關于光刻技術的幾點思考

隨著芯片行業(yè)發(fā)展的加快，芯片制造商不僅要追求設備的更高成本，還要追求構(gòu)建成本的經(jīng)濟性，并努力符合標準。這就使得嫻熟的光學光刻技術拒絕放棄任何可能的機會,以頑強的生命力不斷地突破其先前認定的極限,達到最新前沿。近年來,隨著器件尺寸的不斷縮小,作為現(xiàn)有光學光刻技術的延伸,浸沒式光刻因其能獲得更高的數(shù)值孔徑而實現(xiàn)更高的分辨率深受業(yè)界青睞。在摩爾定律的驅(qū)動下,光學光刻業(yè)已成功地跨越了45nm技術節(jié)點的量產(chǎn)階段。目前,作為32nm芯片量產(chǎn)的唯一選擇,采用雙重圖形曝光的193nm浸沒式光刻,沖破了重重障礙,已從技術的成熟性和量產(chǎn)的經(jīng)濟性方面以無可取代的優(yōu)勢步入了32nm技術節(jié)點的量產(chǎn)期。由45nm到32nm技術節(jié)點,光刻技術的突破主要表現(xiàn)在雙重圖形曝光技術的采用和曝光設備k1雙重圖形成像方案在今年的SEMICONWest的Sokudo光刻論壇上,重點討論了雙重圖形成像技術的挑戰(zhàn)。可以確定,雙重圖形成像技術并未解決所有難題,但即便如此,對32nm成像而言,已被認定為最有前景的技術,對22nm成像來說也可能如此。AMD資深研究員HarryLevinson為參加討論會的供應商提供了討論的契機。正如他所提出的,雙重圖形成像技術確實把麻煩加倍了,但采用這種路線的動機則相當簡單。傳統(tǒng)上業(yè)界僅僅通過縮小光刻光源的波長——從弧光燈到365nm,到248nm,進而到當前的193nmArF光源——來逐步獲得更好的線寬。對業(yè)界來說,進一步縮小波長到157nm沒有根本上的優(yōu)勢,而縮小到極端遠紫外光波長13.4nm的大跳躍看來不能很快實現(xiàn)。因此業(yè)界普遍認為,需要采用兩次圖形化成像技術來跨越鴻溝,直到下一次光源波長發(fā)生變化。“然而,這將是非常困難的。”Levinson特別提到這一點。與單次成像技術相比,每個節(jié)點的參數(shù)如套刻、CD控制和線邊粗糙度約按0.7進行等比例縮減。圖1給出了單次曝光、兩次曝光及EUV光刻對套刻精度要求。更加嚴謹?shù)奶卓炭刂剖浅晒嵤╇p重圖形成像技術的關鍵所在。但是,另一個需要考慮的因素是成本。套刻或成本問題的多少部分取決于所用的雙重圖形成像方案類型。幾個論壇報告人重點強調(diào)了幾種可能情況。盡管意見并不完全一致,但他們普遍接受的方案是隔離層,雙重圖形成像(光刻-刻蝕-光刻-刻蝕)和兩次曝光成像(光刻-凍結(jié)-光刻-刻蝕)。隔離層雙重圖形成像(也有稱之為自對準雙重圖形成像),因為它只有一次關鍵曝光,沒有套刻問題。ChrisNgai這樣解釋。然而,正如幾個報告人所指出的那樣,確實存在嚴重的成本問題。如果試圖轉(zhuǎn)印一個SRAM單元,隔離層可能是一個很好的解決方式,ASML的BobSocha特別提到。但是隔離層技術的總體成本比其他雙重圖形成像技術高得相當多,他補充說并不是所有的設計都能從隔離層技術中獲益。實際上,選擇哪種雙重圖形成像方案是一種平衡游戲——特別是在加工復雜性和材料復雜性之間進行權(quán)衡。例如,標準的光刻-刻蝕-光刻-刻蝕方案使用目前容易獲得的材料,但是在產(chǎn)率和加工復雜性上頗為不利。另一方面,光刻-凍結(jié)-光刻-刻蝕聽起來像是很好的簡化,可以允許在光刻工具內(nèi)進行加工,但是這一概念的基礎是一些尚未普遍應用的材料。進行雙重圖形曝光是一個發(fā)展方向。目前芯片上最小的特征尺寸是32nm。為了得到32nm的特征圖形,需要在k采用間隔層輔助雙重圖形技術(SDDP)則可能只進行一次曝光,加上數(shù)次沉積和刻蝕工藝,就可以將節(jié)距減半(見圖2)。將線條印刷并刻蝕成犧牲層硬質(zhì)掩模。之后在這層硬質(zhì)掩模上沉積均勻的間隔層材料,并把多余部分刻蝕掉。