1、/10/10Prof. Wu Fengshun, 1電子制造技術(shù)基礎(chǔ)吳豐順 博士/教授武漢光電國家試驗室光電材料與微納制造部華中科技大學(xué)材料學(xué)院倒裝芯片技術(shù)第1頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 2 倒裝芯片(Flip Chip)技術(shù) 倒裝芯片技術(shù)第2頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 3第一部分倒裝芯片介紹倒裝芯片技術(shù)第3頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 4倒裝芯片示意圖在經(jīng)典倒裝芯片封裝中, 芯片經(jīng)過3到5個密耳(mil)厚焊料凸點連接到芯片載體上，底部填充材料用來保護焊料凸點.倒裝芯片技術(shù)第4頁/10/10Prof. Wu Fengshu

2、n, 5什么是倒裝芯片？倒裝芯片組裝就是經(jīng)過芯片上凸點直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。而導(dǎo)線鍵合是將芯片面朝上。 倒裝芯片元件是主要用于半導(dǎo)體設(shè)備；而有些元件，如無源濾波器，探測天線，存放器裝備也開始使用倒裝芯片技術(shù)，因為芯片直接經(jīng)過凸點直接連接基板和載體上，所以，更確切說，倒裝芯片也叫DCA （ Direct Chip Attach ）。倒裝芯片技術(shù)第5頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 6三種晶片級互連方法倒裝芯片技術(shù)第6頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 7倒裝芯片歷史IBM1960年研制開發(fā)出在芯片上制作凸點倒裝芯片焊接工藝技術(shù)。95Pb5

3、Sn凸點包圍著電鍍NiAu銅球。以后制作PbSn凸點，使用可控塌焊連接（Controlled collapse Component Connection, C4），無銅球包圍。Philocford等企業(yè)制作出AgSn凸點FairchieldAl凸點AmelcoAu凸點當前全世界倒裝芯片消耗量超出年60萬片，且以約50速度增加，3圓片用于倒裝芯片凸點。幾年后可望超出20。倒裝芯片技術(shù)第7頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 8為何使用倒裝芯片?倒裝芯片技術(shù)興起是因為與其它技術(shù)相比，在尺寸、外觀、柔性、可靠性、以及成本等方面有很大優(yōu)勢。今天倒裝芯片廣泛用于電子表，手機，便攜機 ，磁盤

4、、耳機，LCD以及大型機等各種電子產(chǎn)品上。倒裝芯片技術(shù)第8頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 9優(yōu)點01 小尺寸: 小IC引腳圖形 (只有扁平封裝5）減小了高度和重量。 功效增強: 使用倒裝芯片能增加I/O 數(shù)量。I/O 不像導(dǎo)線鍵合中出于四面而收到數(shù)量限制。面陣列使得在更小空間里進行更多信號、功率以及電源等地互連。普通倒裝芯片焊盤可達400個。 倒裝芯片技術(shù)第9頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 10優(yōu)點02 性能增加: 短互連減小了電感、電阻以及電容，確保了信號延遲降低、很好高頻率、以及從晶片后面很好熱通道。 提升了可靠性: 大芯片環(huán)氧填充確保了高可靠性。

5、倒裝芯片可降低三分之二互連引腳數(shù)。 提升了散熱熱能力：倒裝芯片沒有塑封，芯片后面可進行有效冷卻。 低成本：批量凸點降低了成本。倒裝芯片技術(shù)第10頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 11I/O 數(shù)比較倒裝芯片與扁平封裝引腳數(shù)比較倒裝芯片技術(shù)第11頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 12信號效果比較倒裝芯片技術(shù)第12頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 13缺點01 裸芯片極難測試 凸點芯片適應(yīng)性有限 伴隨間距地減小和引腳數(shù)增多造成PCB技術(shù)面臨挑戰(zhàn) 必須使用X射線檢測設(shè)備檢測不可見焊點 和SMT工藝相容性較差倒裝芯片技術(shù)第13頁/10/10Prof.

6、 Wu Fengshun, 14缺點02 操作夾持裸晶片比較困難 要求很高組裝精度 當前使用底部填充要求一定固化時間 有些基板可靠性較低 維修很困難或者不可能倒裝芯片技術(shù)第14頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 15倒裝芯片工藝概述 主要工藝步驟：第一步： 凸點底部金屬化 (UBM)第二步：芯片凸點第三步：將已經(jīng)凸點晶片組裝到基板板卡上第四步：使用非導(dǎo)電材料填充芯片底部孔隙倒裝芯片技術(shù)第15頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 16第一步：凸點下金屬化（UBM，under bump metallization）倒裝芯片技術(shù)第16頁/10/10Prof. Wu Fe

7、ngshun, 17第二步: 回流形成凸點倒裝芯片技術(shù)第17頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 18第三步：倒裝芯片組裝 倒裝芯片技術(shù)第18頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 19第四步：底部填充與固化 倒裝芯片技術(shù)第19頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 20不一樣倒裝芯片焊點 倒裝芯片技術(shù)第20頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 21底部填充是否有各種不一樣倒裝芯片互連工藝，不過其結(jié)構(gòu)基本特點都是芯片面朝下，而連接則使用金屬凸點。而最終差異就是使用底部填充是否。倒裝芯片技術(shù)第21頁/10/10Prof. Wu Fengshun

8、, 22不一樣倒裝芯片連接方法焊料焊接熱壓焊接熱聲焊接粘膠連接倒裝芯片技術(shù)第22頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 23Coffin-Manson 低周疲勞模型倒裝芯片技術(shù)第23頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 24由此模型可知： 更高焊點高度 更小晶片 器件與基板熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion, CTE）相配 小工作溫度改變范圍要提升可靠性必須要求：倒裝芯片技術(shù)第24頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 25倒裝芯片工藝：經(jīng)過焊料焊接01焊料沉積在基板焊盤上：對于細間距連接，焊料經(jīng)過電鍍、焊料濺射或

