1、 第 頁 目錄 HYPERLINK l _TOC_250012 策略聯(lián)合新興制造行業(yè)：6 月超配半導體產(chǎn)業(yè)鏈4 HYPERLINK l _TOC_250011 大陸半導體逆周期成長，產(chǎn)業(yè)變革機遇漸行漸近6 HYPERLINK l _TOC_250010 全球半導體景氣度低迷，大陸半導體逆勢增長6 HYPERLINK l _TOC_250009 供應鏈國推進產(chǎn)化，自主可控與國產(chǎn)替代加速7 HYPERLINK l _TOC_250008 把握半導體產(chǎn)業(yè)變革機遇9 HYPERLINK l _TOC_250007 存儲器需求確定，國產(chǎn)設備受益國內(nèi)建廠13 HYPERLINK l _TOC_250006

2、 存儲器需求增長確定，國內(nèi)重點布局尋求突破13 HYPERLINK l _TOC_250005 產(chǎn)能轉移助力半導體設備發(fā)展，國產(chǎn)替代迎來重大機遇18 HYPERLINK l _TOC_250004 半導體精選標的推薦22 HYPERLINK l _TOC_250003 兆易創(chuàng)新：由 Flash 向 DRAM 延伸的存儲器龍頭22 HYPERLINK l _TOC_250002 北京君正：擬收購 ISSI，進軍存儲器22 HYPERLINK l _TOC_250001 北方華創(chuàng)：稀缺平臺型設備供應商23 HYPERLINK l _TOC_250000 精測電子：三次跨越定義泛半導體檢測龍頭23圖

3、表目錄圖 1：全球半導體單季度銷售額（億美元）6圖 2：中國半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預測（億元）7圖 3：2019 年中國 IC 產(chǎn)業(yè)分領域增速預測7圖 4：IC 產(chǎn)業(yè)三次產(chǎn)業(yè)變革模式圖10圖 5：IDM 商業(yè)模式11圖 6：專業(yè)分工商業(yè)模式11圖 7：5G 應用場景11圖 8：全球 IoT 聯(lián)網(wǎng)設備數(shù)量預測（十億臺）12圖 9：全球 IoT 市場規(guī)模預測（十億美元）12圖 10：2018 年存儲器銷售額占半導體銷售額 40%13圖 11：中國存儲器進口占全球存儲器出貨的 70%以上14圖 12：存儲器分類14圖 13：長江存儲發(fā)展歷程16圖 14：3D NAND 技術發(fā)展線路圖16圖 15：Xtrac

4、kingTM 示意圖17圖 16：DRAM 的發(fā)展歷程17圖 17：DRAM 技術發(fā)展線路圖18圖 18：集成電路制造工藝流程19圖 19：不同工序下的核心半導體設備19圖 20：2006-2017 年 ASML 銷售額（十億美元）與全球占比20圖 21：2007-2017 年 ASML 銷售增速與全球半導體資本開支正相關20圖 22：2017 年全球集成電路專用設備各區(qū)域需求占比20圖 23：2014-2018 年兆易創(chuàng)新營業(yè)收入（億元）22圖 24：2014-2018 年兆易創(chuàng)新歸母凈利潤（億元）22圖 25：2014-2018 年北京君正營業(yè)收入（億元）22圖 26：2014-2018

5、年北京君正歸母凈利潤（億元）22圖 27：2014-2018 年北方華創(chuàng)營業(yè)收入（億元）23圖 28：2014-2018 年北方華創(chuàng)歸母凈利潤（億元）23圖 29：2014-2018 年精測電子營業(yè)收入（億元）23圖 30：2014-2018 年精測電子歸母凈利潤（億元）23表 1：6 月新興制造產(chǎn)業(yè)鏈的評分情況4表 2：6 月新興制造產(chǎn)業(yè)鏈配置建議5表 3：半導體行業(yè)分板塊 2019Q1 業(yè)績狀況（億元）7表 4：2017-2018 年全球半導體產(chǎn)品采購前十大企業(yè)（百萬美元）8表 5：海外半導體龍頭企業(yè)下調季度營收業(yè)績預期8表 6：2018 年華為核心半導體/模塊/部件/元器件供應商及大陸相

6、關硬件企業(yè)9表 7：集成電路三次產(chǎn)業(yè)變革10表 8：全球智能穿戴產(chǎn)品出貨量預測（百萬件）12表 9：2014 年后集成電路相關產(chǎn)業(yè)政策15表 10：國產(chǎn)半導體設備及零部件布局21策略聯(lián)合新興制造行業(yè)：6 月超配半導體產(chǎn)業(yè)鏈長江策略聯(lián)合新興制造行業(yè)，打造“方向資產(chǎn)”產(chǎn)業(yè)鏈比較體系，按月度提供行業(yè)配置建議和金股池，6 月給予半導體、光伏和風電產(chǎn)業(yè)鏈“超配”建議。我們基于產(chǎn)業(yè)鏈價值、產(chǎn)業(yè)邊際變化、上市公司業(yè)績和估值四個維度進行打分評判，“1”為較好或變好，“2”為中性，“3”為較差或變差，其中產(chǎn)業(yè)鏈價值的打分一般短期變化較小，其他三個維度的變化相對頻繁。最后，再根據(jù)總分以及總分的月度變化，給予綜合評