去除硬質(zhì)掩模之后,與最初印制的特征圖形相比,保留下來的間隔層其節(jié)距只有原先圖形的一半。這些間隔層可以作為刻蝕掩模,將圖形轉(zhuǎn)移到其下的多層材料上。沉積的間隔層的寬度決定了最終圖形的CD。采用曝光-刻蝕-曝光-刻蝕雙重圖形(LELE)方法,需要將32nm的設計分解為兩組64nm的設計,而64nm通過目前最先進的單次曝光技術就可以實現(xiàn)。分解設計的原理是將兩組設計相重疊,這樣就可以重構(gòu)出初始的設計。兩組設計重疊的圖形化可以通過LELE的順序?qū)崿F(xiàn)(見圖3)。該方法的難點在于獲得具有可重復性的工藝,并需要采用低成本的工藝流程、自動設計分解、掩模的設計和制造以及套刻的對準精度。完整的LELE工藝比較耗時并且昂貴,昂貴是因為要重復曝光步驟。如今光刻已經(jīng)是IC制作過程中花費最高的工藝,占整個芯片制造成本的40%。耗時是因為在進行第二次曝光之前需要將第一次曝光的晶圓進行一次刻蝕。為了解決成本和速度的問題,IMEC以及研發(fā)伙伴測試了多種LELE的替代方案。在曝光中取代第一次刻蝕步驟,得到了曝光-工藝-曝光-刻蝕(LPLE)流程。該流程還是需要兩塊掩模和兩次曝光步驟,但省去了一次中間刻蝕步驟。因為不需要將晶圓從兩次曝光中中斷,這會加快整個流程(見圖4)。自對準雙重圖形(SADP),作為一種側(cè)壁間隔層轉(zhuǎn)印圖形化技術,正不斷得到采用,其發(fā)展速度足以證實SADP將是未來圖形化技術發(fā)展的一個確定趨勢。在過去的一年中,一些NAND(非易失閃存)制造商和業(yè)界分析人士已經(jīng)指出,將很可能使用SADP技術進行30nm器件的制造。盡管對應術語還沒有在業(yè)界得到最終統(tǒng)一,目前還擁有多個不同名字,這包括頻率加倍(frequencydoubling),節(jié)距降低(pitchreduction),間隔層掩膜圖形化(spacermaskpatterning)或者SADP。然而,它們都對應著同一種圖形化技術,這一技術牽涉到使用側(cè)壁間隔層來形成硬掩膜以實現(xiàn)襯底上線條密度的加倍。側(cè)壁間隔層掩膜圖形化技術的優(yōu)勢在于其有能力實現(xiàn)擁有優(yōu)異線寬和節(jié)距控制效果的高密度平行線條。對于任意給定的可以用光刻方法定義的線條,可以在每個側(cè)邊使用間隔層,當去除最初的模板材料后,就可以有效實現(xiàn)線條密度的加倍。根據(jù)具體工藝流程(見圖5),可以使用間隔層在正膠模式下定義線條或者在負膠模式下定義槽結(jié)構(gòu)。2德國schottlithct公司的研究采用高折射率介質(zhì)浸沒式光刻果真能夠?qū)崿F(xiàn)嗎?要回答這個問題的關鍵是在于能否研制出具有高折射率的透鏡和具有高折射率的浸沒流體材料。對于前者,最佳的候選材料是镥鋁石榴石LuAG,它基本上能夠滿足光刻生產(chǎn)的大部分技術要求,對光的吸收率很低。在2008年上半年,對到底選用何種材料來制作高折射率光刻透鏡將會做出最終的決定。對于浸沒流體材料的情況則更好一些,可以選用折射率n(193nm)=1.64的有機材料。將這種流體材料和新材料透鏡進行結(jié)合使用,光刻設備的數(shù)值孔徑可達到NA=1.55,如果再結(jié)合使用雙重曝光技術,那么可成為對半節(jié)距為22nm圖形進行光刻理想的技術解決方案。SEMATECH進行浸沒式光刻研究項目的主要目標是,希望對在未來半導體技術中采用浸沒式光刻這一解決方案作出明確的肯定或否決的結(jié)論。在過去的一年中,SEMATECH對用于高折射率介質(zhì)浸沒式光刻技術的高折射率透鏡材料、浸沒流體材料和光刻膠材料進行了研究,在這一研究過程中既取得了一系列的成功,也遇到了一些挫折。SchottLithotec公司是一家業(yè)界處于領先的位于德國的光學材料供應商,它在镥鋁石榴石LuAG材料的晶體生長技術方面已經(jīng)取得了很大的進步。