1第五章

雙極型晶體管(BJT)2概要

5.1晶體三極管的器件結構及工作原理

5.1.1器件結構

5.1.2放大模式下NPN晶體三極管工作原理

5.1.3晶體三極管的電路符號及特性曲線

5.2晶體三極管的直流偏置

5.2.1晶體三極管常用偏置電路

5.2.2直流分析與交流分析分離

5.2.3晶體三極管直流電路分析

5.3晶體三極管放大電路分析

5.3.1晶體三極管小信號模型

5.3.2共射放大器

5.3.3接發射電阻的共發射極放大器

5.3.4共基放大器

5.3.5共集電極放大器或射極跟隨器

5.3.63種組態放大器比較

器件結構

npn

晶體管的簡化結構

器件結構

pnp

晶體管的簡化結構5.1.1工作模式模式EBJCBJ應用截止反偏反偏在數字電路中作為開關使用飽和正偏正偏放大正偏反偏放大器反向放大反偏正偏有限的應用BACK5.1.2工作在放大模式下的npn晶體管工藝條件：發射區高摻雜基區很薄

CBJ面積遠大于

EBJ工作過程：

發射區發射電子

基區復合

集電區收集電子發射極電流E區和B區的多子互相擴散注入，形成兩個擴散電流in和ip發射極電流iE由上面兩個分量組成發射區重摻雜，in>>ip，iE主要由電子電流組成集電極電流集電極電流是漂移電流集電極的電流與CB兩端的電壓無關.CBJ面積>>EBJ面積基極電流兩個結共同形成流入基極的電流

復合電流占多數.基區很薄，基極電流的大小非常小電流方程發射極電流等于集電極電流和基極電流之和

參數：共基極電流直流傳輸系數定義：集電極電流可表示為:

的值小于1但非常接近于1.，一般在0.98以上參數：共發射極電流增益的說明定義：集電極電流可表示為其中發射極電流典型值在50到200之間,但是對于特殊器件可以達到1000BACK

BJT的電路符號箭頭端為晶體管的發射極14三極管的三種基本組態當VCE在0～0.3V間變化時，IB變化較大，此時晶體三極管工作在飽和模式當VCE大于0.3V時，晶體三極管工作在放大模式，理想情況下電流IB應不隨VCE變化，但基區寬度調制效應的存在使得當VCE增大時，IB略有減小。共發射極輸入特性曲線族

共發射極輸出特性曲線族共發射極組態的輸出特性曲線放大區EBJ正偏,CBJ反偏;鄰近的輸出曲線具有相同的距離曲線盡管還是直線,但是有一個有限的斜率飽和區EBJ和CBJ不僅正偏而且還是導通的集電極電流是擴散電流不是漂移電流CBJ的導通電壓小于EBJ的導通電壓截止區IB

=

0

EBJ反偏,CBJ反偏;所有電流為0擊穿區EBJ正偏,CBJ反偏電壓過大導致CBJ被擊穿集電極電流明顯的增大BACKreturn厄爾利效應——基區寬度調制效應厄爾利效應集電極輸出電阻

其中是忽略厄爾利效應后的集電極電流，即三極管的主要參數直流電流放大系數交流電流放大系數在工程上，通常不區分交流和直流，都用、表示三極管的主要參數極間反向電流（一般可忽略）

（1）反向飽和電流ICBO

發射極開路時，集電極和基極間的反向飽和電流

（2）穿透電流ICEO

基極開路時由集電極直通到發射極的電流

三極管的主要參數極限參數（1）集電極最大允許電流ICM

（2）集電極最大允許功耗PCM

（3）反向擊穿電壓V(BR)CEO

三極管的安全工作區BACK單電源供電的經典BJT偏置方法（a)電路（b)向基極提供電源的電壓分壓器用戴維南等效后的得到的電路單電源供電的經典BJT偏置方法兩個約束條件：式(5.71)確保VBE的較小變化將被較大的VBB掩蓋但VBB過高，IE或IC越大，VCE越小，交流動態范圍受限折中方案單電源供電的經典BJT偏置方法兩個約束條件：式(5.72)使得IE對β的變化不明顯，可選擇較小的RB，即選擇較小的R1和R2較小的R1和R2會降低放大器輸入電阻，而VB與β無關，因此使分壓器上電流遠大于IB即可。通常選擇R1、R2以使其電流在(0.1~1)IE范圍內雙電源供電的經典偏置設置只有當信號通過電容耦合到基極時才需要電阻RB兩個約束條件都可使用5.5.4恒流源的偏置BACK

