1、14.1半導體的導電特性半導體的導電特性14.2二極管二極管14.3穩壓二級管穩壓二級管14.4晶體管晶體管14.5光電器件光電器件第第14章章 半導體器件半導體器件導體：導體：自然界中很容易導電的物質稱為自然界中很容易導電的物質稱為導體導體，金屬，金屬一般都是導體一般都是導體。絕緣體：絕緣體：有的物質幾乎不導電，稱為有的物質幾乎不導電，稱為絕緣體絕緣體，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半導體：半導體：另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為體之間，稱為半導體半導體，如鍺、硅、砷化鎵，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。和一

2、些硫化物、氧化物等。14.1半導體的導電特性半導體的導電特性14.1.1本征半導體本征半導體 半導體的導電特性：半導體的導電特性： 當受外界熱和光的作用時，它的導電能當受外界熱和光的作用時，它的導電能 力明顯變化。力明顯變化。 往純凈的半導體中摻入某些雜質，會使往純凈的半導體中摻入某些雜質，會使 它的導電能力明顯改變。它的導電能力明顯改變。本征半導體就是完全純凈的、具有本征半導體就是完全純凈的、具有晶體結構的半導體。晶體結構的半導體。 14.1.1本征半導體本征半導體 自由電子自由電子空穴空穴共價鍵共價鍵SiSiSiSi本征半導體中自由本征半導體中自由電子和空穴的形成電子和空穴的形成用得最多的

3、半導體是硅或鍺用得最多的半導體是硅或鍺, ,它們它們都是四價元素。將硅或鍺材料提純并形都是四價元素。將硅或鍺材料提純并形成單晶體后，便形成共價鍵結構。在獲成單晶體后，便形成共價鍵結構。在獲得一定能量得一定能量( (熱、光等熱、光等) )后，少量價電子后，少量價電子即可掙脫共價鍵的束縛成為即可掙脫共價鍵的束縛成為自由電子自由電子，同時在共價鍵中就留下一個空位，稱為同時在共價鍵中就留下一個空位，稱為空穴空穴。自由電子和空穴總是成對出現。自由電子和空穴總是成對出現, ,同時又不斷復合。同時又不斷復合。1 1）本征半導體的結構特點）本征半導體的結構特點1 1）本征半導體的結構特點）本征半導體的結構特點

4、GeSi硅和鍺的晶體結構硅和鍺的晶體結構（完全純凈的、結構完整的半導體晶體）（完全純凈的、結構完整的半導體晶體）硅和鍺的共價鍵結構硅和鍺的共價鍵結構共價鍵共共價鍵共用電子對用電子對+4+4+4+4+4+4表示除表示除去價電子去價電子后的原子后的原子 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為為束縛電子束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。以本征半導體的導電能力很弱。+4+4+4+4自由電子自由電子空

5、穴空穴束縛電子束縛電子2)2)本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理(1)(1)兩種載流子兩種載流子-自由電子、空穴自由電子、空穴空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子空穴是載流子。在外電場的作用下，自由在外電場的作用下，自由電子逆著電場方向定向運動形電子逆著電場方向定向運動形成成電子電流電子電流。帶正電的空穴吸。帶正電的空穴吸引相鄰原子中的價電子來填補，引相鄰原子中的價電子來填補，而在該原子的共價鍵中產生另而在該原子的共價鍵中產生另一個空穴。空穴被填補和相繼一個空穴。空穴被填補和相繼產生的現象，可以看成空穴順產生的現象，可以看成空穴

6、順著電場方向移動，形成著電場方向移動，形成空穴電空穴電流流。可見在半導體中有可見在半導體中有自由電自由電子子和和空穴空穴兩種載流子，它們都兩種載流子，它們都能參與導電。能參與導電。空穴移動方向空穴移動方向 電子移動方向電子移動方向 外電場方向外電場方向SiSiSiSiSiSiSi溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導體的導電溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導體的導電能力也就越強，溫度是影響半導體性能的一個重要能力也就越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。的外部因素，這是半導體的一大特點。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃

