1、表示符號(hào)二極管及三極管符號(hào)大全【圖】Cathode耀道二班肯壓二極營(yíng)MPN型三極管表示序號(hào)：Q,yr表示符號(hào)董容二極管表示符號(hào)口穩(wěn)虛二樓售衰演符號(hào)ZD.D光感二極管或光電接收二根表示苻號(hào)：Q.W單結(jié)晶作客C雙器根;花 莒）衰示符號(hào)：QVT雙向觸發(fā)二根者表示符號(hào)WD隈道二極智Anode二極管橋式整流二松首光三極富成光電接收三極 管因楞基二極哲抗光二根莒集合三帔鷲表示苻號(hào)：Q,VT庚系符號(hào)：LEDD裹示符號(hào)；LED雙色發(fā)光二破首CT-勢(shì)壘電容Cj一結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下， 楮檢波二極管的總電容Cjv偏壓結(jié)電容Co零偏壓電容Cjo零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼

2、電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相 對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱(chēng)電容IF正向直流電流（正向測(cè)試電流）。儲(chǔ)檢波二極管在規(guī) 定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管。 硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通 過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率 下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向 電參數(shù)時(shí)給定的電流IF（AV）-正向平均電流IFM（IM）一正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率 下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH恒定電流。維持電流。Ii-發(fā)光二極管起輝電流I

3、FRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)Io整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條 件下所通過(guò)的工作電流IF(ov)-正向過(guò)載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID一暗電流舊2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反 向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP一峰點(diǎn)電流IV一谷點(diǎn)電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR（AV）-反向平均電流IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測(cè)反向特性時(shí)，給定

4、的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電 路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開(kāi)關(guān) 二極管兩端加反向工作電壓 VR時(shí)所通過(guò)的電流；穩(wěn) 壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正 弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-反向重復(fù)峰值電流IRSM一反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。測(cè)試反向電參數(shù) 時(shí)，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的 正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電 路中允許連續(xù)通過(guò)錯(cuò)檢

5、波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流iF-正向總瞬時(shí)電流iR反向總瞬時(shí)電流ir-反向恢復(fù)電流Iop一工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值(品質(zhì)因素)8 v-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT(AV)-正向與通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向與通總瞬時(shí)耗散功率Pd-耗散功率PG-門(mén)極平均功率PGM-門(mén)極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi一輸入功率150度所能承PK-最大開(kāi)關(guān)功率PM額定功率

6、。硅二極管結(jié)溫不高于受的最大功率PMP-最大漏過(guò)脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po一輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot總耗散功率Pomax最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM一不重復(fù)浪涌功率PZM最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF(r)-正向微分電阻。在正向與通時(shí)，電流隨電壓指 數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓 下，電壓增加微小量 N,正向電流相應(yīng)增加，則&/N稱(chēng)微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負(fù)載電阻Rs(rs)-串聯(lián)電阻Rth-一熱阻R(th)ja結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)-動(dòng)態(tài)電阻R(th)jc-結(jié)到殼的熱阻r

7、-衰減電阻r(th)一瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc殼溫td-延遲時(shí)間tf-一下降時(shí)間tfr-正向恢復(fù)時(shí)間tg-電路換向關(guān)斷時(shí)間tgt-門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間Tj結(jié)溫Tjm最局結(jié)溫ton-開(kāi)通時(shí)間toff-關(guān)斷時(shí)間tr-上升時(shí)間trr-反向恢復(fù)時(shí)間ts存儲(chǔ)時(shí)間tstg-溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)入-發(fā)光峰值波長(zhǎng)工-光譜半寬度-單結(jié)晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓）VF正向壓降（正向直流電壓）F-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT-門(mén)極觸發(fā)電壓VGD-門(mén)

8、極不觸發(fā)電壓VGFM-門(mén)極正向峰值電壓VGRM-門(mén)極反向峰值電壓VF（AV）-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp峰點(diǎn)電壓VR-反向工作電壓（反向直流電壓）VRM-反向峰值電壓（最高測(cè)試電壓）V（BR）-擊穿電壓Vth-閥電壓（門(mén)限電壓）VRRM-反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM-反向工作峰值電壓Vv谷點(diǎn)電壓Vz穩(wěn)定電壓兇z-穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs-通向電壓（信號(hào)電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管）VL-極限電壓CT-勢(shì)壘電容Cj一結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下, 錯(cuò)檢波二極管的總電容C

9、jv偏壓結(jié)電容Co零偏壓電容Cjo零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相 對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱(chēng)電容IF正向直流電流（正向測(cè)試電流）。儲(chǔ)檢波二極管在規(guī) 定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管。 硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通 過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率 下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向 電參數(shù)時(shí)給定的電流IF（AV）-正向平均電流IFM（IM）一正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率 下，允許通過(guò)二極管的最大正

10、向脈沖電流。發(fā)光二極 管極限電流。IH恒定電流。維持電流。Ii-發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）Io整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條 件下所通過(guò)的工作電流IF（ov）-正向過(guò)載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID一暗電流舊2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP一峰點(diǎn)電流IV一谷點(diǎn)電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(

11、AV)-反向平均電流IR(In)-反向直流電流(反向漏電流)。在測(cè)反向特性 時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電 路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開(kāi)關(guān) 二極管兩端加反向工作電壓 VR時(shí)所通過(guò)的電流；穩(wěn) 壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正 弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-反向重復(fù)峰值電流IRSM一反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。測(cè)試反向電參數(shù) 時(shí)，給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的 正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電 路中允許連續(xù)通