直流分析與信號分析的分離分別分析放大電路的直流通路和交流通路

直流通路：所有電容開路，電感短路，獨立的交流電壓源短路，獨立的交流電流源開路，但保留信號源內阻。交流通路：隔直流電容和旁路電容短路，扼流圈等大電感開路，獨立的直流電壓源短路，獨立的直流電流源開路，但保留信號源內阻。

直流分析與信號分析的分離（a）直流通路（b）交流通路BACK5.4晶體管電路的直流分析直流分析步驟:（1）采用固定的電壓壓降模型，若EBJ正偏，則假設電壓，不考慮準確的電壓值；若EBJ反偏，則認為BJT截止工作。（2）假設晶體管工作在放大區，可以應用IB、IC和IE的關系來求解VCE或VCB。（3）檢查VCE：若VCE>0.3V，假設成立，管子工作在放大區；若VCE<0.3V，假設不成立，則BJT工作在飽和區，因此要重新假設VCE

=

VCE(sat)

=

0.3V來求IC

例題5.1假定,確定所有節點電壓和所有支路電流回路方程假設BJT工作在放大區，則集電極電壓為驗證假設成立。例題5.1方法二:(近似估算)，假設BJT工作在放大區若，則可認為分壓電流遠大于基極電流，基極電流的分流忽略不計，即則假設成立。例題5.1BACK35混合模型等效電路表示BJT作為電壓控制電流源（互導放大器）等效電路表示BJT作為電流控制電流源（電流放大器）36交流小信號參數晶體三極管輸入電阻其中為從發射極看進去的基極和發射極之間的等效小信號電阻37跨導BACK定義：與MOSFET相比，BJT有相對較高的跨導38交流小信號參數晶體三極管跨導39描述厄爾利效應的擴充小信號模型40小信號模型的應用首先畫出直流電路并計算集電極的電流IC(ICQ).計算小信號模型的一些特定的參數例如：gm=IC/VT,r=/gm=VT/IB,re=/gm=VT/IE.畫出交流電路用小信號模型代替電路中的非線性部分，同時小信號模型的選擇應該是使得分析最簡單的確定所要求的交流參數（增益、輸入輸出電阻）41pnp

晶體管的模型pnp晶體管的小信號模型與npn的小信號模型是一樣的，因為小信號模型不改變偏置條件，小信號模型與極性無關無論是那種構造，它的模型是唯一的；到底選擇哪種進行分析就看哪種更簡單BACK425.7.3共發射極放大器435.7.3共發射極放大器445.7.3共發射極放大器45共發射極放大器的特性輸入電阻電壓增益總電壓增益輸出電阻46共發射極放大器的小結較大的電壓增益.較大的電流增益.輸入電阻相對較低輸出電阻相對較高BACK475.7.4接發射極電阻的共發射極放大器48接發射極電阻的共發射極放大器49接發射極電阻的共發射極放大器50接發射極電阻的共發射極放大器用

替代

，并假設

，可得51接發射極電阻的共發射極放大器的特性輸入電阻電壓增益總電壓增益輸出電阻短路電流增益52接發射極電阻的共發射極放大器的小結輸入電阻Rib增大(1+gmRe)倍從基極到集電極的電壓增益減小(1+gmRe)倍.對于相同的非線性失真，輸入信號vi

可以增大(1+gmRe)倍總電壓增益與β的相關性降低其他性能得到改善是以犧牲增益為代價的電阻RE

是作為負反饋引入到電路中的.高頻響應大大改善BACK535.7.5共基（CB）放大器54共基（CB）放大器的混合π模型分析55共基（CB）放大器的混合π模型分析56共基（CB）放大器的特性輸入電阻電壓增益總電壓增益輸出電阻短路電流增益57共基（CB）放大器的小結具有較低的輸入電阻相當高的輸出電阻短路電流增益接近于1較高的電壓增益開路電壓增益是正的電流跟隨器具有極好的高頻性能BACK585.7.6共集電極（CC）放大器或射極跟隨器59共集電極（CC）放大器混合π模型的分析60共集電極（CC）放大器混合π模型的分析61CC的特性輸入電阻電壓增益總電壓增益輸出電阻短路電流增益62共集電極（CC）放大器或射極跟隨器的特性具有較高的輸入電阻較低的輸出電阻