7、分，“1”為超配，“2”為標配，“3”為低配。6 月我們將風電、工控自動化產(chǎn)業(yè)鏈新納入比較，比較體系合計包含 6 個新興制造產(chǎn)業(yè)鏈。評分項評分說明半導體產(chǎn) 光伏產(chǎn)業(yè) 風電產(chǎn)業(yè)5G 產(chǎn)業(yè)新能源車 工控自動表 1：6 月新興制造產(chǎn)業(yè)鏈的評分情況產(chǎn)業(yè)生命階段產(chǎn)業(yè)在AMC 模型中的位置業(yè)鏈3鏈2鏈31鏈產(chǎn)業(yè)鏈 化產(chǎn)業(yè)鏈23產(chǎn)業(yè)規(guī)模整體和細分領域平均規(guī)模112322產(chǎn)業(yè)增速未來三年的復合增速情況333123產(chǎn)業(yè)格局行業(yè)集中度情況323123產(chǎn)業(yè)邊際變化供需、價格、成本、政策變化111223季度業(yè)績預期季度以及年度業(yè)績預期212222估值情況絕對和相對估值水平預期122222綜合評分總分和總分的月度變化1

8、11233資料來源： 從邊際變化和預期來看，重點關注半導體、光伏和風電產(chǎn)業(yè)鏈。半導體方面，自主可控持續(xù)推進，G20 峰會將至，重點支持戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的科創(chuàng)板首批上市在即，板塊的估值催化因素較多，其中存儲器和半導體設備當前的確定性相對較高。光伏方面，國內(nèi)相關政策均已落地，預計 7 月中完成競價項目工作；海外市場，下半年美國、歐洲等地區(qū)進入傳統(tǒng)旺季，需求預計延續(xù)高增長。風電方面，風機招標價格回升疊加主要原材料價格可能下行，企業(yè)盈利能力或將進入向上周期。5G 產(chǎn)業(yè)鏈，還需關注電信基礎設施共建共享的具體推進、下半年運營商 5G 資本開支的提升情況。新能源車方面，電池龍頭的擴產(chǎn)預期帶動設備廠商景氣改善，但

9、是整個產(chǎn)業(yè)鏈的景氣還需觀察過渡期之后車企的產(chǎn)銷情況。工控自動化產(chǎn)業(yè)鏈需要關注宏觀經(jīng)濟和 PMI 的拐點。綜上，6 月 我們給予半導體、光伏和風電產(chǎn)業(yè)鏈“超配”建議，給予 5G 產(chǎn)業(yè)鏈“標配” 建議，給予新能源車、工控自動化產(chǎn)業(yè)鏈“低配”建議。行業(yè)組建議關注公司行業(yè)觀點6月策略配置比例標配配置產(chǎn)業(yè)鏈比例建議表 2：6 月新興制造產(chǎn)業(yè)鏈配置建議半導體20%超配25%外部環(huán)境不確定的背景下自主可控線索不斷強化，近期IC 業(yè)還有稅費優(yōu)北方華創(chuàng)，兆易創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈惠、科創(chuàng)板等利好，且大陸晶圓投產(chǎn)高峰期為設備商提供景氣支撐。國內(nèi)外景氣驅動下，下半年行業(yè)景氣向上趨勢確定。國內(nèi)相關政策均已落精測電子光伏產(chǎn)業(yè)鏈2

10、0%超配22.5%地，預計 7 月中完成競價項目工作，全年裝機有望達到 35-40GW 左右，隆基股份，通威股份，且存在超預期可能；海外市場，下半年美國、歐洲等地區(qū)進入傳統(tǒng)旺季， 需求預計延續(xù)高增長，預計全年海外裝機超 80GW。補貼退坡路徑清晰，疊加宏觀因素向好等，預計下半年開始行業(yè)進入加速晶盛機電風電產(chǎn)業(yè)鏈10%超配12.5%天順風能、日月股份、搶裝周期。同時，風機招標價格回升疊加主要原材料價格可能下行，預計5G 產(chǎn)業(yè)鏈20%標配20%企業(yè)盈利能力將進入向上周期，企業(yè)業(yè)績有望維持快速增長趨勢。5G 發(fā)牌時點大幅提前，投資高峰期或提前到來，共建共享作為網(wǎng)絡建設方案之一仍存不確定性，但不影響近

11、兩年行業(yè)景氣度，建議重點關注業(yè)績兌現(xiàn)確定性強的 5G 細分領域優(yōu)質龍頭標的。金風科技中興通訊、烽火通信、滬電股份新能源車20%低配15%過渡期將于 6 月結束，搶裝后排產(chǎn)階段性回落，但考慮市場對于補貼退坡 先導智能、欣旺達、后產(chǎn)銷增速回落有比較充分的預期，且當前電動車板塊持倉及龍頭標的估產(chǎn)業(yè)鏈值也接近歷史低位，下半年板塊存在估值修復以及中長期配置的機會。產(chǎn)業(yè)鏈整體跟隨制造業(yè)景氣同向波動，目前仍處震蕩筑底階段，需求拐點璞泰來工控自動化產(chǎn)業(yè)鏈10%低配5%匯川技術、宏發(fā)股份， 預計最早要到下半年才能看到，投資層面來看，市場擔憂已經(jīng)充分釋放，埃斯頓白馬龍頭估值落至歷史底部區(qū)間，進入絕對收益配置區(qū)間。