7、度。本征半導體中電流由兩部分組成：本征半導體中電流由兩部分組成： 1. 1. 自由電子移動產生的電流。自由電子移動產生的電流。 2. 2. 空穴移動產生的電流。空穴移動產生的電流。P P 型半導體型半導體：（空穴半導體）（空穴半導體）N N 型半導體型半導體：（電子半導體）（電子半導體）14.1.2N 型半導體和型半導體和 P 型半導體型半導體+4+4+5+4多余多余電子電子磷原子磷原子 在硅或鍺的晶在硅或鍺的晶體中摻入微量的體中摻入微量的五價元素（五價元素（P P）。）。1 1、由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。、由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。2 2、本征半導體中成對產生的電子和

8、空穴。、本征半導體中成對產生的電子和空穴。摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為多數載流多數載流子子（多子多子），空穴稱為），空穴稱為少數載流子少數載流子（少子少子）。）。1)N 1)N 型半導體型半導體2)P2)P 型半導體型半導體P 型半導體中空穴是多子，電子是少子型半導體中空穴是多子，電子是少子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子 在硅或鍺的晶在硅或鍺的晶體中摻入微量的體中摻入微量的三價元素（三價元素（B B）。）。3)3)雜質半導體的示意表示法雜質半導體的

9、示意表示法雜質雜質型半導體多子和少子的移動都能形成電流。型半導體多子和少子的移動都能形成電流。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。但由于數量的關系，起導電作用的主要是多子。近似認為多子與雜質濃度相等近似認為多子與雜質濃度相等。P 型半導體型半導體+N 型半導體型半導體 1 1、PN PN 結的形成結的形成在同一片半導體基片上，分別制造在同一片半導體基片上，分別制造P P 型半導型半導體和體和N N 型半導體，經過載流子的擴散，在它們的型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了交界面處就形成了PN PN 結。結。14.1.3PN 結及其單向導電性結及其單向導電性P型半導體型半導體

10、N型半導體型半導體+擴散運動擴散運動內電場內電場E E漂移運動漂移運動擴散的結果是使空間電擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區越寬。荷區越寬。內電場越強，就使漂移內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。間電荷區變薄。空間電荷區，空間電荷區，也稱耗盡層。也稱耗盡層。漂移運動漂移運動P P型半導體型半導體N N型半導體型半導體+擴散運動擴散運動內電場內電場E E所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚相當于兩個區之間沒有電荷運動，空間電荷區的厚度

11、固定不變。度固定不變。濃度差濃度差擴散運動擴散運動內電場內電場阻礙擴散運動阻礙擴散運動利于漂移運動利于漂移運動PN PN 結的形成過程小結結的形成過程小結擴散運動擴散運動漂移運動漂移運動內電場內電場內電場不變內電場不變擴散運動和漂移運動擴散運動和漂移運動動態平衡動態平衡+RE1 1）PN PN 結正向偏置結正向偏置內電場內電場外電場外電場變薄變薄PN+_內電場被削弱，多子內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成的擴散加強能夠形成較大的擴散電流較大的擴散電流。2 2、PNPN結的單向導電性結的單向導電性2 2）PN PN 結反向偏置結反向偏置+內電場內電場外電場外電場變厚變厚NP+_內電場被加強，多

12、子的內電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數量有限，加強，但少子數量有限，只能形成較小的反向電只能形成較小的反向電流流。RE PNPN結加正向電壓時，結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流； 由此可以得出結論：由此可以得出結論： PNPN結具有單向導電性。結具有單向導電性。 PNPN結加反向電壓時，結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。14.2二極管二極管14.2.1基本結構基本結構 將將 PN 結加上相應的電極引線和管殼，就成為半導體二極結加上相應的電極引線和管殼

