1、3.2離子鍵離子晶體課時(shí)訓(xùn)練達(dá)標(biāo)鞏固區(qū)一、選擇題1 .(2018 宜昌高二檢測(cè))下列敘述中錯(cuò)誤的是()A.鈉原子和氯原子作用生成NaCl后，其結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性增強(qiáng)B.在氯化鈉晶體中，除氯離子和鈉離子的靜電吸引作用外，還存在電子與電子、原子核與原子核之間的排斥作用C.任何離子鍵在形成的過(guò)程中必定有電子的得與失D.鈉與氯氣反應(yīng)生成氯化鈉后，體系能量降低【解析】選Co活潑的金屬元素原子和活潑的非金屬元素原子之間形成離子化合物，陽(yáng)離子和陰離子均達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，這樣體系的能量降低，其結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性增強(qiáng)，故A、D正確。離子鍵的形成只有陰、陽(yáng)離子間的靜電作用，并不一定發(fā)生電子的得與失，如Na+與OH2合成NaOH【

2、補(bǔ)償訓(xùn)練】為了確定SbCl3、SbCl5、SnCl4是否為離子化合物，可以進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)，其中合理、可靠的是 ()A.觀察常溫下的狀態(tài)，SbCl5是蒼黃色液體，SnCl 4為無(wú)色液體。結(jié)論：SbCl 5和SnCl4都是離子化合物B.測(cè)定 SbCb、SbCl5、SnCl4的熔點(diǎn)依次為 73.5 C、2.8 C、-33 C。結(jié)論：SbCl 3、SbC%、SnCl4都不是離子化合 物C.將SbCl3、SbCl5、SnCl4溶解于水中，滴入HNO酸化的AgNO溶液，產(chǎn)生白色沉淀。結(jié)論：SbCl 3、SbC%、SnCl4者B 是離子化合物D.測(cè)定SbCl3、SbCl5、SnCl4的水溶液的導(dǎo)電性，發(fā)現(xiàn)它們

3、都可以導(dǎo)電。結(jié)論：SbCl 3、SbCL SnCl4都是離子化合物【解析】選B。離子化合物一般熔點(diǎn)較高，熔化后可導(dǎo)電；分子晶體溶于水后也可以發(fā)生電離而導(dǎo)電，如HCl溶于水電離產(chǎn)生Cl-,能與HNO酸化的AgNO溶液反應(yīng)，產(chǎn)生白色沉淀，故A、C、D都不可靠。2.(2018 四平高二檢測(cè))下列熱化學(xué)方程式中，能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是()A.Na+(g)+Cl -(g) = NaCl(s) A HB.Na(s)+ %l2(g) =NaCl(s) A HC.Na(s) Na(g)A H2D.Na(g)-e -= Na+(g)A H3【解析】選Ao 1 mol氣態(tài)鈉離子和1 mol氣態(tài)氯離子結(jié)合

4、生成1 mol氯化鈉晶體釋放出的能量為氯化鈉晶體的晶格能。3.(雙選)下列有關(guān)晶體的說(shuō)法中不正確的是()A.在NaCl晶體中，Na+的配位數(shù)為8B.在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有 4個(gè)Na+C.在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有 8個(gè)Cs+D.銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)(距離一個(gè)銅原子最近的其他銅原子的個(gè)數(shù))為12【解析】選 A、Co NaCl晶體中，Na+的配位數(shù)是6,在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有1個(gè)Cs+。【補(bǔ)償訓(xùn)練】如圖，在氯化鈉晶胞中，與每個(gè)Na+等距離且最近的幾個(gè) Cl !： iui I ia|ii ki I 成的立體構(gòu)型為（）19 I 1 17 7 I! 1 0

5、44_1A.十二面體B.正八面體C.正六面體D.正四面體 Cl- ONah【解析】選Bo選取晶胞中心的鈉離子為標(biāo)準(zhǔn)，可以看到，與其等距離且的幾個(gè)Cl-所圍成的是正八面體。4 .下列說(shuō)法正確的是（）A.離子鍵就是使陰、陽(yáng)離子結(jié)合成化合物的靜電引力B.所有金屬與所有非金屬原子之間都能形成離子鍵C.在AlCl 3中Al 3+與Cl-間存在離子鍵,三個(gè)氯離子間不存在離子鍵D.含有離子鍵的化合物一定是離子化合物;AlCl 3是共價(jià)化合物，不存在離子【解析】選Do A中應(yīng)為靜電作用;B中某些金屬與非金屬原子之間形成共價(jià)鍵 鍵。5 .（2018 淮安高二檢測(cè)）下列性質(zhì)適合于離子晶體的是（）熔點(diǎn)1 070 C