9、者固體焊料等沉積方法。 很粘焊劑可經(jīng)過直接涂覆到基板上或者用芯片凸點浸入方法來確保粘附。 對于加大間距（0.4 mm ），可用模板印刷焊膏。倒裝芯片技術(shù)第25頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 26回流焊接：芯片凸點放置于沉積了焊膏或者焊劑焊盤上，整個基板浸入再流焊爐。清洗 ：焊劑殘留。測試：因為固化后不能維修，所以在填充前要進行測試。底部填充： 經(jīng)過擠壓將低粘度環(huán)氧類物質(zhì)填充到芯片底部，然后加熱固化。倒裝芯片工藝：經(jīng)過焊料焊接 02倒裝芯片技術(shù)第26頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 27步驟示意圖倒裝芯片技術(shù)第27頁/10/10Prof. Wu Fengsh

10、un, 28底部填充示意圖 倒裝芯片技術(shù)第28頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 29倒裝芯片工藝經(jīng)過熱壓焊接在熱壓連接工藝中，芯片凸點是經(jīng)過加熱、加壓方法連接到基板焊盤上。該工藝要求芯片或者基板上凸點為金凸點，同時還要有一個可與凸點連接表面，如金或鋁。對于金凸點，普通連接溫度在300 C 左右，這么才能是材料充分軟化，同時促進連接過程中擴散作用。倒裝芯片技術(shù)第29頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 30熱壓和熱聲倒裝芯片連接原理示意圖熱壓與熱聲倒裝芯片示意圖倒裝芯片技術(shù)第30頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 31基板金屬化基板上焊盤必須進行適

11、當?shù)亟饘倩热珏兘穑奖阌趯崿F(xiàn)連接。另外，基板應(yīng)該非常平整。倒裝芯片技術(shù)第31頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 32凸點熱壓倒裝芯片連接最適當凸點材料是金，凸點能夠經(jīng)過傳統(tǒng)電解鍍金方法生成，或者采取釘頭凸點方法，后者就是引線鍵合技術(shù)中慣用凸點形成工藝。因為能夠采取現(xiàn)成引線鍵合設(shè)備，所以無需配置昂貴凸點加工設(shè)備，金引線中應(yīng)該加入1% Pd ，這么便于卡斷凸點上部引線。凸點形成過程中，晶圓或者基板應(yīng)該預(yù)熱到150 200 C。倒裝芯片技術(shù)第32頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 33釘頭金凸點SBB（Stud Bond Bump）倒裝芯片技術(shù)第33頁/10/10

12、Prof. Wu Fengshun, 34釘頭金凸點制作Gold wireGold ballCoining (level)Wire breakingBall bondingGold studGold stud bump倒裝芯片技術(shù)第34頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 35Coining (level)Flat tail bumpRaised cross bumpCrossed slots bumpVariationStacked bump釘頭金凸點制作倒裝芯片技術(shù)第35頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 36若干問題在一些情況下，如顯示器中玻璃上芯片(chi

13、p-on-glass，COG)，采取焊接連接并不是最適當選擇，而應(yīng)該考慮采取其它替換方法。大多數(shù)不采取焊接倒裝芯片技術(shù)中，芯片是采取導(dǎo)電膠或者熱壓、熱聲方法連接到基板上。這些方法優(yōu)點是： 簡單，無需使用焊劑 工藝溫度低 能夠?qū)崿F(xiàn)細間距連接倒裝芯片技術(shù)第36頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 37若干問題對于直徑為80mm凸點， 熱壓壓力能夠到達1N。因為壓力較大，溫度也較高，這種工藝僅適合用于剛性基底，如氧化鋁或硅。另外，基板必須確保較高平整度，熱壓頭也要有較高平行對準精度。為了防止半導(dǎo)體材料受到無須要損害，施加壓力時應(yīng)該有一定梯度。倒裝芯片技術(shù)第37頁/10/10Prof.

14、Wu Fengshun, 38與普通焊點連接一樣，熱壓倒裝芯片連接可靠性也要受到基板與芯片熱膨脹系數(shù)(CTE)失配影響，另外焊點高度、焊點之間最大間距亦會對可靠性造成影響。連接區(qū)裂紋多是在從連接溫度冷卻下來過程中產(chǎn)生。可靠性倒裝芯片技術(shù)第38頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 39因為金熔點溫度高，所以它對疲勞損傷敏感程度遠小于焊料。所以，假如在熱循環(huán)中應(yīng)力沒有超出凸點與焊盤之間連接強度，那么可靠性不會存在太大問題。 芯片與基底之間底部填充材料使連接抵抗熱疲勞性能顯著提升，假如沒有底部填充，則熱疲勞將是倒裝芯片主要可靠性問題。可靠性倒裝芯片技術(shù)第39頁/10/10Prof. W

15、u Fengshun, 40倒裝芯片連接頭應(yīng)該能夠產(chǎn)生300C 連接溫度， 要有較高平行對準精度，為了預(yù)防半導(dǎo)體材料發(fā)生損傷，施加壓力時應(yīng)該保持一定梯度。在熱壓倒裝芯片連接中，凸點發(fā)生變形是不可防止，這也是形成良好連接所必需。另外，連接壓力和溫度應(yīng)該盡可能低，以免芯片和基板損壞。生產(chǎn)問題倒裝芯片技術(shù)第40頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 41GaAs器件熱壓倒裝芯片連接工藝參數(shù)曲線工藝參數(shù)曲線倒裝芯片技術(shù)第41頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 42倒裝芯片工藝經(jīng)過熱聲焊接 熱聲倒裝芯片連接是將超聲波應(yīng)用在熱壓連接中，這么能夠使得焊接過程愈加緊速。超聲能量是經(jīng)

