教育資料教育資料浙江省2003年4月高等教育自學考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（每空1分，共20分）.利用晶體二極管的 和 特性，可以構成整流、穩壓、限幅等各種功能電路。.半導體中，由濃度差引起非平衡載流子運動，形成 電流，由外加電場引起載流子運動形成 電流。.已知某晶體三極管的VBE=0.7V,VCE=1.0V則該管工作在區，由材料制造。.晶體管工作在放大狀態時，其發射結的結電容主要是 電容，集電結的結電容主要是 電容。.通常將反型層稱為增強型MOS管的源區和漏區之間的溝道，其中由形成的溝道稱為N溝道。.場效應管工作在非飽和區時，其ID和VDS之間呈 關系，故又稱該區為。.在晶體管放大器中，即能放大電壓也能放大電流的是 組態放大電路；可以放大電壓但不能放大電流的是 組態放大電路。.放大電路的失真分為 和 兩大類。.放大電路中，引入直流負反饋的作用是 ，引入交流負反饋的目的是改善放大器的 .深度負反饋條件是 ，此時反饋放大器的增益近似等于 二、單項選擇題（在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內。每小題2分，共20分）.當PN結外加正向電壓時，擴散電流（ ）漂移電流。A.大于B.小于C.等于D.近似等于.當P型半導體和N型半導體相接觸時，在P型和N型半導體交界處，形成一個區域，下列的哪種名稱不能描述該區域?( )A.阻擋層B.耗盡層C.空間電荷區D.突變層.有四個晶體三極管：已知它們的電流放大系數B及穿透電流ICEO的值，使用時選用哪個更合適?( )A.B=200,ICEO=10rA.B=10,ICEO=0.1nAC.B=50,ICEO=0.1rAD.B=100,ICEO=10nA.常溫下，某晶體三極管在ICQ=1mA處，rbe=1.6K"B=50，則等于( )。A.200QB.300QC.400QD.500Q.某場效應管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是( )。A.P溝道結型管B.耗盡型PMOS管C.耗盡型NMOS1D.增強型PMOS管6.場效應管工作在放大狀態時，其靜態工作點應設置在輸出特性曲線的( )。A.非飽和區B.飽和區C.截止區D.擊穿區7.具有相同參數的相同放大電路的兩級放大器，在組成它的各個單級放大器的截止頻率處，總的電壓放大倍數下降( )。A.3dBB.6dBC.20dBD.9dB.集成運算放大器實質上是一種( )。A.交流放大器B.高電壓增益的交流放大器C.高電壓增益的直接耦合放大器D.高增益的高頻放大器.多級負反饋放大電路容易引起自激振蕩的原因是( )。A.各級電路的參數很分散B.回路增益||大C.閉環增益大D.放大器的級數少10.負反饋可以改善放大器的性能，下述哪種說法不準確?( )A.減少放大器增益B.改變輸入電阻C.改變輸出電阻D.改善噪聲系數三、簡答題(每小題5分，共15分).設二極管為理想，試判斷圖三(1)電路中，各二極管是否導通，并求VAO的值。.設圖三(2)所示電路中三極管為硅管，6=50,試通過估算判斷它的靜態工作點位于哪個區?.在圖三(3)所示電路中，已知MOS管的 ，VGs(th)=1.0V試%q，Vgsq，Vdsq的值。四、分析計算題(每小題9分，共45分)2.2.差動放大電路如圖四(2)所示，已知教育資料教育資料1.1.放大器電路如圖四(1)所示，已知場效應教育資料教育資料管的gm=2ms,rds忽略不計，所有電容對交流呈短路。求：⑴電壓放大倍數Av；⑵輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；⑶只考慮CD的影響，求低端轉折頻率fL的值。IEE=1mA,所有管子特性相同，3=100, =0,1VA|二100V,求：⑴差模輸入電阻Rid和差模輸出電阻Rod；⑵差模電壓放大倍數Aud=uo/(u丁ui2)；⑶由T3管構成的恒流源的等效內阻ro3.3.