13、，就成為半導體二極管。按結構分，有點接觸型和面接觸型兩類。管。按結構分，有點接觸型和面接觸型兩類。點接觸型點接觸型表示符號表示符號正極正極負極負極金銻合金金銻合金面接觸型面接觸型N型鍺型鍺 正極引線正極引線負極引線負極引線 PN 結結底座底座鋁合金小球鋁合金小球引線引線觸絲觸絲N 型鍺型鍺外殼外殼半導體二極管圖片14.2.2伏安特性伏安特性二極管和二極管和 PN 結一樣，具有單向導電性，由伏安特性曲結一樣，具有單向導電性，由伏安特性曲線可見，當外加正向電壓很低時，電流很小，幾乎為零。正線可見，當外加正向電壓很低時，電流很小，幾乎為零。正向電壓超過一定數值后，電流很快增大，將這一定數值的正向電壓

14、超過一定數值后，電流很快增大，將這一定數值的正向電壓稱為死區電壓。通常，硅管的死區電壓約為向電壓稱為死區電壓。通常，硅管的死區電壓約為 0.5 V。導。導通時的正向壓降，硅管約為通時的正向壓降，硅管約為 0.6 0.7 V。 604020 0.02 0.0400.4 0.82550I / mAU / V正向特性正向特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性死區電壓死區電壓擊穿電壓擊穿電壓U(BR)反向特性反向特性在二極管上加反向電壓在二極管上加反向電壓時，反向電流很小。但當反時，反向電流很小。但當反向電壓增大至某一數值時，向電壓增大至某一數值時，反向電流將突然增大。這種反向電流將突然增大。這種現象稱為現

15、象稱為擊穿擊穿，二極管失去，二極管失去單向導電性。產生擊穿時的單向導電性。產生擊穿時的電 壓 稱 為 反 向 擊 穿 電 壓電 壓 稱 為 反 向 擊 穿 電 壓 U(BR)。 I / mAU / V0.20.4 25 50510150.010.02鍺管的伏安特性鍺管的伏安特性0鍺管死區電壓為鍺管死區電壓為 0.1V，導通時的正向壓降為，導通時的正向壓降為 0.2 0.3 V。0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/ AiD/mA死區死區VthVBR硅二極管硅二極管2CP102CP10的的V V- -I I 特性特性0 D/V

16、0.2 0.4 0.6 20 40 605101520 10 20 30 40iD/ AiD/mAVthVBR鍺二極管鍺二極管2AP152AP15的的V V- -I I 特性特性正向特性正向特性反向特性反向特性反向擊穿特性反向擊穿特性導通壓降導通壓降: : 硅管硅管0.60.7V,鍺管鍺管0.20.3V 死區電壓死區電壓 硅硅管管0.5V,鍺管鍺管0.2V硅二極管與鍺二極管硅二極管與鍺二極管V V- -I I 特性比較特性比較正向特性正向特性反向特性反向特性反向擊穿特性反向擊穿特性14.2.3主要參數主要參數1最大整流電流最大整流電流 IOM最大整流電流是指二極管長時間使用時，允許流過二極最大

17、整流電流是指二極管長時間使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。管的最大正向平均電流。2反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓 URWM它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是反向擊穿電壓的一半或三分之二。是反向擊穿電壓的一半或三分之二。3反向峰值電流反向峰值電流 IRM它是指二極管上加反向工作峰值電壓時的反向電流值。它是指二極管上加反向工作峰值電壓時的反向電流值。定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態判斷二極管的工作狀態導通導通截止截止 若二極管是理想的，若二極管是理想的，14.2.4 14.2.4 二極管電路分析二極管電路分析舉例舉例

18、二極管的應用范圍很廣二極管的應用范圍很廣, ,主要都是利用它的單向導電性。主要都是利用它的單向導電性。它可用作它可用作整流、檢波、限幅、元件保護整流、檢波、限幅、元件保護以及在數字電路中作以及在數字電路中作為為開關開關元件。元件。 例例 1 1 在圖中，輸入電位在圖中，輸入電位 V VA A = +3 V = +3 V， V VB B = 0 V = 0 V， 電阻電阻 R R 接負電源接負電源 12 V12 V。求輸出端電位。求輸出端電位 V VY Y。 解解 因為因為 V VA A 高于高于 V VB B ，所以所以 D DA A 優先導通。如果二極管優先導通。如果二極管的正向壓降是的正向

