻機氟化氬光刻機二、人工智能產業加快增長，AI終端滲透率加快提升能持續提升的背后是千億級以上的參數訓練，帶來對算力的高額需求，有望推動新一輪AI基礎設施建設。根據OpenAI官網，AI模型訓練計算量自2012Parametersize/10-8S————資料來源：《大語言模型研究現狀及趨勢》，源達信圖17：預計2022-2024年全球AI支出年增速高 0資料來源：IDC，世界銀行，源達信息證券研究所顯著高于其他人工智能技術的22%。2025年將會是人2024年的AI投資達896億美元，占全球市場的3大模型加速發展趨勢下，國內廠商加大對AIAgent等新一代人工智能應用的投入。AIAWSTiAppBuilder、AgentBuil螞蟻集團/螞蟻數科騰訊元器智能體開發運營平臺人工智能行業高速發展，算力巨額缺口推動AI服務器出貨量高速增長。高端AI服務器（萬臺）普通AI服務器（萬臺）8070605040302010202220232024E資料來源：華勤技術投資者關系公眾號，源達信資料來源：IDC，源達信息證券研究所資料來源：ID生出超級智能終端，如智能機器人等。重點標的零部件攝像頭屏幕存儲18層以上的多層板2023-2028年的產值和歐洲，目前國內PCB企業已在加大對封裝基板的產能擴充力度，并在2025年進一步提升份額。產值封裝基板柔性板4.8%4.8%4.6%4.4%4.1%4.7%4.4%三、投資建議資料來源：Wind一致預期（2024），四、風險提示看好：行業指數相對于滬深3中性：行業指數相對于滬看淡：行