12、資料來源：Wind， 注：結合 6 個產(chǎn)業(yè)鏈的板塊整體自由流通市值規(guī)模的量級，將半導體、光伏、5G 和新能源車產(chǎn)業(yè)鏈的標配比例統(tǒng)一設置為 20%，將風電、工控自動化產(chǎn)業(yè)鏈的標配比例統(tǒng)一設置為 10%。大陸半導體逆周期成長，產(chǎn)業(yè)變革機遇漸行漸近我們認為，半導體投資實質是對產(chǎn)業(yè)規(guī)律與趨勢的把握。由于當前半導體行業(yè)具有全球產(chǎn)業(yè)鏈分工的特殊性，因此無法割裂的或是狹義的看待中國半導體自主可控的發(fā)展方向。短期來看，外部環(huán)境不確定將加速國產(chǎn)替代的推進，使得大陸半導體產(chǎn)業(yè)具有取得逆周期增長的可能性；中長期看，下一次半導體產(chǎn)業(yè)變革的機遇漸行漸近。全球半導體景氣度低迷，大陸半導體逆勢增長根據(jù)全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會

13、（WSTS）公布的最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)，一季度全球芯片行業(yè)銷售額為 968 億美元，同比下滑 12.9%，環(huán)比下滑 15.5%。是比較罕見的季度同比兩位數(shù)下滑，通常意味著行業(yè)進入下行周期。圖 1：全球半導體單季度銷售額（億美元）資料來源：WSTS, 回顧半導體行業(yè)過去二十年二代發(fā)展歷史，可以觀察到在此前 2001 年、2009 年和 2016年行業(yè)均發(fā)生過衰退，其中 2001 年與 2009 年是全球性經(jīng)濟下行。當前全球半導體行業(yè)毫無疑問是處于新的衰退過程中。從歷史經(jīng)驗來看，半導體衰退期通常長維持 4-5 個季度，用以消化庫存和調整產(chǎn)能。因此，樂觀看下半年有望迎來行業(yè)景氣度的回升。在行業(yè)周期下行的過程

14、中，大陸半導體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出逆勢增長動力：在大陸建廠潮的推動下，國產(chǎn)設備需求持續(xù)旺盛。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計，中國大陸擁有27 座 12 寸晶圓廠（其中 10 座在建）、18 座 8 英寸晶圓廠（其中 6 座在建），這使得中國 IC 制造業(yè)將獲得更高的增長速度，從而帶動上游材料與設備的國產(chǎn)化進程。IC 設計方面，匯頂科技在屏下指紋識別爆發(fā)下實現(xiàn)了業(yè)績大幅增長，指紋識別芯片這一領域也從過去電容式指紋識別時代海外企業(yè)領先，逐步演變?yōu)槠料轮讣y識別國內(nèi)企業(yè)引領的競爭格局，反映大陸 IC 設計企業(yè)的快速追趕。存儲器是國家發(fā)展的重要方向，國內(nèi)存儲器廠商長江存儲、合肥長鑫下半年都將有重點產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn)，值得重點關注

15、。表 3：半導體行業(yè)分板塊 2019Q1 業(yè)績狀況（億元）板塊2019Q1 營收2019Q1 凈利營收 YOY凈利 YOY制造封測89.36-0.78-14.23%-147.63%材料83.275.3827.92%20.93%廠務45.331.457.07%18.73%設計97.526.3918.01%231.26%設備27.233.3123.84%8.84%分立器件31.572.83.24%-5.88%存儲11.251.076.47%-21.92%合計385.5319.627.88%17.97%資料來源：Wind, 從板塊數(shù)據(jù)來看，2019 年 Q1，半導體細分方向營收增速普遍低于 10%，

16、但材料（27.92%）、設備（23.84%）和設計（18.01%）增長優(yōu)秀。利潤端，制造封測持續(xù)受弱需求影響，而存儲因去年高基數(shù)而下滑較多。根據(jù) TrendForce 預測數(shù)據(jù)，2019 年中國半導體產(chǎn)值增速雖然下滑至五年最低，但依然有望增長 16.20%，使得總產(chǎn)值突破7,000 億人民幣，達到 7,298 億元。其中 IC 制造（+18.58%）增速最快，IC 設計（17.86%）與 IC 封測（12%）次之。圖 2：中國半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預測（億元）圖 3：2019 年中國 IC 產(chǎn)業(yè)分領域增速預測20%18.58%17.86%12.00%18%16%14%12%10%8%IC制造IC設計I

17、C封測分領域增速資料來源：TrendForce, 資料來源：TrendForce, 供應鏈國推進產(chǎn)化，自主可控與國產(chǎn)替代加速2018 年，中國共有四家公司進入全球芯片采購前十名，分別是第三名的華為（211 億美元，占比 4.4%）、聯(lián)想（177 億美元，占比 3.7%）、步步高（137 億美元，占比 2.9%）以及小米（71 億美元，占比 1.5%）。表 4：2017-2018 年全球半導體產(chǎn)品采購前十大企業(yè)（百萬美元）2017 排名2018 排名公司20172018需求占比同比增速11三星電子40,40843,4219.1%7.5%22蘋果38,83441,8838.8%7.9%53華為14