19、壓降是 0.3 V0.3 V，則，則 V VY Y = = +2.7 V+2.7 V。當。當 D DA A 導通后，導通后，D DB B 因因反偏而截止。反偏而截止。在這里，在這里，D DA A 起鉗位作用，將起鉗位作用，將輸出端電位鉗制在輸出端電位鉗制在 +2.7 V+2.7 V。 DA 12VYVAVBDBR14.2.4 14.2.4 二極管電路分析二極管電路分析舉例舉例例例2：二極管構成的限幅電路如圖所示，二極管構成的限幅電路如圖所示，R R1k1k，U UREFREF=2V=2V，輸入信號為，輸入信號為u ui i。 (1)(1)若若 u ui i為為4V4V的直流信號，計算電流的直流

20、信號，計算電流I I和輸出電壓和輸出電壓u uo o+-+UIuREFRiuO解：解：mA3 . 1k1V7 . 02VV4DREFiRUUuI2.7V0.7VV2DREFoUUu02.7Vuot0-4V4Vuit2.7V+-+UIuREFRiuO（2 2）如果）如果u ui i為幅度為幅度4V4V的交流三角波，波形如圖所示，畫的交流三角波，波形如圖所示，畫出相應的輸出電壓波形。出相應的輸出電壓波形。判斷二極管在電路中的工作狀態，常用的方法：判斷二極管在電路中的工作狀態，常用的方法： 先假設將二極管斷開，求二極管正負極間的電先假設將二極管斷開，求二極管正負極間的電壓，若該電壓大于二極管導通電壓

21、，則二極管處壓，若該電壓大于二極管導通電壓，則二極管處于正偏而導通；反之，則處于反偏而截止。于正偏而導通；反之，則處于反偏而截止。 若電路中出現兩個以上二極管，則承受正若電路中出現兩個以上二極管，則承受正向電壓較大者優先導通，然后根據電路情況，向電壓較大者優先導通，然后根據電路情況，分析其它二極管工作狀態。分析其它二極管工作狀態。若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB = 6V若考慮若考慮管壓降管壓降， 為為6.3或或6.7V例例3：取取 B B 點作參考點，點作參考點，斷開二極管，分析二斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電極管陽極和陰極的電位。位。D6V12V

22、3k BAUAB+電路如圖電路如圖, 求求: UABV陽陽 = 6 V V陰陰 = 12 VV V陽陽VV陰陰 , ,二極管導通二極管導通兩個二極管的陰極接在一起兩個二極管的陰極接在一起取取 B 點作參考點，斷開二極點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極管，分析二極管陽極和陰極的電位。的電位。 VD2 VD1 D2 優先導通，優先導通， D1截止。截止。若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB = 0 V例例4:D1承受反向電壓為承受反向電壓為6 V流過流過 D2 的電流為的電流為mA43122D I求：求：UABBD16V12V3k AD2UAB+V1陽陽

23、 =6 V，V2陽陽=0 V，V1陰陰 = V2陰陰= 12 VVD1 = 6V，VD2 =12V ui 8V，二極管導通，可看作短路，二極管導通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二極管截止，可看作開路，二極管截止，可看作開路 uo = ui已知：已知： 二極管是理想的，試畫二極管是理想的，試畫出出 uo 波形。波形。V sin18itu uit 18V參考點參考點D8V電路如圖所示，已知電路如圖所示，已知u ui i5sin5sintt (V) (V)，二極管導通電壓，二極管導通電壓U UD D0.7V0.7V。試畫出。試畫出u ui i與與u uO O的波形，并標出幅值。的波形，并