16、過一個可伸縮探頭從芯片背部施加到連接區(qū)。超聲波引入使連接材料快速軟化，易于實現(xiàn)塑性變形。熱聲連接優(yōu)點是能夠降低連接溫度，縮短加工處理時間。熱聲倒裝芯片連接缺點是可能在硅片上形成小凹坑，這主要是因為超聲震動過強造成。倒裝芯片技術(shù)第42頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 43 可靠性與普通焊點連接一樣，熱壓倒裝芯片連接可靠性也要受到基板與芯片熱膨脹系數(shù)(CTE)失配影響，另外焊點高度、焊點之間最大間距亦會對可靠性造成影響。連接區(qū)裂紋多是在從連接溫度冷卻下來過程中產(chǎn)生。 因為金熔點溫度高，所以它對疲勞損傷敏感程度遠小于焊料。所以，假如在熱循環(huán)中應(yīng)力沒有超出凸點與焊盤之間連接強度，那么

17、可靠性不會存在太大問題。 芯片與基底之間底部填充材料使連接抵抗熱疲勞性能顯著提升，假如沒有底部填充，則熱疲勞將是倒裝芯片主要可靠性問題。倒裝芯片技術(shù)第43頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 44 生產(chǎn)問題 熱聲倒裝芯片連接發(fā)展迅猛，不過它卻是一個高風(fēng)險選擇。該工藝需要將壓力、溫度、超聲震動、平整性等綜合起來考慮，所以整個系統(tǒng)設(shè)計非常復(fù)雜。倒裝芯片技術(shù)第44頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 45熱聲倒裝芯片連接優(yōu)點 工藝簡單 擴大了連接材料選擇范圍 降低加工溫度、減小壓力、縮短時間 倒裝芯片技術(shù)第45頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 46倒裝芯

18、片工藝經(jīng)過粘膠連接導(dǎo)電膠連接是取代鉛錫焊料連接可行方法，導(dǎo)電膠連接既保持了封裝結(jié)構(gòu)輕薄，成本也沒有顯著增加。該工藝優(yōu)點是： 工藝簡單 固化溫度低 連接后無需清洗倒裝芯片技術(shù)第46頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 47各向異性導(dǎo)電膠是膏狀或者薄膜狀熱塑性環(huán)氧樹脂，加入了一定含量金屬顆粒或金屬涂覆高分子顆粒。在連接前，導(dǎo)電膠在各個方向上都是絕緣，不過在連接后它在垂直方向上導(dǎo)電。金屬顆粒或高分子顆粒外金屬涂層普通為金或者鎳。各向同性導(dǎo)電膠是一個膏狀高分子樹脂，加入了一定含量導(dǎo)電顆粒，所以在各個方向上都能夠?qū)щ姟Ｍǔ８叻肿訕渲瑸榄h(huán)氧樹脂，導(dǎo)電顆粒為銀。各向同性、各向異性導(dǎo)電膠倒裝芯片

19、技術(shù)第47頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 48 倒裝芯片導(dǎo)電膠連接示意圖倒裝芯片技術(shù)第48頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 49倒裝芯片非導(dǎo)電膠粘接也是可行，不過到當前為止，這種膠水中顆粒種類非常有限。從理論上說，非導(dǎo)電膠粘接可靠性非常高，因為它使連接表面積減小到最低程度，但實際上它可靠性并不高，而且對一些工藝條件要求比導(dǎo)電膠連接愈加苛刻。比較倒裝芯片技術(shù)第49頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 50采取導(dǎo)電膠連接倒裝技術(shù)要求在焊盤上形成導(dǎo)電凸點，最適宜凸點材料為金。各向同性導(dǎo)電膠本身也能夠作為凸點材料，此時應(yīng)防止使鋁表面金屬化層接觸到粘性

20、凸點，因為鋁很輕易氧化，最終將形成不導(dǎo)電連接。凸點倒裝芯片技術(shù)第50頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 51各向同性導(dǎo)電膠形成凸點SEM照片凸點形貌倒裝芯片技術(shù)第51頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 52 與鉛錫焊料相比，導(dǎo)電膠(不論是各向同性還是各向異性)都是熱不良導(dǎo)體，不過采取導(dǎo)電膠并不會使元件熱阻增加多少，因為元件內(nèi)產(chǎn)生熱量僅有少許經(jīng)過倒裝芯片連接接點傳遞，主要是受芯片尺寸和基板材料影響。加熱倒裝芯片技術(shù)第52頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 53 總體上說，導(dǎo)電膠導(dǎo)電性能也比鉛錫焊料差，各向同性導(dǎo)電膠倒裝芯片連接點電阻為幾毫歐，而電感

21、、電容數(shù)值則沒有文件報道過。信號傳輸?shù)寡b芯片技術(shù)第53頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 54釘頭凸點導(dǎo)電膠連接技術(shù)倒裝芯片技術(shù)第54頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 55倒裝芯片失效原因魚骨圖倒裝芯片技術(shù)第55頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 56第二部分凸點及其制作倒裝芯片技術(shù)第56頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 57凸點制作UBM凸點形成倒裝芯片技術(shù)第57頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 58對UBM要求01 必須與焊區(qū)金屬以及圓片鈍化層有牢靠結(jié)協(xié)力： Al是最常見IC金屬化金屬，經(jīng)典鈍化材料為氮化

22、物、氧化物以及聚酰亞胺 。確保鈍化層沒有針孔是很主要， 不然就會在UBM過程中產(chǎn)生破壞IC隱患. 和焊區(qū)金屬要有很好歐姆接觸：所以在沉積UBM之前要經(jīng)過濺射或者化學(xué)刻蝕方法去除焊區(qū)表面Al氧化物。倒裝芯片技術(shù)第58頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 59對 UBM要求02 要有焊料擴散阻擋層：必須在焊料與焊盤焊區(qū)金屬之間提供一個擴散阻擋層 要有一個能夠潤濕焊料表面：最終一層要直接與凸點接觸，必須潤濕凸點焊料。倒裝芯片技術(shù)第59頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 60 氧化阻擋層：為確保很好可焊性，要預(yù)防UBM在凸點形成過程中氧化。 對硅片產(chǎn)生較小應(yīng)力： UBM結(jié)