18、,55821,1314.4%45.2%34戴爾15,60619,7994.2%26.9%45聯(lián)想15,17317,6583.7%16.4%66步步高11,67913,7202.9%17.5%77HP10,63211,5842.4%9.0%138金士頓5,2737,8431.6%48.7%89HPE6,5437,3721.5%12.7%1810小米4,3647,1031.5%62.8%其他257,324285,17959.8%10.8%總和420,393476,693100.0%13.4%資料來源：Gartner， 電子產(chǎn)業(yè)是全球分工最為明確的產(chǎn)業(yè)之一，美國禁令將產(chǎn)業(yè)鏈割裂短期將造成行業(yè)的倒退。

19、5 月中國大陸、中國臺灣以及美國半導體市場指數(shù)已經(jīng)反映這一趨勢。全球半導體龍頭紛紛下調季度業(yè)績指引，其中光通信、模擬芯片、射頻芯片等過去對外依賴程度較高的產(chǎn)品下調幅度最大。表 5：海外半導體龍頭企業(yè)下調季度營收業(yè)績預期公司業(yè)務領域原始預期調整預期下調幅度Skyworks模擬芯片8.15-8.357.55-7.757.27%Qorvo射頻芯片7.8-8.07.3-7.56.33%Lumentum光學元件4.05-4.253.75-3.97.95%NeoPhotonics光通信半導體0.88-0.930.75-0.818.03%資料來源：公司公告, 本次事件是美國科技軟實力的倒退，也使得中國科技產(chǎn)

20、業(yè)警惕斷供風險。中國過去是全球制造中心，現(xiàn)在還是智能終端品牌崛起的國度，國內(nèi)半導體市場規(guī)模占全球的比重仍在增加，供應鏈國產(chǎn)化勢必導致供應商市值的轉移。大陸相關硬件企業(yè)短期國產(chǎn)替代可行性向華為提供的產(chǎn)品國家/地區(qū)供應商分類表 6：2018 年華為核心半導體/模塊/部件/元器件供應商及大陸相關硬件企業(yè)Intel美國處理器芯片較低龍芯、海思ADI美國模擬與數(shù)字信號處理芯片較低- Qualcomm美國調制解調器芯片較高海思、展銳Micron美國存儲器芯片較低長江存儲、合肥長鑫、ISSI高云半導體、紫光同創(chuàng)、上海復Xilinx美國FPGA較低旦微半導體相關Broadcom美國WiFi、藍牙模塊、射頻開關

21、較低樂鑫科技TI美國DSP 與模擬芯片較低圣邦股份士蘭微、圣邦股份、聞泰科技（安ONSemi美國光學、電源管理、大功率等解決方案較低世）模塊/部件/元器件Skyworks美國射頻芯片較低展銳Synopsys美國手機人工智能芯片較高海思Qorvo美國功率放大器、天線調諧器、濾波器等較低三安光電Seagate美國高速硬盤與閃存較低長江存儲、合肥長鑫Western Digital美國存儲器與大數(shù)據(jù)存儲技術較低Amphenol美國連接器與線纜一般立訊精密Molex美國連接器與線纜一般立訊精密Lumentum美國手機光學元件較低海思、中際旭創(chuàng)、光迅科技Finisar美國手機光學元件較低海思、中際旭創(chuàng)、光

22、迅科技TTM Technologies美國PCB較高滬電股份、深南電路、生益科技海思、中際旭創(chuàng)、光迅科技、海NeoPhotonics美國光通訊器件較高信寬帶Cypress美國加速度計、電容控制器等一般蘇州固锝、士蘭微Photoptech美國光通信元器件較高-Inphi美國半導體組件與光學子系統(tǒng)較低海思、中興、烽火通信Mellanox美國網(wǎng)絡適配器、交換機較高華為、中興、新華三資料來源：華為，半導體產(chǎn)業(yè)觀察， 把握半導體產(chǎn)業(yè)變革機遇從計算機時代的 Intel+Windows 起，半導體行業(yè)構筑了硬件+生態(tài)的強大壁壘。當時的“Wintel”曾被視作牢不可破，這也使得 Intel 占據(jù)全球半導體第一

23、大企業(yè)長達 25 年之久。然而， 隨著智能硬件的發(fā)展進入智能手機時代， 硬件方面全球半導體進入比Fabless+Foundry 更加精細的高度專業(yè)化分工，生態(tài)方面則有 ARM 與谷歌的崛起，形成了新的生態(tài)與“Wintel”分庭抗禮。圖 4：IC 產(chǎn)業(yè)三次產(chǎn)業(yè)變革模式圖資料來源： 從歷史復盤來看，每三十年左右，硬件技術的發(fā)展都將使得全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨大的變革，從而在洗牌下誕生新的歷史性機遇。表 7：集成電路三次產(chǎn)業(yè)變革發(fā)展階段標志事件內(nèi)容第一次變革（上世紀 60 年代）IC 產(chǎn)業(yè)僅處在以生產(chǎn)為導向的初級階段 IC 制造商在市場中充當主要角色,IC 設計只作為附屬部門而存在主流產(chǎn)品是微處理器、存