電路如圖四(3)所示。⑴采用u01輸出時，該電路屬于何種類型與極性的反饋放大電路？⑵采用U02輸出時，該電路屬于何種類型與極性的反饋放大電路？⑶假設為深度負反饋，試求第2種情況下的電壓增益Auf=uo2/ui.教育資料教育資料4.運放電路如圖四(4)所示，各運放均為理想，試求(1)U03和uo(t)及U02和u03的關系；(2)寫出口。代)和us(t)之間的關系式。5.電路如圖四⑸所示，所有運放均為理想且最大輸出電壓為±12V,設ui1=ui2=0V時，uo=+12V⑴當ui1=-l0V,ui2=0V時，經過多少時間，uo由+12V跳變為-12V?⑵uo變成-12V后，ui2由0V變為+15V,求再經過多少時間，uo由-12V跳變為+12V?⑶說明A1、A2各為什么單元電路。浙江省2003年7月高等教育自學考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題2分，共20分).雜質半導體中的多數載流子是由 產生的，少數載流子是由 產生的。.一般而言，擊穿電壓在6V以下的屬于 擊穿，6V以上的主要是 擊穿。.三極管工作在放大區時，各電極之間的電流關系是IC=IB，IE=IC..根據外加電壓的不同，晶體三極管的輸出特性曲線族可劃分為放大區、區、飽和區和 區。.已知場效應管VGS(th)=4V，當VGS=6V時，2=1^^，試寫出飽和區轉移特性的表達式ID=，當VGS=3V時，ID=。.在JFET中，溝道的導電能力受VGS和VDS的控制與MOS管類似，不同的是這種控制是通過改變PN結 中的 來實現的。.放大器中的線性失真可分為 失真和 失真兩類。.直接耦合放大電路中因溫度變化引起的漂移稱為 。采用電容耦合方式是否存在這種現象? 。.若希望減小放大電路從信號源索取的電流，則可采用 負反饋；若希望負載變化時輸出電壓穩定，則應引入 負反饋。.若引入反饋減弱了輸入信號的作用，使放大倍數 ，這樣的反饋稱為 。二、單項選擇題(在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內。每小題2分，共20分).當PN結反向工作時，其結電容主要是( )。A.勢壘電容B.擴散電容C.平板電容D.勢壘和擴散電容并存.溫度升高時，晶體二極管的丫口(02將( )。A增大B減小C.不變D.近似不變.晶體管的混合n型等效電路模型在下列哪種情況下才能應用?( )A.小信號，管子處在飽和區B.大信號，管子處在放大區C.小信號，管子處在放大區D.大信號，管子處在飽和區.某晶體三極管的iB從20RA變化到40RA時，對應的iC從2mA變化到5mA，則該管的B等于( )。A.100B.150C.200D.300.P溝道增強型MOS管工作在飽和區的條件是( )。A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)D.VGS<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th))區且限制VDS為小值時，可作為阻值受)區且限制VDS為小值時，可作為阻值受VGS控制的線性電阻器。A飽和8截止C.非飽和D擊穿.在差動放大電路中，共模輸入信號等于兩個輸入信號的( )。A.和值B.差值C.迭加D.平均值.多級放大電路放大倍數的波特圖是( )。A.各級波特圖的疊加B.各級波特圖的乘積C.各級波特圖中通頻帶最窄者D.各級波特圖中通頻帶最寬者9.已知某一放大器的A=100，現要求引入反饋以后增益Af=10，問反饋系數kf應為多少?( )A.0.01B.0.05C.0.09D.0.10三、簡答題(每小題5分，共15分)1.如圖三(1)所示電路中的二極管為理想，試畫出電路的傳輸特性曲線(v0~vi的關系曲線)，并寫出分析過程。