23、構(gòu)不能在底部與硅片產(chǎn)生很大應(yīng)力，不然會造成底部開裂以及.硅片凹陷等可靠性失效。對 UBM要求03倒裝芯片技術(shù)第60頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 61UBM 結(jié)構(gòu)示意圖倒裝芯片技術(shù)第61頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 62UBM 結(jié)構(gòu)01UBM 普通由三層薄膜組成 :1、粘附以及擴散阻擋層：使用經(jīng)典金屬有：Cr 、Ti、 Ti/W 、Ni、Al、Cu、 Pd 和Mo。經(jīng)典厚度：0.15-0.2 mm.倒裝芯片技術(shù)第62頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 63UBM結(jié)構(gòu)022 焊料潤濕層：經(jīng)典金屬: Cu、Ni、 Pd。經(jīng)典厚度:1-5 m

24、m。3 氧化阻擋層：經(jīng)典金屬：Au。經(jīng)典厚度：0.05-0.1 mm。倒裝芯片技術(shù)第63頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 64UBM層次組合01 這些薄膜層組合出現(xiàn)了很多UBM結(jié)構(gòu)，比如：Ti/Cu/Au、Ti/Cu、Ti/Cu/Ni、TiW/Cu/Au、Cr/Cu/Au、Ni/Au、 Ti/Ni/Pd、 以及 Mo/Pd. 其結(jié)構(gòu)對本身可靠性影響很大，據(jù)報道Ti/Cu/Ni (化學(xué)鍍 Ni) UBM 比 Ti/Cu 粘附結(jié)協(xié)力要強。 UBM結(jié)構(gòu)也影響它與焊區(qū)金屬、它與凸點之間可靠性。倒裝芯片技術(shù)第64頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 65UBM 層次組合0

25、2 為了確保可靠互連，UBM必須與用于凸點焊料合金相容。適合高鉛UBM不一定適合高錫焊料。比如Cu潤濕層適當于含錫35高鉛焊料，不過不適合于高錫焊料，因為 Cu與Sn反應(yīng)快速而生成Sn-Cu金屬間化合物。假如Cu被消耗完成，焊料將與焊區(qū)不潤濕。倒裝芯片技術(shù)第65頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 66層次組合特點 倒裝芯片技術(shù)第66頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 67UBM沉積方法 濺射：用濺射方法一層一層地在硅片上沉積薄膜，然后經(jīng)過攝影平版技術(shù)形成UBM圖樣，然后刻蝕掉不是圖樣部分。 蒸鍍： 利用掩模，經(jīng)過蒸鍍方法在硅片上一層一層地沉積。. 這種選擇性沉積

26、用掩模可用于對應(yīng)凸點形成之中。 化學(xué)鍍:采取化學(xué)鍍方法在Al焊盤上選擇性地鍍Ni。經(jīng)常用鋅酸鹽工藝對Al表面進行處理。無需真空及圖樣刻蝕設(shè)備，低成本。倒裝芯片技術(shù)第67頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 68常見UBM方法UBM形成方法化學(xué)鍍鎳方法倒裝芯片技術(shù)第68頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 69化學(xué)鍍鎳 化學(xué)鍍鎳用作UBM沉積，金屬鎳起到連接/擴散阻擋作用，同時也是焊料能夠潤濕表面。鎳擴散率非常小，與焊料也幾乎不發(fā)生反應(yīng)，它僅與錫有遲緩反應(yīng)，所以非常適合作為共晶焊料UBM金屬。化學(xué)鍍鎳既能夠用于UBM金屬沉積，也能夠用來形成凸點。倒裝芯片技術(shù)第69頁/

27、10/10Prof. Wu Fengshun, 70化學(xué)鍍鎳特點01無定形化學(xué)鍍鎳層中沒有晶界，無法形成擴散通道，所以是一層良好擴散阻擋層。鎳UBM厚度普通為1-15 mm ， 而5 mm厚鎳UBM就能使焊料凸點可靠性顯著提升。倒裝芯片技術(shù)第70頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 71化學(xué)鍍鎳特點02鍍鎳之后，還要在鎳上鍍一層厚度為0.05-0.1 mm 金，它主要是預(yù)防鎳發(fā)生氧化，以保持它可焊性。采取化學(xué)鍍鎳方法形成凸點時，通常鎳凸點要與導(dǎo)電膠（各向同性或者各向異性均可）一起使用。倒裝芯片技術(shù)第71頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 72鋁焊盤上化學(xué)鍍鎳前處理

28、因為鋁焊盤表面有一層氧化物，鍍層金屬無法粘附在這么表面上，所以要對鋁表面進行適當處理以去除氧化物層。最普通方法是在鋁焊盤上鋅酸鹽處理(zincation) ，還有：鍍鈀活化 (palladium activation) 、鎳置換(nickel displacement) 、直接鍍鎳等。倒裝芯片技術(shù)第72頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 73鋅酸鹽處理(Zincation) 該技術(shù)是在鋁表面沉積一層鋅，以預(yù)防鋁發(fā)生氧化，該技術(shù)反應(yīng)原理以下：倒裝芯片技術(shù)第73頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 74鋅酸鹽處理步驟 清洗：清理鋁表面輕度污染，通常采取堿性清洗劑。 腐