他們已經(jīng)安裝和開發(fā)出了在CZ爐和BR單晶爐中進行镥鋁石榴石LuAG晶體生長的工藝。對于CZ爐而言,Schott公司開發(fā)出了一套能獲得“平整界面”生長的獨有工藝技術,他們首先使用YAG材料進行了晶體生長實驗,而后再在LuAG晶體生長中采用該項技術。他們已制備出了擁有平整界面的280mm×80mm的镥鋁石榴石LuAG人工晶體,這是值得稱道的巨大成就。由于在進行此項目研發(fā)的第一階段[制備出具有中等吸光率(0.05/cm)的材料,以論證該材料的可行性]中,在滿足吸光率要求方面還存在著不少困難,因此也就延緩了第二階段(制造直徑為80mm的晶體,該單晶體材料需要能同時滿足在中等吸光率、同質(zhì)性和應力雙折射方面的要求)的開展。假如在原材料純度方面的問題在2008年上半年能夠得到有效的解決,則第一批能夠滿足光刻生產(chǎn)質(zhì)量要求的高折射率透鏡元件最終產(chǎn)品有望在2009年第四季度提供給光刻設備商。在2008年5月12日至14日,BoltonLandingLakeGeorge,NY召開的SEMATECH光刻論壇會議上,SchottLithotec公司介紹了在高折射率浸液光刻鏡頭材料LuAG(镥鋁石榴石)的工作進展,其報告稱材料的吸收非常接近他們所需的目標值。另外,在材料純化方面以及80mm直徑晶體生長方面也取得重大進展,論壇副主席、SEMATECH光刻事業(yè)理事MikeLercel解釋說:“他們同樣證明殘留的吸收與材料純度有關,這樣,隨著材料的進一步純化,他們應該可以使LuAG成功地成為鏡頭材料。”浸沒流體材料的開發(fā)方面,由SEMATECH贊助正在康乃爾大學進行另一個更有前途的研究項目。這項研究已經(jīng)取得了重大突破,得到了3~5nm線度的圓形金屬氧化物納米顆粒,它的折射率n(193nm)為2.9,這就意味著將這種材料與水混合,如納米顆粒在水溶液中的體積比約為37%時,這種水溶液的折射率n(193nm)=1.8。納米顆粒在水溶液中的體積比只要達到22%就可以超過對第二代高折射率浸沒流體在折射率上的要求。目前已經(jīng)能夠得到納米顆粒在水溶液中的體積比為10%。研究團隊面臨的問題是如何將此體積比提高到37%、并降低合成過程中的殘余有機物沾污、還要提高納米顆粒制作中的單體分散性以及減小納米顆粒的直徑等問題。采用含納米顆粒的水溶液是實現(xiàn)第三代浸沒流體材料的最優(yōu)選擇。然而更為重要的是,這些含有納米顆粒的水溶液要即能用作第二代又可被用作第三代的高折射率緊密流體材料。如果能夠?qū)崿F(xiàn)這一點的話,光刻設備提供商和半導體制造商就能找到一種實現(xiàn)高折射率浸沒式光刻的方法,這種新方法與目前使用的基于水的浸沒式光刻系統(tǒng)相比將有很大的改進。浸沒式光刻和雙重成像圖形技術是目前能獲得最高分辨率的光刻技術。在32nm技術節(jié)點中采用雙重成像加上基于水的浸沒式光刻技術,因為該技術已經(jīng)成熟。對于已選擇浸沒式加上雙重成像光刻的芯片制造商而言,如何把它延伸至半節(jié)距為22nm技術節(jié)點將變得非常關鍵。3nm光刻機為了實現(xiàn)45nm芯片的量產(chǎn)和32nm器件的開發(fā),尼康公司曾率先于2006年底推出了量產(chǎn)的193nm浸沒式光刻機NSR—S610C(NA=1.30),產(chǎn)能為每小時130片的300mm晶圓。目前,尼康正在根據(jù)其技術路線圖(見圖6)致力于開發(fā)滿足32nm及以下節(jié)點器件光刻需求的工藝和設備,通過不斷完善與客戶和業(yè)內(nèi)領先組織之間的合作,該公司采用雙重圖形曝光技術,用于32nm及以下節(jié)點量產(chǎn)的下一代浸沒式光刻系統(tǒng)NSR-S620,將于2009年第4季度面市。