1、峰值檢測(cè)器芯片設(shè)計(jì).峰值檢測(cè)器峰值檢測(cè)在新的峰值到來時(shí),檢測(cè)信號(hào)的峰值。在峰值下降時(shí),堅(jiān)持峰值。檢測(cè)下一個(gè)峰值前復(fù)位。運(yùn)用儀器、儀表、自動(dòng)化等家用電器、多媒體、報(bào)警器等雷達(dá)、激光制導(dǎo)等目前的技術(shù)及運(yùn)用.Pk445chip 性能參數(shù)峰值范圍: 0V-5v任務(wù)電源: VDD +5 v VSS-5v參考電源: Vrfe +5 v功耗 : 2 mw精度: 5mv順應(yīng)溫度: 0 度-75 度 (商用).Pk445chip 工藝BISCMOS06 微米DPTM 雙層多晶三層金屬設(shè)計(jì)規(guī)那么15 層掩膜 19 次光刻數(shù)字模擬混合信號(hào)電路工藝觸孔與互連.CIC 設(shè)計(jì)工具Cadence Composer原理圖設(shè)計(jì)

2、輸入 適用模擬數(shù)模混合電路設(shè)計(jì)Cadence Spectre電路模擬 適用電路模擬 Cadence Viruoso 編輯幅員編輯 幅員設(shè)計(jì)工具Cadence DIVA幅員驗(yàn)證 適用 CIC 幅員驗(yàn)證Cadence AHDL 言語 適用 CIC 功能仿真.CIC 設(shè)計(jì)流程設(shè)計(jì)規(guī)劃建庫原理圖輸入電路仿真TOPcell 幅員驗(yàn)證輸出 GDSII細(xì)胞模塊幅員制掩膜流片封裝測(cè)試.Pk445chip 設(shè)計(jì)庫design.tf 工藝文件、display.drf 顯示文件、 cds.lib 庫文件spectreLib.scs 仿真模型庫Design 工藝庫LSW 圖層運(yùn)用 工藝層 設(shè)計(jì)層 系統(tǒng)層.PK445

3、峰值檢測(cè)器電路設(shè)計(jì)PK445chip頂層電路設(shè)計(jì)Amplifier運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)Control控制器設(shè)計(jì).PK445 峰值檢測(cè)器電路 PK445chip 帶反響的閉環(huán)峰值檢測(cè)電路；運(yùn)算放大器 Ampv1 可提快速充放電電流；運(yùn)算放大器 Ampv2 為電壓緩沖器，與電阻 R 引入反響回路； D1構(gòu)成峰值下降時(shí)的反響回路開關(guān)；D2 是控制電容充放電通路的開關(guān)； Ca 為電容存儲(chǔ)器；丈量控制器 Controlv及丈量開關(guān)管M0組成控制電路控制峰值檢測(cè)復(fù)位；vinput 信號(hào)輸入口， V1 反響輸入口；in1 同步信號(hào),in2 丈量時(shí)鐘；vref1 vref2 參考恒流源；vcop 輸出；電源 VDD

4、 VSS.PK445 峰值檢測(cè)電路任務(wù)原理采樣：在峰值到來時(shí)，Ampv 1輸出V2=VinputV3, D2 開關(guān)管導(dǎo)通， Ampv1的反響網(wǎng)絡(luò) D2-Ampv2- R起電壓緩沖作用，R 限制電流經(jīng)過。 Von為D導(dǎo)通電壓； Vcap = V3 = V2Von=VinputVon ;堅(jiān)持：峰值下降時(shí)， Ampv1 輸出 V2 下降， D2 管截止， D1 導(dǎo)通， Ampv1 的反響網(wǎng)絡(luò) D1 ， V2=Vinput V3 ，電容器 Ca 堅(jiān)持著電壓峰值；復(fù)位：in1 同步信號(hào)和in2 丈量時(shí)鐘高電平常峰值檢測(cè)復(fù)位，電容 C 提供放電通路；.峰值檢測(cè)器電路模擬仿真環(huán)境仿真平臺(tái)傳輸波形.運(yùn)算放大器