2.設圖三(2.設圖三(2)所示電路中的三極管為硅管，B=50,試通過估算判斷它的靜態工作點位于哪個區?3.圖三(3)所示電路中，設兩管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，二1000cm2/V?S,Cox=3X10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。四、分析計算題(每小題9分，共45分)1.放大電路如圖四(1)所示，已知晶體管的B=50,Ybb,二0。，電容對交流短路，Yb,e=5.2k。，Yce忽略不計。試求：(1)放大電路的輸入電阻Ri和輸出電阻R0；(2)電壓增益Av和源電壓增益Avs.2.圖四(2)是高輸入阻抗型場效應管差分放大電路，用作高阻型集成運放的輸入級。已知g=2ms,RL=10kQ,求：(1)差模電壓增益Avd；(2)共模電壓增益Avc,共模抑制比KCMR.3.反饋放大電路的交流通路如圖四(3)所示，試：(1)判別級間反饋的類型；⑵設滿足深度負反饋條件，計算源電壓增益Avfs=v0/vs.4.理想運放電路如圖四⑷所示，求v0rv02、v03的值。5.遲滯電壓比較器電路如圖四⑸所示，已知穩壓管的VZ=6.3V,VD（on）=0.7V,運放的最大輸出電壓為±10V，V=3V，試：REF通過分析，畫出比較特性（vo~vi）曲線。浙江省2004年4月高等教育自學考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（每小題2分，共20分）.半導體中，由濃度差引起非平衡載流子運動，形成 電流，由外電場引起載流子運動，形成 電流。.PN結具有電容特性，正偏時以電容為主，反偏時以電容為主。.晶體三極管的ICBO是指極開路的情況下，的電流。.已知某三極管VBE=0.7V,VCE=0.3V,則該管工作在 區，是由材料制造的。.MOS管作為開關應用時，其工作狀態應在 和之間轉換。.就VGS而言，增強型MOS管是 極性的，而耗盡型MOS管是 極性的。TOC\o"1-5"\h\z.多級直接耦合放大電路的兩個主要問題是 和 。.放大器輸入信號為單一頻率正弦波，輸出為非正弦波，這種失真稱為 失真，這時輸出信號中將產生 頻率成份。9.反饋量來自放大電路的輸出電壓，而又以電流信號的形式迭加到放大電路的輸入端，稱此種類型的負反饋是 。這種反饋可以使放大電路的輸入電阻 。10.設計一個負反饋放大電路，若要穩定輸出電壓，應引入 負反饋，若要穩定輸出電流應引入 負反饋。二、單項選擇題（在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內。每小題2分，共20分）1.當半導體二極管的反向擊穿電壓小于6V，主要發生何種擊穿現象?（ ）A.雪崩擊穿B.齊納擊穿C.熱擊穿D.碰撞擊穿2一個硅二極管在正向電壓VD=0.6V時，正向電流ID為10mA，若VD增大到0.66V（即增加10%），則電流ID（ ）。A.約為11mA（也增加10%）B.約為20mA（增大1倍）C.約為100mA（增大到原先的10倍）D.仍為10mA（基本不變）)。3.如果將放大電路中的晶體三極管的基極和發射極短路，則()。A.管子深飽和B.發射結反偏C.管子截止D.集電結燒壞4.測得某放大電路中的三極管三個管腳對地電位分別是2V、2.3V、5V,則可判斷該管的材料和類型是( )。A.硅、NPNB.硅、PNPC.鍺、NPND.鍺、PNP5.場效應管是一種( )。A.電壓控制器件B.電流控制器件C.雙極型器件D.少子工作的器件.若場效應管的偏置電壓VGSQ=1V，則該管不可能是一個( )。A.P溝道結型管B.N溝道結型管C.P溝道耗盡型MOS管D.N溝道增強型MOS管.需設計一只單級晶體管放大器，要求輸入電阻很大，輸出電阻小，請選擇( )。A.共射放大.共基放大C.共集放大D.共源放大