29、蝕：去除鋁表面微小氧化物顆粒，普通采取稀釋酸性腐蝕液，如硫酸、硝酸、硝酸氫氟酸混合液等。 鍍鋅：將鋁浸入鋅槽中，該槽內(nèi)盛有強堿性溶液，成份包含：Zn(OH)2, NaOH, Fe, Cu, Ni等，最終鋅便在鋁表面形成。倒裝芯片技術(shù)第74頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 75為了使隨即鍍鎳層光潔而均勻，鋅層應(yīng)該薄而均勻。第一輪鍍錫往往形成一層粗糙鋅層，其顆粒尺寸從3-4 mm到小于1 mm不等，這么表面使隨即鍍鎳層也非常粗糙。第一輪鍍鋅倒裝芯片技術(shù)第75頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 76第一輪粗糙表面倒裝芯片技術(shù)第76頁/10/10Prof. Wu Fe

30、ngshun, 77造成不均勻、粗糙鍍鎳結(jié)果倒裝芯片技術(shù)第77頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 78第二輪鍍鋅上述問題能夠經(jīng)過二次鍍鋅來處理，在該過程中，前次形成鋅層被稀釋硝酸腐蝕掉，然后再進行第二輪鍍鋅，這么處理就能使鍍鋅層薄而均勻。下面是再次鍍鋅Al焊盤：倒裝芯片技術(shù)第78頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 79鍍鋅工藝一個缺點就是鋁也會被鍍液腐蝕掉，二次鍍鋅工藝中尤其嚴重， 0.3-0.4 mm 厚鋁將被腐蝕掉。所以，在該工藝中，鋁厚度最少應(yīng)該大于1 mm 。在鍍鋅過程中，鋅沉積在鋁表面，而同時鋁及氧化鋁層則被腐蝕掉。鋅保護鋁不再發(fā)生氧化，鋅層厚度很薄，

31、而且取決于鍍液成份、浴槽情況、溫度、時間、鋁合金狀態(tài)等原因。鋅酸鹽處理步驟倒裝芯片技術(shù)第79頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 80 鍍鎳：鍍鋅之后，鋁被浸入鍍液中進行化學(xué)鍍鎳，這種鍍液為硫酸鎳酸性溶液，成份還包含次磷酸鈉或者氫化硼作為還原劑，反應(yīng)原理見下式：鍍鎳鍍鎳之前，晶圓后面必須覆上阻擋層。鎳能夠在硅表面生長，則那些未經(jīng)鈍化硅表面也會有鎳形成，不過這種連接非常不牢靠，很輕易脫落，從而在細間距電路中引發(fā)短路。倒裝芯片技術(shù)第80頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 81其它鋁焊盤處理技術(shù)01鈀活化工藝：該工藝是在鋁上鍍一層鈀。首先，鋁經(jīng)過清洗和腐蝕去除表面氧化物

32、，該過程與鍍錫工藝中一樣。然后，鋁被浸入鈀溶液中，鈀有選擇地沉積在鋁表面。之后，鋁再被浸入化學(xué)鍍鎳溶液中進行化學(xué)鍍。倒裝芯片技術(shù)第81頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 82其它鋁焊盤處理技術(shù)02鎳置換工藝： 鎳置換工藝是指用置換鍍槽中鎳離子置換鋁，從而實現(xiàn)對鋁表面預(yù)處理。該工藝首先也是要對鋁表面進行清洗和腐蝕，然后將鋁浸入置換鍍槽中，之后再浸入化學(xué)鍍槽中鍍鎳。倒裝芯片技術(shù)第82頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 83其它鋁焊盤處理技術(shù)03直接鍍鎳工藝： 在該工藝中，采取活性劑來去除經(jīng)過清洗和腐蝕鋁表面氧化物，之后馬上將鋁直接浸入鍍槽中鍍鎳。倒裝芯片技術(shù)第83頁

33、/10/10Prof. Wu Fengshun, 84凸點技術(shù)01 凸點慣用材料是Pb/Sn合金，因為其回流焊特征如自中心作用以及焊料下落等。 自中心作用減小了對芯片貼放精度要求。 下落特點減小了共面性差問題。 95Pb/5Sn或者 97Pb/3Sn回流焊溫度較高：330-350C。 倒裝芯片技術(shù)第84頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 85凸點技術(shù)02 依據(jù)芯片其它部分、有機基板等工作溫度要求，開發(fā)出了高錫焊料，如 37Pb/63Sn回流溫度為200C 左右. 倒裝芯片技術(shù)第85頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 86焊料凸點方法將介紹討論7中常見凸點形成方法

34、:蒸鍍焊料凸點,電鍍焊料凸點,印刷焊料凸點,釘頭焊料凸點 放球凸點 焊料轉(zhuǎn)移凸倒裝芯片技術(shù)第86頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 871、蒸鍍凸點倒裝芯片技術(shù)第87頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 88蒸鍍凸點步驟示意圖倒裝芯片技術(shù)第88頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 89步驟011、現(xiàn)場對硅片濺射清洗（a）：在沉積金屬前往除氧化物或者攝影掩模。同時使得硅片鈍化層以及焊盤表面粗糙以提高對UBM結(jié)協(xié)力。2、金屬掩模：經(jīng)常用帶圖樣鉬金屬掩模來覆蓋硅片以利于UBM以及凸點金屬沉積。 金屬掩模組件一般由背板、彈簧、金屬模板以及夾子等組成。 硅片被

35、夾在背板與金屬模板 之間，然后經(jīng)過手動對位. 對位公差可控制在25 mm。倒裝芯片技術(shù)第89頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 90步驟023、UBM蒸鍍（b）：然后按次序蒸鍍Cr層、CrCu層、Cu層以及Au層。4 焊料蒸鍍（c）： 在UBM表面蒸鍍一層 97Pb/Sn 或者95Pb/Sn. 厚度約為 100-125 mm 。形成一個圓錐臺形狀倒裝芯片技術(shù)第90頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 91步驟03注意圖（e）中頂部額外錫層， 這是 Motorola采取“蒸鍍、額外共晶”，縮寫為 “E3”。 這層薄薄蓋子允許器件連接到有機板上而不用在施加共晶焊料。這

