犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１４１３９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３

硅外延片

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２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１４１３９—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３《硅外延片》。

本標準與原標準相比，主要有如下變動：

———刪除了引用標準ＹＳ／Ｔ２３《硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法》和ＹＳ／Ｔ２８《硅片包裝》；

———增加了引用標準ＧＢ／Ｔ１４１４１《硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針

法》和ＧＢ／Ｔ１４８４７《重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》；

———修改了產品規格規范，去除原標準中５０．８ｍｍ、８０ｍｍ、９０ｍｍ三個規格，增加了直徑尺寸

１２５ｍｍ和１５０ｍｍ；

———在產品牌號中增加襯底摻雜內容；

———襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷（Ｐ）；

———對外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進行了修訂，對其允許偏差進行加嚴；

———修改了外延層厚度測量方法，對外延片表面缺陷檢測方法進行加嚴；

———修改了合格質量水平（ＡＱＬ）規定，增加了表面質量、位錯等檢驗項目合格質量水平規定。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：寧波立立電子股份有限公司。

本標準主要起草人：許峰、劉培東、李慎重、諶攀。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１３９—２００９

硅外延片

１范圍

本標準規定了硅外延片的產品分類、技術要求、試驗方法和檢驗規則及標志、包裝運輸、貯存等。

本標準適用于在Ｎ型硅拋光片襯底上生長的ｎ型外延層（Ｎ／Ｎ＋）和在ｐ型硅拋光片襯底上生長的

Ｐ型外延層（Ｐ／Ｐ＋）的同質硅外延片。產品主要用于制作硅半導體器件。其他類型的硅外延片可參照

使用。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數抽樣檢驗程序第１部分：按接收質量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６６１７硅片電阻率測定擴展電阻探針法

ＧＢ／Ｔ６６２４硅拋光片表面質量目測檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１２９６２硅單晶

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規程

ＧＢ／Ｔ１４１４１硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１４１４２硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

ＧＢ／Ｔ１４１４５硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法

ＧＢ／Ｔ１４１４６硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

ＧＢ／Ｔ１４２４６半導體材料術語

ＧＢ／Ｔ１４８４７重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

ＹＳ／Ｔ２４外延釘缺陷的檢驗方法

３技術要求

３．１產品分類

３．１．１導電類型

產品按導電類型分為