8.電容耦合放大電路(8.電容耦合放大電路()。A.只能放大直流信號.只能放大緩變信號C.只能放大交變信號D.既能放大直流信號又能放大交流信號.要得到一個由電流控制的電壓源，應選( )負反饋形式。A.電壓串聯B.電壓并聯C.電流串聯D.電流并聯10.深度負反饋電路的放大器增益取決于反饋系數，與基本放大器的放大倍數無關，但基本放大器( )。A.可以去掉B.不能去掉C.不一定D.并不重要三、簡答題(每小題5分，共15分).已知晶體三極管的靜態工作電流ICQ=1mA,|VA|二100V,B=100, =100"試畫出低頻小信號混合n型等效電路，并求出gm,rb,e、rce的值。.電路如圖三(2)所示，設MOS管的 Cox(w/l)=40HA/V2,V^hj-IV,試求V0和ID的值。3.一電流源電路如圖三(3)所示，設T1,T2管參數相同，B=100,Vbe=-0.6V。若要使廣博，Vc2W12V7Ri=R2,試確定電阻RrR2的最大允許值。四、分析計算題(每小題9分，共45分)1.放大電路如圖四(1)所示，已知三極管的B=80,rbe=2.2kQ，求(1)放大器的輸入電阻Ri；⑵從射極輸出時的Au2和R02；⑶從集電極輸出時的Au1和R01。2.放大電路如圖四(2)所示，設各管的B=100,Vbe=0.7V, =200Q。試⑴求T2管的靜態工作點(ICQ2、VCQ2)；⑵估算放大器的電壓增益Av;(3)求放大器輸出電阻R0。3.放大電路如圖四(3)所示，所有電容對交流視作短路，(1)判斷級間反饋的類型和極性。⑵計算在深負反饋條件下，源電壓增益Avfs=v0/vS的表達式。(3)若要求電路參數變化時，電壓放大倍數基本不變，如何改接反饋電阻RF?并予以說明。4.理想運放組成的電路如圖四⑷所示，試求輸出電壓v0與輸入電壓vi的關系式，并說明ArA2實現的功能。5.遲滯比較器電路如圖四(5)所示，二極管為理想器件，(1)畫出比較特性；⑵設v=6sint(V),畫出輸出波形。(畫二個周期)浙江省2004年7月高等教育自學考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題(每小題1分，共10分).半導體是依靠 和空穴兩種載流子導電的。.PN結中的反向擊穿現象按物理機制可分為和齊納擊穿兩大類。.當晶體三極管工作在發射結加 、集電結加反偏的模式時，它呈現的主要特性是正向受控作用。.若測得晶體管的三個電極電位分別是-5V，-4.7V，-2V，則該管類型是 。.場效應管的飽和區又稱放大區，它是溝道 后所對應的工作區。.MOS管分為種類型。.三種基本組態晶體管放大電路中，共集組態具有輸入電阻高、輸出電阻 的特點。.在直接耦合多級放大器中存在著需要解決的兩個問題：一是級間電平的配合；二是克服 的有害影響。.放大電路中，要穩定輸出電壓，應引入 負反饋。.反饋放大器是一個由基本放大器和 構成的閉合環路。二、單項選擇題(在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內。每小題2分，共30分)雜質半導體中多數載流子濃度( )。與摻雜濃度和溫度無關只與摻雜濃度有關只與溫度有關與摻雜濃度和溫度都有關2.半導體二極管是溫度的敏感器件，當溫度增加時，其參數IS和VD(on)都將發生變化，試選擇正確答案。( )。IS上升，VD(on)下降IS上升，VD(on)上升IS下降，VD(on)下降IS下降，VD(on)上升隨著溫度的升高，晶體三極管的( )將變小。BVBE(on)ICBOICEO晶體管的輸出特性曲線分為四個區，請選擇哪個區具有基區寬度調制效應?(飽和區放大區截止區擊穿區N溝道耗盡型MOS管工作在非飽和區的條件是( )。A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)D.VGS<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)以下場效應管中哪個的襯底必須接在電路中的最高電位上?( )P溝道JFET管N溝道DMOS管N溝道EMOS管P溝道EMOS管設計一只單級放大器，要求輸入阻抗小，輸出阻抗大，請選擇( )。A.共射放大共基放大C.共集放大D.