36、是因為高鉛焊料在 300C回流，而不適合于有機基板。于是焊接時可只回流上面錫鉛共晶，而不將凸點熔化。5、凸點成球（d）： 在C4工藝中，凸點回流成球狀。倒裝芯片技術(shù)第91頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 922、電鍍凸點 電鍍是一個比較流行工藝，其設(shè)備成本低、設(shè)施占地少，有很多電鍍工藝能夠采取。傳統(tǒng)電鍍沿用蒸鍍使用 Cr/Cr-Cu/Cu結(jié)構(gòu)UBM和使用高鉛合金。 假如采取高錫合金，Sn會很快消耗Cu而破壞結(jié)構(gòu)完整性。于是為了沉積共晶焊料，往往在UBM結(jié)構(gòu)中， Ti/W作為結(jié)合層，其上有一層Cu潤濕層。而且潤濕銅層要厚。 這種較厚銅層稱為“微球”或者“圖釘帽”。使用這種結(jié)構(gòu)企

37、業(yè)有：德州儀器、摩托羅拉、國家半導(dǎo)體、沖電氣（OKI）等企業(yè)。倒裝芯片技術(shù)第92頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 93電鍍凸點橫截面示意圖倒裝芯片技術(shù)第93頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 94電鍍凸點步驟示意圖倒裝芯片技術(shù)第94頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 95步驟011、硅片清洗：方法和目標與蒸鍍中清洗相同。2、UBM沉積：經(jīng)典UBM材料層為： TiWCuAu ，濺射到整個硅片上。理論上講， UBM 層提供了一個平均得電流分布以利于一致電鍍。圖(a)是硅片覆蓋了TiW情形，為了形成微球或者圖釘帽結(jié)構(gòu)，施加掩模（b），沉積一定高度Cu

38、和Au（c）， 普通凸點總體高度為85 mm to 100 mm時候，微球高度為10 mm到25 mm 。倒裝芯片技術(shù)第95頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 96步驟023、焊料電鍍： 再次施加掩模，以電鍍凸點（d） 。 當凸點形成之后，掩模被剝離（e）。 暴露在外UBM在一到兩天內(nèi)刻蝕掉。4、回流成球：回流后利于凸點在UBM去除時候不被破壞見圖（f） 。倒裝芯片技術(shù)第96頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 97Electroplating Solder Bumping Process電鍍焊球凸點工藝Process Flow of Electroplating

39、 Solder Bump電鍍焊球凸點工藝流程 ChipPR openingChipElectroplated solder bumpMushrooming2. Sputter Under Bump Metal金屬層濺射3. Coat with PR覆蓋光膠4. Pattern for bump凸點光刻5. Electroplating Cu and Sn/Pb焊料電鍍6. Remove Resist去除光膠1. Wafer with Al pad鈍化和金屬化晶片ChipPassivationAl contact padChipUBMChipThick photoresist filmChip7

40、. Strip Under Bump Metal去除UBMChip8. Reflow回流 Chipsolder ball after reflow倒裝芯片技術(shù)第97頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 98Electroplating Solder Bumping Process電鍍凸點制備工藝Peripheral array solder bumps 周圍分布凸點Area array solder bumps 面分布凸點 The peak temperature of reflow process回流焊峰值溫度： 220 C. The effective bump pitch

41、for peripheral array周圍分布有效凸點間距： 125 m.倒裝芯片技術(shù)第98頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 99Process Specification工藝參數(shù)Photoresist Thickness 光刻膠厚度: 40100 mBump Material凸點材料: 63Sn/37PbBump height 凸點高度: 75140 mUBM layer凸點下金屬層: Ti/W-Cu, Cr-Cu Min. effective pitch of bump 最小有效凸點間距 : 125 mI/O array輸入/輸出分布: peripheral array

42、周圍分布 and area array面分布倒裝芯片技術(shù)第99頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 100Flip Chip on Low-Cost Substrate SamplesSamples with Different Dimensions PCB上不一樣尺寸倒裝焊樣品Flip Chip on Flexible substrate在軟質(zhì)底板上倒裝焊Direct chip attach on low-cost PCB, flexible substrate 已完成在低成本PCB和軟質(zhì)底板上倒裝焊工藝研究MCM-L technology 多芯片組裝技術(shù).倒裝芯片技術(shù)第100

43、頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 1013、焊膏印刷凸點Delco 電子（DE） 、倒裝芯片技術(shù)企業(yè)（FCT）、朗訊等企業(yè)廣泛慣用焊膏印刷成凸點方法。 當前各種焊膏印刷技術(shù)可到達250 mm細間距。 下面介紹DE/FCT基本工藝。Stencil Printing Bumping Flip Chip Technology絲網(wǎng)印刷凸點倒裝焊技術(shù)倒裝芯片技術(shù)第101頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 102焊膏印刷凸點橫截面示意圖倒裝芯片技術(shù)第102頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 103焊膏印刷凸點步驟示意圖倒裝芯片技術(shù)第103頁/10/10Pr

44、of. Wu Fengshun, 104步驟1、清洗：方法與目標與蒸鍍相同。2、UBM沉積圖（a） ：濺射Al、Ni、Cu三層。 3、圖形刻蝕成型：在UBM上施用一定圖樣掩模，刻蝕掉掩模以外UBM（b），然后去除掩模，露出未UBM（c）。4、焊膏印刷以及回流：見圖（d）（e）倒裝芯片技術(shù)第104頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 105Electroless UBM and Stencil Printing化學(xué)鍍UBM和絲網(wǎng)印刷工藝 The most potential low cost flip chip bumping method.最具前景低成本倒裝焊凸點制備方法Usin