24、標出幅值。 例例6 63.7V- 3.7V 電路如圖所示，電路如圖所示，u ui i為輸入電壓波形，為輸入電壓波形， 試畫出對應試畫出對應u ui i的的輸出電壓輸出電壓u uO O的波形、電阻的波形、電阻R R上的電壓上的電壓uR 和和二極管上的電二極管上的電壓壓uD的波形的波形并標出幅值。二極管導通電壓可以忽略。并標出幅值。二極管導通電壓可以忽略。例例7 7D5V-2V0tui3V5V10Vuo0t5V10V0tuD-5V-7V-2V-5VuR0t5V穩壓二級管是一種特殊的面穩壓二級管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管。其表示接觸型半導體硅二極管。其表示符號如下圖所示。符號如下圖所示。 穩

25、壓穩壓二級二級管管工作于反向擊穿工作于反向擊穿區。從反向特性曲線上可以看出，區。從反向特性曲線上可以看出，反向電壓在一定范圍內變化時，反向電壓在一定范圍內變化時，反向電流很小。當反向電壓增高反向電流很小。當反向電壓增高到擊穿電壓時，反向電流突然劇到擊穿電壓時，反向電流突然劇增，增，穩壓穩壓二級二級管管反向擊穿。此后，反向擊穿。此后，電流雖然在很大范圍內變化，但電流雖然在很大范圍內變化，但穩壓穩壓二級二級管管兩端的電壓變化很小。兩端的電壓變化很小。利用這一特性，利用這一特性，穩壓穩壓二級二級管管在電在電路中能起穩壓作用。路中能起穩壓作用。I/mAU/VOUZIZIZM+ 正向正向 +反向反向 U

26、Z IZ14.3穩壓二級管穩壓二級管 穩壓二級管的主要參數有下面幾個：穩壓二級管的主要參數有下面幾個：1穩定電壓穩定電壓 UZ4穩定電流穩定電流 IZ 3動態電阻動態電阻 rZ2電壓溫度系數電壓溫度系數 U5最大允許耗散功率最大允許耗散功率 PZMZZZIUr 例例 1 圖中通過穩壓管的電流圖中通過穩壓管的電流 IZ 等于多少？等于多少？R 是限流電是限流電阻，其值是否合適阻，其值是否合適？IZDZ+20 VR = 1.6 k UZ = 12 V IZM = 18 mAIZ例例1的圖的圖IZ 0UBC VB VE對于對于PNP型晶體管應滿足型晶體管應滿足: UEB 0UCB 0即即 VC VB

27、 1 晶體管是一種電流控制元件晶體管是一種電流控制元件, ,其電流放大作用實質上是其電流放大作用實質上是用一個較小的基極電流去控制一個較大的集電極電流。用一個較小的基極電流去控制一個較大的集電極電流。 綜上所述，三極管的放大作用主要是依靠綜上所述，三極管的放大作用主要是依靠它的發射極電流能夠通過基區傳輸，然后到達它的發射極電流能夠通過基區傳輸，然后到達集電極而實現的。集電極而實現的。實現這一傳輸過程的兩個條件是：實現這一傳輸過程的兩個條件是：（1）內部條件：內部條件：發射區雜質濃度遠大于基區發射區雜質濃度遠大于基區雜質濃度，且基區很薄雜質濃度，且基區很薄。（2）外部條件：外部條件：發射結正向偏

28、置，集電結反發射結正向偏置，集電結反向偏置。向偏置。3 3、特性曲線、特性曲線ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 實驗線路實驗線路1)1)輸入特性輸入特性(2) 當當vCE1V時時， vCB= vCE - - vBE0，集電結已進入反偏狀態，集電結已進入反偏狀態，開始收集電子，基區復合減少，同樣的開始收集電子，基區復合減少，同樣的vBE下下 IB減小，特性減小，特性曲線右移。曲線右移。(1) 當當vCE=0V時，相當于發射結的正向伏安特性曲線。時，相當于發射結的正向伏安特性曲線。 iB=f(vBE) vCE=const（以共射極放大電路為例）（以共射極放大電路為例）vCE = 0Vv