2008年秋季在荷蘭Veldhoven舉辦的研究回顧會議上,ASML公司表示,為了實現(xiàn)32nm芯片的量產(chǎn),相對于上代光刻掃描機,器件制造商需要新的雙重圖形技術來實現(xiàn)32nm節(jié)點的電路圖形,TwinscanNXT浸沒式光刻系統(tǒng)在性能和產(chǎn)能上獲得了極大的提升,通過結(jié)合更快的平臺技術和更強的光源材料,套刻精度要求比單次曝光更嚴格,達到2倍甚至更高。為此在2009年初,光刻機市場巨頭ASML宣布了其雙掃描工作臺的第6代193nm浸設式光刻機TwinscanNXT:1950i,其光學系統(tǒng)的NA達1.35,用于32nm及以下節(jié)點可實現(xiàn)每小時曝光顯影175片300mm晶圓。新一代TwinscanNXT系統(tǒng)采用了新的定位檢測系統(tǒng),將套刻控制提高了50%,≤2.5nm。從單次曝光轉(zhuǎn)入兩次曝光,CD一致性要求也變?yōu)樵瓉淼?/2。ASML市場技術執(zhí)行副總裁MartinvandenBrink表示:新的平臺系統(tǒng)將幫助芯片制造商實現(xiàn)更小尺寸制程。TWINSCANNXT套刻精度及生產(chǎn)能力大大提高,將能夠應用于雙圖形曝光光刻技術,進行32nm及以下先進制造工藝的量產(chǎn)。表1所示為TwinscanNXT:1950i光刻機的主要性能指標。ASML公司的先進技術使其193nm沉浸式光刻設備獲得良好的需求,截至目前僅Twinscan系統(tǒng)已經(jīng)售出了近900套。在全球半導體設備市場同比減少31.7%的2008年,ASML以35.25億美元的銷售額占據(jù)了全球半導體設備市場11.3%的份額,ASML取代了TEL位居全球第二。432nm的光學改進2007年3月IBM的科學家宣稱他們利用光刻技術加工出寬度僅為29.9nm的清晰而間隔均勻的圖案,一舉突破了工業(yè)上公認的32nm的光刻技術極限。IBMAlmaden研究中心光刻材料研究部經(jīng)理RobertAllen介紹說,“這一結(jié)果最有力地證明了到目前為止,至少在7年之內(nèi)工業(yè)界不必對芯片制造技術做任何根本性的變革。”利用IBMAlmaden研究中心自行設計并搭建的光刻試驗設備,科學家們獲得的圖案界限分明,線寬和間距都達到29.9nm;所采用的新材料是他們的合作者加利福尼亞的JSRMicroofSunnyvale開發(fā)的。JSRMicro的技術經(jīng)理MarkSlezak說:“我們相信高折射率液體成像能將目前的光刻技術推進到45nm和32nm的水平。但是究竟哪種光刻技術能夠使我們成功獲得低于32nm的圖案?對此工業(yè)界還面臨著許多嚴峻的問題。該結(jié)果給了我們另外一個支持光學浸沒技術繼續(xù)發(fā)展的理由。”為了制備這種圖案,IBM發(fā)展了一套干涉浸沒光刻設備,稱為NEMO。IBM的NEMO設備利用兩束相干的激光產(chǎn)生干涉圖案,其間距比用目前的芯片制造設備所獲得的圖案間距更小。在2007年10月召開的第四屆浸沒式光刻技術國際研討會議上,來自全球的半導體制造商們表示浸沒式光刻技術是他們進行先進光刻工藝的選擇浸沒式光刻技術已經(jīng)十分穩(wěn)定和可靠,目前業(yè)界關注焦點已集中于浸沒式光刻技術如何與其它輔助技術相結(jié)合,以用于半節(jié)距為32nm的技術節(jié)點中。目前人們所討論的主要解決方案是加上雙重成像技術的浸沒式光刻,以滿足窄技術節(jié)點的要求。另外一個解決方案更具吸引力,但同時也更具挑戰(zhàn)性,即是使用高折射率介質(zhì)的浸沒式光刻技術,它只需進行單次曝光。對于上述兩個解決方案,經(jīng)濟上的因素仍舊是主要的障礙,雖然兩方案對成本的影響因素各不相同。雙重成像技術需要使用額外的掩模板,還需要增加更多的工藝步驟,隨之需要更長的工藝周期,這些都會大幅度地增加擁有成本CoO。高折射率介質(zhì)浸沒式光刻目前還處于研究階段,為了能夠制造這種浸沒介質(zhì)(如果這是可能的話),就需要投入資金來解決材料方面的問題和研制第一代采用高折射率介質(zhì)的浸沒式光刻設備。