45、g electroless Ni/Au as UBM system 用化學(xué)鍍鎳/金作為凸點下金屬層maskless process 無掩膜工藝Compatible with SMT process 與表面貼裝工藝兼容Flexible for different solder alloys適合用于不一樣焊料合金ChipSolder BumpElectroless Ni/AuPassivation倒裝芯片技術(shù)第105頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 106Stencil Printing Process Flow絲網(wǎng)印刷工藝流程Process flow of Stencil Pr

46、inting Process絲網(wǎng)印刷工藝流程(not to scale)Wafer preparation晶片制備(Passivation and Al pads)Zincation Pretreatment鋅化預(yù)處理Electroless Ni/Immersion Au化學(xué)鍍鎳/金Stencil Printing絲網(wǎng)印刷Solder Reflow and Cleaning焊料回流和清洗倒裝芯片技術(shù)第106頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 107Stencil Printing Process Flow 絲網(wǎng)印刷工藝流程Sketch of process flowElectr

47、oless Ni/Au Stud (Cross section)化學(xué)鍍鎳/金Solder Paste Printing漿料印刷Reflow回流倒裝芯片技術(shù)第107頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 108Process Specification 工藝參數(shù)I/O pads with a pitch of 400m are used for testing diceThe limitation of this process is the pitch of 150 m.測試芯片I/O凸點間距：400微米Thickness of Ni/Au UBM is 56m.Ni/Au UBM

48、厚度：56微米Different solder alloys are available.Solder alloys from different vender: Kester, Multicore, Alpha Metal, Indium,Different composition: eutectic Pb-Sn, lead free可應(yīng)用不一樣供給商凸點焊料倒裝芯片技術(shù)第108頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 109Samples by Stencil Printing Bumping絲網(wǎng)印刷凸點工藝樣品Flip Chip on PCB for Testing在PCB上倒

49、裝焊測試樣品倒裝芯片技術(shù)第109頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 1104、釘頭焊料凸點使用標準導(dǎo)線鍵合中方法來形成凸點，Au絲線或者 Pb基絲線。其過程與導(dǎo)線鍵合基本相同，唯一差異就是：球在鍵合頭形成之后就鍵合到焊盤上，其絲線馬上從球頂端截斷。 這種方法要求UBM與使用絲線相容。然后這種圖釘式凸點經(jīng)過回流或者整形方法形成一個圓滑形狀，以取得一致凸點高度。普通地，這種凸點與導(dǎo)電膠或者焊料配合使用以進行組裝互連。倒裝芯片技術(shù)第110頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 111釘頭凸點形貌未整形Au釘頭凸點與整形后凸點 倒裝芯片技術(shù)第111頁/10/10Prof.

50、Wu Fengshun, 112釘頭焊料凸點步驟示意圖倒裝芯片技術(shù)第112頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 113凸點形貌Sn/Pb釘頭凸點在 300C回流后與Al焊盤發(fā)生去潤濕倒裝芯片技術(shù)第113頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 1145、放球法PacTech研制一個Solder Ball Bumper。一個植球頭單元在放球同時經(jīng)過光纖施加激光脈沖進行回流焊。倒裝芯片技術(shù)第114頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 115放球法設(shè)備倒裝芯片技術(shù)第115頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 1166、焊料轉(zhuǎn)送凸點在載體上形成，然后

51、轉(zhuǎn)送到焊盤上去。載體必須是與焊料不潤濕材料，如硅片、熱阻玻璃片等。 首先，經(jīng)過蒸鍍在載體上形成凸點，其圖樣與芯片焊盤極度一致。載體圖樣形成經(jīng)過金屬模板掩模與抬起工藝來制作。倒裝芯片技術(shù)第116頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 117焊料轉(zhuǎn)送介紹在沉積凸點之前，要沉積大約 1000 A厚度金薄層。它用來增加焊料與載體粘附力，以預(yù)防焊料從載體上分離，而且增加分離焊料熔化前潤濕時間，使得它有足夠時間來潤濕UBM，下一步就是焊料轉(zhuǎn)送。假如要將凸點轉(zhuǎn)移到硅片上，將載體分割后放在涂了焊劑硅片上。假如要將凸點 轉(zhuǎn)移到單個芯片上，則將晶片放在途有焊劑載體上。然后進行回流，凸點與載體不潤濕，從

52、而焊接到晶片焊盤上。倒裝芯片技術(shù)第117頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 118焊料傳送步驟示意圖倒裝芯片技術(shù)第118頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 119若干問題在凸點材料選擇、焊盤尺寸設(shè)計、焊接材料與基底材料兼容性等方面要注意以下幾個問題：倒裝芯片技術(shù)第119頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 120 FR4-基底不能承受太高回流焊溫度，假如凸點采取是高溫焊料(如Pb95/Sn5), 那么在基底上一定要再施加一些低溫合金焊料，以實現(xiàn)低溫連接。 周圍焊盤陣列最小間距為200 m m，而面陣列焊盤最小間距可為 250 m m 。 在多數(shù)晶片

53、中，焊盤都是采取周圍陣列形式，以方便進行引線鍵合工藝。若干問題01倒裝芯片技術(shù)第120頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 121 在倒裝芯片連接中，采取面陣列焊盤形式能夠增加輸入輸出I/O數(shù)，假如要將周圍陣列改為面陣列，則需要改變晶片上電路結(jié)構(gòu)，然后再進行凸點工藝。 流過焊料凸點最大電流密度為大約4200 A/cm2 。 經(jīng)典凸點高度為125 - 140 m m，這取決于焊盤之間間距，凸點高度公差范圍為 15 m m 。若干問題02倒裝芯片技術(shù)第121頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 122UBM 基底金屬化層應(yīng)與凸點中焊料形成良好結(jié)合。若基板上焊盤材料為銅，