6、 ,易溶于水，水溶液能導(dǎo)電熔點(diǎn)10.31 C,液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電能溶于 CS,熔點(diǎn)112.8 C,沸點(diǎn)444.6 C熔點(diǎn)97.81 C ,質(zhì)軟，導(dǎo)電，密度0.97 g cm-3熔點(diǎn)-218 C,難溶于水熔點(diǎn)3 900 C ,硬度很大，不導(dǎo)電難溶于水，固體時(shí)導(dǎo)電，升溫時(shí)導(dǎo)電能力減弱難溶于水，熔點(diǎn)高，固體不導(dǎo)電，熔化時(shí)導(dǎo)電A. B. C. D.【解析】選A。離子晶體熔融時(shí)能導(dǎo)電，難溶于非極性溶劑，熔點(diǎn)較高、質(zhì)硬而脆，固體不導(dǎo)電，故均不 符合離子晶體的特點(diǎn)；中熔點(diǎn)達(dá)3 900 C ,硬度很大，應(yīng)是原子晶體。故只有符合題意。6 .有一種藍(lán)色晶體可表示為MFey（CN）6,經(jīng)X，它的結(jié)構(gòu)特征是Fe

7、3+和Fe2+互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn)，而CN位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說(shuō)法正確的是（）A.該晶體的化學(xué)式為MFe2（CN）6B.該晶體屬于離子晶體 制呈+1價(jià)C.該晶體屬于離子晶體制呈+2價(jià)D.晶體中與每個(gè) Fe3+距離最近且等距離的CN為3個(gè)2+ .-【解析】選Bo由題圖可推出，晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元中含F(xiàn)e個(gè)數(shù)為4x=,含F(xiàn)e3+個(gè)數(shù)也為二,CN-的個(gè)數(shù)為12 x：=3，因此陰離子的化學(xué)式為 Fe 2（CN）6-,則該晶體的化學(xué)式只能為MFe（CN）6,由陰、陽(yáng)離子形成的晶體為離子晶體知，M的化合價(jià)為+1價(jià)，故A錯(cuò),B對(duì)。由題圖可看出與每個(gè)Fe3

8、+距離最近且相等的CN為6個(gè)。7 .有下列離子晶體的空間結(jié)構(gòu)示意圖。圖中代表陽(yáng)離子Mq代表陰離子N,則化學(xué)式為MN的晶體結(jié)構(gòu)為（）ABCD【解析】選B。A的化學(xué)式為MN,C的化學(xué)式為MN,D的化學(xué)式為MN。【方法規(guī)律】利用均攤法計(jì)算晶胞中微粒的個(gè)數(shù) 立方晶胞中，位于晶胞頂點(diǎn)的粒子,對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)為/立于晶胞棱上的粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)為T(mén)位于面上的粒子對(duì) 晶胞的貢獻(xiàn)為二;位于晶胞內(nèi)的粒子屬于該晶胞。8 .下列大小關(guān)系正確的是A.晶格能：NaClCaOC.熔點(diǎn)：NaINaBrD.熔、沸點(diǎn)：CO2NaCl【解析】選B。A項(xiàng)中陽(yáng)離子相同，濱離子半徑大于氯離子，因此NaBr的晶格能小于 NaCl,A錯(cuò);B項(xiàng)陰

9、離子相同，鎂離子半徑小于鈣離子，故MgO勺晶格能較大,硬度較大，B正確;C項(xiàng)陽(yáng)離子相同，濱離子半徑小于碘離子，故NaBr的晶格能較大,熔點(diǎn)較高，C錯(cuò);D項(xiàng)二氧化碳常溫下是氣體,而NaCl常溫下是固體,熔、沸點(diǎn)較高的是 NaCl,D錯(cuò)。9.（2018 湖州高二檢測(cè)）食鹽晶體的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。已知食鹽的密度為g - cm3,摩爾質(zhì)量為 Mgmol-1,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則在食鹽晶體中 Na+和Cl-的間距大約是（B.D.2M 2 ：N a Cm2M cm 8：NaA.2Mcm：NaC 2N AC. 3,A cm的【解析】選Bo食鹽晶胞中含有4個(gè)N日和4個(gè)Cl-,每個(gè)晶胞的體積為M：Nacm

10、3,設(shè)食鹽晶體里 Na和Cl-的間距為xcm,所以可得（2x） 3= PnX 4,解得x= 3-M,則在食鹽晶體中2：NaNa+和Cl-的間距大約是二、非選擇題,試分析下列兩組物質(zhì)熔點(diǎn)規(guī)律性變化的原10.（2018 汕頭高二檢測(cè)）同類晶體物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的變化是有規(guī)律的 因:A組NaClKClCsCl熔點(diǎn)/K1 0741 049918B組NaMgAl熔點(diǎn)/K317923933晶體熔、沸點(diǎn)的高低，取決于組成晶體微粒間的作用力的大小。(1)A組是 晶體,晶體微粒之間通過(guò) 相連,粒子之間的作用力由大到小的順序是。(2)B組晶體屬于 晶體,外圍電子數(shù)由少到多的順序是 ,相應(yīng)離子半徑由大到小的順序是 。金屬