29、CE 1V+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE2)2)輸出特性輸出特性飽和區：飽和區：iC明顯受明顯受vCE控控制的區域，該區域內，制的區域，該區域內，一般一般vCE0.7V( (硅管硅管) )。此時，發射結正偏，集此時，發射結正偏，集電結正偏。電結正偏。iC=f(vCE) iB=const輸出特性曲線的三個區域輸出特性曲線的三個區域: :截止區：截止區：iC接近零的接近零的區域，相當區域，相當iB=0的曲的曲線的下方。此時線的下方。此時， vBE小于死區電壓，小于死區電壓，集電結反偏。集電結反偏。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60

30、 A80 A100 A放大區：放大區：iC平行于平行于vCE軸的軸的區域，曲線基本平行等距。區域，曲線基本平行等距。此時，發射結正偏，集電此時，發射結正偏，集電結反偏，結反偏， IC= IB 。輸出特性三個區域的特點輸出特性三個區域的特點: :(1)放大區：放大區：發射結正偏，集電結反偏。發射結正偏，集電結反偏。 U UBEBE0 0 U UCECEU UBEBE 即：即： I IC C= = I IB B (2) 飽和區：飽和區：發射結正偏，集電結正偏。發射結正偏，集電結正偏。 即：即：U UCECE U UBEBE ， I IB B I IC C，U UCECE 0.3V0.3V (3)

31、截止區：截止區：U UBEBE00死區電壓，死區電壓， I IB B=0 =0 ， I IC C= =I ICEOCEO 0 0 晶體管的三種工作狀態如圖所示晶體管的三種工作狀態如圖所示ICIB+ +UCE ( (a) )放大放大IC 0 IB = 0+ UCE UCC ( (b) )截止截止 UBC 0 + UCE 0 ( (c) )飽和飽和 UBC 0+IBCCCCRUI UBC 0+ +IEIEIE 管 型 工 作 狀 態 飽和 放大 截止UBE/VUCE/VUBE/VUBE/V開始截止可靠截止硅管( (NPN) )鍺管( (PNP) ) 0.7 0.3 0.3 0.1 0.6 0.7

32、0.2 0.3 0.5 0.1 0 0.1晶體管結電壓的典型值晶體管結電壓的典型值4 4、主要參數、主要參數前面的電路中，三極管的發射極是輸入輸出的前面的電路中，三極管的發射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共集接法。集接法。共射共射直流電流放大倍數直流電流放大倍數：BCII_工作于動態的三極管，真正的工作于動態的三極管，真正的信號是疊加在信號是疊加在直流上的交流信號直流上的交流信號。基極電流的變化量為。基極電流的變化量為 I IB B，相應的集電極電流變化為相應的集電極電流變化為 I IC C，則，則交流電流放交流電流放大倍數大倍數為

33、：為：BIIC1)電流放大倍數電流放大倍數 和和 _例：例：U UCECE=6V=6V時：時：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCII在以后的計算中，一般作近似處理在以后的計算中，一般作近似處理： = (2) (2) 集電極發射極間的反向飽和電流集電極發射極間的反向飽和電流ICEO基射極開路時，集電極到發射極的電流，受溫度影響很大。基射極開路時，集電極到發射極的電流，受溫度影響很大。2)2)極間反向電流極間反向電流 (1) (1) 集電極基極間反向飽和電流集電極基極間反向飽和電流I ICBOCBO 發射極開路時，集電結的反向飽和電流發射極開路時，集電結的反向飽和電流。 (1) (1) 集電極最大允許電流集電極最大允許電流I ICMCM(2) (2) 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗P PCMCM = = I IC CV VCECE 3)3)極限參數極限參數 (3) (3) V V(BR)CE(BR)CEO O- -基極開路時集電極和發射極間的擊穿電壓基極開路時集電極和發射極間的擊穿電壓。 測得工作在放大電路中幾個晶體管三個測得工作在放大電路中幾個晶體管三個電極的電位電極的電位U1、U2、U3分