54、銅上普通還要再鍍一層鉛錫、錫或者金。采取金作為銅焊盤金屬化層，其厚度要限制在1-2 m m內(nèi)，以預(yù)防產(chǎn)生脆性金錫金屬間化合物。假如金屬化層就是裸銅，那么應(yīng)該采取焊料平整工藝在焊盤上涂覆一薄層熔融焊料，以提升可焊性，同時增加接頭中焊料體積，使接頭更含有韌性。不過，每一個焊盤上涂覆焊料高度和體積應(yīng)該盡可能均勻一致。倒裝芯片技術(shù)第122頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 123加熱 假如沒有底部填充，提議最高連接溫度為140 oC 到150 oC 。一個凸點熱阻為1000 - 1500 oC/W，將一個焊料凸點熱阻除以芯片上凸點個數(shù)，就能夠粗略估算出倒裝芯片中芯片與基底之間熱阻。另外

55、，其它路徑也能夠改進芯片散熱。比如，能夠在芯片上形成一些專門用于散熱凸點(“啞凸點”)，或者采取高熱導(dǎo)率底部填充材料。在一些大功率封裝件中，如微處理器，散熱十分主要，此時芯片后面也能夠用于散熱。倒裝芯片技術(shù)第123頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 124 倒裝芯片組裝非常適合用于高頻應(yīng)用領(lǐng)域，因為在這種組裝結(jié)構(gòu)中，芯片與基底之間連接通路非常短。倒裝焊點串連阻抗為1mW左右，串連電感為0.025 nH，遠小于引線鍵合中5 10 nH。正是因為倒裝芯片組裝這種優(yōu)點，信號傳輸時延能夠顯著降低。速度倒裝芯片技術(shù)第124頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 125 帶有引

56、線鍵合芯片PGA封裝與帶有倒裝芯片BGA封裝在電容、電感、電阻、傳輸時延等方面性能比較電性能倒裝芯片技術(shù)第125頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 126 主要指焊點熱疲勞可靠性。另一個失效就是腐蝕以及原子遷移造成結(jié)構(gòu)中電場以及熱梯度。 熱疲勞主要依賴焊料性能、芯片與基板熱膨脹系數(shù)。以及焊點高度、焊點到結(jié)構(gòu)中心距離、使用溫度范圍等。底部填充材料可能顯著影響焊點熱疲勞可靠性。不一樣材料熱疲勞性能比較見下表。銦基焊料熱疲勞性能好，不過在高濕度下可靠性很差。可靠性倒裝芯片技術(shù)第126頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 127 當不使用底部填充時，熱疲勞是焊點可靠性主要

57、問題。適當?shù)氐撞刻畛洳牧喜糠肿钃趿撕更c熱變形，于是疲勞破壞與焊點至結(jié)構(gòu)中點距離關(guān)系就不大。其它條件相同條件下不一樣材料熱疲勞壽命比較熱疲勞倒裝芯片技術(shù)第127頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 128 底部填充材料吸收了一定應(yīng)力，在一些情況下回將其本身變形轉(zhuǎn)嫁給芯片，于是芯片中應(yīng)力過大而造成開裂。應(yīng)力水平取決于基板材料以及硅晶片表面質(zhì)量。焊點隨溫度循環(huán)疲勞壽命能夠使用有限元分析、經(jīng)驗?zāi)Ｐ鸵约坝嬎銠C軟件進行模擬。對于苛刻使用要求，提議采取加速測試。疲勞壽命倒裝芯片技術(shù)第128頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 129在固化底部填充材料前，要對已經(jīng)焊接芯片進行測試。

58、一旦固化，出去失效芯片就很困難。最好在芯片焊接將就進行測試，以確保芯片是真恰好芯片（KGD, Known-Good Die），以降低返修可能。 對于真恰好芯片，依然有很多設(shè)備和技術(shù)問題。傳統(tǒng)IC普通進行全方面測試，然后包封起來，因為其最終測試能夠很輕易地進行。測試01倒裝芯片技術(shù)第129頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 130對于KGD，有兩種基本測試以及強化路徑：（1）在圓片級 (2)在單個芯片級。因為功率分布、冷卻以及圓片接觸問題，在高頻和包封狀態(tài)下進行圓片級測試有很大技術(shù)難度。而對于單個芯片高頻以及強化測試，要使用測試插座、探針卡等，會破壞芯片焊盤，且限制了高頻而且增加

59、了成本。 當前強化測試、邊界掃描測試等研究比較活躍。測試02倒裝芯片技術(shù)第130頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 131對于生產(chǎn)KGD，出現(xiàn)了將KGD組裝到暫時載體上使之成為暫時單芯片而進行強化等傳統(tǒng)測試，以提升質(zhì)量和可靠性。這種情況下，晶片被安裝到與單芯片相同單芯片封裝中，在焊盤間進行暫時電氣連接，然后進行傳統(tǒng)測試。當測試完之后，晶片就取出來。 測試03倒裝芯片技術(shù)第131頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 132普通倒裝芯片組裝是經(jīng)過焊料將凸點焊接到電路板上。對于細間距應(yīng)用， 焊料可在焊盤上施加較粘焊劑，施用方法有浸漬芯片或者將焊劑直接涂覆到基板上方法。對

60、于間距大于0.4 mm，可經(jīng)過焊膏印刷方法。然后將芯片放在涂覆了焊劑或者焊膏焊盤上，進行回流，最終清洗。生產(chǎn)過程倒裝芯片技術(shù)第132頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 133 然后滴注底部填充材料，加熱固化。 與傳統(tǒng)SMD組裝比，倒裝芯片組裝需要一些額外工具與步驟，如：芯片轉(zhuǎn)載單元、焊劑涂覆單元、浸漬步驟或者焊劑槽以及底部填充與固化設(shè)備。生產(chǎn)過程倒裝芯片技術(shù)第133頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 134底部填充倒裝芯片技術(shù)第134頁/10/10Prof. Wu Fengshun, 135底部填充作用SiCET：2.8ppm/ oC、FR4為15.8ppm/