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南開大學硅光電子學與儲能實驗室Four-PointProbeOperation|四探針操作手冊四探針操作手冊四探針操作闡明書Four-PointProbeOperation第1章 引言 Figure35所示，可看見上方4WAUTO字樣，設立完畢。FigureSTYLEREF1\s3SEQFigure\*ARABIC\s15先按?鍵，選中4-WIRE模式，按ENTER鍵。FigureSTYLEREF1\s3SEQFigure\*ARABIC\s16設備最后顯示模式，可看見上方4WAUTO。如有問題能夠查看KEITHLEY2400高壓源表使用闡明書設備闡明書設備闡明書下載。探針接觸方式探針接觸應保持一定的壓力，但不同材料的性質不同，有些材料的電阻率會隨外加壓力變化而變化，因而測試前要根據具體的測試材料而適宜的變化探針壓力。首先用粗調鍵旋轉探針至樣品表面，略有壓力后停止。再細調一定距離，確保測量時表面讀數穩定后即可。數據測試指南待測試線連接無誤，源表設立完畢，探針加到樣品表面后，能夠開始測量電阻。首先調節電阻測量量程。根據樣品電阻率選擇量程范疇，如REF_Ref4\hTable1源表電阻測量量程選擇所示。TableSEQTable\*ARABIC1源表電阻測量量程選擇孫以材，半導體測試技術，冶金工業出版社，1984。孫以材，半導體測試技術，冶金工業出版社，1984。樣品電阻率范疇（??cm）通過樣品電流<<100mA<10mA1-30<1mA30-1000<100μA1000-3000<10μA按下源表右下方的ON/OFF鍵，按鍵變藍，測量開始。統計測量電阻值。半導體材料電阻率會隨電流變化而變化，因此要結合具體狀況選擇適宜的量程。根據修正公式算出方塊電阻和電阻率，測試完畢。將測試得到的電阻，膜厚代入下列公式即可算出電阻率和方塊電阻。ρ=R×FR各修正系數可從附表查出，Fsp=.實例1.測量薄膜電阻為?（1mA檔），膜厚為。探針間距為，樣品直徑為100mm（圓中心測量），Fsp為。D/S=100，F(D/S)=。W/S=10-4，F(W/S)=1;因此=10-3。注意事項附表附表SEQ附表\*ARABIC1直徑修正系數F(D/S)與D/S值的關系位置位置F（D/S）值F（D/S）值D/S值中心點半徑中點距邊沿6mm處>200200150125100766051382625附表SEQ附表\*ARABIC2厚度修正系數F(W

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