ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T14139—2019

代替

GB/T14139—2009

硅外延片

Siliconepitaxialwafers

2019-06-04發布2020-05-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14139—2019

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅外延片本標準與相比除編輯性修改外

GB/T14139—2009《》。GB/T14139—2009,

主要技術變化如下

:

修改了適用范圍將本標準適用于在型硅拋光片襯底上生長的型外延層+和在

———,“Nn(N/N)p

型硅拋光片襯底上生長的型外延層+的同質硅外延片產品主要用于制作硅半導體

P(P/P)。

器件其他類型的硅外延片可參照適用改為本標準適用于在直徑不大于的型

。。”“150mmN

和型硅拋光片襯底上生長的硅外延片見第章年版的第章

P”(1,20091)。

規范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T12962、GB/T14145、YS/T24,GB/T1550、

見第章

GB/T1555、GB/T14844、GB/T19921、GB/T24578、YS/T28、SEMIM85(2,2009

年版的第章

2)。

增加了術語和定義見第章

———“”(3)。

將產品的牌號和分類單列一章并修訂了牌號表示方法和外延層的晶向見第章年版

———,(4,2009

的

3.1)。

修訂了外延片用襯底材料的要求見年版的

———(5.1,20093.2)。

增加了外延層的導電類型晶向的要求試驗方法檢驗規則等見第

———、、、(5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、7

章

)。

外延層電阻率由中心電阻率修訂為平均電阻率并修訂了電阻率電阻率允許偏差及徑向電阻

———,、

率變化的要求見年版的

(5.2.3,20093.3)。

外延層厚度由中心厚度修訂為平均厚度并修訂了厚度厚度允許偏差及徑向厚度變化的要求

———,、

見年版的

(5.2.4,20093.4)。

增加了外延層縱向電阻率分布及過渡區寬度的要求試驗方法檢驗規則等見第

———、、(5.2.5、6.5、7

章

)。

修改了外延層位錯密度的要求由不大于個2修訂為應不大于-2見

———,“500/cm”“50cm”(5.2.6,

年版的

20093.5.1)。

增加了表面金屬的要求試驗方法及檢驗規則見第章

———、(5.2.7、6.7、7)。

刪除了大點缺陷的要求見年版的

———(20093.6.1)。

刪除了表面缺陷區域系指直徑不大于的硅外延片去除邊緣環形區域直徑

———“76.2mm2mm,

和硅外延片去除邊緣環形區域的整個表面見年版的

100mm、125mm150mm3mm”(2009

3.6.2)。

刪除了表面點狀缺陷包括符合的釘粘附的顆粒突起物夾雜小丘和棱錐

———“GB/T14264、、、、。

使用清洗技術能除去的顆粒不屬于點狀缺陷見年版的

”(20093.6.3)。

刪除了崩邊是指外延片邊緣在徑向的缺損深度大于的損傷最大崩邊徑向深度不

———“0.3mm。

大于累計崩邊最大周邊長不大于見年版的

0.5mm,2.5mm”(20093.6.4)。

刪除了霧的定義見見年版的

———“GB/T14264”(20093.6.5)。

刪除了沾污包括色斑手套印塵埃污跡和溶劑殘留物見年版的

———“、、、”(20093.6.6)。

增加了組批檢驗項目的要求見

———、(7.2、7.3)。

修改了包裝要求見年版的

———(8.1.1,20096.1.1)。

Ⅰ

GB/T14139—2019

增加了訂貨單或合同內容見第章

———()(9)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司南京國盛電子有限公司上海合晶硅材料有限公

:、、

司有色金屬技術經濟研究院有研半導體材料有限公司

、、。

本標準主要起草人張海英李慎重蔣玉龍駱紅胡金枝盧立延李素青

:、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T14139—1993、GB/T14139—2009。

Ⅱ

GB/T14139—2019

硅外延片

1范圍

本標準規定了硅外延片的牌號和分類要求試驗方法檢驗規則標志包裝運輸貯存質量證明

、、、、、、、、

書和訂貨單或合同內容

()。

本標準適用于在直徑不大于的型和型硅拋光片襯底上生長的硅外延片

150mmNP。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T6617

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程

GB/T13389

硅外延層擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法