共源放大差分放大器中，用恒流源替代射極電阻Re是為了( )。A.提高AvdB.提高AvcC.提高KCMRD.提高Rod交流負反饋是指( )。只存在于電容耦合電路中的負反饋交流通路中的負反饋放大正弦波信號時才有的負反饋變壓器耦合電路中的負反饋負反饋放大電路中，若滿足深度負反饋條件，則反饋信號和輸入信號之間應滿足( )。f>i個if<if=1/i純凈半導體中加入+3價元素后，將形成( )。電子型半導體空穴型半導體雜質半導體本征半導體PNP型晶體三極管工作在截止區的條件是( )。VBE>0,VCB>0VBE>0,VCB<0VBE<0,VCB>0VBE<0,VCB<013.若已知MOS場效應晶體管的IDSS=10mA,VGS(th)=-4V,VGSQ=-2V。則IDQ為( )。1.5mA2.0mA2.5mA3.0mA理想差分放大器由單端輸出改為雙端輸出時，其共模抑制比應為( )。無窮大為單端輸出時的一半為單端輸出的2倍零對于電壓并聯負反饋而言，下列哪個回答是正確的?( )。輸入電阻變大，輸出電阻變大輸入電阻變大，輸出電阻變小輸入電阻變小，輸出電阻變大輸入電阻變小，輸出電阻變小三、簡答題(每小題5分，共15分)1.判斷圖三(1)電路中各二極管是否導通，并求VAO的值。設二極管正向導通壓降為0.7V。2.圖三(2)所示為兩級放大電路，若忽略管子的基極電流，a>1,|%(。/=0.7丫求*匕和Ic2的值。3.圖三（3）所示為某場效應管的轉移特性，請說明其屬于何溝道、何種類型?并指出它的VGS腳或VGS（off）等于何值?（圖中iD的假定正向為流進漏極）四、分析計算題（每小題9分，共45分）.放大電路如圖四（1）所示，已知ICQ=1mA，B=100,rbb,=0,1VA|=8,電容對交流短路，試求：(1)輸入電阻Ri和輸出電阻Ro；(2)電壓增益Av和源電壓增益Avs。.差分放大電路如圖四(2)所示，已知TJ2參數對稱，B=100,rbb,=0Q,I=2mA求：(1)］的靜態工作點(I⑷、VCQ1)；(2)差模電壓增益Avd的值；(3)共模抑制比KCMR的值。3.反饋放大電路的交流通路如圖四(3)所示，試：(1)判別級間反饋的類型；(2)設電路滿足深度負反饋條件，計算電壓增益Ajvo/vi.電路如圖四⑷所示，運放A是理想的，已知R2=5kQ,R3=1kQ,C1=47^F,R10.83kQ⑴若輸入為中頻正弦交流信號，求中頻增益Av=vo/vi的值；(2)電路的下限截止頻率fL=?.電路如圖四⑸所示，圖中二極管和運放均為理想，試通過分析，繪出vo~vi的關系曲線，要求寫出分析過程。浙江省2005年4月高等教育自學考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（每小題2分，共20分）.P型半導體中多數載流子為，少數載流子為。.PN結的反向擊穿有和兩種擊穿。.三極管工作在飽和狀態時，其發射結 ，集電結 。.當某三極管VBE=0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在 區，集電極電流和基極電流關系是.場效應管的導電過程僅僅取決于 載流子的運動；因而它又稱做 器件。6在場效應管放大電路中，就VGS而言， 型MOS管是單極性的，而 型MOS管可以是雙極性的。.放大器的失真分為 失真和 失真兩大類。.在相同條件下，阻容耦合放大電路的零點漂移 ，而直接耦合放大電路的零點漂移 .共發射極放大電路輸出電壓Uo與輸入電壓Ui的相位關系是 ，共基極放大電路輸出電壓Uo與輸入電壓Ui的相位關系是 。.設計一個負反饋放大電路，要使輸入電阻增大應引入 型負反饋，若要穩定輸出電壓應引入型負反饋。二、單項選擇題(在每小題的四個備選答案中，選出一個正確答案，并將正確答案的序號填在題干的括號內。每小題2分，共20分)1.雜質半導體中少數載流子濃度( )。A.只與溫度有關B.取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無關0與溫度無關D.與摻雜濃度和溫度都無關.判別晶體管是否工作在飽和狀態，最簡單的是測量( )。A.IBB.VCEC.VBED.IC.若三極管的發射極電流為1mA，基極電流為20RA，則集電極電流為( )mA。A.0.98B.1.02C.1.2D.0.8

