標準解讀

《GB/T 14139-1993 硅外延片》是中國一項關(guān)于硅外延片的質(zhì)量標準，旨在規(guī)定硅外延片的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求，以確保其在半導(dǎo)體工業(yè)中的適用性和可靠性。以下是該標準的主要內(nèi)容概覽：

  1. 范圍：本標準適用于半導(dǎo)體器件制造用的單晶硅外延片，明確了適用的硅外延片類型及主要應(yīng)用領(lǐng)域。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實施本標準時所直接引用或參考的其他標準文檔，這些文件對于理解和執(zhí)行本標準的具體要求至關(guān)重要。

  3. 術(shù)語和定義：對硅外延片相關(guān)的專業(yè)術(shù)語進行了解釋和界定，幫助讀者準確理解標準內(nèi)容。

  4. 分類與標記：根據(jù)硅外延片的材質(zhì)、尺寸、厚度、電阻率等特性進行分類，并規(guī)定了產(chǎn)品標記方法，確保信息清晰可追溯。

  5. 技術(shù)要求：

    • 外觀：規(guī)定了硅外延片表面應(yīng)平整、無明顯缺陷。
    • 尺寸和形狀：對外延片的直徑、厚度、平行度等物理尺寸提出具體要求。
    • 晶體質(zhì)量：包括晶向、位錯密度、微缺陷等指標，確保材料的電學性能。
    • 雜質(zhì)含量：限制了特定雜質(zhì)元素的最大濃度，以保證半導(dǎo)體器件的性能穩(wěn)定。
    • 表面粗糙度和清潔度：對外延片表面的微觀形態(tài)和平整度，以及表面沾污程度提出了標準。

  6. 試驗方法：詳細說明了如何通過各種物理、化學檢測手段來驗證硅外延片是否滿足上述技術(shù)要求，包括但不限于X射線衍射分析、四探針法測電阻率、掃描電子顯微鏡觀察等。

  7. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品檢驗的程序、抽樣方法、合格判定準則等，確保產(chǎn)品質(zhì)量控制的一致性和有效性。

  8. 標志、包裝、運輸和儲存：對硅外延片的標識信息、包裝材料、防護措施、運輸條件以及儲存環(huán)境進行了規(guī)定，以防止在流通和存儲過程中受到損壞。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 14139-2009
  • 1993-02-06 頒布
  • 1993-10-01 實施
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GB/T 14139-1993硅外延片_第1頁
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UDc669.782百81中華人民共和國國家標準GB/T14139-93硅外延片Siliconepitaxialwafers1993-02-06發(fā)布1993-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號中華人民共和國國家標準外延GB/T14139-93中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年9月第一版2044年12月電子版制作書號：155066·1-9851版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準GR/14139-93外硅片Siliconepitaxialwafers主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法和檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸、此存。本標準適用手在N型硅拋光片襯底上生長的N型外延層（N/N）和在P型硅拋光片襯底上生長的P型外延層(P/P+）的同質(zhì)硅外延芳。產(chǎn)品用于制作學導(dǎo)體器件2引用標準(：B2828連批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查）GB6624桂拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB12962硅單品GB12964硅單品拋光片GB/T13389摻硼摻磷硅單品電阻率和摻茶劑濃度換身規(guī)程CB/T14142硅外延層晶體完常性檢測方法腐蝕法CB/T14145硅外延層堆垛層錯常度測定干涉相襯顯微鏡法GB/T14146硅外延層裝流子濃度測定汞探針電容-電壓法GB/T14264業(yè)導(dǎo)體材料術(shù)語YS/T23硅外延層厚度測定難垛層錯尺寸法YST21外延釘缺陷的檢測方法YS/T28硅片包裝3產(chǎn)品分類3.1導(dǎo)電類型產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為入型和P型3.2規(guī)格產(chǎn)品按直徑尺寸分為<50.8mm.76.2mm.80mm.90mm和100mm3.3外延片品向產(chǎn)品按晶向分為~111>、<100>等。S.4產(chǎn)

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