場效應管參數符號意義Ta---環境溫度Cdu---漏-襯底電容Tc---管殼溫度Cgd---柵-源電容Tj---結溫Cds---漏-源電容Tjm---最大允許結溫Ciss---柵短路共源輸入電容Tstg---貯成溫度Coss---柵短路共源輸出電容VDSS---漏源擊穿電壓Crss---柵短路共源反向傳輸電容ID(ID25---漏極電流(Tc=25℃,直流di/dt---電流上升率(外電路參數RDS(on---通態漏源電阻dv/dt---電壓上升率(外電路參數PD---漏極耗散功率IDQ---靜態漏極電流(射頻功率管trr---反向恢復時間IDSM---最大漏源電流V(BRGSS---漏源短路時柵源擊穿電壓IDSS---柵-源短路時,漏極電流VGSF--正向柵源電壓(直流IDS(sat---溝道飽和電流(漏源飽和電流VGSR---反向柵源電壓(直流IG---柵極電流(直流VGS(th---啟動電壓或閥電壓IGDO---源極開路時,截止柵電流Cgs---漏-源電容IGSO---漏極開路時,截止柵電流IDM---漏極脈沖電流IGSS---漏極短路時截止柵電流VDS---漏源電壓(直流IDSS1---對管第一管漏源飽和電流VGS---柵源電壓(直流IDSS2---對管第二管漏源飽和電流PDM---漏極最大允許耗散功率Iu---襯底電流ID(on---通態漏極電流Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數ton---開通時間,Ton=Td(on+Trgfs---正向跨導td(on---開通延遲時間Gp---功率增益tr---上升時間Gps---共源極中和高頻功率增益toff---關斷時間,Toff=Td(off+TfGpG---共柵極中和高頻功率增益td(off---關斷延遲時間GPD---共漏極中和高頻功率增益tf---下降時間ggd---柵漏電導IGM---柵極脈沖電流gds---漏源電導IGP---柵極峰值電流K---失調電壓溫度系數IF---二極管正向電流Ku---傳輸系數RDS(on---漏源通態電阻L---負載電感(外電路參數

RDS(of---漏源斷態電阻LD---漏極電感R(thjc---結殼熱阻Ls---源極電感R(thja---結環熱阻RGD---柵漏電阻VDD---漏極(直流電源電壓(外電路參數RGS---柵源電阻VGG---柵極(直流電源電壓(外電路參數Rg---柵極外接電阻(外電路參數Vss---源極(直流電源電壓(外電路參數RL---負載電阻(外電路參數VDS(on---漏源通態電壓PIN--輸入功率VGD---柵漏電壓(直流POUT---輸出功率D---占空比(占空系數,外電路參數Vsu---源襯底電壓(直流PPK---脈沖功率峰值(外電路參數VDu---漏襯底電壓(直流IDS---漏源電流VGu---柵襯底電壓(直流IGF---正向柵電流Zo---驅動源內阻IGR---反向柵電流η---漏極效率(射頻功率管VDS(sat---漏源飽和電壓Vn---噪聲電壓TL---晶格溫度(Latticetemp/或指下限溫度與TH相對aID---漏極電流溫度系數Te---電子溫度(ElectrontempTe=TLards---漏源電阻溫度系數IAR(IA---雪崩電流(AvalancheCurrentEAR---重復雪崩電壓(RepetitiveAvalancheEnergy半導體二極管參數符號及其意義Ta---環境溫度Tc---殼溫Tj(TVJ---結溫TjM(TVJM---最高結溫Tstg---溫度賠償二極管的貯成溫度VRRM---反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓IF(AV---正向平均電流IF---正向直流電流(正向測試電流。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規定的使用條件下,在正弦半波中允許持續通過的最大工作電流(平均值,硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩壓二極管正向電參數時給定的電流

trr---反向恢復時間Pd(Ptot---總耗散功率VF---正向壓降(正向直流電壓IRM---反向峰值電流IFRM---正向重復峰值電流PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率IFM(IM---正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IF(ov---正向過載電流

IFMP---正向脈沖電流IFSM---正向不重復峰值電流(浪涌電流IRRM---反向重復峰值電流V(BR---擊穿電壓VF(AV---正向平均電壓VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓VRWM---反向工作峰值電壓VR---反向工作電壓(反向直流電壓Vs---通向電壓(信號電壓或穩流管穩定電流電壓Vz---穩定電壓f---頻率Ii---

發光二極管起輝電流IP---峰點電流IR(AV---反向平均電流IR(In---反向直流電流(反向漏電流。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩壓二極管在反向電壓下,產生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。PK---最大開關功率PMP---最大漏過脈沖功率PMS---最大承受脈沖功率Pomax---最大輸出功率Po---輸出功率R(thja----結到環境的熱阻R(thjc---結到殼的熱阻r(th---瞬態電阻Rth----熱阻td---延遲時間tfr---正向恢復時間tf---下降時間tgt---門極控制極開通時間tg---電路換向關斷時間toff---關斷時間ton---開通時間tr---上升時間Vc---整流輸入電壓V---斷態重復峰值電壓DRMav---電壓溫度系數a---溫度系數IGD---晶閘管控制極不觸發電流IGT---晶閘管控制極觸發電流i---反向恢復電流riR---反向總瞬時電流Is---穩流二極管穩定電流PFT(AV---正向導通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向導通總瞬時耗散功率PR---反向浪涌功率Rs(rs----串聯電阻ts---存儲時間Vop---工作電壓Vp---峰點電壓IH---恒定電流、維持電流。Vth---閥電壓(門限電壓Cs---管殼電容或封裝電容CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比CT---勢壘電容Ct---總電容Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流△