4.場效應管是(4.場效應管是()器件。A.電流控制電流B.電流控制電壓C.電壓控制電流D.電壓控制電壓5.在差動式放大電路中，共模輸入信號等于兩個輸入端信號的( )。A.和值B.差值C.平均值D.乘積值6.由PNP管組成的共射放大電路，若測得VCEQ=-VCC,-VCC為電源電壓，則可判斷該三極管處于( )。A.放大狀態B.飽和狀態C.截止狀態D.擊穿狀態.希望放大器具有大的輸入電阻和穩定的輸出電流，應引入( )負反饋。A.電壓串聯.電壓并聯C.電流串聯D.電流并聯8.共集電極電路信號從( )。A.基極輸入，集電極輸出B.發射極輸入，集電極輸出C.基極輸入，發射極輸出D.發射極輸入，基極輸出

9.集成運算放大電路的輸入級通常采用（9.集成運算放大電路的輸入級通常采用（）電路。A.共集電極放大B.共發射極放大C.差動放大D.共基極放大三、簡答題（每小題5分，共15分）.試分析圖三（1）所示各電路是否能夠放大正弦交流信號，簡述理由。設圖中所有電容對交流信號均可視為短路。.電路如圖三(2)所示，已知MOS管的[Cox()=250|jA/V2,VGs(th)=2.0V試求ID，VGS，VDS的值。3.圖三(3)所示為某場效應管的轉移特性，請說明其屬于何溝道、何種類型?并指出它的V或V 等于何值?(圖中i的假定正向為流進漏極)GS(th)GS(off) D四、分析計算題(每小題9分，共45分)1.電路如圖四(1)所示，晶體管的B=80,r=1kQobe(1)求出Q點；⑵分別求出R「8和RL=3kQ時電路的和Ri；(3)求出Roo2.放大電路如圖四(2)所示，T1管和T2管的B均為40,rbe均為3kQ。試問：若輸入直流信號uI1=20mv，UI2=10mv，則電路的共模輸入電壓uIC=？差模輸入電壓uId二？輸出動態電壓△口:？3.放大電路如圖四（3）。要求：（1）指出級間反饋支路，判斷其反饋類型；（2）按深度負反饋估算其閉環放大倍數；（3）說明輸入電阻和輸出電阻的變化趨勢。教育資料教育資料教育資料4.電路如圖四(4)所示，設圖示電路中的運算放大器為理想的，電阻阻值在圖中已標出。試寫出Uo/Ui=?浙江省2006年4月高等教育自學考試線性電子電路試題課程代碼：02340一、填空題（本大題共10小題，每空1分，共20分）請在每小題的空格中填上正確答案。錯填、不填均無分。.N型半導體中多數載流子為，少數載流子為。.PN結反偏，內電場增強，空間電荷區變寬，運動減弱，運動加強，PN結截止，電阻大。.為保證三極管工作在放大狀態UC、UB、UE之間的關系是：對NPN型：；7^NP型：.當某三極管VBE=-0.7V，VCE=-0.3V，則該管工作在 區，是由材料制造的。.場效應管從結構上分成 和 兩種類型。.溝道結型場效應管的夾斷電壓VGS（off）為正，溝道結型場效應管的夾斷電壓VGS（off）為負。.多級放大電路連接（耦合）的兩個主要方式是 連接和 連接。.共漏極放大電路具有輸入電阻 輸出電阻 的特點。.集成運算放大器的兩個輸入端是 輸入端和 輸入端。.為了減小放大電路的輸出電阻，應引入 負反饋，為了增大放大電路的輸入電阻，應引入 負反饋。二、單項選擇題（本大題共10小題，每小題2分，共20分）在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的，請將其代碼填寫在題后的括號內。錯選、多選或未選均無分。1.穩壓管的穩壓區是其工作在（）A.正向導通B.反向截止C.齊納擊穿D.雪崩擊穿.某晶體三極管的iB從30RA變化到50RA時，對應的iC從2mA變化到6mA,則該管的B等于（ ）A.100B.120C.200D.300.晶體三極管的反向電流IC