1、晶體技術(shù)關(guān)鍵點第1頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/031* 晶體諧振器技術(shù)講座 講座內(nèi)容一、晶體諧振器基本原理二、涉及的公式三、關(guān)鍵參數(shù)四、工藝對參數(shù)影響五、能陷理論的重要性第2頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/032*一、基本工作原理1、壓電效應(yīng)當(dāng)在絕緣固體上施加壓力時，絕緣固體的表面間能夠產(chǎn)生電壓，同時也能產(chǎn)生一個很小的電流，這就叫壓電效應(yīng)。相反，當(dāng)電壓施加在一個具有壓電特性的固體表面時，該固體也可以產(chǎn)生機械變形，這就叫逆壓電效應(yīng)。晶體諧振器就是利用晶體的逆壓電效應(yīng)特性。第3頁，共22頁，2022年，5月20日，18點2

2、0分，星期三2007/033*晶體諧振器技術(shù)講座一、基本工作原理1、振動模式關(guān)系 第4頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/034*晶體諧振器技術(shù)講座 一、基本工作原理2、晶體諧振器等效電路和阻抗特性第5頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/035*晶體諧振器技術(shù)講座二、重要公式第6頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/036*晶體諧振器技術(shù)講座二、重要公式串并聯(lián)間隔 f/fs=C1/2C0靜電容： C0=Se/t質(zhì)量因數(shù)： Q=1/2fSC1R1負(fù)載諧振電阻 RL=R1(1+C0/CL)2 第7頁，共2

3、2頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/037*晶體諧振器技術(shù)講座二、重要公式本征（固有）頻率fS=(c66/)1/2n/2t動態(tài)電容： C1=fsSe/3.6n3=kSe/tn2動態(tài)電感： L=1.8n3/fS3Se能陷公式 1/2ne/t2.4 其中： =（fs-fe）/fe第8頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/038*晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)主要參數(shù) fs fa fL R1 C1 L1 C0 Q 寄生 老化第9頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/039*晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)關(guān)鍵參數(shù) R1

4、 C1 寄生 老化原因使用者關(guān)心程度1、可調(diào)性C12、起振性和功耗-R13、精確性Q值（ R1 和 C1 ）4、長期準(zhǔn)確性- 老化5、穩(wěn)定性寄生6、選擇性-寄生第10頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0310* 晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)1、晶體諧振電阻電導(dǎo)率泛音次數(shù)電極面積晶片邊比（頻率高低）材料Q值工藝研磨質(zhì)量邊緣質(zhì)量膜層厚度微調(diào)孔大小微調(diào)對稱否潔凈度（污染)點膠第11頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0311*晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)2、動態(tài)電容泛音次數(shù)電極面積晶片邊比（頻率高低）材料Q值工藝研

5、磨平整度應(yīng)力微調(diào)量（膜層厚度）大小微調(diào)對稱否第12頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0312*晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)3、寄生 第13頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0313*晶體諧振器技術(shù)講座四、影響重要參數(shù)因數(shù)4、老化第14頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0314*晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋5、負(fù)載電容與頻率牽引： 在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負(fù)載電抗呈容性，稱負(fù)載電容 當(dāng)該電容值為

6、CL時，則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為： DL=C1/2（C0+CL）。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時，相對頻率牽引為： DL1，L2=C1（CL1CL2）/2（C0+CL1）（C0+CL2）。 第15頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0315*晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋頻率牽引量與負(fù)載電容的關(guān)系(基頻）第16頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0316*晶體諧振器技術(shù)講座三、重要參數(shù)解釋3、溫度頻差切角材料應(yīng)力 第17頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0317*晶體諧振器技術(shù)講座

7、三、重要參數(shù)解釋第18頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0318*晶體諧振器技術(shù)講座 一、基本工作原理能陷理論 輸入諧振器隨所加信號電壓而產(chǎn)生厚度切變振動，晶片因受電極質(zhì)量負(fù)荷的影響，電極區(qū)的諧振頻率比非電極區(qū)的低，使彈性波在兩區(qū)邊界發(fā)生反射,從而使絕大部分能量陷落在電極區(qū)內(nèi)，第19頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0319*晶體諧振器技術(shù)講座四、晶體諧振器使用典型并聯(lián)諧振電路第20頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0320*晶體諧振器技術(shù)講座四、晶體諧振器使用抑制基頻下的并聯(lián)諧振電路第21頁，共22頁，2022年，5月20日，18點20分，星期三2007/0321* 感謝！THANK