24、儲器以及標準通用邏輯電路無生產(chǎn)線的IC 設計公司（Fabless）與標準工藝加工第二次變革1987 年 晶 圓代工（Foundry）線（Foundry）相結合的方式開始成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新模式（上世紀 80 年代末） 臺積電成立開始以客戶為導向主流產(chǎn)品為專用 IC(ASIC)第三次變革1995 年，SOC 發(fā)明，IP 供應IC 產(chǎn)業(yè)跨入以競爭為導向的高級階段,開始以人才知識競爭、密集資本竟爭為核心（上世紀 90 年代末） 商應運而生資料來源： IC 產(chǎn)業(yè)結構向高度專業(yè)化轉化成為一種趨勢,開始形成了設計業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)、測試業(yè)獨立成形的局面IIDDM廠商需求IC產(chǎn)品客戶IC封測IC制造IC

25、設計市場營銷品牌客戶Foundry封裝測試FablessIP核圖 5：IDM 商業(yè)模式圖 6：專業(yè)分工商業(yè)模式資料來源：半導體產(chǎn)業(yè)觀察， 資料來源：半導體產(chǎn)業(yè)觀察， 我們認為，下一硬件大規(guī)模遷移將發(fā)生在 5G 技術引領的物聯(lián)網(wǎng)時代。5G 高傳輸、低延時的特性將進一步解放終端硬件算力的要求，而通過云端計算機高性能傳輸?shù)哪Ｊ劫x予萬物高度智能化的可能。彼時智能硬件將從“PC+平板電腦+智能手機”的三巨頭模式，全面裂變?yōu)椤氨銛y式智能終端+可穿戴智能硬件+智能家居+智能汽車+AR/VR”等的全面智能化。1.高速上傳下載；2.3D視頻，4K甚至8K視頻流的實時播放； 3.運用云計算；AR、VR與生活相結合

26、；媒體交互無處不在。傳輸速率高5G 應用物聯(lián)網(wǎng)；智慧城市；智慧家居；智慧電網(wǎng)；物流實時追蹤。可接入終端增多延遲低遠程醫(yī)療手術；車聯(lián)網(wǎng)自動駕駛；工業(yè)控制。圖 7：5G 應用場景資料來源：Ericsson, 根據(jù) IDC 預測數(shù)據(jù)，2023 年 5G 制式的智能手機出貨量將達到 4 億臺，占比為 23.9%。根據(jù) IoT Analytics 預測，2025 年全球聯(lián)網(wǎng)的 IoT 設備將達到 215 億臺，是 2018 年的三倍以上，2018-2025 年復合增速 10.96%；預計 2025 年全球 IoT 市場規(guī)模為 15670 億美元，2018-2025 年復合增速 37.68%。圖 8：全球

27、 IoT 聯(lián)網(wǎng)設備數(shù)量預測（十億臺）圖 9：全球 IoT 市場規(guī)模預測（十億美元）資料來源：IoT Analytics, 資料來源：IoT Analytics, 我們認為，智能穿戴將率先發(fā)力，成為最快爆發(fā)的智能終端新形態(tài)。其中智能手表、無線耳機與智能音箱將有望成為新三巨頭。根據(jù) IDC 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018 年智能手表和智能手環(huán)占據(jù)了穿戴產(chǎn)品的大半市場，出貨量分別達到 7240 萬件和 4420 萬件。智能穿戴產(chǎn)品2018 年市場占比2022 年市場占比2018-2022 年表 8：全球智能穿戴產(chǎn)品出貨量預測（百萬件）出貨量出貨量復合增速智能服飾2.92.4%10.55.5%37.5%智能耳機

28、2.11.7%12.36.5%56.3%智能模塊0.80.6%0.70.4%-2.2%智能手表72.459.1%121.163.6%13.7%智能手環(huán)44.236.0%45.523.9%0.8%其他0.20.2%0.20.1%-2.0%總計122.6100.0%190.4100.0%11.6%資料來源：IDC， 存儲器需求確定，國產(chǎn)設備受益國內(nèi)建廠雖然現(xiàn)在不能明確判斷未來終端的具體形態(tài)，但從大級別的產(chǎn)業(yè)趨勢判斷，產(chǎn)品底層對數(shù)據(jù)量及數(shù)據(jù)交互的需求不會發(fā)生變化，產(chǎn)品對容量更大、存取速度更快的存儲器芯片需求仍將持續(xù)。另一方面，隨著全球 IC 產(chǎn)業(yè)重心向中國轉移，國內(nèi)外知名的 IC 制造與封測廠商紛紛

29、在我國建立或擴充生產(chǎn)線，在全球晶圓制造產(chǎn)能加速向中國轉移的背景下，中國大陸晶圓廠進度投建高速期，國內(nèi)半導體設備廠商受益明確。存儲器需求增長確定，國內(nèi)重點布局尋求突破縱觀過去幾十年，電子產(chǎn)品的升級不外乎處理器運算能力的提升、存儲容量的增大以及各項傳感器性能的加強，其中傳感器用于收集信息，處理器對信息加工處理后保存在存儲器中。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)快速推進，數(shù)據(jù)爆發(fā)背景下存儲的需求極大釋放，存儲器的銷售額占整個半導體的銷售比重提升至近 40%。圖 10：2018 年存儲器銷售額占半導體銷售額 40%100%25% 28% 26% 22% 23% 26% 25% 28% 27% 22% 24% 28% 25