5、電路設(shè)計(jì)輸入輸出兩級(jí)構(gòu)成差分輸入級(jí)根本的差分輸入放大雙極型晶體管恒流源雙端輸入，單端輸出。差分對(duì)與電流鏡大尺寸 MOS 。輸出級(jí)甲類放大器。R C 反響網(wǎng)絡(luò)頻率補(bǔ)嘗.運(yùn)算放大器性能參數(shù)要求直流參數(shù)輸入失調(diào)電壓(1-20) mv共模電壓輸入范圍(1-20) mv輸出動(dòng)態(tài)范圍 0-5V交流參數(shù)開環(huán)增益 10000電壓動(dòng)態(tài)范圍 0.5-4.5V開環(huán)呼應(yīng) 100MH 0.1db閉環(huán)頻率特性仿真(-3 分貝10MH共模抑制比 CMRR 80db電源電壓制制比 PSRR 80db.控制器電路設(shè)計(jì)邏輯電路，測(cè)試信號(hào) In1,復(fù)位信號(hào) in2 。測(cè)試信號(hào) In1 ，復(fù)位信號(hào) in2 為高電平,M8 導(dǎo)通，電容

6、放電。.PK445 峰值檢測(cè)器幅員設(shè)計(jì)幅員設(shè)計(jì)規(guī)那么幅員設(shè)計(jì)原那么幅員設(shè)計(jì)圖層運(yùn)用運(yùn)算放大器幅員設(shè)計(jì)控制器幅員設(shè)計(jì)二極管及輸出 MOS 管幅員設(shè)計(jì)電阻電容幅員設(shè)計(jì)頂層幅員設(shè)計(jì).幅員設(shè)計(jì)規(guī)那么.幅員設(shè)計(jì)原那么 匹配設(shè)計(jì)抗干擾設(shè)計(jì)抗寄生效應(yīng)可靠性.匹配設(shè)計(jì)失配-集成電路設(shè)計(jì)的預(yù)期與芯片實(shí)測(cè)結(jié)果的誤差歸一化的失配定義：集成電路的精度和性能取決于元器件的匹配精度與幅員設(shè)計(jì)和工藝有關(guān).匹配規(guī)那么規(guī)劃布線堅(jiān)持對(duì)稱性器件的方向、位置堅(jiān)持對(duì)稱性添加虛擬幅員堅(jiān)持對(duì)稱性共中心堅(jiān)持對(duì)稱性MOS 采用叉指構(gòu)造.抗干擾設(shè)計(jì)數(shù)字模擬的幅員合理規(guī)劃模擬和數(shù)字的電源分別模擬電路和數(shù)字電路分開總線分開不交叉參與屏蔽環(huán)敏感電路加

7、屏蔽環(huán)敏感信號(hào)線加屏蔽環(huán)采用電源濾波在片內(nèi)片外加濾波電容電源規(guī)劃遏制干擾的產(chǎn)生阻止干擾的傳送.抗寄生效應(yīng)防止門閂-向上的效應(yīng).可靠性設(shè)計(jì)防止天線效應(yīng)ESD 維護(hù).運(yùn)算放大器幅員設(shè)計(jì)MOS 大尺寸自動(dòng)生成完全對(duì)稱叉指構(gòu)造.控制器幅員設(shè)計(jì)對(duì)稱等高.其它器件開關(guān)管 M8電阻 R電容 C.最高的幅員設(shè)計(jì)全芯片尺 218X1909 個(gè)填補(bǔ),填補(bǔ)的圖層構(gòu)造。3 個(gè)測(cè)試單元對(duì)稱途徑連線防止天線效應(yīng).幅員驗(yàn)證DRC設(shè)計(jì)規(guī)那么檢查EXT幅員提取LVS幅員原理圖一致性檢查.DRC 規(guī)那么檢查DRC 操作步驟DRC 命令文件.EXT 提取幅員網(wǎng)表提取幅員網(wǎng)表步驟提取幅員視圖提取命令文件.幅員與原理圖一致性 LVS

8、檢查LVS 操作步驟LVS 命令文件.輸出數(shù)據(jù) CIF 與 GDSII 9 inv;L LL0;L nw;P 2400 3900 0 3900 0 0 2400 0;L pdiff;P 2200 3100 600 3100 600 300 2200 300;L 牛;P 1200-2700 600-2700 600-3300 1200- 3300;P 1200-100 600-100 600-700 1200-700;P 1200 4100 600 4100 600 3500 1200 3500;P 2100-1200 700-1200 700-2200 2100-2200;P 2100 3000 700 3000 700 400 2100