11、鍵強(qiáng)度由小到大的順序?yàn)?。【解析】(1)A組NaCl、KCl、CsCl為同一主族的氯化物且為離子化合物 ，故熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān) ，離子鍵越 弱，熔點(diǎn)越低。而Na+、K+、Cs+的離子半徑逐漸增大，故Na+與Cl-、K+與Cl-、Cs+與Cl-的離子鍵逐漸減弱，NaCl、KCl、CsCl的熔點(diǎn)依次降低。(2)B組中Na M4 Al是金屬晶體且價(jià)電子數(shù)依次增多，離子半徑逐漸減小，因此金屬原子核對(duì)外層電子束縛能力越來(lái)越大，形成的金屬鍵越來(lái)越牢固，故熔點(diǎn)依次升高。答案：(1)離子離子鍵 NaClKClCsCl(2)金屬 NaMgMc2+Al 3+ NaMgAl【補(bǔ)償訓(xùn)練】離子晶體漠化鈉、氯化鈉和氧

12、化鎂的核間距和晶格能(部分)如下表所示：NaBrNaClMgO離子的核間距/pm290276205晶格能/kJ - mol-17873 890(1)澳化鈉晶體比氯化鈉晶體晶格能 (填“大”或“小”),主要原因是(2)氧化鎂晶體比氯化鈉晶體晶格能大，主要原因是 (3)澳化鈉、氯化鈉和氧化鎂晶體中，硬度最大的是 。工業(yè)制取單質(zhì)鎂時(shí)，往往電解的是氯化鎂而不是氧化鎂，主要原因是。【解析】利用離子晶體中離子的核間距、離子的電荷數(shù)與晶格能的關(guān)系，對(duì)離子晶體的物理性質(zhì)進(jìn)行分析。晶格能越大，則離子晶體越穩(wěn)定，即熔、沸點(diǎn)越高。答案：(1)小 NaBr比NaCl中離子的核間距大(2)氧化鎂晶體中的陰、陽(yáng)離子的電荷

13、數(shù)絕對(duì)值大，并且半徑小(3)氧化鎂(MgO)氧化鎂晶體比氯化鎂晶體晶格能大，熔點(diǎn)高，電解時(shí)消耗電能大11.(2018貴陽(yáng)高二檢測(cè))銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要用途，如金屬銅用來(lái)制造電線電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑。二溶 .內(nèi) O0(1)Cu位于元素周期表第I B族。Cu2+的核外電子排布式9 OV； A Cu為pp(2)上圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，可確定該晶胞中陰離子的個(gè)數(shù)為(3)Cu2O的熔點(diǎn)比CuzS的(填“高”或“低”，請(qǐng)解釋原因 。【解析】(2)由銅的氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)可知，氧原子有8個(gè)處于頂點(diǎn)位置，4個(gè)處于棱上,2個(gè)處于面上,1個(gè)處于體心，故一個(gè)晶胞中實(shí)際所擁有的氧原子個(gè)

14、數(shù)為8X *+4X-+2X :+1=4。B 42答案:(1)1s 22s22P63s23P63d9 (2)4 高 CltO與C*S相比，陽(yáng)離子相同、陰離子所帶電荷數(shù)也相同，但酋的半徑比S2的小，所以CWO的晶格能更大,熔點(diǎn)更(Wj12.X、Y、Z、U為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，X、Y、Z 3種元素位于同一周期，其中基態(tài)Y原子的2P軌道處于半充滿狀態(tài),Y和Z的單質(zhì)可以通過(guò)分離液態(tài)空氣的方法大量制得，且XZ與Y2Z分子中含有的電子數(shù)相同。含U的化合物的焰色為紫色。試回答下列問(wèn)題：(1)U單質(zhì)的原子堆積方式為 ,Y的價(jià)電子排布式為。(2)化合物甲由Z、U兩元素組成，其晶胞如圖所示。甲的化學(xué)式為

15、。下列有關(guān)該晶體的說(shuō)法中正確的是 (選填選項(xiàng)字母)。A.每個(gè)晶胞中含有14個(gè)U和13個(gè)彳B.晶體中每個(gè)U+周圍距離最近的 U有6個(gè)C.該晶體屬于離子晶體甲的密度為ag cm3,則晶胞的體積是 向只要求列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值用N表示)。【解析】Y和Z的單質(zhì)可以通過(guò)分離液態(tài)空氣的方法大量制得，且基態(tài)Y原子的2P軌道處于半充滿狀態(tài)，則Y、Z分別為N和O;XZ2與Y2Z分子中含有的電子數(shù)相同，則X為C;含U的化合物的焰色為紫色，則U為K。(1)金屬鉀的晶體堆積方式為體心立方堆積。N的價(jià)電子排布式為 2s22p3。(2)K+位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，則晶胞中含有 K+的個(gè)數(shù)為8X ：+6X=4個(gè),0