522加密配合的光刻膠凍結(jié)技術光刻能力是22nm技術節(jié)點上一項重要的指標。193nm浸沒式光刻(NA=1.35)單步曝光工藝,k到目前為止,公開發(fā)表的關于22nm器件的報道很少,即使是實驗室器件也是如此。但通過對最近22nm器件的分析,可以發(fā)現(xiàn)一些22nm工藝。在2009年春季的國際電子器件會議(IEDM)上,IBM的研究員B.S.Haran和IBM、AMD以及Freescale的同事共同開發(fā)了柵長為25nm的器件原型,相對于前一個技術節(jié)點,這需要將柵長,側(cè)墻寬度(18nm)以及接觸孔尺寸(約25nm)進行較大比例的縮小。該小組采用四極照明兩次圖形曝光技術(兩次曝光/兩次刻蝕),圖形首先從三層光刻膠層轉(zhuǎn)移到硬掩模,最終將90nm節(jié)距的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。超小SRAM單元中的幾個核心技術包括:高k/金屬柵疊層結(jié)構(gòu)、新型的共注入技術、更薄的氧化物、氮化物側(cè)墻材料沉積和相應的刻蝕工藝、先進的雜質(zhì)激活技術、薄NiSi材料以及采用釕襯層的銅接觸技術等。更低的熱預算可以使源漏區(qū)和擴展區(qū)內(nèi)雜質(zhì)的有效擴散控制到最小。光刻能力是22nm技術節(jié)點上一項重要的指標。193nm浸沒式光刻(NA=1.35)單步曝光工藝,k自對準雙重圖形(SADP)的方法正在受到越來越多的重視,但是該方法僅局限于規(guī)則的結(jié)構(gòu)(如存儲器)并且需要更多的沉積和刻蝕步驟。使用更高生產(chǎn)效率的曝光機,以及能夠消除中間刻蝕步驟的光刻膠凍結(jié)技術,才可以降低這種技術的擁有成本(CoO)。在正膠和負膠兩種情況下,芯片和掩模版設計者在工作中都需要緊密配合,因為線條(或槽結(jié)構(gòu))并不一定在最初光刻印制的線條(或槽結(jié)構(gòu))區(qū)域形成。另外,側(cè)壁間隔層通常會形成閉合體,因而需要至少一步額外的切割用掩模版來完成電路的制作(見圖7)。這一過程類似于當今45nm邏輯設計中SRAM的形成。另外,使用雙掩模版SADP工藝流程將對設計者有所限制,要么在正膠模式下獲得具有可變間距的線條尺寸,要么在負膠模式下獲得具有可變隔離(線條)寬度的槽結(jié)構(gòu)尺寸。這種限制來源于這樣的事實,即間隔層定義的特征結(jié)構(gòu)與間隔層沉積工藝決定的特征尺寸完全相同,而與此形成對照的特征結(jié)構(gòu)(線芯和間隙,參見圖5)則是分別由光刻膠線條CD(可變)和節(jié)距(可變)定義的。Intel邏輯技術研發(fā)部(Hillsboro,Ore.)工藝架構(gòu)和集成主管MarkBohr介紹說,當開始計劃生產(chǎn)22nm的微處理器產(chǎn)品時,Intel認為在2011年前極紫外(EUV)光刻技術都不會是一項具有生產(chǎn)價值的技術。“現(xiàn)實情況不利于EUV技術。第一點:Intel計劃在2011年邁入22nm技術時代;第二點:就這項技術的進展而言,我相信沒有人會聲稱這項技術能夠在此之前達到量產(chǎn)需求。也許在一年后即2012年可能會有轉(zhuǎn)機。Intel會繼續(xù)推動這項技術的發(fā)展、成熟,我們并不會因此而停下邁向22nm的步伐。”Bohr說。22nm工藝技術的開拓者Bohr介紹道,Inte會不遺余力地探索各種方案來延伸193nm浸沒式光刻技術的使用壽命。EUV技術將定位于一種“備選或升級”方案,但是它不會首先用于量產(chǎn)。在一一羅列了包括EUV掩模版、反射鏡光路、“高能”光源以及光刻膠等方面的技術問題和挑戰(zhàn)后,Bohr補充道:“針對這些問題的研究工作都在有條不紊的進行著,但是并不能在2011年前取得成功。”