30、% 24% 27% 29% 28% 28% 36% 40%90%80%70%60%50%40%30%20%10%199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720180%存儲器模擬電路微處理器邏輯電路資料來源：WSTS, 中國是世界電子產(chǎn)品的組裝工廠，手機、電腦、電視等電子產(chǎn)品的組裝在全球占比超過一半，對存儲器也有龐大的需求市場。2017 年，全球存儲器銷售額為 1240 億美元，中國存儲器進口金額達到 886 億美元，中國存儲器進口金額占全球存儲器出貨金額的 70% 以上，這從側面也反映

31、出中國存儲器對進口的依賴 。圖 11：中國存儲器進口占全球存儲器出貨的 70%以上1,4001,2001,00080060040020002008200920102011201220132014201520162017存儲器進口金額（億美元）全球存儲器銷售額（億美元）中國存儲器進口占全球銷售額比重資料來源：中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒、韓國貿(mào)易協(xié)會、WSTS, 90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%存儲器的分類若按照存儲介質分類，存儲器可以分為半導體存儲、磁性存儲和光學存儲，從當前的發(fā)展趨勢看，半導體存儲器已經(jīng)成為絕對主流。在半導體存儲器中我們通常按照讀寫功能將存儲器分為 RO

32、M（只讀存儲器）和 RAM（隨機存儲器）。圖 12：存儲器分類資料來源：維基百科, 我們最常用的存儲器主要有 DRAM 和 FLASH MEMORY。DRAM 即我們通常所說的內(nèi)存大小，用于我們通常的數(shù)據(jù)存取；FLASH MEMORY 具有非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息），多用于手機、平板電腦等。NAND FlashNAND FLASH 是目前市場上主要的非易失閃存技術之一。NAND 在傳送數(shù)據(jù)時對地址信息分組，由于其地址信息包含列地址、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組， 容量越大，地址信息越多，需要占用更多的時鐘周期傳輸。因此，NAND 的特點是容量越大，尋址時間越長，

33、再加上傳送地址周期比其他存儲介質長，所以 NAND 型閃存主要用來存放大容量數(shù)據(jù)，不太適合大量的小容量讀寫請求。目前市場上的 NAND Flash 領域的主要玩家包括三星、東芝、SK 海力士、美光等。NOR FlashNOR Flash 和 NAND Flash 具有相同的存儲單元，工作原理相同，但在存取數(shù)據(jù)的方式上有差異。NAND Flash 由于在擦寫數(shù)據(jù)時支持整塊擦寫操作，速度要比 NOR Flash 快很多。但在讀取數(shù)據(jù)時，NOR Flash 以字或字節(jié)為單位進行操作，可以直接讀取，且有足夠多的地址端口尋址，在讀取數(shù)據(jù)速度上有明顯優(yōu)勢。NOR Flash 的擦除和編程操作所花費的時間很

34、長，因此在純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲的應用中，NOR 技術顯得力不從心。DRAMDRAM 使用電容存儲，需要恒定電流以保存信息，一旦斷電信息就會丟失。內(nèi)存的更迭速度很快，從規(guī)格、技術、總線帶寬等不斷更新?lián)Q代，其目的在于提高內(nèi)存的帶寬，以滿足 CPU 不斷攀升的帶寬要求、避免成為高速 CPU 運算的瓶頸。中國有發(fā)展存儲器芯片的土壤存儲器行業(yè)乃至整個半導體行業(yè)都具有重資產(chǎn)、強周期、寡頭競爭格局的特征，其產(chǎn)值巨大，需要長期巨額投入，但短期看不到回報，在資金和技術投入上都不是僅靠企業(yè)自己可以支撐的，因此，需要國家和相關政策的引導和支持。另一方面，存儲器涉及到網(wǎng)絡信息安全，2014 年以來我國政府對集成電路產(chǎn)

35、業(yè)的支持力度也在持續(xù)加大。頒布時間法律法規(guī)頒布部門相關內(nèi)容表 9：2014 年后集成電路相關產(chǎn)業(yè)政策2017年4月國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃科技部工信部優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構，推進集成電路及專用裝備關鍵核心技術突破和應用。著力提升集成電路設計水平；建成技術先2016年12月信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南“十三五”國家信息化規(guī)2016年12月劃“十三五”國家戰(zhàn)略性2016年11月新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃關于軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅優(yōu)惠政2016年5月策有關問題的通知（財稅201227號）發(fā)改委國務院國務院財政部 稅務總局發(fā)改委 工信部進、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系；重點發(fā)展12英寸集成電路成套生產(chǎn)線設備。大力

