標準解讀

《GB/T 14139-2019 硅外延片》相比于《GB/T 14139-2009 硅外延片》，主要在以下幾個方面進行了更新與調(diào)整：

  1. 技術指標的優(yōu)化：新標準對硅外延片的幾何尺寸、表面質(zhì)量、微觀結(jié)構(gòu)、電學性能等方面的技術要求進行了修訂，以適應近年來半導體技術進步對硅外延片更高品質(zhì)的需求。例如，可能對厚度均勻性、缺陷密度、電阻率范圍等參數(shù)提出了更嚴格或更明確的規(guī)定。

  2. 檢測方法的改進：為了提高檢測精度和效率，2019版標準引入了新的檢測技術和方法，或?qū)υ袡z測方法進行了細化和優(yōu)化。這包括但不限于對外延層厚度、摻雜濃度、晶體缺陷的分析技術的更新，確保測試結(jié)果更加準確可靠。

  3. 分類與分級：新標準可能對硅外延片進行了更細致的分類和分級，以滿足不同應用領域的需求。這可能涉及到根據(jù)用途（如集成電路、功率器件等）對產(chǎn)品進行細分，并設定相應的質(zhì)量等級標準。

  4. 環(huán)保與安全要求：隨著全球?qū)Νh(huán)境保護和生產(chǎn)安全的重視增加，2019版標準可能加入了關于生產(chǎn)過程中環(huán)保材料使用、有害物質(zhì)控制以及安全生產(chǎn)的相關規(guī)定，確保產(chǎn)品從生產(chǎn)到應用的全鏈條符合當前的環(huán)保與安全標準。

  5. 術語和定義的更新：為與國際標準接軌并反映技術發(fā)展，新標準對部分專業(yè)術語和定義進行了修訂或新增，以增強標準的準確性和通用性。

  6. 標準的適用范圍：雖然核心內(nèi)容仍然是硅外延片的質(zhì)量要求，但2019版標準可能根據(jù)市場和技術發(fā)展的實際情況，調(diào)整了標準的適用范圍，明確了標準不適用的情況或特別說明了某些新型硅外延技術的要求。

這些變化旨在提升硅外延片產(chǎn)品的整體質(zhì)量水平，促進產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新，同時增強中國標準與國際標準的一致性和互認性，推動半導體行業(yè)的健康發(fā)展。


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....

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  • 2019-06-04 頒布
  • 2020-05-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T14139—2019

代替

GB/T14139—2009

硅外延片

Siliconepitaxialwafers

2019-06-04發(fā)布2020-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14139—2019

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅外延片本標準與相比除編輯性修改外

GB/T14139—2009《》。GB/T14139—2009,

主要技術變化如下

:

修改了適用范圍將本標準適用于在型硅拋光片襯底上生長的型外延層+和在

———,“Nn(N/N)p

型硅拋光片襯底上生長的型外延層+的同質(zhì)硅外延片產(chǎn)品主要用于制作硅半導體

P(P/P)。

器件其他類型的硅外延片可參照適用改為本標準適用于在直徑不大于的型

。。”“150mmN

和型硅拋光片襯底上生長的硅外延片見第章年版的第章

P”(1,20091)。

規(guī)范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T12962、GB/T14145、YS/T24,GB/T1550、

見第章

GB/T1555、GB/T14844、GB/T19921、GB/T24578、YS/T28、SEMIM85(2,2009

年版的第章

2)。

增加了術語和定義見第章

———“”(3)。

將產(chǎn)品的牌號和分類單列一章并修訂了牌號表示方法和外延層的晶向見第章年版

———,(4,2009

的

3.1)。

修訂了外延片用襯底材料的要求見年版的

———(5.1,20093.2)。

增加了外延層的導電類型晶向的要求試驗方法檢驗規(guī)則等見第

———、、、(5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、7

章

)。

外延層電阻率由中心電阻率修訂為平均電阻率并修訂了電阻率電阻率允許偏差及徑向電阻

———,、

率變化的要求見年版的

(5.2.3,20093.3)。

外延層厚度由中心厚度修訂為平均厚度并修訂了厚度厚度允許偏差及徑向厚度變化的要求

———,、

見年版的

(5.2.4,20093.4)。

增加了外延層縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度的要求試驗方法檢驗規(guī)則等見第

———、、(5.2.5、6.5、7

章

)。

修改了外延層位錯密度的要求由不大于個2修訂為應不大于-2見

———,“500/cm”“50cm”(5.2.6,

年版的

20093.5.1)。

增加了表面金屬的要求試驗方法及檢驗規(guī)則見第章

———、(5.2.7、6.7、7)。

刪除了大點缺陷的要求見年版的

———(20093.6.1)。

刪除了表面缺陷區(qū)域系指直徑不大于的硅外延片去除邊緣環(huán)形區(qū)域直徑

———“76.2mm2mm,

和硅外延片去除邊緣環(huán)形區(qū)域的整個表面見年版的

100mm、125mm150mm3mm”(2009

3.6.2)。

刪除了表面點狀缺陷包括符合的釘粘附的顆粒突起物夾雜小丘和棱錐

———“GB/T14264、、、、。

使用清洗技術能除去的顆粒不屬于點狀缺陷見年版的

”(20093.6.3)。

刪除了崩邊是指外延片邊緣在徑向的缺損深度大于的損傷最大崩邊徑向深度不

———“0.3mm。

大于累計崩邊最大周邊長不大于見年版的

0.5mm,2.5mm”(20093.6.4)。

刪除了霧的定義見見年版的

———“GB/T14264”(20093.6.5)。

刪除了沾污包括色斑手套印塵埃污跡和溶劑殘留物見年版的

———“、、、”(20093.6.6)。

增加了組批檢驗項目的要求見

———、(7.2、7.3)。

修改了包裝要求見年版的

———(8.1.1,20096.1.1)。

Ⅰ

GB/T14139—2019

增加了訂貨單或合同內(nèi)容見第章

———()(9)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位浙江金瑞泓科技股份有限公司南京國盛電子有限公司上海合晶硅材料有限公

:、、

司有色金屬技術經(jīng)濟研究院有研半導體材料有限公司

、、。

本標準主要起草人張海英李慎重蔣玉龍駱紅胡金枝盧立延李素青

:、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14139—1993、GB/T14139—2009。

Ⅱ

GB/T14139—2019

硅外延片

1范圍

本標準規(guī)定了硅外延片的牌號和分類要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存質(zhì)量證明

、、、、、、、、

書和訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標準適用于在直徑不大于的型和型硅拋光片襯底上生長的硅外延片

150mmNP。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T6617

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

硅外延層擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

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