λ---光譜半寬度△VF---正向壓降差△Vz---穩壓范疇電壓增量Cjo/Cjn---結電容變化Cjo---零偏壓結電容Cjv---偏壓結電容Cj---結(極間電容,

表達在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Co---零偏壓電容CTC---電容溫度系數Cvn---標稱電容di/dt---通態電流臨界上升率dv/dt---通態電壓臨界上升率IB2---單結晶體管中的基極調制電流ICM---最大輸出平均電流IDR---晶閘管斷態平均重復電流ID---暗電流IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流IEM---發射極峰值電流iF---正向總瞬時電流IGFM---控制極正向峰值電流IL---光電流或穩流二極管極限電流IOM---最大正向(整流電流。在規定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許持續通過鍺檢波二極管的最大工作電流Iop---工作電流Irp---反向恢復電流IRR---晶閘管反向重復平均電流IRSM---反向不重復峰值電流(反向浪涌電流IV---谷點電流Izk---穩壓管膝點電流IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流I---穩壓二極管浪涌電流ZSMIz---穩定電壓電流(反向測試電流。測試反向電參數時,給定的反向電流n---電容變化指數;電容比PB---承受脈沖燒毀功率PC---控制極平均功率或集電極耗散功率PGM---門極峰值功率PG---門極平均功率Pi---輸入功率Psc---持續輸出功率PSM---不重復浪涌功率PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極管允許承受的最大功率Q---優值(品質因素r

δ---衰減電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RF(r---正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流對應增加△I,則△V/△I稱微分電阻RL---負載電阻Rz(ru---動態電阻V

v---谷點電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發射極與第一基極反向電壓VB---反向峰值擊穿電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓VGD---門極不觸發電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VGT---門極觸發電壓Vk---膝點電壓(穩流二極管VL

---極限電壓Vn---中心電壓VOM---最大輸出平均電壓Vo---交流輸入電壓δvz---穩壓管電壓漂移η---單結晶體管分壓比或效率λp---發光峰值波長雙極型晶體管參數符號及其意義Ta---環境溫度T---管殼溫度cTj---結溫tstg---溫度賠償二極管的貯成溫度VCEO---發射極接地,基極對地開路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。P(Ptot---總耗散功率dtrr---反向恢復時間hFE---共發射極靜態電流放大系數ts---存貯時間fT---特性頻率ICMP---集電極最大允許脈沖電流PCM---集電極最大允許耗散功率Pc---集電極耗散功率Po---輸出功率td---延遲時間tfr---正向恢復時間tf---下降時間tgt---門極控制極開通時間toff---關斷時間ton---開通時間tr---上升時間Ts---結溫Vcc---集電極(直流電源電壓(外電路參數VEE---發射極(直流電源電壓(外電路參數av---電壓溫度系數a---溫度系數BV

cer---基極與發射極串接一電阻,CE結擊穿電壓BVcbo---發射極開路,集電極與基極間擊穿電壓BVceo---基極開路,CE結擊穿電壓BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓BVebo---

集電極開路EB結擊穿電壓Ccb---集電極與基極間電容Cce---發射極接地輸出電容Cc---集電極電容Cib---共基極輸入電容Cic---集電結勢壘電容Cieo---共發射極開路輸入電容Cies---共發射極短路輸入電容Cie---共發射極輸入電容Ci---輸入電容Cjo/Cjn---結電容變化Cjo---零偏壓結電容Cjv---偏壓結電容Cj---結(極間電容,

表達在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容CL---負載電容(外電路參數Cn---中和電容（外電路參數）Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coeo---共發射極開路輸出電容Coe---共發射極輸出電容Co---零偏壓電容Co---輸出電容Cp---并聯電容（外電路參數）Cre---共發射極反饋電容Cs---管殼電容或封裝電容CTC---電容溫度系數CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比Ct---總電容Cvn---標稱電容di/dt---通態電流臨界上升率dv/dt---通態電壓臨界上升率D---占空比ESB---二次擊穿能量fmax---最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率f---頻率h

RE---共發射極靜態電壓反饋系數hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數hIE---共發射極靜態輸入阻抗hie---共發射極小信號短路輸入阻抗

hOE---共發射極靜態輸出電導hoe---共發射極小信號開路輸出導納hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數IAGC---正向自動控制電流IB2---單結晶體管中的基極調制電流IBM---在集電極允許耗散功率的范疇內，能持續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值IB---基極直流電流或交流電流的平均值Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流