36、推進集成電路創(chuàng)新突破。加大面向新型計算、5G、智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)的芯片研發(fā)部署。提升核心基礎硬件供給能力，提升關鍵芯片設計水平，發(fā)展面向新應用的芯片落實了享受財稅201227號文件規(guī)定的稅收優(yōu)惠政策的軟件、集成電路企業(yè)的稅收優(yōu)惠工作為大力提升集成電路設計水平，將集成電2015年5月中國制造2025國務院國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)路納入“新一代信息技術產(chǎn)業(yè)”重點領域提出著力發(fā)展集成電路設計業(yè)，以帶動制造業(yè)的發(fā)展，持續(xù)推動先進生產(chǎn)線的任2014年6月展推進綱要國務院務。同時，引導國家產(chǎn)業(yè)投資基金資金進入集成電路行業(yè)資料來源：北京君正， 長江存儲聚焦 3D NANDNAND Flash 追求更大容

37、量因此要提升存儲器芯片的存儲密度，一般通過減小線寬和堆疊來實現(xiàn)，在 2013 年以前，主要還是 2D NAND 通過減小線寬的方式完成存儲密度的提升。2013 年，三星宣布量產(chǎn) 3D NAND，存儲器通過 3D 堆疊的方式快速提升密度， 目前已經(jīng)成為行業(yè)主力。2018 年原廠三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾的 3D NAND 生產(chǎn)比重已超過 80%。2014 年 10 月，中國在武漢新芯啟動 3D NAND 項目。2017 年，長江存儲在全資子公司武漢新芯 12 英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批 3D NAND 閃存芯片。10月，3D

38、 NAND項目在武漢新芯啟動2014201520162017201720177月，長江存儲有限責任公司成立；12 月，國家存儲器基地項目正式開工建設11 月 ，32 層 3D NAND芯片完成首次驗證圖 13：長江存儲發(fā)展歷程6月，9層3D NAND測試芯片通過電器性能驗證7月，32層3D NAND芯片T/O（設計完成）7月，32層3D NAND測試芯片T/O（設計完成）9月，國家存儲器基地項目一期工程提前封頂資料來源：長江存儲, 雖然各廠商的 3D NAND 存儲單元及技術不盡相同，三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾、SK 海力士等原廠已經(jīng)在 2018 年推動 64/72 層 3D NAND

39、 技術成為主流。2018 年下半年，部分原廠已陸續(xù)量產(chǎn)新一代 96 層 3D NAND 產(chǎn)品，預計在 2019 年擴大出貨量。圖 14：3D NAND 技術發(fā)展線路圖資料來源：Tech insights, 長江存儲在 2018 年 8 月發(fā)布其突破性技術XtrackingTM，這種技術將外圍負責數(shù)據(jù)I/O 及記憶單元操作的電路和存儲單元分開生產(chǎn)，然后通過數(shù)百萬根金屬 VIA（垂直互聯(lián)通道）將二者鍵合接通電路。XtrackingTM 一方面可以提高存儲密度，另一方面還能大幅提升 NAND I/O 速度，長江存儲已成功將 Xtacking TM 技術應用于其第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開發(fā)，該產(chǎn)

40、品計劃于 2019 年實現(xiàn)量產(chǎn)。圖 15：XtrackingTM 示意圖資料來源：長江存儲, 合肥長鑫和 ISSI 在 DRAM 領域追趕DRAM 的主要應用領域內(nèi)存歷來都是電子系統(tǒng)中最大的性能瓶頸之一，從 286 時代的30pin SIMM 內(nèi)存、486 時代的 72pin SIMM 內(nèi)存，到 Pentium 時代的 EDO DRAM 內(nèi)存、PII 時代的 SDRAM 內(nèi)存，到 P4 時代的 DDR 內(nèi)存，目前，已經(jīng)發(fā)展到 DDR4 內(nèi)存。圖 16：DRAM 的發(fā)展歷程資料來源：太平洋電腦網(wǎng)， 在 DRAM 市場，三星仍然處于絕對領先的地位，另外 SK 海力士與美光仍然在緊緊跟隨。從制程上看

41、，三星當前主力制程為 18nm，目前已經(jīng)宣布第二代 10nm 級別 1y nm 8Gb DDR4 芯片正式量產(chǎn)，并宣布首次開發(fā)了正第三代 10nm 級別 1z nm 8Gb DDR4 芯片； SK 海力士當前以 21nm 制程為主，18nm 制程也已經(jīng)進入量產(chǎn)階段；美光目前的主力制程仍然是 20nm 和 25nm。 圖 17：DRAM 技術發(fā)展線路圖資料來源：Tech insights， 合肥長鑫公司計劃在今年三季度推出 8Gb LPDDR4，2020 年開始規(guī)劃二廠，2021 年完成 17nm 研發(fā)。ISSI 的 DRAM 產(chǎn)品主要針對具有較高技術壁壘的專業(yè)級應用領域開發(fā)，涵蓋 16M、64

42、M、128M 到 1G、2G 的多種容量規(guī)格，能夠滿足工業(yè)等級和車規(guī)等級產(chǎn)品的要求，具備在極端環(huán)境下穩(wěn)定工作以及節(jié)能降耗等特點。2018 年，ISSI 的DRAM 業(yè)務實現(xiàn)營業(yè)收入 2.52 億美金。兆易創(chuàng)新在 NOR 領域進入行業(yè)前五相比于 DRAM 和 NAND，NOR 是一個相對小眾的市場，主要用于存儲代碼及部分數(shù)據(jù)， 2017 年市場規(guī)模約 25 億美金。依據(jù) Web-Feet Research 數(shù)據(jù)，2017 年公司閃存產(chǎn)品全球銷售額排名第十位。在 NOR Flash 市場，公司的全球銷售額排名為第五位，市場占有率為 10.5%，前四位分別為美光、旺宏電子、賽普拉斯半導體和華邦電子。

