ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹1大綱透明導(dǎo)電薄膜的介紹與應(yīng)用ITO薄膜的特性及製程介紹ITO薄膜的結(jié)晶性V.S.製程參數(shù)公司的簡介與產(chǎn)品介紹2透明導(dǎo)電薄膜的介紹透明導(dǎo)電膜(Transparentconductingoxidesfilms,TCOs)：在可見光的範(fàn)圍內(nèi)具有高穿透度：T>85%。低電阻率：＜10-3

W-cm。種類：金屬薄膜金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜應(yīng)用領(lǐng)域片電阻值需求光穿透度需求液晶顯示器≦100W/sq.≧85%觸控面板100W/sq.-1000W/sq.≧85%抗靜電塗層100-109

W/sq.≧85%太陽能電池≦100W/sq.≧80%電致色變元件≦20W/sq.≧80%有機(jī)發(fā)光二極體≦100W/sq.≧85%3電阻式觸控面板透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用範(fàn)圍薄膜電晶體4有機(jī)發(fā)光二極體電致色變元件5非晶矽可撓太陽電池染料敏化太陽電池6導(dǎo)電特性ITO薄膜的導(dǎo)電性屬於N型半導(dǎo)體，導(dǎo)電機(jī)制有兩種，一種雜質(zhì)摻雜機(jī)制，另一種則為氧空位機(jī)制。由於Sn4+取代In3+，提供額外的電子。氧空缺提供兩個(gè)額外的電子。(O2→2Vo¨+2e-)InOSnAbsentOatomSnsubstitutionalSninterstitiale-e-e-Sn+7透光特性ITO薄膜的可見光可穿透能隙寬度約為3.5-4.3eV，可見光波長範(fàn)圍對應(yīng)的能量為1.7-3.1eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產(chǎn)生光的吸收，故在可見光的範(fàn)圍內(nèi)有很高的穿透度。GlassPETITOfilmTiO2film8ITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsputtering)為目前在諸多製程中和積體電路製程技術(shù)相容性較高的技術(shù)，具有可連續(xù)生產(chǎn)高品質(zhì)薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用來沉積ITO薄膜的技術(shù)。脈衝雷射鍍法(Pulsedlaserdeposition)固定脈衝頻率、能量約為40-300mJ的準(zhǔn)分子雷射，將雷射脈衝轟擊在ITO靶材上，並加上垂直方向的磁場。此種製程下之成膜速率低，非常耗時(shí)。電弧放電離子鍍(Arcdischargeionplating)電弧離子鍍乃是運(yùn)用電弧放電電漿，將原料進(jìn)行蒸發(fā)與離子化，藉由基材通以負(fù)偏壓吸引離子加速撞擊並還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過程中會(huì)有微粒產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質(zhì)。9反應(yīng)性蒸鍍(Reactiveevaporation)藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點(diǎn)時(shí)的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進(jìn)行薄膜沉積。在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運(yùn)動(dòng)，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成一層薄膜。離子束濺鍍法(Ionbeamsputtering)離子束助鍍法(Ionbeamassisteddeposition)10ITO薄薄膜的結(jié)結(jié)晶性V.S.製製程參數(shù)數(shù)製程溫度度對薄膜電電阻、載載子遷移移率、載載子濃度度有密切切之關(guān)聯(lián)聯(lián)。提高製程程溫度時(shí)時(shí)將使薄薄膜之結(jié)結(jié)晶性得得以提昇昇，而具具有結(jié)晶晶性的薄薄膜之可可見光穿穿透度與與導(dǎo)電特特性有明明顯助益益。氧分壓ITO薄薄膜之應(yīng)應(yīng)用原理理是利用用添加之之錫及氧氧形成之之空孔來來決定載載子濃度度。另一一方面，，氧空孔孔的形成成會(huì)造成成結(jié)晶學(xué)學(xué)上之缺缺陷結(jié)構(gòu)構(gòu)，而使使得載子子之遷移移率下降降。在濺鍍過程程中，導(dǎo)入入之氧分壓壓若增加，，會(huì)使得薄薄膜組織更更接近化學(xué)學(xué)計(jì)量比之之組成、結(jié)結(jié)晶之缺陷陷減少、載載子之遷移移率增加、、載子之密密度降低，，因此若要要兼顧載子子之遷移率率及密度，，必須得到到最佳氧分分壓之製程程參數(shù)。11沉積具結(jié)晶晶型的ITO薄膜高光學(xué)穿透透度以及低低電阻率。。ITO薄膜膜的光穿透透度與低電電阻率和薄薄膜的結(jié)晶晶性息息相相關(guān)。Light入射Light穿透ITOfilmSubstrate散射反射吸收ElectroncarriertransportElectronscatteringcrystallineamorphousSubstrate12具結(jié)晶型的的ITO薄薄膜之獲得得：製程溫度在在150oC以上。對ITO薄薄膜進(jìn)行200oC退火處理。。13初沉積-非非結(jié)晶結(jié)構(gòu)構(gòu)14低程度結(jié)晶晶15高程度結(jié)晶晶16公司簡介2007-12竹竹科基地正正式啟用琦芯科技設(shè)設(shè)於新竹科科學(xué)園區(qū)-竹南基地地的廠房，，將於2008年1月2日正正式啟用。。2008-12捲捲對捲濺鍍鍍設(shè)備正式啟用捲捲對捲濺鍍鍍設(shè)備進(jìn)行行ITOFilm的生產(chǎn)。。2009/1S開開始正式量量產(chǎn)。2009-01科科專計(jì)畫畫計(jì)畫為期1年9個(gè)月月，開始經(jīng)經(jīng)濟(jì)部科專專計(jì)畫，開開發(fā)「彩色色軟性顯示示器」，從從「基材」」、「濺鍍鍍」、「阻阻水氣」三三方面著手手，將有助助我司技術(shù)術(shù)面的卓越越提升，以以及與他司司的技術(shù)交交流。2009-11後後結(jié)晶產(chǎn)品品問世國內(nèi)第一家家生產(chǎn)後結(jié)結(jié)晶ITOFilm。2010-12設(shè)設(shè)置第二代代產(chǎn)線17非結(jié)晶型-霧面公司的產(chǎn)品品-產(chǎn)品型式18結(jié)晶型19非結(jié)晶型-亮面20公司的產(chǎn)品品-產(chǎn)品類別非結(jié)晶型霧霧面KCG-400A-11K2G-400A-13結(jié)晶型PCG-400A-21P2G-400A-23PCN-400A-24非晶型亮面面VSC-400A-1AT2C-400A-1BT2C-400B-1FKCN-400A-1421材料驗(yàn)證項(xiàng)項(xiàng)目物性量測HC層的硬硬度、附著著性、耐熱熱性以及耐耐化學(xué)特性性電氣特性電阻值以及及電阻均勻勻性光學(xué)特性穿透度、霧霧度、清晰晰度以及色色調(diào)(b*)環(huán)境測試恆溫恆濕、、高溫測試試、低溫測測試以及冷冷熱衝擊耐久性測試試畫線與打點(diǎn)點(diǎn)測試22物性量測HC層的硬硬度：500g/3H附著性：百百格刮刀，，符合ASTM-5B等級級耐熱性：烘烘烤條件150oC/60min，，R/R0≦1.3，，熱縮收率率≦1.0%耐化學(xué)特性性：丙酮、、甲苯以及及酒精浸置置60min。電氣特性阻值規(guī)格：：400±±100sq./ohm。。阻值均勻性性：U