當前,Intel正致力于開發(fā)能夠適用于各種不同光刻技術的新一代設計架構(gòu),它將集相移掩模技術(PSM)、可制造性設計技術(DFM)以及光學臨近效應修正技術(OPC)于一身進而能將32nm浸沒式光刻技術延伸至22nm節(jié)點。IBM在2008年的秋季也宣布了能夠支持22nm制程的全套半導體光刻制造工藝解決方案,推出了22nmSRAM芯片。能夠在繼續(xù)使用當前光刻技術的前提下,滿足今起直至2011年前后半導體工業(yè)對制程進化的工藝需求。隨后臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)也分別展示了28nm工藝的SRAM芯片,為推出28nm工藝奠定基礎。該技術既支持高k金屬柵也支持二氧化硅工藝,采用雙掩模193nm浸沒式光刻及應變硅技術。IBM的新技術稱為“運算微縮”(ComputationScaling,CS)技術,能夠在不提升光刻激光波長的前提下提升工藝。IBM半導體研發(fā)中心副總裁GaryPatton,傳統(tǒng)的微縮投影技術過于依賴設備的光學分辨率,而“運算微縮”技術則可以在不使用EUV極紫外等超短波長技術,繼續(xù)采用當前193nm波長光刻設備的前提下,滿足22nm工藝需求。IBM已經(jīng)為22nm工藝開發(fā)出了整套生產(chǎn)設備及工藝。2008年8月,他們曾經(jīng)宣布造出了首枚22nmSRAM芯片,相信就是采用的此套方案。而此次宣布整套解決方案的開發(fā)完成,則應當是意味著他們已經(jīng)準備好了將該系統(tǒng)出售給其他半導體廠商。2009年4月初,IBM與法國原子能委員旗下的電子信息技術研究所(CEA/Leti)宣布,雙方簽署了為期5年的合作協(xié)議,將共同致力于新型半導體和納米電子技術的研發(fā)。隨著45nm的普及、32nm的臨近,IBM與CEA/Leti將合作面向22nm乃至更先進工藝(16nm),開發(fā)CMOS制造技術所需的高級材料、設備和制程。雙方的聯(lián)合研發(fā)工作將在CEA/Leti位于法國格勒諾布爾市的300mm晶圓廠、IBM位于紐約州東費西基爾的300mm晶圓廠、紐約州奧爾巴尼大學的納米科學與工程學院、意法半導體工廠等地展開,主要包括以下三個關鍵方面:·22nm工藝快速成型高級光刻技術·22nm工藝CMOS技術和低功耗設備·用于研究和制造協(xié)議控制的創(chuàng)新納米級表征技術。2009年7月在美國舊金山舉行的SEMICONWest展會上,展示了多種全新的光刻設備,讓芯片制造商能夠繼續(xù)縮小半導體器件尺寸。其中ASML公司的FlexRay(可編程照明技術)和BaseLiner(反饋式調(diào)控機制)為ASML一體化光刻技術(holisticlithography)的一部分,具有高穩(wěn)定性,能夠優(yōu)化和穩(wěn)定制造工藝。ASML公司應用產(chǎn)品部門資深副總裁BertKoek表示:“一直以來,芯片廠商對各個制造工藝步驟的優(yōu)化都是獨立進行的,然而當發(fā)展至32nm及更小節(jié)點時,這種獨立的優(yōu)化模式便不再適用。我們有效地綜合了計算光刻技術、晶圓光刻技術和工藝控制,提供了一個全面方案,針對量產(chǎn)的要求去優(yōu)化工藝窗口和光刻系統(tǒng)設置,最終實現(xiàn)更小的器件尺寸”。2009年6月,Intel宣稱已將193nm沉浸式光刻技術延伸至15nm工藝,該技術至少已在實驗室得到實現(xiàn)。這一突破進一步證明193nm浸沒式光刻技術——結(jié)合雙重圖形曝光技術,可延伸至比想象中更小的節(jié)點。同時,這也意味著極紫外(EUV)光刻可能再次受到被拋棄的壓力。目前,Intel公司一直沿用干法193nm光刻技術進行45nm節(jié)點的器件生產(chǎn),對于2009年年底將進入量產(chǎn)的32nm節(jié)點工藝,Intel計劃采用Nikon公司的第一代193nm浸沒式掃描設備。