43、在串行 NOR Flash 產(chǎn)品市場，公司全球銷售額排名為第三位，前二位分別為華邦電子、旺宏電子。產(chǎn)能轉移助力半導體設備發(fā)展，國產(chǎn)替代迎來重大機遇隨著全球 IC 產(chǎn)業(yè)重心向中國轉移，國內(nèi)外知名的 IC 制造與封測廠商紛紛在我國建立或擴充生產(chǎn)線，在全球晶圓制造產(chǎn)能加速向中國轉移的背景下，中國大陸晶圓廠進入投建高速期。近年來全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈向中國大陸加速轉移的趨勢越來越明確，中國巨大的市場也吸引了越來越多的晶圓制造產(chǎn)能落地。設備制造業(yè)是集成電路的基礎產(chǎn)業(yè)，是完成晶圓制造和封裝測試環(huán)節(jié)的基礎，是實現(xiàn)集成電路技術進步的關鍵，在集成電路產(chǎn)業(yè)中占有極為重要的地位。硅片制造晶圓制造測試拋光打磨金屬化薄膜沉積

44、離子注入刻蝕光刻薄膜沉積氧化檢測清洗拋光磨削研磨倒角切片磨外圓拉單晶測試去溢料塑封引線鍵合晶圓切割氧化封裝測試圖 18：集成電路制造工藝流程資料來源：中國信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)， 整理集成電路生產(chǎn)所需專用設備主要包括晶圓制造環(huán)節(jié)所需的光刻機、化學汽相淀積設備、刻蝕機、離子注入機、表面處理設備等；封裝環(huán)節(jié)所需的切割減薄設備、度量缺陷檢測設備、鍵合封裝設備等；測試環(huán)節(jié)所需的測試機、分選機、探針臺等；以及其他前端工序所需的擴散、氧化及清洗設備等。這些設備的制造需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術，具有技術含量高、制造難度大、設備價值高等特點。圖 19：不同工序下的核心半導體設備資料來源：半導體產(chǎn)業(yè)觀察， 歷史

45、經(jīng)驗表明，半導體設備廠商業(yè)績增長與晶圓廠資本開支增長正相關，且?guī)缀跬健Ｎ覀冄芯苛巳虬雽w資本開支變化與全球光刻機（晶圓制造關鍵設備）龍頭 ASML 的營收增速變化的關系，發(fā)現(xiàn)擬合度很高，證明晶圓制造廠的資本開支對設備廠商的當期業(yè)績影響嚴格正相關，且年度的維度來看基本同步。圖 20：2006-2017 年 ASML 銷售額（十億美元）與全球占比圖 21：2007-2017 年 ASML 銷售增速與全球半導體資本開支正相關90807060504030201002006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017資本開支ASML營

46、收ASML營收占比全球資本開支比例16%14%12%10%8%6%4%2%0%200%150%100%50%0%-50%-100%2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017全球資本開支增速ASML營收增速資料來源：日本半導體制造裝置協(xié)會， 資料來源：日本半導體制造裝置協(xié)會， 全球產(chǎn)能加速向中國轉移的背景下，中國對半導體設備的需求大幅上升，但是由于歷史起步較晚等原因，我國半導體設備與國外的差距依然較大，國產(chǎn)化率較低。大規(guī)模的晶圓廠建設激發(fā)了我國對 IC 設備的采購需求，根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)顯示，中國大陸集成電路專用設備市場迅速增

47、長，2017 年市場規(guī)模已經(jīng)達到 82.2 億美元，占比達到了 14.5%。5.6%6.4%9.9%31.9%11.4%14.5%韓國中國臺灣中國大陸日本20.3%北美歐洲其他 圖 22：2017 年全球集成電路專用設備各區(qū)域需求占比資料來源：SEMI， 伴隨著以中芯國際、長江存儲為代表的本土晶圓制造廠的崛起，更多的國產(chǎn)設備迎來新的發(fā)展機遇。一方面對于本土晶圓廠更容易切入，另一方面除光刻、刻蝕和離子注入等部分核心設備外，其他設備不是完全與制程指標相關。目前，包括北方華創(chuàng)、長川科技、拓荊科技、盛美半導體、至純科技等在內(nèi)的一大批國內(nèi) IC 設備廠商，都已經(jīng)進入國內(nèi)一流晶圓廠、甚至國際廠商的供應商名單，伴隨著中國產(chǎn)線的不斷落地，整個大陸 IC 設備與材料產(chǎn)業(yè)鏈也將充分受益。工藝設備種類重點企業(yè)所在地區(qū)技術節(jié)點(nm)勻膠機/去膠機沈陽芯源沈陽90/65光刻機上海微電子裝備上海90硅刻蝕北方華創(chuàng)北京65/45/28/14PVD北方華創(chuàng)北京65/45/28/14薄膜氧化爐/LVCVD北方華創(chuàng)北京65/28/14CVDALD北方華創(chuàng)北京28/14/7PECVD沈陽拓荊沈陽65/28/14離子注入離子注入機北京中科信北京64/45/28