ICS19100

CCSJ0.4

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26140—2023/ISO214322019

:

代替GB/T26140—2010

無損檢測(cè)殘余應(yīng)力測(cè)量的中子衍射方法

Non-destructivetesting—Standardtestmethodfordetermining

residualstressesbyneutrondiffraction

ISO214322019IDT

(:,)

2023-05-23發(fā)布2023-05-23實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26140—2023/ISO214322019

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號(hào)和縮略語

4……………5

方法概要

5…………………6

測(cè)量目的樣品幾何和材料考慮

6、………………………12

測(cè)量準(zhǔn)備

7…………………13

測(cè)量和記錄要求

8…………………………19

應(yīng)力計(jì)算

9…………………22

結(jié)果可靠性

10……………24

報(bào)告

11……………………25

附錄資料性測(cè)量和分析方法

A()………………………27

附錄資料性被測(cè)物理量不確定度的測(cè)定

B()…………34

參考文獻(xiàn)

……………………37

GB/T26140—2023/ISO214322019

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替無損檢測(cè)測(cè)量殘余應(yīng)力的中子衍射方法與

GB/T26140—2010《》,GB/T26140—

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

2010,,:

更改和增加了部分術(shù)語和定義第章年版的第章

a)(3,20103);

增加了測(cè)量目的和樣品幾何的要求見

b)(6.1、6.2、6.3);

更改了衍射晶面的選擇要求見年版的

c)(,2010);

更改了基于飛行時(shí)間裝置測(cè)量應(yīng)變的要求見年版的

d)(7.3.2,20106.3.2);

更改了定位過程的要求見年版的

e)(7.4,20106.4);

更改了無應(yīng)變或參考晶格間距確定方法的要求見年版的

f)(7.6,20106.6);

更改了結(jié)果可靠性要求見第章年版的第章

g)(10,201010);

增加了不確定度和誤差的報(bào)告要求見

h)(11.7)。

本文件等同采用無損檢測(cè)殘余應(yīng)力測(cè)量的中子衍射方法

ISO21432:2019《》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

更正了中普朗克常數(shù)的單位符號(hào)將修改為

———4.1,“Js”“J·s”;

更正了和圖中方位角的符號(hào)將小寫統(tǒng)一修改為大寫將圖中x-y平面內(nèi)

———4.1、4.2、9.311,,11

角度ψ修改為Ф使之與公式公式一致

,(14)~(16);

更正了圖中散射角的符號(hào)將θa修改為θ

———2,“2”“2”;

更正了中衍射峰對(duì)應(yīng)晶面的表示方式將hkl修改為hkl

———5.4.3,“”“()”;

更正了中膨脹系數(shù)的單位將修改為-1

———B.5,“℃”“K”;

更正了公式中ε項(xiàng)前面的運(yùn)算符號(hào)將修改為

———(A.1)y,“-”“+”;

更正了參考文獻(xiàn)的出版日期和頁碼

———[20]。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國無損檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC56)。

本文件起草單位中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所上海材料研究所有限公司中國航發(fā)

:、、

北京航空材料研究院上海交通大學(xué)東莞材料基因高等理工研究院

、、。

本文件主要起草人張昌盛孫光愛楊釗龍丁杰郭廣平王虹李建黃婭琳田懿李洪佳

:、、、、、、、、、、

黃朝強(qiáng)陳波鐘圣怡張書彥李楠高建波

、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2010,。

Ⅰ

GB/T26140—2023/ISO214322019

:

引言

中子衍射是一種能用于確定晶體材料殘余應(yīng)力的無損測(cè)量方法也能用于受外力時(shí)樣品內(nèi)應(yīng)力的

,

測(cè)量將樣品或工件運(yùn)送至中子源處測(cè)量得到彈性應(yīng)變?nèi)缓笤俎D(zhuǎn)換為應(yīng)力該程序能用于確定材料

。,,。

內(nèi)部和近表面的應(yīng)力本文件制定的目的是為可靠測(cè)量工程應(yīng)用中的應(yīng)力提供依據(jù)

。。

Ⅱ

GB/T26140—2023/ISO214322019

:

無損檢測(cè)殘余應(yīng)力測(cè)量的中子衍射方法

警告本文件不涉及任何安全問題即使有任何這方面的內(nèi)容也與其應(yīng)用有關(guān)由本文件的用戶

:,,。

負(fù)責(zé)建立適用的安全和健康行為規(guī)范并在使用本文件時(shí)加以遵守

,。

1范圍

本文件規(guī)定了中子衍射測(cè)量多晶材料殘余應(yīng)力的方法本文件適用于均勻非均勻以及含不同晶

。、

相的材料樣品檢測(cè)

。

本文件簡要描述了中子衍射技術(shù)的原理提供了以下建議

,:

針對(duì)不同種類材料宜開展的測(cè)量中合適的衍射晶面選擇

———;

在宜進(jìn)行的測(cè)量中樣品方向的選取

———;

與被測(cè)材料晶粒尺寸和應(yīng)力狀態(tài)有關(guān)的待測(cè)體積選擇

———。

本文件規(guī)定了準(zhǔn)確定位和校正中子束內(nèi)檢測(cè)部位的過程以及測(cè)量時(shí)準(zhǔn)確定義材料取樣體積的

,

過程

。

本文件規(guī)定了標(biāo)定中子衍射裝置的注意事項(xiàng)規(guī)定了獲取無應(yīng)力參考值的技術(shù)方法

,。

本文件規(guī)定了開展中子衍射測(cè)量的各種方法提供了分析結(jié)果和確定其統(tǒng)計(jì)相關(guān)性的過程提供了

,,

由應(yīng)變測(cè)量數(shù)據(jù)確定殘余應(yīng)力可靠估算值以及評(píng)定結(jié)果中不確定度的建議

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。